JPS59231069A - 含イオウ芳香族化合物並びにその製造及び使用方法 - Google Patents
含イオウ芳香族化合物並びにその製造及び使用方法Info
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- JPS59231069A JPS59231069A JP7873184A JP7873184A JPS59231069A JP S59231069 A JPS59231069 A JP S59231069A JP 7873184 A JP7873184 A JP 7873184A JP 7873184 A JP7873184 A JP 7873184A JP S59231069 A JPS59231069 A JP S59231069A
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G59/423—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof containing an atom other than oxygen belonging to a functional groups to C08G59/42, carbon and hydrogen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は新規な含イオウ芳香族化合物及びその製造及
び使用方法に関する この発明の化合物は最も広い範
囲で式 Zl−8−72(式中Z1はアルカリ金属又は
−3−z2であり、Z2はフタル酸誘導体成分である)
を有する。
び使用方法に関する この発明の化合物は最も広い範
囲で式 Zl−8−72(式中Z1はアルカリ金属又は
−3−z2であり、Z2はフタル酸誘導体成分である)
を有する。
ポリイミド及びその/こめの中間体の製造において、芳
香族ヒスイミド及び二無水物を用いることは当分野で知
られている。 この種の様々な含イオウ化合物をそこに
おいて用いることができる。 例えば米国特許第乞/θ
2,90.3−号及び第乞/θ2/グア号が参考となる
。 前者の特許には芳香族ジチオールを置供無水フタル
酸と反応させ、次いでイオウ原子をスルホン基へと酸化
させること17(二よってヒス(スルホン)芳香族二無
水物を製造することが記載されでいる3、 (脂肪族
ジチオールから出発して同様の反応により類似の二無水
物を製造1−てもよい。)後者の特許にはビス(スルホ
ン)勇香族二無水物なシアミンと反応させることによっ
てポリスルホンイミドを製造することが記載さhている
3、 しかしながら、上記含イオウ化合物の製造に経済
的に用いるのに十分な程度に低い価格で市販されている
ジチオールはごくわずかである3、 従って、本発明の主な目的は、効率よく低価格で二無水
物やヒスイミドのような含イオウフタル酸誘導体に変え
らAする化学的中間体を製造することである。
香族ヒスイミド及び二無水物を用いることは当分野で知
られている。 この種の様々な含イオウ化合物をそこに
おいて用いることができる。 例えば米国特許第乞/θ
2,90.3−号及び第乞/θ2/グア号が参考となる
。 前者の特許には芳香族ジチオールを置供無水フタル
酸と反応させ、次いでイオウ原子をスルホン基へと酸化
させること17(二よってヒス(スルホン)芳香族二無
水物を製造することが記載されでいる3、 (脂肪族
ジチオールから出発して同様の反応により類似の二無水
物を製造1−てもよい。)後者の特許にはビス(スルホ
ン)勇香族二無水物なシアミンと反応させることによっ
てポリスルホンイミドを製造することが記載さhている
3、 しかしながら、上記含イオウ化合物の製造に経済
的に用いるのに十分な程度に低い価格で市販されている
ジチオールはごくわずかである3、 従って、本発明の主な目的は、効率よく低価格で二無水
物やヒスイミドのような含イオウフタル酸誘導体に変え
らAする化学的中間体を製造することである。
さらに他の目的は、そのような二無水物、ヒスイミド等
の比較的容易な低価格の製造方法を示すことである。
の比較的容易な低価格の製造方法を示すことである。
別の目的は、ある種の新規なジスルフィド及びそれより
誘導されたポリイミドを製造することである。
誘導されたポリイミドを製造することである。
他の目的は自つと明らかであるかまだは後記するところ
から明らかになるであろう。
から明らかになるであろう。
Zlの定義から明らかなように、との発明の新規な含イ
オウ芳香族化合物r↓アルカリ金属メルカプチド及びジ
スルフィドである。 メルカプナト中のアルカリ金属は
例えばリチウム、ナトリウム又はカリウムであるが、有
用性及び比較的低価格であることからナトリウムが好捷
しい。
オウ芳香族化合物r↓アルカリ金属メルカプチド及びジ
スルフィドである。 メルカプナト中のアルカリ金属は
例えばリチウム、ナトリウム又はカリウムであるが、有
用性及び比較的低価格であることからナトリウムが好捷
しい。
上記式中の72部分はフタル酸誘導体成分である。
゛フタル酸誘導体゛′とは遊離の酸及びその無水物、塩
、エステル(酸性エステルも含む)、アミド(酸アミド
も含む)及びイミドを意味する。
゛フタル酸誘導体゛′とは遊離の酸及びその無水物、塩
、エステル(酸性エステルも含む)、アミド(酸アミド
も含む)及びイミドを意味する。
Z2成分は、式
(式中x1は05?Jj:N−R”テ、R’ Pi 水
素、炭素数/〜とのアルキル基又は炭素数乙〜、20の
芳香族基である) を有する無水フタル酸又に1、フタルイミド成分である
ことが最も多い。
素、炭素数/〜とのアルキル基又は炭素数乙〜、20の
芳香族基である) を有する無水フタル酸又に1、フタルイミド成分である
ことが最も多い。
好捷1.い化合物は、製造及び反応が容易であるためX
lがN −R,’である化合物である。 最も好ましい
のは、イオウ原子がグの位置に結合しているものである
。
lがN −R,’である化合物である。 最も好ましい
のは、イオウ原子がグの位置に結合しているものである
。
R1基は、例えば水素、メチル、エチル、IT −プロ
ピル、イソプロピル、+1−ブチル、+1−ヘキシル、
I]−オクチル、ノーエチルヘキシル、フェニル、トリ
ル、キシリル、/−ナフチル、!−ナフチル又はメトキ
シフェニルであればよい。 R”がアルキルである場合
は通常約り値以下の炭素原子を有し、R1がアリールで
ある場合は通常フェニル又は置換フェニルである。 ア
ルキル基が好寸しく、特にメチル基が好−ましい。
ピル、イソプロピル、+1−ブチル、+1−ヘキシル、
I]−オクチル、ノーエチルヘキシル、フェニル、トリ
ル、キシリル、/−ナフチル、!−ナフチル又はメトキ
シフェニルであればよい。 R”がアルキルである場合
は通常約り値以下の炭素原子を有し、R1がアリールで
ある場合は通常フェニル又は置換フェニルである。 ア
ルキル基が好寸しく、特にメチル基が好−ましい。
この発明のアルカリ金属メルカプチドは、アルカリ金属
硫化物を式x2− z2の置換フタル酸誘導体(式中X
2はハロ、ニトロ又は−8−Z2)と反応させることに
よって製造でき、該アルカリ金属硫化物対校置換フタル
酸誘導体のモル比は少くとも約/:/である。 好まし
いアルカリ金属硫化物は硫化ナトリウム(N a2 S
)でめる。 +直換4)(2は、製造の容易さ、比較的
低価格であること、及びこの発明の化合物に高収率で変
換1.うることから、好ましくはクロロである。
硫化物を式x2− z2の置換フタル酸誘導体(式中X
2はハロ、ニトロ又は−8−Z2)と反応させることに
よって製造でき、該アルカリ金属硫化物対校置換フタル
酸誘導体のモル比は少くとも約/:/である。 好まし
いアルカリ金属硫化物は硫化ナトリウム(N a2 S
)でめる。 +直換4)(2は、製造の容易さ、比較的
低価格であること、及びこの発明の化合物に高収率で変
換1.うることから、好ましくはクロロである。
アルカリ金属硫化物及び置換フタル酸誘導体間の反応は
典型的なものとしては、二種の試薬を単に混合し、約/
θθ〜20θ℃、好−ましく kl、約/。T〜/73
0Gの範囲の温度で反応が完了する捷で混合物を加熱す
ることにより行なわ、!+る。、 アルカリ金属メルカ
プチドは酸素又は空気に接すると容易に酸化される(以
後記載さ」■るように)ので、不活性雰囲気中、即ちチ
ッ素、ヘリウム等の中で反応を行なわせ生成物を貯蔵す
る必要がある。 反応のだめには実費的に不活性な希釈
剤が好−ましい。
典型的なものとしては、二種の試薬を単に混合し、約/
θθ〜20θ℃、好−ましく kl、約/。T〜/73
0Gの範囲の温度で反応が完了する捷で混合物を加熱す
ることにより行なわ、!+る。、 アルカリ金属メルカ
プチドは酸素又は空気に接すると容易に酸化される(以
後記載さ」■るように)ので、不活性雰囲気中、即ちチ
ッ素、ヘリウム等の中で反応を行なわせ生成物を貯蔵す
る必要がある。 反応のだめには実費的に不活性な希釈
剤が好−ましい。
希釈剤の例としてはトルエン、キシレンのような芳香族
炭化水素、クロロヘンゼンや0−ジクロロベンゼンのよ
うな塩素化芳香族炭化水素及びジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メ
チルピロリドンのような非プロトン性極性溶剤がある。
炭化水素、クロロヘンゼンや0−ジクロロベンゼンのよ
うな塩素化芳香族炭化水素及びジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メ
チルピロリドンのような非プロトン性極性溶剤がある。
非プロトン性極性溶剤、特にジメチルホルムアミドが
好ましい。
好ましい。
アルカリ金属メルカプチドを製造するためには、アルカ
リ金属硫化物対置換フタル酸誘導体のモル比は少くとも
/:/であることが必要である。
リ金属硫化物対置換フタル酸誘導体のモル比は少くとも
/:/であることが必要である。
モル比/:2のアルカリ金属硫化物と置換フタルイミド
とを同様の条件下で反応させ、相当するビス−フタルイ
ミドスルフィドを生成させることは米国特許第乞θオ乞
3とグ号に記載されている。 しかしながら、前に記
載されているように、ビス−フタルイミドスルフィド1
モルにつき、アルカリ金属硫化物を少くとも1モル用い
る条件で、さらにアルカリ金属硫化物と反応させること
によって、この硫化物自身はアルカリ金属メルカプチド
に変えられる。 その他のフタル酸誘導体の硫化物につ
いても同様である。 このように、メルカプチドの製
造においてアルカリ金属硫化物対置換フタル酸誘導体の
モル比を実質的に/:7未満で用いることは、反応混合
物中のアルカリ金属硫化物の割合を増加させるだけで容
易に修正できる。
とを同様の条件下で反応させ、相当するビス−フタルイ
ミドスルフィドを生成させることは米国特許第乞θオ乞
3とグ号に記載されている。 しかしながら、前に記
載されているように、ビス−フタルイミドスルフィド1
モルにつき、アルカリ金属硫化物を少くとも1モル用い
る条件で、さらにアルカリ金属硫化物と反応させること
によって、この硫化物自身はアルカリ金属メルカプチド
に変えられる。 その他のフタル酸誘導体の硫化物につ
いても同様である。 このように、メルカプチドの製
造においてアルカリ金属硫化物対置換フタル酸誘導体の
モル比を実質的に/:7未満で用いることは、反応混合
物中のアルカリ金属硫化物の割合を増加させるだけで容
易に修正できる。
アルカリ金属メルカプナトの製造には、アルカリ金属硫
化物対置換フタル酸飴導体のモル比の上限はないように
思われる。 しかし、さらに求電子性化合物と反応させ
る前に過剰のアルカリ金属硫化物を除くことが必要であ
り、そうでなりればさらに反応させた場合、硫化物はメ
ルカプチドと競合する。 こうした理由及びその他の理
由のため、約へパ/より高いモル比を用いることに乞1
殆んど目的は認められず、通常約10.3− : /の
上限が好ましい。
化物対置換フタル酸飴導体のモル比の上限はないように
思われる。 しかし、さらに求電子性化合物と反応させ
る前に過剰のアルカリ金属硫化物を除くことが必要であ
り、そうでなりればさらに反応させた場合、硫化物はメ
ルカプチドと競合する。 こうした理由及びその他の理
由のため、約へパ/より高いモル比を用いることに乞1
殆んど目的は認められず、通常約10.3− : /の
上限が好ましい。
この発明のアルカリ金属メルカプチドは、不活性雰囲気
を維持しながら溶剤の蒸発又は非浴剤の添加による沈澱
等の慣用の手段によって分離される。 しかし、メル
カプチドの主な用途は化学的中間体としての用途である
ため分離はほとんど゛必要ない。 それらの他の有用な
化合物への変換は、それらが製造された媒体中にさらに
試薬を加えることによってうまく行なわれることが多い
。
を維持しながら溶剤の蒸発又は非浴剤の添加による沈澱
等の慣用の手段によって分離される。 しかし、メル
カプチドの主な用途は化学的中間体としての用途である
ため分離はほとんど゛必要ない。 それらの他の有用な
化合物への変換は、それらが製造された媒体中にさらに
試薬を加えることによってうまく行なわれることが多い
。
以後に記載されるようにアルカリ金属メルカプチドをさ
らに反応させる際、それらは分離なしで用いられるもの
とするが、しかし所望により分離を行なってもよいこと
は当然である。
らに反応させる際、それらは分離なしで用いられるもの
とするが、しかし所望により分離を行なってもよいこと
は当然である。
この発明のジスルフィド(即チz1カー5−z2である
化合物)は相当するアルカリ金属メルカプチドをおだや
かに酸化(即ち酸素又は空気で)することにより容易に
製造できる。 このような酸化は製造の間にメルカプチ
ド反応混合物を酸素又は空気にさらすことによりその場
で行なうことが好ましい。 ジスルフィドの分離は前述
のような慣用方法で行えばよい。
化合物)は相当するアルカリ金属メルカプチドをおだや
かに酸化(即ち酸素又は空気で)することにより容易に
製造できる。 このような酸化は製造の間にメルカプチ
ド反応混合物を酸素又は空気にさらすことによりその場
で行なうことが好ましい。 ジスルフィドの分離は前述
のような慣用方法で行えばよい。
この発明の化合物の製造を次の実施例によって説明する
。
。
実施例 /
クークロロ−N−メチルフタルイミドθ17(ooo、
、zs乙モル)、硫化ナトリウムo、xy<oθQ子乙
子片モルびビフェニルθ2fI<00873モル)(内
部標準として用いる)をジメチルホルムアミド、20−
にとかした溶液を、かく拌しなからチ・ジ素雰囲気中で
723℃に加熱し、高圧液−液クロマトグラフイーによ
p周期的に分析する、17時間後、分析により少割合の
り、り′−ヒス(N−メチルフタルイミド)スルフィド
と7%以下のグークロロ−°N−メチルフタルイミドが
任在することか示さλ1だ。
、zs乙モル)、硫化ナトリウムo、xy<oθQ子乙
子片モルびビフェニルθ2fI<00873モル)(内
部標準として用いる)をジメチルホルムアミド、20−
にとかした溶液を、かく拌しなからチ・ジ素雰囲気中で
723℃に加熱し、高圧液−液クロマトグラフイーによ
p周期的に分析する、17時間後、分析により少割合の
り、り′−ヒス(N−メチルフタルイミド)スルフィド
と7%以下のグークロロ−°N−メチルフタルイミドが
任在することか示さλ1だ。
主な生成物は、望ましい硫化ナトリウムグー(N−メチ
ルフタルイミド)である。
ルフタルイミド)である。
実施例 λ
り、クービス(N−メチルフタルイミド)スルフィド0
¥2(60071モル)、fpf化ナトナトリウム0/
Vθ0/3モル)及びヒフz 二/Loi9y(000
/2モル)をジメチルホルムアミド36 tneにとか
した溶液を、かく拌しながら、22時間チッ素の下で7
30℃に加熱する。 高圧液−液クロマトグラフイー分
析によりり、り′−ヒス(N−メチルフタルイミド)ス
ルフィドが3チ以下残っていることがわかる。 かなり
の割合の硫化ナトリウムグー(N−メチルフタルイミド
)が存在することは、クークロロ−N−メチルフタルイ
ミド0グ3y COO0,22モル)を加え、かく拌し
なからチ・7素の下で3時間730℃に加熱することに
より示される。 次いでさらに分析すると、クロロフタ
ルイミドと硫化ナトリウムフタルイミドの反応により形
成されたり、り′−ヒス(N−メチルフタルイミド)ス
ルフィドが93チの収率であることが示された。
¥2(60071モル)、fpf化ナトナトリウム0/
Vθ0/3モル)及びヒフz 二/Loi9y(000
/2モル)をジメチルホルムアミド36 tneにとか
した溶液を、かく拌しながら、22時間チッ素の下で7
30℃に加熱する。 高圧液−液クロマトグラフイー分
析によりり、り′−ヒス(N−メチルフタルイミド)ス
ルフィドが3チ以下残っていることがわかる。 かなり
の割合の硫化ナトリウムグー(N−メチルフタルイミド
)が存在することは、クークロロ−N−メチルフタルイ
ミド0グ3y COO0,22モル)を加え、かく拌し
なからチ・7素の下で3時間730℃に加熱することに
より示される。 次いでさらに分析すると、クロロフタ
ルイミドと硫化ナトリウムフタルイミドの反応により形
成されたり、り′−ヒス(N−メチルフタルイミド)ス
ルフィドが93チの収率であることが示された。
実施例 3
グークロロ−N−メチルフタルイミドZθ2(6065
1モル)及び硫化ナトリウムO’l/YC00θt、2
乙モル)をジメチルホルムアミド3θmにとかした溶液
を、空気に接触させ、、2り時間還流させながら加熱し
、次いで冷却し氷酢酸で酸性にし、2時間かく拌し、水
中に注ぐ。 こうして得られた固形生成物をろ過により
集め、高圧液−液クロマトグラフィー及び質量分析法に
より、望ましいり、グ′−ビス(N−メチルフタルイミ
ド)ジスルフィドであることが確認される。 収率は理
論値のjθ係である。
1モル)及び硫化ナトリウムO’l/YC00θt、2
乙モル)をジメチルホルムアミド3θmにとかした溶液
を、空気に接触させ、、2り時間還流させながら加熱し
、次いで冷却し氷酢酸で酸性にし、2時間かく拌し、水
中に注ぐ。 こうして得られた固形生成物をろ過により
集め、高圧液−液クロマトグラフィー及び質量分析法に
より、望ましいり、グ′−ビス(N−メチルフタルイミ
ド)ジスルフィドであることが確認される。 収率は理
論値のjθ係である。
この発明のアルカリ金属メルカプチドはチオエーテルフ
タル酸誘導体製造のだめの化学的中間体として有用であ
る。 このような誘導体は一般に式R2(S22)(式
中R2は有機基、1月は/〜3)1η を有し、メルカプチドを少くとも一種の式R2(x3)
、、。
タル酸誘導体製造のだめの化学的中間体として有用であ
る。 このような誘導体は一般に式R2(S22)(式
中R2は有機基、1月は/〜3)1η を有し、メルカプチドを少くとも一種の式R2(x3)
、、。
のハロゲン化物0(中X3はハロゲン)との反応により
製造すればよい。 チオエーテルフタル酸誘導体を製造
するこの方法は本発明の一態様である。
製造すればよい。 チオエーテルフタル酸誘導体を製造
するこの方法は本発明の一態様である。
R2を構成する有機基は、C脂肪族(例えばメチル、エ
チル、プロピル、ブチル、ヘキシル、エヂレン、プロピ
レン、トリメチレン)又し1、脂環式(例えばシクロペ
ンチル、シクロヘギシル、シクロヘキシレン)であり、
通常炭化水素基、好J、しくは脂肪族で約2〜グ個の炭
素原子を含むものであり、あるいは芳香族(例えばフェ
ニル、トリル、ナフチル、メトキシフェニル、シアノフ
ェニル、ヒフェニリル、フェニレン、トリレン、ナフチ
レン、ヒフェニレン、メチレン−ビス−フェニル)でも
よく、通常3〜70個の炭素原子を含み、好ま1〜くけ
炭化水素基である。 X2は通常、塩素又は臭素であり
、田は/又は認であることが最も多い。 アルカリ金属
メルカプチドと反応しつるハロゲン化物の例には、臭化
エチル、三臭化エチレン、クロロベンゼン、1〕−ジク
ロロベンゼン、p−メトキシクロロベンゼン及びp−ク
ロロベンゾニトリルがある。
チル、プロピル、ブチル、ヘキシル、エヂレン、プロピ
レン、トリメチレン)又し1、脂環式(例えばシクロペ
ンチル、シクロヘギシル、シクロヘキシレン)であり、
通常炭化水素基、好J、しくは脂肪族で約2〜グ個の炭
素原子を含むものであり、あるいは芳香族(例えばフェ
ニル、トリル、ナフチル、メトキシフェニル、シアノフ
ェニル、ヒフェニリル、フェニレン、トリレン、ナフチ
レン、ヒフェニレン、メチレン−ビス−フェニル)でも
よく、通常3〜70個の炭素原子を含み、好ま1〜くけ
炭化水素基である。 X2は通常、塩素又は臭素であり
、田は/又は認であることが最も多い。 アルカリ金属
メルカプチドと反応しつるハロゲン化物の例には、臭化
エチル、三臭化エチレン、クロロベンゼン、1〕−ジク
ロロベンゼン、p−メトキシクロロベンゼン及びp−ク
ロロベンゾニトリルがある。
チオエーテルフタル酸誘導体を生成する反応は、典型的
には不活性雰囲気中で約700〜2θθ°Cの範囲の温
度で行なわねる。 それは、二つの試薬をほぼ等しい割
合で含む、例えばハロゲン化物対メルカプチドの当量の
比は約09〜//:/である。 (この発明の目的に
は、もちろん、ハロゲン化物の当量は、置換可能なハロ
ゲン原子数でわった分子量である。 この発明のメルカ
プチドの当量は当然その分子η1.に等しい。)反応は
典型的には、希釈剤を使用するものであり、メルカプチ
ド製造に用いたと同じものが最もよく用いらJする。
には不活性雰囲気中で約700〜2θθ°Cの範囲の温
度で行なわねる。 それは、二つの試薬をほぼ等しい割
合で含む、例えばハロゲン化物対メルカプチドの当量の
比は約09〜//:/である。 (この発明の目的に
は、もちろん、ハロゲン化物の当量は、置換可能なハロ
ゲン原子数でわった分子量である。 この発明のメルカ
プチドの当量は当然その分子η1.に等しい。)反応は
典型的には、希釈剤を使用するものであり、メルカプチ
ド製造に用いたと同じものが最もよく用いらJする。
この発明の方法によるチオエーテルフタル酸誘導体を次
の実施例によって説明する。
の実施例によって説明する。
実施例 ク
グークロ口−N−メチルフタルイミドスルワイドiy(
00031モル)、硫化ナトリウム0り/り(θααラ
フモル)及びジメチルホルムアミド3゜ゴの混合物を還
流させながら、2グ時間加熱し、硫化ナトリウム¥−(
N−メチルフタルイミド)を生成させる。 その溶液へ
臭化エチル37(θ2ざモル)を加える。 還流を7時
間続け、その後混合物を冷却してろ過し、真空蒸発によ
って溶剤を除去する。 7.2%の収率で望ましい硫化
エチルグー(N−メチルフタルイミド)が’f4fられ
、質量分析によシその構造が確認された。
00031モル)、硫化ナトリウム0り/り(θααラ
フモル)及びジメチルホルムアミド3゜ゴの混合物を還
流させながら、2グ時間加熱し、硫化ナトリウム¥−(
N−メチルフタルイミド)を生成させる。 その溶液へ
臭化エチル37(θ2ざモル)を加える。 還流を7時
間続け、その後混合物を冷却してろ過し、真空蒸発によ
って溶剤を除去する。 7.2%の収率で望ましい硫化
エチルグー(N−メチルフタルイミド)が’f4fられ
、質量分析によシその構造が確認された。
実施例 j
実施例グの操作に従って、クークロロ−N−メチルフタ
ルイミド及び硫化ナトリウムそれぞ1100051モル
をジメチルホルムアミド中で反応させ、硫化ナトリウム
&−(N−メチルフタルイミド)を生成させる。 その
溶液へ、p−クロロベンゾニトリルθ乙92(0003
モル)を加える。
ルイミド及び硫化ナトリウムそれぞ1100051モル
をジメチルホルムアミド中で反応させ、硫化ナトリウム
&−(N−メチルフタルイミド)を生成させる。 その
溶液へ、p−クロロベンゾニトリルθ乙92(0003
モル)を加える。
混合物をチッ素下で20時間還流しながら加熱し、生成
物を液体クロマトグラフィーによって分離する。 /り
0°Cの融点を有する1〕−シアノフェニル&−(N−
メチルフタルイミド)スルフィドが得られる。
物を液体クロマトグラフィーによって分離する。 /り
0°Cの融点を有する1〕−シアノフェニル&−(N−
メチルフタルイミド)スルフィドが得られる。
実施例 乙
実施例グの操作によって、クークロロ−N−メチルフタ
ルイミド及び硫化ナトリウムを各00057モルずつジ
メチルホルムアミド中で反応させ、硫化ナトリウムグー
(N−メチルフタルイミド)を生成させる。 その溶液
へ三臭化エチレンθグと7(000,,23モル)を加
える。 混合物をかく拌1〜ながら/時間/θ0℃に加
熱し水中へ注ぐ、望ましいエチレン/、2−ヒス(y−
>−メチルフタルイミド)スルフィドをろ過によって分
離し、乾燥する。 融点は773℃である。
ルイミド及び硫化ナトリウムを各00057モルずつジ
メチルホルムアミド中で反応させ、硫化ナトリウムグー
(N−メチルフタルイミド)を生成させる。 その溶液
へ三臭化エチレンθグと7(000,,23モル)を加
える。 混合物をかく拌1〜ながら/時間/θ0℃に加
熱し水中へ注ぐ、望ましいエチレン/、2−ヒス(y−
>−メチルフタルイミド)スルフィドをろ過によって分
離し、乾燥する。 融点は773℃である。
この発明の新規なジスルフィド及び前述のように製造さ
れだ二官能性チオエーテルフタル酸誘導体は、ポリイミ
ド桐脂製造の際の中間体として有用である。 三官能1
ト1チオエーテルフタル酸誘導体は、前述の米国特πl
第102.903号に示されたと同様の方法によって和
尚するスルホンフタル酸誘導体に酸化されてもよく、ス
ルホンフタル酸誘導体は同様にポリイミド樹脂の製造に
用いられポリイミドは、二無水物(任意にその他の既知
の二無水物と混合してもよい)をジアミンと反応させる
ことによって製造される。 適したシアミンには、式H
2N−Q−↑用、(式中Qは炭素数約3〜)θの芳香族
炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、炭素数組2〜,
2θを有するアルキレン又はシクロアルキレン基又はヒ
ス−アルキレンポリ(ジアルキルシロキサン)基である
)を刊するものである。 芳香族炭化水素基が好11−
い。
れだ二官能性チオエーテルフタル酸誘導体は、ポリイミ
ド桐脂製造の際の中間体として有用である。 三官能1
ト1チオエーテルフタル酸誘導体は、前述の米国特πl
第102.903号に示されたと同様の方法によって和
尚するスルホンフタル酸誘導体に酸化されてもよく、ス
ルホンフタル酸誘導体は同様にポリイミド樹脂の製造に
用いられポリイミドは、二無水物(任意にその他の既知
の二無水物と混合してもよい)をジアミンと反応させる
ことによって製造される。 適したシアミンには、式H
2N−Q−↑用、(式中Qは炭素数約3〜)θの芳香族
炭化水素基又はそのハロゲン化誘導体、炭素数組2〜,
2θを有するアルキレン又はシクロアルキレン基又はヒ
ス−アルキレンポリ(ジアルキルシロキサン)基である
)を刊するものである。 芳香族炭化水素基が好11−
い。
適したジアミンの例にはエチレンジアミン、プロピレン
シアミン、トリメチレンシアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、ヘプタメチレンジアミン
、オクタメチレンシアミン、認、//−ドデカンシアミ
ン、/、/2−オクタデカンジアミン、3−メチルヘプ
タメチレンジアミン、&、l−ジメチルl\ブタメチレ
ンシアミン、グーメチルノナメチレンシアミン、2,3
〜ジメチルヘキサメチレンジアミン、記、2−ジメチル
プロピレンジアミン、N−メチル−ビス(3−アミノプ
ロピル)アミン、3−メトキシヘキサメチレンジアミン
、/、2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、ビス
(3−アミノプロピル)スルフィド、/、クーシクロへ
キサンジアミン、ビス(クーアミノシクロへキシル)メ
タン、rn−フェニレンシアミン、t〕−フェニレンシ
アミン、λ、ダグ−アミノトルエン、認、乙−シアミノ
トルエン、1η−キシリレンジアミン、I)−キシリレ
ンシアミン、ベンジジン、3.3’−ジメチルベンジジ
ン、3,3−ジメトキシベンジジン、/、3−ジアミノ
ナフタレン、ノジフェニルブロバン、認、クービス(β
−アミノ−1−メチル)トルエン、ヒス(p−β−メチ
ル−〇−アミノペンチル)ヘンセン、/、3−ジアミノ
−グーイソプロピルベンゼン、乞グージアミノジフェニ
ルスルホン、り、クージアミノジフェニルエーテル及び
ヒス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
がある。 これらのアミンの混合物も用いられる。 特
に好捷しいのは、芳香族ジアミン類、特にnl−フェニ
レンシアミン及びり、り′−ジアミノジフェニルメタン
であり、Q基は、のいずれかである。
シアミン、トリメチレンシアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、ヘプタメチレンジアミン
、オクタメチレンシアミン、認、//−ドデカンシアミ
ン、/、/2−オクタデカンジアミン、3−メチルヘプ
タメチレンジアミン、&、l−ジメチルl\ブタメチレ
ンシアミン、グーメチルノナメチレンシアミン、2,3
〜ジメチルヘキサメチレンジアミン、記、2−ジメチル
プロピレンジアミン、N−メチル−ビス(3−アミノプ
ロピル)アミン、3−メトキシヘキサメチレンジアミン
、/、2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、ビス
(3−アミノプロピル)スルフィド、/、クーシクロへ
キサンジアミン、ビス(クーアミノシクロへキシル)メ
タン、rn−フェニレンシアミン、t〕−フェニレンシ
アミン、λ、ダグ−アミノトルエン、認、乙−シアミノ
トルエン、1η−キシリレンジアミン、I)−キシリレ
ンシアミン、ベンジジン、3.3’−ジメチルベンジジ
ン、3,3−ジメトキシベンジジン、/、3−ジアミノ
ナフタレン、ノジフェニルブロバン、認、クービス(β
−アミノ−1−メチル)トルエン、ヒス(p−β−メチ
ル−〇−アミノペンチル)ヘンセン、/、3−ジアミノ
−グーイソプロピルベンゼン、乞グージアミノジフェニ
ルスルホン、り、クージアミノジフェニルエーテル及び
ヒス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン
がある。 これらのアミンの混合物も用いられる。 特
に好捷しいのは、芳香族ジアミン類、特にnl−フェニ
レンシアミン及びり、り′−ジアミノジフェニルメタン
であり、Q基は、のいずれかである。
ポリイミドは、二無水物に−神以上でもよい)とジアミ
ン(二種以上でもよい)の混合物を、典型的にはかく拌
しながら、約20θ°〜約、、2トθ°Cの温度におい
て加熱するだけで製造できる。 −・般に、はぼ等モル
量のシアミンと二無水物を用いる。
ン(二種以上でもよい)の混合物を、典型的にはかく拌
しながら、約20θ°〜約、、2トθ°Cの温度におい
て加熱するだけで製造できる。 −・般に、はぼ等モル
量のシアミンと二無水物を用いる。
所望により実質的に不活性な希釈剤を用いうるが反応は
しばしば、溶融重合法によってうまく行なわれる。 重
合′はチッ素のような不活性カスでパージすること及び
/又は圧力を下けて反応による水を除去することにより
容易になる。 分子量の調節は、少量の有機モノアミン
又は前記のように製造された単官能性チオエーテルフタ
ル酸無水物を含む有機−無水物を加えることによりなさ
れる。
しばしば、溶融重合法によってうまく行なわれる。 重
合′はチッ素のような不活性カスでパージすること及び
/又は圧力を下けて反応による水を除去することにより
容易になる。 分子量の調節は、少量の有機モノアミン
又は前記のように製造された単官能性チオエーテルフタ
ル酸無水物を含む有機−無水物を加えることによりなさ
れる。
さらに、これらのポリイミドの製造及び用途については
前述の米国特許第乞107./グ2号が参照される。
前述の米国特許第乞107./グ2号が参照される。
本発明のその他の態様には、新規なシス/Lフィトから
誘導されたポリイミドがある。 このようなポリイミド
は次式のjp、位から成ることを特徴とする1゜ 0 111 この発明のポリイミド及びチオエーテルフタル酸無水物
から誘導された同様のポリイミドの製造は次の実施例で
説明さAしる。
誘導されたポリイミドがある。 このようなポリイミド
は次式のjp、位から成ることを特徴とする1゜ 0 111 この発明のポリイミド及びチオエーテルフタル酸無水物
から誘導された同様のポリイミドの製造は次の実施例で
説明さAしる。
実施例 7〜//
実施例3〜乙のフタルイミドは、過剰の水酸化ナトリウ
ム30%水溶液での加水分解、酸性化、沈澱後の分離及
び前述の米国特許第乞0j乞jとグ号の実施例乙に記載
さ尤シたと同様の操作によって大過剰の酢酸中で無水酢
酸で処理することによる無水物への変換によって、相当
する無水物に変えられる。
ム30%水溶液での加水分解、酸性化、沈澱後の分離及
び前述の米国特許第乞0j乞jとグ号の実施例乙に記載
さ尤シたと同様の操作によって大過剰の酢酸中で無水酢
酸で処理することによる無水物への変換によって、相当
する無水物に変えられる。
このように製造さ、l]た無水物のシアミンとの混合物
を反応による水を蒸留により除きつつ、かく拌しながら
チッ素下で、23θ°Cに加熱する。 水の発生がと1
れば、系を減圧し、温度を300’Cに上げる。 所望
の混合物を冷却し、l11−フレソールにとかし、そし
て111−フレソール溶液をメタツルに注ぐことにより
ポリイミドを沈澱さぜる3、使用する無水物及びシアミ
ン、そj7でぞのモルの割合は次の表に示される。
を反応による水を蒸留により除きつつ、かく拌しながら
チッ素下で、23θ°Cに加熱する。 水の発生がと1
れば、系を減圧し、温度を300’Cに上げる。 所望
の混合物を冷却し、l11−フレソールにとかし、そし
て111−フレソール溶液をメタツルに注ぐことにより
ポリイミドを沈澱さぜる3、使用する無水物及びシアミ
ン、そj7でぞのモルの割合は次の表に示される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 /式 Z−1S−22 (式中z1はアルカリ金属又は−s −z2で、Z2は
フタル酸誘導体成分) を有する含イオウ化合物。 認 式z” −s −z2を有1〜、Zlがアルカリ金
属でZ2がフタル酸誘導体成分であるアルカリ金属メル
カプチド。 3 z2が式 (式中X1は0又はN −R”であυ、R1は水素、炭
素数/〜!のアルキル基又は炭素数乙〜20の芳香族基
である) を有する特許請求の範囲第2項に記載の化合物。 グ イオウ原子が芳香環のグの位置に結合している特許
請求の範囲第3項に記載の化合物。 j XlがN −R’である特許請求の範囲第グ項に記
載の化合物。 乙 アルカリ金属がナトリウムである特許請求の範囲第
5項に記載の化合物。 7 遣1が炭素数/〜グのアルキル基である特許請求の
範囲第乙項に記載の化合物。 トR1がメチルである特許請求の範囲第7項に記載の化
合物。 2 式Z” −S −Z2(但しZlはアルカリ金属で
Z2はフタル酸誘導体成分である)で表わされる化合物
の製造方法において、不活性雰囲気中で相当するアルカ
リ金属硫化物を相当する式X−Zの置換フタル酸誘導体
(式中X2はハロ、ニトロ又は−8−Z2)と反応させ
ることから成り、該アルカリ金属硫化物対校置換フタル
酸誘導体のモル比が少くとも約/:/である方法。 /θ 式z’ −s −z2を有し、Zlが−s −z
2でZ2がフタル酸誘導体成分である、ジスルフィド。 //Z2が式 (式中X1は0又はN −R’であり、R”が水素、炭
素数/〜とのアルキル基又は炭素数乙〜−〇の芳香族基
である) を有する特許請求の範囲第1θ項に記載の化合物。 /2 イオウ原子が芳香環のグの位置に結合している特
許請求の範囲第1/項に記載の化合物。 /3 XlがN−R1’である特許請求の範囲第72項
に記載の化合物。 /¥ R1が炭素数/〜夕のアルキル基である特許請求
の範囲第73項に記載の化合物。 /3. R’がメチルである特許請求の範囲第1グ項
に記載の化合物。 /乙 式Z’ −S −Z2(但し、z’+t −s
−z2で72はフタル酸誘導体成分である)で表わさハ
る化合物の製造方法において、相当する式A−8−Z2
(但しAはアルカリ金属)で表わされるアルカリ金属メ
ルカプチドをおだやかに酸化することから成る方法。 /7 製造中にメルカプチド反応混合物を酸素又は空気
にさらすことによってその場で酸化を行なう特許請求の
範囲第1乙項に記載の方法。 /と 式Z’ −S −Z2(但し、Zlはアルカリ金
属てZ2はフタル酸誘導体成分である)で表わされる化
合物を少くとも7種の式1え2(x3)、、、のハロゲ
ン化物(式中R2は有機基でありX5はハロケンで11
1は/〜′3である)と反応さぜることがら成る、式R
2(SZ2)、、で表わされるチオエーテルフタル酸誘
導体を製造する方法。 /9 X3が塩素又は臭素である特8′「請求の範囲第
1よ“項に記載の方法。 、20. mが/又はスである判許請求の範囲第79
項に記載の方法。 2/ R2が炭素数約2〜りの脂肪族炭化水素基である
特許請求の範囲第20項に記載の方法。 22 R2が炭素数約6〜/θの芳香族基である特許請
求の範囲第、20項に記載の方法。 23 式 (式中Q U式H2N −Q−NI−1−、のシアミン
から誘導される) を有する単位から成ることを特徴とするポリイミド。 、2り イオウ原子が芳香環のグの位置に結合してい
る特許請求の範囲第23項に記載のポリイミド。 2j Qが炭素数約6〜−〇の芳香族炭化水素基又はそ
のハロゲン化誘導体、炭素数約2〜20のアルキレン又
はシクロアルキレン基又はビスアル千レンボリ(ジアル
キルシロキサン)基である特許請求の範囲第2り項に記
載のポリイミド。 2乙 Qが芳香族基である特許請求の範囲第、23項に
記載のポリイミド。 27 Qが vrz千績干0庫崗譬2ξ工命 記1〜のボッイミド
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US48661883A | 1983-04-20 | 1983-04-20 | |
US486618 | 1983-04-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59231069A true JPS59231069A (ja) | 1984-12-25 |
Family
ID=23932578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7873184A Pending JPS59231069A (ja) | 1983-04-20 | 1984-04-20 | 含イオウ芳香族化合物並びにその製造及び使用方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0126252A1 (ja) |
JP (1) | JPS59231069A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4808696A (en) * | 1987-06-01 | 1989-02-28 | General Electric Company | Method for making organobis(thioether)s, and products obtained therefrom |
US5122617A (en) * | 1990-08-24 | 1992-06-16 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Tetracarboxylic acid dianhydrides |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5069064A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-06-09 | ||
JPS5079591A (ja) * | 1973-11-12 | 1975-06-28 | ||
US3922284A (en) * | 1973-03-30 | 1975-11-25 | Gen Electric | N-Substituted aromatic thioetherophthalimides |
JPS518264A (en) * | 1974-07-15 | 1976-01-23 | Gen Electric | Bisu * chioeeterufutaruimido * oyobi bisu * chioeeterumusuifutarusan * noseiho |
US4102905A (en) * | 1977-09-02 | 1978-07-25 | General Electric Company | Aromatic disulfone dianhydrides |
US4107147A (en) * | 1977-09-02 | 1978-08-15 | General Electric Company | Polysulfoneimides |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4054584A (en) * | 1973-03-30 | 1977-10-18 | General Electric Company | Method for making bis(thioether anhydride)s |
GB1477519A (en) * | 1974-07-02 | 1977-06-22 | Gen Electric | Anhydrides and imides |
US3933862A (en) * | 1974-08-23 | 1976-01-20 | General Electric Company | Aromatic dithio dianhydrides |
-
1984
- 1984-04-05 EP EP84103745A patent/EP0126252A1/en not_active Withdrawn
- 1984-04-20 JP JP7873184A patent/JPS59231069A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3922284A (en) * | 1973-03-30 | 1975-11-25 | Gen Electric | N-Substituted aromatic thioetherophthalimides |
JPS5069064A (ja) * | 1973-06-22 | 1975-06-09 | ||
JPS5079591A (ja) * | 1973-11-12 | 1975-06-28 | ||
JPS518264A (en) * | 1974-07-15 | 1976-01-23 | Gen Electric | Bisu * chioeeterufutaruimido * oyobi bisu * chioeeterumusuifutarusan * noseiho |
US4102905A (en) * | 1977-09-02 | 1978-07-25 | General Electric Company | Aromatic disulfone dianhydrides |
US4107147A (en) * | 1977-09-02 | 1978-08-15 | General Electric Company | Polysulfoneimides |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0126252A1 (en) | 1984-11-28 |
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