JPS592357A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS592357A JPS592357A JP11121982A JP11121982A JPS592357A JP S592357 A JPS592357 A JP S592357A JP 11121982 A JP11121982 A JP 11121982A JP 11121982 A JP11121982 A JP 11121982A JP S592357 A JPS592357 A JP S592357A
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- JP
- Japan
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- wiring
- dummy
- true
- electric field
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
従来、半導体集積回路（ＩＣ）の製造において、その配
線は、回路構成に必要な配線のみで形成していた。この
ため、集積回路を構成する配線のどの一部が破壊されて
も、その回路は不良となっていた。破壊の原因としては
、サージ、スパーク等による異常電圧、異常電流、及び
配線として幅広く使用されているＡｔ （アルミニウム
）の電界腐蝕が代表的４例として上けられる。
線は、回路構成に必要な配線のみで形成していた。この
ため、集積回路を構成する配線のどの一部が破壊されて
も、その回路は不良となっていた。破壊の原因としては
、サージ、スパーク等による異常電圧、異常電流、及び
配線として幅広く使用されているＡｔ （アルミニウム
）の電界腐蝕が代表的４例として上けられる。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、その目的
は、サージ婢の破壊寮内が発生しても、回路機能を損う
ことがなく、信頼性の向上した半導体集積回路を提供す
ることにある。
は、サージ婢の破壊寮内が発生しても、回路機能を損う
ことがなく、信頼性の向上した半導体集積回路を提供す
ることにある。
この発明は、真の配線よシ破壊されやすいダミー配線を
真の配線とは別に設けるものでおる。
真の配線とは別に設けるものでおる。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
一般的に、サージ尋の異常電圧、異常電流はＩＣの外部
端子よｐ印加される。また、配線の電界腐蝕は、隣接す
る配線間の電界条件に依存度が高いことは良く知られて
いる。
端子よｐ印加される。また、配線の電界腐蝕は、隣接す
る配線間の電界条件に依存度が高いことは良く知られて
いる。
このため、この発明においては、その配線が破壊されて
も、何らＩＣの機能を損うことのないダミー配線をＩＣ
内に配線し、かつそのダミー配線が真の配線よシ破壊さ
れやすい（ヒー−ズ効果）を界条件とするものである。
も、何らＩＣの機能を損うことのないダミー配線をＩＣ
内に配線し、かつそのダミー配線が真の配線よシ破壊さ
れやすい（ヒー−ズ効果）を界条件とするものである。
具体的に説明すると、第１図において、Ａｔ配線１１．
１２は互いに平行に配設されたＩＣの回路構成に必賛な
真の配線であわ、このＡｔ配ｌｌ１１１１．１２間はＩ
Ｃ内で最も強い電界が発生する個所である。しかして、
このＡｔ配線ノー。
１２は互いに平行に配設されたＩＣの回路構成に必賛な
真の配線であわ、このＡｔ配ｌｌ１１１１．１２間はＩ
Ｃ内で最も強い電界が発生する個所である。しかして、
このＡｔ配線ノー。
１２にはそれぞれダミーのＡｔ配線１３．１４が接紛さ
れている。このＡｔ配線１３．１４間の距＊ｄａは、Ａ
ｔ配線１１．１２間の距離ｄ１よシ短かくなっている。
れている。このＡｔ配線１３．１４間の距＊ｄａは、Ａ
ｔ配線１１．１２間の距離ｄ１よシ短かくなっている。
すなわち、Ａｔ配線ノ３，１４間においてはＡｔ配線１
１．１２間よｐ強い電界が発生し、ｈｔ配ａＪＩＩ１２
よシも速く破壊されやすいようになりている。
１．１２間よｐ強い電界が発生し、ｈｔ配ａＪＩＩ１２
よシも速く破壊されやすいようになりている。
従って、従来、Ａｔ配＆！１ｚ、Ｊｚ間で発生していた
ｔ界腐蝕がＡｔ配ｌ＃Ａ１３．１４間に移行するため、
Ａｔ配＠１３おるいはＡｔ配線１４が先に断線し、Ａｔ
配＠１１，１２の破壊を防止できる。
ｔ界腐蝕がＡｔ配ｌ＃Ａ１３．１４間に移行するため、
Ａｔ配＠１３おるいはＡｔ配線１４が先に断線し、Ａｔ
配＠１１，１２の破壊を防止できる。
ここで、移行とは通常電界腐蝕を加速する不純物性のイ
オン（例えけ、ＣＬ”−、Ｎａ 、 ８ｂ＋、ＯＨ−
十 ＠、）が電界条件の高いＡｔ配線１３．１４間に引き寄
せられることを意味する。このように、ダミー配線を設
けることにより、ある時間（延命時間）不純物イオンを
トラップすることができる。
オン（例えけ、ＣＬ”−、Ｎａ 、 ８ｂ＋、ＯＨ−
十 ＠、）が電界条件の高いＡｔ配線１３．１４間に引き寄
せられることを意味する。このように、ダミー配線を設
けることにより、ある時間（延命時間）不純物イオンを
トラップすることができる。
第２図は他の実施例を示すもので、２ノは例えはＩＣの
入力部におけるＡｔ霜極、２２はこのＡｔ電極２１に接
続されたＡｔ配線、２３けその一部がＩＣ内部でＡｔ配
線２２に最も近接して配置設されたＡｔ配線である。Ａ
ｔ配線２２ 、２３からはそれぞれダミーのＡｔ配線２
４．２５が、これらＡ、を配線２４．２５間の距離ｄ２
がＡ４１１１Ｍ２２．２３間の最短距離ｄ、よりも短か
くなるように接続されている。
入力部におけるＡｔ霜極、２２はこのＡｔ電極２１に接
続されたＡｔ配線、２３けその一部がＩＣ内部でＡｔ配
線２２に最も近接して配置設されたＡｔ配線である。Ａ
ｔ配線２２ 、２３からはそれぞれダミーのＡｔ配線２
４．２５が、これらＡ、を配線２４．２５間の距離ｄ２
がＡ４１１１Ｍ２２．２３間の最短距離ｄ、よりも短か
くなるように接続されている。
従来、Ａｔ電極２１にサージ電圧が印加された場合、Ａ
ｔ配＠２２．２３がスパークして大を流が流れ、Ａｔ配
線２２．２３が溶断する事故が発生していた。しかしな
がら、第２図の回路においてはダミーのＡｔ配線２４．
２５があるため、Ａｔ配線２２．２３間よシ先にＡｔ配
＃２４．２５間においてスパークが発生し、Ａｔ配線２
２．２３間にサージが吸収される。このときＡｊ配線２
４あるいはＡｔ配線２５が溶断し、断線するが、真の配
線とは別に設けられているのでｌＣの機能は何ら損われ
ることがない。
ｔ配＠２２．２３がスパークして大を流が流れ、Ａｔ配
線２２．２３が溶断する事故が発生していた。しかしな
がら、第２図の回路においてはダミーのＡｔ配線２４．
２５があるため、Ａｔ配線２２．２３間よシ先にＡｔ配
＃２４．２５間においてスパークが発生し、Ａｔ配線２
２．２３間にサージが吸収される。このときＡｊ配線２
４あるいはＡｔ配線２５が溶断し、断線するが、真の配
線とは別に設けられているのでｌＣの機能は何ら損われ
ることがない。
υ上のようにこの発明によれに、回路を構成する真の配
線部とは別に、この真の配線部の中の隣接する配線間に
おいてヰする最大電界以上の電界を生ずるよりなダミー
配線部を設ける構成としたので、サージ等の破壊要因が
発生しても、貞の配線部よｐ先にダミー配ＩＩｉ！部が
破壊するため、真の配ｌ１ｌｉ１部の破壊を防止でき信
頼性が向上する。
線部とは別に、この真の配線部の中の隣接する配線間に
おいてヰする最大電界以上の電界を生ずるよりなダミー
配線部を設ける構成としたので、サージ等の破壊要因が
発生しても、貞の配線部よｐ先にダミー配ＩＩｉ！部が
破壊するため、真の配ｌ１ｌｉ１部の破壊を防止でき信
頼性が向上する。
第１図はこの発明の一実施例に係るノ４ターン配線図、
第２図はこの発明の他の実施例に係る・にターン配線図
である。 １１．１２・・・Ａｔ配線、１３．１４・・・Ａｔ１ｉ
ｉｌ！線（ダミー配線）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ２ 第２図
第２図はこの発明の他の実施例に係る・にターン配線図
である。 １１．１２・・・Ａｔ配線、１３．１４・・・Ａｔ１ｉ
ｉｌ！線（ダミー配線）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ２ 第２図
Claims (1)
- 回路を構成する第１の配線部と、この第１の配線部の中
の隣接する配線間において生ずる最大電界以上の電界を
生じるように設けられ、かつ前記回路を構成し力いよう
に設けられた第２の配線部とを具備したことを特徴とす
る半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11121982A JPS592357A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11121982A JPS592357A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592357A true JPS592357A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14555539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11121982A Pending JPS592357A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592357A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145432A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Morita Pump Kk | 車載型水ポンプ用自動調圧装置 |
| US4794437A (en) * | 1986-08-11 | 1988-12-27 | General Electric Company | ARC gap for integrated circuits |
| US5404045A (en) * | 1991-10-19 | 1995-04-04 | Nec Corporation | Semiconductor device with an electrode pad having increased mechanical strength |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP11121982A patent/JPS592357A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145432A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-07-31 | Morita Pump Kk | 車載型水ポンプ用自動調圧装置 |
| JPH0339180B2 (ja) * | 1984-01-06 | 1991-06-13 | Morita Honpu Kk | |
| US4794437A (en) * | 1986-08-11 | 1988-12-27 | General Electric Company | ARC gap for integrated circuits |
| US5404045A (en) * | 1991-10-19 | 1995-04-04 | Nec Corporation | Semiconductor device with an electrode pad having increased mechanical strength |
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