JPH0628885A - メモリデバイス - Google Patents

メモリデバイス

Info

Publication number
JPH0628885A
JPH0628885A JP4189864A JP18986492A JPH0628885A JP H0628885 A JPH0628885 A JP H0628885A JP 4189864 A JP4189864 A JP 4189864A JP 18986492 A JP18986492 A JP 18986492A JP H0628885 A JPH0628885 A JP H0628885A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
address
clock
ccd array
ccd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4189864A
Other languages
English (en)
Inventor
Uonwarauipatsuto Uiwatsuto
ウィワット・ウォンワラウィパット
Sunao Takatori
直 高取
Makoto Yamamoto
山本  誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TAKAYAMA KK
Sharp Corp
Original Assignee
TAKAYAMA KK
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TAKAYAMA KK, Sharp Corp filed Critical TAKAYAMA KK
Priority to JP4189864A priority Critical patent/JPH0628885A/ja
Priority to US08/077,084 priority patent/US5373464A/en
Priority to EP9393109971A priority patent/EP0575969A3/en
Priority to KR1019930011503A priority patent/KR940000969A/ko
Publication of JPH0628885A publication Critical patent/JPH0628885A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/04Shift registers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のリニアなCCDアレイ上で循環するデ
ータの劣化防止及びデータへの高速アクセスを可能にし
つつ、さらに消費電力の抑制を実現するためのメモリデ
バイスを提供することを目的とする。 【構成】 セル上に電荷の形態でデータを格納する複数
のリニアなCCDアレイ上でデータを循環させてアナロ
グデータを保持することによって単位セルの小規模化を
実現し、全アレイのデータを循環させるクロック生成手
段と、所願のデータを有する特定アレイループのみを高
速で循環させる他のクロック生成手段を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はメモリデバイスに係
り、特にアナログデータまたは多値データの格納に有利
なメモリーデバイスに関する。
【0002】
【従来技術】プログラマブルコンピュータとしてデジタ
ルコンピュータが発達した理由は、デジタルメモリーの
小型化、大容量化がアナログメモリーに比較して著しく
急速に進展したためであったと思われるが、近年デジタ
ルLSIの高密度化に限界が見えはじめており、デジタ
ルコンピュータの発展が有限なものであることが明らか
になりつつある。しかし従来、メモリのアナログ化ある
いは多値化のためには回路規模が拡大しかつ製造プロセ
スが複雑化する。この問題を解決するために、複数のリ
ニアなCCDアレイ上でデータを循環させてアナログデ
ータを保持することによって単位セルの小規模化を実現
する方法が考えられている。しかしこの方法では、デー
タの循環速度を遅くするとデータの劣化が進み、また一
方でデータの劣化防止及び循環データへの高速アクセス
を可能にするために循環速度を高めると消費電力が増大
するという問題を抱えている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この発明はこのような
従来の問題点を解消すべく創案されたもので、複数のリ
ニアなCCDアレイ上で循環するデータの劣化防止及び
データへの高速アクセスを可能にしつつ、さらに消費電
力の抑制を実現するためのメモリデバイスを提供するこ
とを目的とする。
【0004】
【課題を解決する手段】この発明に係るメモリーデバイ
スは、複数のリニアなCCDアレイ上でデータを循環さ
せてアナログデータを保持することによって単位セルの
小規模化を実現し、全アレイのデータを循環させるクロ
ック生成手段と、所望のデータを有する特定アレイルー
プのみを高速で循環させる他のクロック生成手段を設け
ることにより、データ劣化防止及び高速データアクセス
並びに消費電力抑制を可能としたものである。
【0005】
【実施例】次にこの発明に係るメモリデバイスの1実施
例を図面に基づいて説明する。図1はメモリデバイスの
全体回路図であり、CCDアレイよりなる主メモリ部1
と、キャッシュメモリ部2とを備えている。
【0006】主メモリ部1は、CCDアレイCAa、C
Abをループ状に接続したループ状CCDアレイLを複
数並列接続してなり、図1ではCCDアレイCAa、C
Abの集合それぞれをCAa’、CAb’と表現してい
る。CCDアレイCAaはデータを保持しつつ終端方向
に転送し、CCDアレイCAbはデータを保持しつつC
Aaの始端方向にデータを帰還させる。従ってCCDア
レイは循環経路全体でデータを保持し、往路のみのデー
タ保持に比較して2倍のデータ容量をもつ。ただし帰還
路を単なる導線によって構成し、回路の単純化を図るこ
とも可能である。
【0007】図2ではCCDアレイCAa、CAbの終
端には整形回路3、4が接続され、これら整形回路のA
/D変換機能により、劣化(レベル低下)したデータの
復元が行われる。整形回路3の出力は2入力マルチプレ
クサ5を介してCCDアレイCAbに接続され、新たな
データの書き込み(Dinより)を行い得る。また整形回
路3の出力には分岐Doutが設けられ、この分岐からデ
ータを読み出し得る(図1においてDATAで示す)。
一般にCCDは通常のDRAMのセルに比較して著しく
構造が単純であり、1データの保持に要する部分(セ
ル)の面積が小さく、かつ1セル内にアナログデータを
格納し得る。従って、一般のDRAMに比較して極めて
大容量のメモリを実現し得る。
【0008】キャッシュメモリ部2は主メモリ部1に読
み書きするデータを一旦格納するための高速RAM(通
常SRAMが使用される。)であり、図3に示すよう
に、各CCDアレイループLに対応した個数のローアド
レスL1〜Lnを有している。従って全アレイループの1
単位分のデータを、同時に、主メモリ部1からキャッシ
ュメモリ部2に、あるいはキャッシュメモリから主メモ
リに転送し得る。これによって高い転送速度が保証され
ている。キャッシュメモリ部2は、1ローアドレスのデ
ータ単位で複数バンクのメモリによって構成され、各バ
ンクのデータはマルチプレクサ7で選択されて出力さ
れ、あるいはセレクタ8から選択的に入力される。この
ようにハードウェアによる切り替えでアドレスを選択す
るので、高速のメモリアクセスが可能である。
【0009】この場合、CCDアレイのデータは転送ク
ロックによって転送され、ループアレイ上を循環するデ
ータの劣化防止のために、この循環のための転送クロッ
クは一定値以上に設定されるが、通常の循環に関して
は、比較的低速のクロックCLK1を使用する。そし
て、データアクセスに際しては別個のより高速のクロッ
クCLK2を使用し、データ読書きの高速化を図ってい
る。
【0010】クロックCLK1、CLK2は別個のクロ
ック生成手段によって生成され、メモリーデバイスに入
力されている。これらクロックCLK1、CLK2は各
CCDアレイCAa、CAbに択一的に入力し得るよう
に構成され、かつマルチプレクサ14を介してアドレス
カウンタ13に択一的に入力されている。またクロック
CLK1はアドレスカウンタ6に入力され、通常のレフ
レッシュのための転送時に、各CCDアレイのデータの
アドレス管理を行う。このときマルチプレクサ14はク
ロックCLK1をアドレスカウンタ13に入力し、従っ
てアドレスカウンタ6、13は同期し同一カウント値を
カウントする。
【0011】データの書込みまたは読出しの要求があっ
たときは、要求のあったCCDアレイのみにクロックC
LK2が入力されるようになり、そのCCDアレイは高
速で転送が行われる。このときマルチプレクサ14はク
ロックCLK2をアドレスカウンタ13に入力するよう
になり、高速転送されているCCDアレイのアドレスの
みをアドレスカウンタ13で管理する。
【0012】その他のCCDアレイについては、クロッ
クCLK1による低速の転送が行われているため、メモ
リーデバイス全体の消費電力は僅かである。データ書込
みまたは読出しが完了すると、アドレスカウンタ6、1
3のカウント値はコンパレータ15で比較され、両者が
一致するようになるまでクロックCLK2がアドレスカ
ウンタ13に入力される。両カウンタのカウント値が一
致すると、マルチプレクサ14はCLK2に代えてCL
K1をアドレスカウンタ13に入力するようになり、ア
ドレスカウンタ6、13は同期したカウント状態に復帰
する。
【0013】なお、CCDアレイのアドレスは常にアド
レスカウンタにより管理されており、そのベリファイの
ために、主メモリ中にはダミーのCCDアレイループ
(図1中DUMMYで表示)が設けられ、そのアレイ上
に主メモリのアドレスが登録されている。
【0014】マルチプレクサ7およびセレクタ8に対す
るアドレス指定は、デバイス外部からのADRの上位ビ
ットA23〜A13の入力により行われ、この上位アドレス
は同時にアドレスレジスタ9に入力され、キャッシュメ
モリに格納されているデータのアドレスはアドレスレジ
スタの内容を照合するだけで判明する。この照合はコン
パレータ10によって実行され、照合を高速化するため
に、コンパレータは格納されるアドレスの個数分(図
3、図4ではk個)設けられている。さらにADRの下
位ビットA12〜A0は各ローアドレスのデータに対する
コラムアドレスを指示し、キャッシュメモリに対する外
部からのデータの読み書きは指定されたコラムアドレス
についてのみ行われる。
【0015】データ読み出しに際し、キャッシュメモリ
2にデータが存在しないときには、主メモリ1内で所望
のデータがCAaの終端に転送されるのを待ち、キャッ
シュメモリに書き込む必要があり、このためアドレスカ
ウンタの値はコンパレータ11に入力され、A23〜A13
と比較される。
【0016】データの書き込みに際し、キャッシュメモ
リ2にデータが存在しないときは、キャッシュメモリ中
の最も古いデータに対し、新たなデータのコラムアドレ
スのみのオーバーライトを行い、書き込みを行ったアド
レスをマスクした状態で、所望のローアドレスのデータ
を主メモリからキャッシュメモリに転送する。そして合
成されたデータを主メモリに戻す。
【0017】コンパレータ10、11の出力はコントロ
ーラ12に入力され、キャッシュメモリにデータへのア
クセスに対する待ち時間、およびキャッシュメモリにデ
ータが存在しない場合の待ち時間を確保するため、コン
トローラ12から待機信号WAITを出力する。
【0018】
【発明の効果】前述のとおり、この発明に係るメモリー
デバイスは、複数のリニアなCCDアレイ上でデータを
循環させてアナログデータを保持することによって単位
セルの小規模化を実現し、キャッシュメモリを介してデ
ータの読み書きを行うとともに、キャッシュメモリ内の
データのアドレスをアドレスレジスタに登録して、高速
アクセスを可能としたので、回路規模が小さいアナログ
メモリあるいは多値メモリを実現し得る。また、必要な
時に所望のデータのみを高速に循環させ、他の不要なデ
ータは劣化防止に最小現必要な速度で循環させることに
より、消費電力を抑えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るメモリデバイスの1実施例を示す
ブロック図である。
【図2】同実施例の1個のCCDループアレイを示すブ
ロック図である。
【図3】同実施例におけるキャッシュメモリを示すブロ
ック図である。
【図4】同実施例の1個のアドレスレジスタを示す概念
図である。
【符号の説明】 1 主メモリ部 2 キャッシュメモリ部 3 整形回路 4 整形回路 5 入力マルチプレクサ 6 アドレスカウンタ 7 マルチプレクサ 8 セレクタ 9 アドレスレジスタ 10 第1コンパレータ 11 第2コンパレータ 12 コントローラ 13 アドレスカウンタ 14 マルチプレクサ 15 コンパレータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 誠 東京都世田谷区北沢3−5−18 株式会社 鷹山内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セル上に電荷の形態でデータを格納する
    複数のCCDアレイと、このCCDアレイにおける各セ
    ルのデータを順次転送する第1転送クロックを常時生成
    するための第1転送クロック生成手段と、前記CCDア
    レイにおける特定アレイのデータを高速で転送する第2
    転送クロックを生成するための第2転送クロック生成手
    段と、前記CCDアレイの終端のデータを整形する整形
    回路と、整形されたデータを始端に戻すフィードバック
    ラインと、CCDアレイに対応したローアドレスを有す
    るキャッシュメモリと、前記第1転送クロックをカウン
    トしてCCDアレイ上のデータの位置をコラムアドレス
    として特定する第1アドレスカウンタと、前記第2転送
    クロックをカウントしてCCDアレイ上のデータの位置
    をコラムアドレスとして特定する第2アドレスカウンタ
    と、キャッシュメモリに登録されたデータのコラムアド
    レスを登録するアドレスレジスタと、アドレス入力のコ
    ラムアドレスとアドレスレジスタ内のコラムアドレスを
    比較する第1コンパレータとを備えているメモリデバイ
    ス。
  2. 【請求項2】 第1アドレスカウンタと第2アドレスカ
    ウンタの値を比較するコンパレータがさらに設けられて
    いることを特徴とするメモリデバイス。
JP4189864A 1992-06-23 1992-06-23 メモリデバイス Pending JPH0628885A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4189864A JPH0628885A (ja) 1992-06-23 1992-06-23 メモリデバイス
US08/077,084 US5373464A (en) 1992-06-23 1993-06-16 CCD array memory device having dual, independent clocks of differing speeds
EP9393109971A EP0575969A3 (en) 1992-06-23 1993-06-22 Storage arrangement.
KR1019930011503A KR940000969A (ko) 1992-06-23 1993-06-23 메모리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4189864A JPH0628885A (ja) 1992-06-23 1992-06-23 メモリデバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0628885A true JPH0628885A (ja) 1994-02-04

Family

ID=16248458

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4189864A Pending JPH0628885A (ja) 1992-06-23 1992-06-23 メモリデバイス

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5373464A (ja)
EP (1) EP0575969A3 (ja)
JP (1) JPH0628885A (ja)
KR (1) KR940000969A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013012447A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Selector syncronized with movement of data in memory

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101617371B (zh) 2007-02-16 2014-03-26 莫塞德技术公司 具有多个外部电源的非易失性半导体存储器

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209852A (en) * 1974-11-11 1980-06-24 Hyatt Gilbert P Signal processing and memory arrangement
US4321694A (en) * 1978-05-12 1982-03-23 Burroughs Corporation Charge coupled device memory with enhanced access features
US4165539A (en) * 1978-06-30 1979-08-21 International Business Machines Corporation Bidirectional serial-parallel-serial charge-coupled device
DE2853501A1 (de) * 1978-12-12 1980-06-26 Ibm Deutschland Speicherhierarchie mit ladungsverschiebungsspeicher
US4322635A (en) * 1979-11-23 1982-03-30 Texas Instruments Incorporated High speed serial shift register for MOS integrated circuit
US4388701A (en) * 1980-09-30 1983-06-14 International Business Machines Corp. Recirculating loop memory array having a shift register buffer for parallel fetching and storing
US4725748A (en) * 1985-05-06 1988-02-16 Tektronix, Inc. High speed data acquisition utilizing multiple charge transfer delay lines

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013012447A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Selector syncronized with movement of data in memory

Also Published As

Publication number Publication date
EP0575969A3 (en) 1994-10-05
EP0575969A2 (en) 1993-12-29
US5373464A (en) 1994-12-13
KR940000969A (ko) 1994-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2714944B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3065736B2 (ja) 半導体記憶装置
US7149139B1 (en) Circuitry and methods for efficient FIFO memory
JP2740097B2 (ja) クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法
EP0468141B1 (en) Memory
US6859407B1 (en) Memory with auto refresh to designated banks
US20210223996A1 (en) Processing-in-memory (pim) devices
JPH08129890A (ja) 半導体記憶装置
WO2018148918A1 (zh) 存储设备、芯片及存储设备的控制方法
US6853588B2 (en) First-in first-out memory circuit and method for executing same
US20060155940A1 (en) Multi-queue FIFO memory systems that utilize read chip select and device identification codes to control one-at-a-time bus access between selected FIFO memory chips
JPH09198862A (ja) 半導体メモリ
US20220027131A1 (en) Processing-in-memory (pim) devices
JPH0628885A (ja) メモリデバイス
KR100872018B1 (ko) 가상 이중-포트 동기 램 아키텍처
JPS6216294A (ja) メモリ装置
JPH06342400A (ja) プロセッサ・メモリのアドレス制御方法
CN109388344B (zh) 一种基于带宽扩展交叉编址的双端口sram访问控制系统及方法
JPH0628869A (ja) メモリデバイス
JP3288327B2 (ja) 映像メモリ回路
JPH01159891A (ja) 半導体記憶装置
US20040085850A1 (en) Semiconductor memory capable of performing high-speed processing
US20230073929A1 (en) Processing-in-memory(pim) device
US20210350837A1 (en) Processing-in-memory (pim) device
JPS5841584B2 (ja) マルチアクセスメモリ方法およびマルチアクセス用メモリチツプ