JPS5925316B2 - メモリ・アレイ - Google Patents
メモリ・アレイInfo
- Publication number
- JPS5925316B2 JPS5925316B2 JP56112393A JP11239381A JPS5925316B2 JP S5925316 B2 JPS5925316 B2 JP S5925316B2 JP 56112393 A JP56112393 A JP 56112393A JP 11239381 A JP11239381 A JP 11239381A JP S5925316 B2 JPS5925316 B2 JP S5925316B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- loop
- data
- shift register
- memory
- loops
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/287—Organisation of a multiplicity of shift registers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
- G11C19/285—Peripheral circuits, e.g. for writing into the first stage; for reading-out of the last stage
Landscapes
- Shift Register Type Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
発明の分野
本発明は、一般に再循環ループ式メモリ・アレイ中に記
憶されたデータを取出し、記憶するための手段、特にこ
れらの機能を大きな速度でしかも簡単、、構造によつて
実現するためのシフト・レジスタ手段に関することであ
る。
憶されたデータを取出し、記憶するための手段、特にこ
れらの機能を大きな速度でしかも簡単、、構造によつて
実現するためのシフト・レジスタ手段に関することであ
る。
先行技術の説明
電荷結合装置(CCD)メモリ・アレイにおいて、多重
CCDループは、単一入力ピンおよび単一出力ピンを介
してアクセス可能となるように構成されている。
CCDループは、単一入力ピンおよび単一出力ピンを介
してアクセス可能となるように構成されている。
従つて、各ループは逐次にアクセスされる。アレイ全体
を予め定められた状態に初期設定すべき場合、あるいは
記憶されたデータが正確であるかどうか試験して確認す
べき場合には。CCDループの直列アクセスを完了する
ために充分な時間を割り振らなければならない。より多
数の個別ループを含めるには、 CCDメモリ・アレイ
の密度が増加するにつれて、必要時間が嫌になるほど増
加する。他方、個別のCCDループを直接並列アクセス
することによつて、はるかに迅速な初期設定が可能とな
るが受入れ難いほど多数の入出力(工10)ピンが必要
となる。内部論理回路点の間接並列アクセスは、197
4年l月1田こ授与され、本譲受人に譲渡されたE。
を予め定められた状態に初期設定すべき場合、あるいは
記憶されたデータが正確であるかどうか試験して確認す
べき場合には。CCDループの直列アクセスを完了する
ために充分な時間を割り振らなければならない。より多
数の個別ループを含めるには、 CCDメモリ・アレイ
の密度が増加するにつれて、必要時間が嫌になるほど増
加する。他方、個別のCCDループを直接並列アクセス
することによつて、はるかに迅速な初期設定が可能とな
るが受入れ難いほど多数の入出力(工10)ピンが必要
となる。内部論理回路点の間接並列アクセスは、197
4年l月1田こ授与され、本譲受人に譲渡されたE。
B、ァィヒェルベルガーの「LeveISensiti
veLogicSystem」と題する米国特許第37
83254号ならびにこれと関連する同じ発明者の木国
特許第3761695号および第3784907号に記
述されている技術にもとづき61/0ピンによつて実現
された。簡単にいえば.刻時された直流ラツチが試験す
べき論理ネツトワーク・ノードの所に設けられており,
各ラツチを機能シフト・レジスタ中に選択的に接続する
ための追加回路構成が含まれている。次に予め定められ
た2進数1およびゼロのパターンをシフト・レジスタ・
ラツチ中に遂次導入することができ6それらは試験すべ
き論理ネツトワーク・ノードに対する並列入力として後
で利用するためにそこに保持される。第1の刻時直流ラ
ツチによつて導入される試験信号によつてもたらされる
試験結果を表わす信号を受けるためにもう1つの論理ネ
ツトワーク・ノードに追加的刻時直流ラツチが備わつて
いる。試験結果が第2の刻時直流ラツチ中に記憶される
と,それ以降の回路構成によつてラツチが機能シフト・
レジスタに接続され,それによつて試験結果がシフト・
アウトできる。しかしながら、この技術はメモリ・アレ
イ中のCCDループ内に記憶されたデータの動的試験に
はよく適していない。1980年6月26日付けで出願
され.本譲受人に譲渡されたF.J.アイヒエルマンJ
rらの[RecirculatingLOupMemO
ryArrayFaultLOcatOrlと題する米
国特許第4313199号はアレイを構成する再循環式
メモリ素子から受取つた誤りビツトの位置を(再循環タ
イプ・メモリ・アレイの指定された下位区分ないし区画
内で)迅速に決定するための技術を記述したものである
。
veLogicSystem」と題する米国特許第37
83254号ならびにこれと関連する同じ発明者の木国
特許第3761695号および第3784907号に記
述されている技術にもとづき61/0ピンによつて実現
された。簡単にいえば.刻時された直流ラツチが試験す
べき論理ネツトワーク・ノードの所に設けられており,
各ラツチを機能シフト・レジスタ中に選択的に接続する
ための追加回路構成が含まれている。次に予め定められ
た2進数1およびゼロのパターンをシフト・レジスタ・
ラツチ中に遂次導入することができ6それらは試験すべ
き論理ネツトワーク・ノードに対する並列入力として後
で利用するためにそこに保持される。第1の刻時直流ラ
ツチによつて導入される試験信号によつてもたらされる
試験結果を表わす信号を受けるためにもう1つの論理ネ
ツトワーク・ノードに追加的刻時直流ラツチが備わつて
いる。試験結果が第2の刻時直流ラツチ中に記憶される
と,それ以降の回路構成によつてラツチが機能シフト・
レジスタに接続され,それによつて試験結果がシフト・
アウトできる。しかしながら、この技術はメモリ・アレ
イ中のCCDループ内に記憶されたデータの動的試験に
はよく適していない。1980年6月26日付けで出願
され.本譲受人に譲渡されたF.J.アイヒエルマンJ
rらの[RecirculatingLOupMemO
ryArrayFaultLOcatOrlと題する米
国特許第4313199号はアレイを構成する再循環式
メモリ素子から受取つた誤りビツトの位置を(再循環タ
イプ・メモリ・アレイの指定された下位区分ないし区画
内で)迅速に決定するための技術を記述したものである
。
全てのループ・メモリ素子は全てのループに同一の試験
データをロードすることによつて予め定められた試験条
件に初期設定される。記憶されたデータは、多数の比較
ゲートによつて確認される。所与の比較ゲートに付随す
る1つまたは複数のループから受取つたデータの任意の
1つないし複数のビツトが,他の全ての付随ループから
のデータ・ビツトと等しくない場合には.所与の比較ゲ
ートによつて識別信号が発生される。誤り素子を含むア
レイ下位区分を位置決定するために、比較ゲートによつ
て生成される出力信号が遂次順に感知される。その発明
の1実施例では.各比較ゲートの出力部にラツチが設け
られている。各ラツチは,その比較ゲートに付随するル
ープから.1つないし複数のビツトが誤つているとの情
報を記憶するようにセツトされている。しかしながらラ
ツチは再循環ループ内にデータを記憶することには何の
役割も果さず.また個別ループからデータを取出すこと
には関与しない。発明の概要複数の再循環メモリ・ルー
プより成るメモリ・アレイはアレイ中の再循壌メモリ・
ループの数と同数の多数のシフト・レジスタ・セルから
なるシフト・レジスタを設けることによる並列取出しロ
ーデイング操作のために緩衝されている。
データをロードすることによつて予め定められた試験条
件に初期設定される。記憶されたデータは、多数の比較
ゲートによつて確認される。所与の比較ゲートに付随す
る1つまたは複数のループから受取つたデータの任意の
1つないし複数のビツトが,他の全ての付随ループから
のデータ・ビツトと等しくない場合には.所与の比較ゲ
ートによつて識別信号が発生される。誤り素子を含むア
レイ下位区分を位置決定するために、比較ゲートによつ
て生成される出力信号が遂次順に感知される。その発明
の1実施例では.各比較ゲートの出力部にラツチが設け
られている。各ラツチは,その比較ゲートに付随するル
ープから.1つないし複数のビツトが誤つているとの情
報を記憶するようにセツトされている。しかしながらラ
ツチは再循環ループ内にデータを記憶することには何の
役割も果さず.また個別ループからデータを取出すこと
には関与しない。発明の概要複数の再循環メモリ・ルー
プより成るメモリ・アレイはアレイ中の再循壌メモリ・
ループの数と同数の多数のシフト・レジスタ・セルから
なるシフト・レジスタを設けることによる並列取出しロ
ーデイング操作のために緩衝されている。
各再循環メモリ・ループは.当該のシフト・レジスタ・
セルに選択的に接続されていて.指◆によつて全てのル
ープ中の特定の再循環ビツトをその当該セル中に並列に
取出すことができ、また逆にシフト・レジスタ・セル中
に記臆されているビツトをその当該ループの予め定めら
れた再循環ビツト中に並列ロードすることができるよう
になつている。先ず全てのシフト・レジスタに2進デー
タをロードすると,シフト・レジスタ・セルを再循環ル
ープに選択的に接続することによつて各再循環ループ中
の当該ビツトを並列にロードすることができる。次にシ
フト・レジスタに新しい2進データが再ロードされ.各
再循環ループ中の次のビツト位置が同様の並列様式でロ
ードされる。再循環ループ中の全てのビツト位置がロー
ドされるまで,このプロセスが繰返される。データの取
出しも類似のやり方で実施される。
セルに選択的に接続されていて.指◆によつて全てのル
ープ中の特定の再循環ビツトをその当該セル中に並列に
取出すことができ、また逆にシフト・レジスタ・セル中
に記臆されているビツトをその当該ループの予め定めら
れた再循環ビツト中に並列ロードすることができるよう
になつている。先ず全てのシフト・レジスタに2進デー
タをロードすると,シフト・レジスタ・セルを再循環ル
ープに選択的に接続することによつて各再循環ループ中
の当該ビツトを並列にロードすることができる。次にシ
フト・レジスタに新しい2進データが再ロードされ.各
再循環ループ中の次のビツト位置が同様の並列様式でロ
ードされる。再循環ループ中の全てのビツト位置がロー
ドされるまで,このプロセスが繰返される。データの取
出しも類似のやり方で実施される。
すなわち,各再循環ループ中の所与の当該ビツト位置が
各シフト・レジスタ・セル中にロードされ、次にシフテ
イングによつてシフト・レジスタからその記憶データが
空にされる。次に全ての再循環ループ中の次のビツトが
シフト・レジスタの各セル中に取出され.シフト・レジ
スタは前と同様に空になる。シフト・レジスタはメモリ
・ループのビツト再循環速度よりもずつと速い論理速度
で作動する。
各シフト・レジスタ・セル中にロードされ、次にシフテ
イングによつてシフト・レジスタからその記憶データが
空にされる。次に全ての再循環ループ中の次のビツトが
シフト・レジスタの各セル中に取出され.シフト・レジ
スタは前と同様に空になる。シフト・レジスタはメモリ
・ループのビツト再循環速度よりもずつと速い論理速度
で作動する。
従つて.再循環ループの数.すなわちシフト・レジスタ
の長さが余りに大規模でない限り.シフト・レジスタ全
体が再循環ループ中のビツトの連続ステツピングの間隔
中にロードされる。大規模なループ・アレイの場合.ア
レイをより少数のループのグループに区分し,こうして
短くなつたシフト・レジスタを各ループ・グループに選
択的に接続することができる。良好な実施例の説明 第1図のメモリ・アレイは複数の再循環CCDループ1
,2・・・・・・Nを含んでいるが,これはできればデ
ジタル・データの記憶と関連する書込みおよび読取りの
ために個別にアドレス指定できるものにするとよい。
の長さが余りに大規模でない限り.シフト・レジスタ全
体が再循環ループ中のビツトの連続ステツピングの間隔
中にロードされる。大規模なループ・アレイの場合.ア
レイをより少数のループのグループに区分し,こうして
短くなつたシフト・レジスタを各ループ・グループに選
択的に接続することができる。良好な実施例の説明 第1図のメモリ・アレイは複数の再循環CCDループ1
,2・・・・・・Nを含んでいるが,これはできればデ
ジタル・データの記憶と関連する書込みおよび読取りの
ために個別にアドレス指定できるものにするとよい。
各ループは.アドレス・デコード4の出力部で線3上の
当該ループ選択信号によつて個別にアドレス指定できる
。ループアドレス信号が、ループを含むチツプ6から離
れて配置されているソース(図示せず)から、線5を介
して加えられる。各ループ1〜Nからの直列的ビツト出
力力Sシフト・レジスタ7を構成する各シJャg・レジス
タ・セル1′,2′−・・・・・N′に選択的に加えら
れる。ソフト・レジスタは、レジスタ・ステージの遂次
ローディングのために線8からデジタル・データを受取
る。ある所与の時間にレジスタ内に記憶されているデー
タは、線9およびドライバ回路10を介して遂次シフト
・アウトすることができ.出力線11上で使用可能とな
る。シフト・レジスタ7は、異なる時間にCCDループ
・メモリ・アレイによつてデータ信号ならびにテスト信
号を取扱うことに付随する並列データ取出し,および並
列データ・ローデイングのために使用される。個別にア
ドレス指定されたループの遂次データ取出しおよび遂次
データ・ローデイングのための装置も備わつている。指
令制薗装置13によつて与えられた書込み指令が線34
および48上に存在するとき入力データが線31を介し
て加えられる。同様にして,アドレス指定されたループ
内に記憶されているデータが.線60,61,62,A
NDゲート50,51,52,0Rゲート36,AND
ゲート37(導通する場合)およびドライバ38を介し
て取出される。ゲート37は6線39上の読取り指令に
よつて導通する。アレイ・ループ中のデータを取出しお
よび記憶するための指令信号が.線12によつて指令制
脚タイミング・ロジツク13に加えられる。
当該ループ選択信号によつて個別にアドレス指定できる
。ループアドレス信号が、ループを含むチツプ6から離
れて配置されているソース(図示せず)から、線5を介
して加えられる。各ループ1〜Nからの直列的ビツト出
力力Sシフト・レジスタ7を構成する各シJャg・レジス
タ・セル1′,2′−・・・・・N′に選択的に加えら
れる。ソフト・レジスタは、レジスタ・ステージの遂次
ローディングのために線8からデジタル・データを受取
る。ある所与の時間にレジスタ内に記憶されているデー
タは、線9およびドライバ回路10を介して遂次シフト
・アウトすることができ.出力線11上で使用可能とな
る。シフト・レジスタ7は、異なる時間にCCDループ
・メモリ・アレイによつてデータ信号ならびにテスト信
号を取扱うことに付随する並列データ取出し,および並
列データ・ローデイングのために使用される。個別にア
ドレス指定されたループの遂次データ取出しおよび遂次
データ・ローデイングのための装置も備わつている。指
令制薗装置13によつて与えられた書込み指令が線34
および48上に存在するとき入力データが線31を介し
て加えられる。同様にして,アドレス指定されたループ
内に記憶されているデータが.線60,61,62,A
NDゲート50,51,52,0Rゲート36,AND
ゲート37(導通する場合)およびドライバ38を介し
て取出される。ゲート37は6線39上の読取り指令に
よつて導通する。アレイ・ループ中のデータを取出しお
よび記憶するための指令信号が.線12によつて指令制
脚タイミング・ロジツク13に加えられる。
シフト・レジスタ7の制御装置用ならびにアレイ・ルー
プ用の位相クロツクが、線14によつて指令制御タイミ
ング・ロジツク13に加えられる。位相クロツクの周波
数および位相は.データが各再循環ループ内の1つのビ
ツト位置から次の位置にステツプする間の時間に、シフ
ト・レジスタの全体をロードないしアンロードできるよ
うになつている。ステツピング・クロツクが6線40を
介してループ1〜Nに加えられる。シフトクロツクが線
15を介して個々のシフト・レジスタ・ステージに加え
られる。並列読取り指+および並列書込み指令が指令制
脚タイミング・ロジツク13によつてそれぞれ回路16
および39に交互に加えられる。同様に,並列書込み指
令信号および遂次書込み指令信号がそれぞれ回路17お
よび48に交互に加えられる。次に,第2図を参照する
と.第1図の典型的CCDグループは.AND回路18
.0R回路19,直列一並列一直列CCDレジスタ20
,21,22および再生増幅器23を含んでいる。
プ用の位相クロツクが、線14によつて指令制御タイミ
ング・ロジツク13に加えられる。位相クロツクの周波
数および位相は.データが各再循環ループ内の1つのビ
ツト位置から次の位置にステツプする間の時間に、シフ
ト・レジスタの全体をロードないしアンロードできるよ
うになつている。ステツピング・クロツクが6線40を
介してループ1〜Nに加えられる。シフトクロツクが線
15を介して個々のシフト・レジスタ・ステージに加え
られる。並列読取り指+および並列書込み指令が指令制
脚タイミング・ロジツク13によつてそれぞれ回路16
および39に交互に加えられる。同様に,並列書込み指
令信号および遂次書込み指令信号がそれぞれ回路17お
よび48に交互に加えられる。次に,第2図を参照する
と.第1図の典型的CCDグループは.AND回路18
.0R回路19,直列一並列一直列CCDレジスタ20
,21,22および再生増幅器23を含んでいる。
読書き使用可能間隔中に線34上に書込み指令がない場
合.AND回路25はゼロ出力をもたらし.それが逆点
(26)されてAND回路18を各再循環データ・ビツ
トに対して導通にする。再循環ループは、書込み指令が
線34上に出現したとき、ゲート18の非導通によつて
破られる。直列書込み指令が線48上に発生するから,
あるいは並列書込み指令が線17上に発生すると.信号
が線34上に現われる。入力データ・ゲート27は.並
列書込み指令信号が線17上に.また入力データが線2
9上に同時に存在するとき.導通する〇ゲート27の出
力は,0R回路19を介してループ中に結合される。並
列読取り指令が線16上にかかり.線34上に書込み指
令信号がない場合に.データがANDゲート30および
線31を介して再循環ループから読取られる。ループ・
データ信号は.線3上の各ループ選択信号と共にAND
ゲート50に加えられる。
合.AND回路25はゼロ出力をもたらし.それが逆点
(26)されてAND回路18を各再循環データ・ビツ
トに対して導通にする。再循環ループは、書込み指令が
線34上に出現したとき、ゲート18の非導通によつて
破られる。直列書込み指令が線48上に発生するから,
あるいは並列書込み指令が線17上に発生すると.信号
が線34上に現われる。入力データ・ゲート27は.並
列書込み指令信号が線17上に.また入力データが線2
9上に同時に存在するとき.導通する〇ゲート27の出
力は,0R回路19を介してループ中に結合される。並
列読取り指令が線16上にかかり.線34上に書込み指
令信号がない場合に.データがANDゲート30および
線31を介して再循環ループから読取られる。ループ・
データ信号は.線3上の各ループ選択信号と共にAND
ゲート50に加えられる。
線49上のゲート50の出力が0Rゲート36に加えら
れる。書込み指令信号が線3上の各ループ選択信号と共
にANDゲート25に加えられる。遂次入力データ・ビ
ツトが線31および0R回路19を介してループに導入
される。先に説明したように書込み間隔中,ゲート25
の導通ならびにインバータによつてもたらされる逆転に
もとづくゲート18の非導通によつて再循壌ビツトがプ
ロツクされる。以上の明細書から.本発明にもとづき.
データを記憶および取出すためのアドレス指定された任
意のループの並列アクセス及び全てのループの直列アク
セスが実現されることがわかる。
れる。書込み指令信号が線3上の各ループ選択信号と共
にANDゲート25に加えられる。遂次入力データ・ビ
ツトが線31および0R回路19を介してループに導入
される。先に説明したように書込み間隔中,ゲート25
の導通ならびにインバータによつてもたらされる逆転に
もとづくゲート18の非導通によつて再循壌ビツトがプ
ロツクされる。以上の明細書から.本発明にもとづき.
データを記憶および取出すためのアドレス指定された任
意のループの並列アクセス及び全てのループの直列アク
セスが実現されることがわかる。
前者の例では1つの対応ビツトが各ループから抜出され
.出力シフト・レジスタの各ステージに加えられる。レ
ジスタは高速でシフトして,その内容を再循壌ループ・
ビツトの連続ステツピングの時間間隔で空にする(また
は.場合によつては充填する)ことができる。並列ルー
プ・アクセス・モードは高速記憶テスト機構またはCa
cheデータ・バツフアとして使用する場合には.特に
重要である。また、これにょりデータが単一ループ内で
はなくて全てのループの間に分布する.ページング階層
組織が実現される。
.出力シフト・レジスタの各ステージに加えられる。レ
ジスタは高速でシフトして,その内容を再循壌ループ・
ビツトの連続ステツピングの時間間隔で空にする(また
は.場合によつては充填する)ことができる。並列ルー
プ・アクセス・モードは高速記憶テスト機構またはCa
cheデータ・バツフアとして使用する場合には.特に
重要である。また、これにょりデータが単一ループ内で
はなくて全てのループの間に分布する.ページング階層
組織が実現される。
第1図は本発明にもとづく.データの取出しおよび記憶
に適合したCCDメモリ・アレイの簡略化した構成図で
ある。 第2図は第1図の典型的ループおよびその谷シフト・レ
ジスタ・セルへの選択的接続をより詳細に表した、簡略
化した構成図である。1,2,N・・・・・・CCDル
ープ・メモリ素子.4・・・・・・アドレス・デコード
. 6・・・・・・チツプ, 7・・・・・・シフト・
レジスタ. 10・・・・・・ドライバ回路.13・・
・・・・指令制御タイミング・ロジツク638・・・・
・・出力ドライバ。
に適合したCCDメモリ・アレイの簡略化した構成図で
ある。 第2図は第1図の典型的ループおよびその谷シフト・レ
ジスタ・セルへの選択的接続をより詳細に表した、簡略
化した構成図である。1,2,N・・・・・・CCDル
ープ・メモリ素子.4・・・・・・アドレス・デコード
. 6・・・・・・チツプ, 7・・・・・・シフト・
レジスタ. 10・・・・・・ドライバ回路.13・・
・・・・指令制御タイミング・ロジツク638・・・・
・・出力ドライバ。
Claims (1)
- 1 各々が1つの入力線及び出力線を有する複数の直列
・並列・直列型再循環メモリ・ループにして、それぞれ
のメモリ・ループにおいて対応するビットが同じ時間位
相で再循環するよう同期的に刻時されるものと、該メモ
リ・ループの数と同数のセルを備えたシフト・レジスタ
と、該シフト・レジスタにおけるデータを該メモリ・・
ループに書込むために、該セルの各々を該入力線の各々
に選択的に接続するための第1手段と、該メモリ・ルー
プにおけるデータを該シフト・レジスタに読出すために
、該セルの各々を該出力線の各々に選択的に持続するた
めの第2手段、該シフト・レジスタにおけるデータを、
該メモリ・ループの相次ぐ刻時の間にセルの各々を通し
てシフトさせるための手段、から成る、メモリ・アレイ
。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US192581 | 1980-09-30 | ||
US06/192,581 US4388701A (en) | 1980-09-30 | 1980-09-30 | Recirculating loop memory array having a shift register buffer for parallel fetching and storing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5764393A JPS5764393A (en) | 1982-04-19 |
JPS5925316B2 true JPS5925316B2 (ja) | 1984-06-16 |
Family
ID=22710269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56112393A Expired JPS5925316B2 (ja) | 1980-09-30 | 1981-07-20 | メモリ・アレイ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4388701A (ja) |
EP (1) | EP0048810B1 (ja) |
JP (1) | JPS5925316B2 (ja) |
DE (1) | DE3177245D1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4750154A (en) * | 1984-07-10 | 1988-06-07 | Prime Computer, Inc. | Memory alignment system and method |
JPS61289448A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Mitsubishi Electric Corp | バツフア記憶装置 |
DE68919404T2 (de) * | 1988-09-20 | 1995-03-30 | Fujitsu Ltd | Halbleiterspeicher mit Serieneingang/Serienausgang. |
DE4023069A1 (de) * | 1990-07-20 | 1992-01-23 | Diehl Gmbh & Co | Mine, insbes. panzerabwehrmine |
JPH0628869A (ja) * | 1992-05-12 | 1994-02-04 | Takayama:Kk | メモリデバイス |
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