JPS5922372B2 - Photomask modification method - Google Patents

Photomask modification method

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Publication number
JPS5922372B2
JPS5922372B2 JP54018375A JP1837579A JPS5922372B2 JP S5922372 B2 JPS5922372 B2 JP S5922372B2 JP 54018375 A JP54018375 A JP 54018375A JP 1837579 A JP1837579 A JP 1837579A JP S5922372 B2 JPS5922372 B2 JP S5922372B2
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JP
Japan
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metal
laser
metal chelate
photomask
white spot
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JP54018375A
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Japanese (ja)
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JPS55111132A (en
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幹雄 本郷
建興 宮内
正男 三谷
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects
    • G03F1/74Repair or correction of mask defects by charged particle beam [CPB], e.g. focused ion beam

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はLSI製造に用いられるフォトマスクの欠落欠
陥を修正するためのフォトマスク修正方法に関するもの
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photomask repair method for repairing missing defects in a photomask used in LSI manufacturing.

フォトマスクに存在する欠陥には第1図に示す様に基板
1上にマスク材料(例えばクロム、酸化クロム、酸化鉄
、シリコンetc)がパターン2以外に余分に残留して
いる欠陥(黒点欠陥)3、マスク材料が欠落している欠
陥(白点欠陥)4の2種類がある。
Defects existing in the photomask include defects in which extra mask material (e.g. chromium, chromium oxide, iron oxide, silicon, etc.) remains on the substrate 1 other than the pattern 2 (black spot defect), as shown in Figure 1. There are two types of defects: 3. and 4. defects where mask material is missing (white spot defects).

これらのうち黒点欠陥についてはレーザにより極めて良
好に修正できる。
Among these, black spot defects can be corrected extremely well by laser.

一方白点欠陥については第2図に示すごとく、基板ガラ
ス5につけられた蒸着用金属膜6を基板1に形成された
パターン2に対向させて少し間隔を隔ててホルダTで固
定し、白点欠陥4に対向する蒸着用金属膜、6部分に高
エネルギービーム8を照射し、このエネルギーによつて
加熱蒸発された蒸着用金属の蒸気が白点欠陥4に付着し
、膜が形成されて修正が完了する。しかし、この方法で
は大気中で金属蒸気を白点欠陥に付着させるため、付着
強度が著しく低く、膜厚も十分なものでは得られない。
また周辺への回り込みも大きく、周辺へ黒点欠陥を生ぜ
しめ、これを改めて除去するという追加の工程も必要と
なる。本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくし
、白点欠陥修正を容易に精度よく行うようにしたフォト
マスク修正方法を提供するにある。
On the other hand, regarding white spot defects, as shown in FIG. A high-energy beam 8 is irradiated to the part 6 of the metal film for deposition facing the defect 4, and the vapor of the metal for deposition heated and evaporated by this energy adheres to the white spot defect 4, forming a film and repairing it. is completed. However, in this method, metal vapor is attached to white spot defects in the atmosphere, so the adhesion strength is extremely low and a sufficient film thickness cannot be obtained.
In addition, the wraparound to the periphery is large, causing black spot defects in the periphery, and an additional process of removing them is also required. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a photomask repair method that eliminates the above-mentioned drawbacks of the prior art and allows white spot defects to be repaired easily and accurately.

即ち、本発明は白点欠陥部およびその周辺に金属原子を
含む錯塩、特に金属キレート化合物を塗布し、白点欠陥
部にエネルギービームを照射して加熱分解し、金属を析
出させ白点欠陥部に析出した金属を付着させることによ
り、白点欠陥を修正する。以下、本発明の実施例を図に
従つて具体的に説明する。
That is, in the present invention, a complex salt containing a metal atom, particularly a metal chelate compound, is applied to the white spot defect area and its surrounding area, and the white spot defect area is irradiated with an energy beam to be thermally decomposed to precipitate the metal. Correct white spot defects by attaching precipitated metal to the surface. Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

第3図に示す様に基板1に金属キレートポリマーを溶媒
に溶かして塗布した後乾燥させ、上記金属キレートポリ
マーの膜11を形成する。ここで金属キレートポリマー
膜を加熱すると加熱された部分の金属キレートポリーマ
ーが分解されて金属が析出し、基板1上に金属膜13と
して形成される。その後溶媒で洗浄することにより、未
分解の金属キレートポリマーは溶解され基板1上には金
属膜13のみが残留する。ここで加熱源として高エネル
ギービーム例えばレーザビーム、電子ビーム等を使用す
ることによV1極めて限定された領域のみを加熱するこ
とが可能であり1白点欠陥の存在するフオトマスク全面
に、あるいは白点欠陥とその周辺に金属キレートポリー
マの膜を形成し白点欠陥部分にのみエネルギービームを
照射、加熱することによ)分解、析出した金属によ勺、
白点欠陥を修正することができる。
As shown in FIG. 3, a metal chelate polymer dissolved in a solvent is coated on a substrate 1 and then dried to form a film 11 of the metal chelate polymer. When the metal chelate polymer film is heated here, the metal chelate polymer in the heated portion is decomposed and metal is precipitated, forming a metal film 13 on the substrate 1. Thereafter, by washing with a solvent, the undecomposed metal chelate polymer is dissolved and only the metal film 13 remains on the substrate 1. By using a high-energy beam, such as a laser beam or an electron beam, as a heating source, it is possible to heat only a very limited area of V1. By forming a metal chelate polymer film on the defect and its surroundings, and irradiating and heating only the white spot defect area with an energy beam, the decomposed and precipitated metal is removed.
White spot defects can be corrected.

ここで金属キレートポリマとして説明して来たが、これ
は金属錯塩特に金属キレート化合物を用いることにより
、厚さが一様な膜が得られる。ここで使用する金属キレ
ートポリマーとしては例えばエチレンイミンの金属キレ
ート(即ち金属としてCr,.Cu,.Pd等を含んだ
キレート)を重合させたものである。
Although the metal chelate polymer has been described here, a film having a uniform thickness can be obtained by using a metal complex salt, particularly a metal chelate compound. The metal chelate polymer used here is, for example, one obtained by polymerizing a metal chelate of ethyleneimine (that is, a chelate containing Cr, .Cu, .Pd, etc. as the metal).

次に加熱源としてレーザビームを使用した場合の修正装
置を第4図に示す。
Next, FIG. 4 shows a correction device using a laser beam as a heating source.

対物レンズ13の実像面にX−Y2方向に可動で任意の
大きさの矩形が形成できるスリツト14(図中には一方
向のみを示してある)を備え、照明ランプ15aからの
照明光のうちダイクロイツクミラー16を透過した波長
の光をスリツト14で任意の大きさの矩形に成形して、
基板1上の白点欠陥部4上に塗布されている金属キレー
トポリマー上に対物レンズ13により投影する。
The real image plane of the objective lens 13 is provided with a slit 14 (only one direction is shown in the figure) that is movable in two directions of X and Y and can form a rectangle of any size. The light having the wavelength transmitted through the dichroic mirror 16 is shaped into a rectangle of arbitrary size by the slit 14.
The image is projected by the objective lens 13 onto the metal chelate polymer coated on the white spot defect portion 4 on the substrate 1 .

この投影された矩形は、レーザ源としてYAGレーザを
使用するならば、特定の可視波長のみを透過する特性フ
イルタ17を照明装置の直後に設置することにより、ま
たレーザ源としてArレーザの様に可視波長のレーザを
使用するならばレーザ波長と異なる可視波長を透過する
特性フイルタ17を用いることにより、照明装置15b
とハーフミラー18による白色光の照明のもとで明bよ
うに区別でき、反射ハーフミラー19と接眼レンズ20
によう観察しながら白点欠陥4の大きさと矩形の大きさ
を整合あるいは位置合せをすることができる。
This projected rectangle can be created by installing a characteristic filter 17 immediately after the illumination device that transmits only a specific visible wavelength when using a YAG laser as a laser source, or by installing a characteristic filter 17 that transmits only a specific visible wavelength as a laser source, or by installing a characteristic filter 17 that transmits only a specific visible wavelength as a laser source. If a laser with a different wavelength is used, a characteristic filter 17 that transmits visible wavelengths different from the laser wavelength may be used.
Under the illumination of white light by the half mirror 18, the reflection half mirror 19 and the eyepiece lens 20 can be clearly distinguished.
The size of the white spot defect 4 and the size of the rectangle can be matched or aligned while observing as follows.

位置合せ、および大きさの整合が終つた後、レーザ発振
器21を発振させるか、あるいは必要に応じて一定時間
だけシヤツタ22を開いてレーザ光23を通過させ、照
明ランプ15aによる矩形領域と同一箇所にレーザ光を
照射して金属キレートポリマーを白点欠陥部分のみ分解
して金属を析出させ、白点欠陥を修正する。
After alignment and size matching are completed, the laser oscillator 21 is made to oscillate, or if necessary, the shutter 22 is opened for a certain period of time to allow the laser beam 23 to pass through, and the same area as the rectangular area formed by the illumination lamp 15a is created. The metal chelate polymer is irradiated with laser light to decompose only the white spot defects and metal is precipitated to correct the white spot defects.

また第4図には塗布した金属キレートポリマー11狽睦
らレーザ光23を照射しているが、第5図に示す様に基
板1側から基板を通して金属キレートポリマ一11に照
射しても効果は全く同じである。
Further, in FIG. 4, the coated metal chelate polymer 11 is irradiated with laser light 23, but even if the metal chelate polymer 11 is irradiated from the substrate 1 side through the substrate as shown in FIG. It's exactly the same.

また、第6図に同様にレーザ光を加熱源として用いた別
の例を示す。
Further, FIG. 6 shows another example in which a laser beam is similarly used as a heating source.

これは頂角の等しいプリズム2枚を反対方向へ等速度で
回転させることによう、このプリズムを透過するレーザ
光を直線上に走査する機構を設けたもので、上記プリズ
ム2枚からなる走査装置25a,25b1およびこれら
を回転駆動させるためのモータ26a,26b1それぞ
れのプリズム25あるいはモータ26の回転角を検出す
るためのロータリエンコーダ27a,27bを備えて卦
り、発振器21から発振されたレーザ光23は対物レン
ズ28により基板1上の白点欠陥4を含めたマスク上に
塗布された金属キレートポリマ一11上に集光照射され
る。
This is a mechanism that rotates two prisms with the same apex angle in opposite directions at the same speed, and scans the laser beam passing through the prisms in a straight line.The scanning device consists of the two prisms. 25a, 25b1 and motors 26a, 26b1 for rotating these, rotary encoders 27a, 27b for detecting the rotation angle of the prism 25 or the motor 26, and the laser beam 23 oscillated from the oscillator 21. is focused and irradiated by the objective lens 28 onto the metal chelate polymer 11 coated on the mask including the white spot defect 4 on the substrate 1.

またレーザ光照射領域の観察のための観察光学系30を
備えている。レーザの発振は制御装置29によう制御さ
れる。即ち、白点欠陥4の大きさにより設定領域のみロ
ータリエンコーダ27aからの信号によりレーザの照射
位置を検出してレーザ光23を発振あるいは必要に応じ
て設けたシヤツタ22を開いてレーザ光23を通過させ
、走査装置26aにより走査しながら金属キレートポリ
マ11上に照射する。有効な一走査が終るとレーザ発振
が止められるかシヤツタ22が閉じられると同時に走査
方向が直交する様に調整されたもう一組の走査装置26
bによう一定距離だけシフトされこれを繰)返えすこと
により結果的に二次元的に白点欠陥部分を走査し、金属
を析出させ、白点欠陥を修正する。この時のレーザ光の
動きを第7図に示す。この中で破線で示しているのはレ
ーザスポツト31の走査可能な軌跡、太い実線は実際に
照射されたレーザスポツト31中心の軌跡である。この
時、スポットが十分重なる様にシフト量を選ぶ必要があ
る。また第5図に示した様に基板1側から基板を通して
照射しても全く同様の効果が得られる。レーザ源として
は照射された領域のパターン2にダメージを与えないパ
ワ!占度で、かつ金属キレートを数100℃以上に加熱
する必要があるので、連続発振あるいはパルス巾が十分
に長い(例えば1μs以上)のパルス発振レーザ光が望
ましい。
It also includes an observation optical system 30 for observing the laser beam irradiation area. Laser oscillation is controlled by a control device 29 as follows. That is, depending on the size of the white spot defect 4, the laser irradiation position is detected only in a set area using a signal from the rotary encoder 27a, and the laser beam 23 is oscillated, or the shutter 22 provided as necessary is opened to allow the laser beam 23 to pass. The metal chelate polymer 11 is irradiated while being scanned by the scanning device 26a. When one effective scan is completed, the laser oscillation is stopped or the shutter 22 is closed, and at the same time another set of scanning devices 26 is adjusted so that the scanning directions are perpendicular to each other.
By repeating this by shifting by a certain distance as shown in b), the white spot defect area is scanned two-dimensionally, metal is deposited, and the white spot defect is repaired. FIG. 7 shows the movement of the laser beam at this time. The dashed line indicates the scannable locus of the laser spot 31, and the thick solid line indicates the locus of the center of the laser spot 31 that is actually irradiated. At this time, it is necessary to select a shift amount so that the spots overlap sufficiently. Further, as shown in FIG. 5, the same effect can be obtained by irradiating light through the substrate from the substrate 1 side. As a laser source, it has enough power to not damage pattern 2 in the irradiated area! Since it is necessary to heat the metal chelate to a temperature of several hundred degrees Celsius or higher, continuous wave or pulsed laser light with a sufficiently long pulse width (for example, 1 μs or more) is desirable.

また加熱源として電子ビームを使用した場合についても
第7図に示した様に設定した領域に電子ビームを走査す
れば良い。
Also, when an electron beam is used as a heating source, the electron beam may be scanned over a set area as shown in FIG.

ただし第5図に示した方式は使用できない。以上説明し
たように本発明によればマスク材料が欠落している欠陥
(白点欠陥)に十分に厚い金属膜を容易かつ高精度に付
着させて完全に修正でき、実用に耐えうるフオトマスク
が得られる効果を奏する。
However, the method shown in FIG. 5 cannot be used. As explained above, according to the present invention, a sufficiently thick metal film can be easily and accurately attached to a defect where mask material is missing (white spot defect) to completely repair it, and a photomask that can withstand practical use can be obtained. It has the effect of being

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は各種欠陥を説明する図、第2図は従来のフオト
マスク修正方法を示す図、第3図は本発明のフオトマス
ク修正方法を示す図、第4図は本発明によるフオトマス
ク修正方法を実施する装置の一実施例を示す概略図、第
5図は第4図と異なり基板側から照射する説明図、第6
図は第4図と異なるフオトマスク修正装置の実施例を示
す概略図、第7図は第6図に示す装置において走査され
たレーザスポツトの動きを説明する図である。
Fig. 1 is a diagram explaining various defects, Fig. 2 is a diagram showing a conventional photomask repair method, Fig. 3 is a diagram showing a photomask repair method of the present invention, and Fig. 4 is a diagram showing a photomask repair method according to the present invention. Fig. 5 is a schematic diagram showing an embodiment of the device for irradiating the substrate.
This figure is a schematic diagram showing an embodiment of the photomask correction device different from that shown in FIG. 4, and FIG. 7 is a diagram illustrating the movement of a laser spot scanned by the device shown in FIG. 6.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 フォトマスクのパターンが欠落した白点欠陥に対し
て、フォトマスク全面または欠陥部分とその周辺に金属
キレート化合物の膜を塗布し、欠陥部分のみに高エネル
ギー・ビームを照射して該金属キレート化合物の膜を加
熱せしめ、該金属キレート化合物を分解し、金属を析出
させて白点部分を、該析出金属により埋めることを特徴
とするフォトマスク修正方法。
1. For white spot defects where the photomask pattern is missing, a film of metal chelate compound is applied to the entire surface of the photomask or the defective area and its surroundings, and a high-energy beam is irradiated only to the defective area to remove the metal chelate compound. A method for repairing a photomask, comprising heating the film to decompose the metal chelate compound, precipitating the metal, and filling the white spots with the precipitated metal.
JP54018375A 1979-02-21 1979-02-21 Photomask modification method Expired JPS5922372B2 (en)

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JP54018375A JPS5922372B2 (en) 1979-02-21 1979-02-21 Photomask modification method

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JPS55111132A JPS55111132A (en) 1980-08-27
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Families Citing this family (6)

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Publication number Publication date
JPS55111132A (en) 1980-08-27

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