JP2001018086A - Method and device for laser beam machining - Google Patents

Method and device for laser beam machining

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JP2001018086A
JP2001018086A JP11188215A JP18821599A JP2001018086A JP 2001018086 A JP2001018086 A JP 2001018086A JP 11188215 A JP11188215 A JP 11188215A JP 18821599 A JP18821599 A JP 18821599A JP 2001018086 A JP2001018086 A JP 2001018086A
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laser
aperture
processing
laser beam
film
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JP11188215A
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Japanese (ja)
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Toshikazu Kajikawa
敏和 梶川
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NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability and productivity of film forming. SOLUTION: A laser beam machining device 1 forms a film on an object A to be machined by irradiating the object to be worked with laser beams (a), (b) emitted from laser beam oscillators 2a, 2b and transmitting an aperture 9 and by supplying a raw material gas for film forming. The device 1 is provided with an image pickup device 5 to pick up the image of a face to be machined of the object to be machined as well as the region including a beam irradiation position and a controller to control a beam transmitting position and beam intensity for the aperture of the laser beam (b) on the basis of the photograph signal from the photograph device 5.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばフォトマス
クパターンの欠損欠陥を修正する場合に使用して好適な
レーザ加工装置および方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus and method suitable for use in correcting, for example, a defect in a photomask pattern.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、例えば集積回路素子(LSI)
および液晶表示素子(LCD)の配線パターンを形成す
る場合、露光プロセスにおいてフォトマスクが用いられ
ている。
2. Description of the Related Art Generally, for example, an integrated circuit device (LSI)
When forming a wiring pattern of a liquid crystal display element (LCD), a photomask is used in an exposure process.

【0003】このようなフォトマスクのパターン形成
は、ガラス基板上にクロム膜の形成,レジスト塗布,電
子ビームなどによる描画,現像,エッチングおよびレジ
スト剥離等の処理を施すことによるリソグラフィ工程を
経て行われる。このリソグラフィ工程を経て形成された
フォトマスクには、塵埃等の付着など製造工程中の不具
合によって欠陥が発生する場合がある。このような欠陥
には二種類あり、不要なパターンが残る欠陥を残留欠陥
(黒欠陥)と、所望のパターンがあるべき部位に形成さ
れていない欠陥を欠損欠陥(白欠陥)と呼ばれる。
[0003] Such a pattern of a photomask is formed through a lithography process by forming a chromium film on a glass substrate, applying a resist, drawing by an electron beam, developing, etching, and removing the resist. . Defects may occur on the photomask formed through the lithography process due to a defect in the manufacturing process such as adhesion of dust or the like. There are two types of such defects. A defect in which an unnecessary pattern remains is called a residual defect (black defect), and a defect that is not formed in a portion where a desired pattern should be located is called a defect defect (white defect).

【0004】ところで、このような形成パターンに図3
に示すような欠損欠陥が発生した場合、一つの修正方法
としてレーザCVD(Chemical Vapor
Deposition)法を用い、ガラス基板上にクロ
ム(Cr)およびその酸化物を成膜用材料として成膜す
ることにより行われる。すなわち、Cr等の金属有機化
合物を気化させ、これを原料ガスとして加工対象物(ガ
ラス基板)上に供給するとともに、この原料ガスを熱分
解あるいは光分解することによりパターンが形成され
る。同図において、符号31および32はそれぞれマス
クパターンと欠損欠陥部分を示す。
[0004] By the way, FIG.
In the case where a defect shown in FIG. 1 occurs, one of the repair methods is laser CVD (Chemical Vapor).
This is performed by forming a film of chromium (Cr) and its oxide as a film formation material on a glass substrate by using a deposition method. That is, a metal organic compound such as Cr is vaporized and supplied as a raw material gas onto an object to be processed (glass substrate), and a pattern is formed by thermally or photolytically decomposing the raw material gas. In the figure, reference numerals 31 and 32 denote a mask pattern and a defective portion, respectively.

【0005】従来、この種の欠損欠陥部分を修正するに
は、レーザ発振器から出射してアパーチャを透過するレ
ーザビームを加工対象物に照射するとともに、成膜用の
原料ガスを供給することにより、加工対象物上に成膜す
るレーザ加工装置が採用されている。
Conventionally, in order to correct this kind of defective defect portion, a laser beam emitted from a laser oscillator and transmitted through an aperture is irradiated on an object to be processed, and a raw material gas for film formation is supplied. 2. Description of the Related Art A laser processing apparatus for forming a film on a processing target is employed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のレーザ
加工装置においては、加工対象物上に照射するレーザビ
ーム内の強度分布を制御する機能を備えておらず、この
ため欠損欠陥の修正時に図4(a)に示すように欠損欠
陥部分32(ガラス基板)のみならず欠損欠陥修正の不
要な部分(既存膜)31にもレーザビームRが照射され
ると、既存膜31のレーザビーム吸収量に比べてガラス
基板のレーザビームの吸収量が少ないことから、同図
(b)に示すように欠損欠陥部分32の成膜進行速度が
既存膜31の成膜進行速度に比べて遅くなっていた。ま
た、この種のレーザ加工装置において、ガラス基板上に
パターンを新規に形成する場合でも、ビーム光照射強度
のむら等が発生し、ビーム光照射位置によって成膜進行
速度が異なることがあった。
However, the conventional laser processing apparatus does not have a function of controlling the intensity distribution in the laser beam irradiated on the object to be processed. As shown in FIG. 4A, when the laser beam R is irradiated not only on the defective defect portion 32 (glass substrate) but also on a portion (existing film) 31 that does not require defect defect correction, the laser beam absorption amount of the existing film 31 is increased. Since the absorption amount of the laser beam by the glass substrate is smaller than that of the glass substrate, the film formation progress speed of the defect defect portion 32 is slower than the film formation progress speed of the existing film 31 as shown in FIG. . Further, in this type of laser processing apparatus, even when a pattern is newly formed on a glass substrate, unevenness of beam light irradiation intensity or the like occurs, and the film formation progress speed may vary depending on the beam light irradiation position.

【0007】さらに、従来のレーザ加工装置において
は、既存膜31がレーザビームの集光スポットを過度に
吸収すると、加工対象物における各材料の熱膨張差によ
って作用する引張・圧縮力による変形量(歪)に応じた
熱ストレスが既存膜31に発生していた。
Further, in the conventional laser processing apparatus, when the existing film 31 excessively absorbs the condensed spot of the laser beam, the deformation amount (tensile / compressive force) acting on the object to be processed due to the difference in thermal expansion of each material. Thermal stress corresponding to the strain was generated in the existing film 31.

【0008】この結果、成膜時に均一な膜厚を得ること
ができなかったり、あるいは既存膜31がガラス基板か
ら剥離したりして成膜上の信頼性が低下するという問題
があった。
As a result, there has been a problem that a uniform film thickness cannot be obtained at the time of film formation, or the existing film 31 is peeled off from the glass substrate, thereby lowering the reliability of film formation.

【0009】そこで、均一な膜厚を得るために、成膜進
行速度が遅い部分にレーザビーム光を再度照射して成膜
することが考えられるが、この場合多大の加工時間(レ
ーザ光照射時間)を要し、生産性が低下するという問題
があった。
Therefore, in order to obtain a uniform film thickness, it is conceivable to irradiate the laser beam light again to a portion where the film formation progressing speed is slow to form a film. In this case, a long processing time (laser light irradiation time) is required. ), And there is a problem that productivity is reduced.

【0010】なお、特開昭61−268021号公報お
よび特公平3−79861号公報にそれぞれ「光CVD
による薄膜製造方法」と「複合ビームアニール方法」と
して先行技術が開示されているが、前述した課題は解決
されていない。
[0010] Japanese Patent Application Laid-Open Nos. Sho 61-268021 and Japanese Patent Publication No. Hei 3-79861 disclose "Photo CVD".
Prior arts are disclosed as "a method of manufacturing a thin film by using the method" and "a composite beam annealing method", but the above-mentioned problem has not been solved.

【0011】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、成膜するにあたり、加工対象物の加工対象面で
あってビーム照射位置を含む領域を撮像し、この撮像信
号に基づいてレーザビームのアパーチャに対するビーム
透過位置とビーム強度を制御することにより、成膜上の
信頼性および生産性を高めることができるレーザ加工装
置および方法の提供を目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and in forming a film, an image of an area including a beam irradiation position, which is a processing target surface of a processing target, is formed based on the image pickup signal. It is an object of the present invention to provide a laser processing apparatus and method capable of improving reliability and productivity in film formation by controlling a beam transmission position and a beam intensity with respect to a beam aperture.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項1記載のレーザ加工装置は、レーザ
発振器から出射してアパーチャを透過するレーザビーム
を加工対象物に照射するとともに、成膜用の原料ガスを
供給することにより、加工対象物上に成膜するレーザ加
工装置において、加工対象物の加工対象面であってビー
ム照射位置を含む領域を撮像する撮像装置と、この撮像
装置からの撮像信号に基づきレーザビームのアパーチャ
に対するビーム透過位置とビーム強度を制御するコント
ローラとを含ませた構成としてある。したがって、成膜
時に加工対象物の加工対象面であってビーム照射位置を
含む領域が撮像装置によって撮像され、この撮像装置か
らの撮像信号に基づきレーザビームのアパーチャに対す
るビーム透過位置とビーム強度がコントローラによって
制御される。
In order to achieve the above object, a laser processing apparatus according to a first aspect of the present invention irradiates a laser beam emitted from a laser oscillator and transmitted through an aperture onto an object to be processed. A laser processing apparatus for forming a film on a processing object by supplying a source gas for film formation, an imaging apparatus for imaging an area including a beam irradiation position on a processing target surface of the processing object; The configuration includes a controller that controls a beam transmission position and a beam intensity with respect to an aperture of a laser beam based on an imaging signal from an imaging device. Therefore, at the time of film formation, a region including the beam irradiation position on the processing target surface of the processing target is imaged by the imaging device, and based on an imaging signal from the imaging device, the beam transmission position and the beam intensity with respect to the aperture of the laser beam are controlled by the controller. Is controlled by

【0013】請求項2記載の発明は、請求項1記載のレ
ーザ加工装置において、前記レーザ発振器が、互いに独
立してレーザビームを出射する複数のレーザ発振器から
なる構成としてある。したがって、成膜時に加工対象物
の加工対象面であってビーム照射位置を含む領域が撮像
装置によって撮像され、この撮像装置からの撮像信号に
基づき各レーザ発振器から出射するレーザビームのアパ
ーチャに対するビーム透過位置とビーム強度がコントロ
ーラによって制御される。
According to a second aspect of the present invention, in the laser processing apparatus of the first aspect, the laser oscillator includes a plurality of laser oscillators that emit laser beams independently of each other. Therefore, an area including the beam irradiation position on the processing target surface of the processing target at the time of film formation is imaged by the imaging device, and the beam transmission of the laser beam emitted from each laser oscillator to the aperture based on the imaging signal from the imaging device is performed. The position and beam intensity are controlled by a controller.

【0014】請求項3記載の発明は、請求項2記載のレ
ーザ加工装置において、レーザビームのうち少なくとも
一のレーザビームを反射する駆動ミラーおよびこの駆動
ミラーからの反射ビームと他のレーザビームとを結合す
るビーム結合器を有する構成としてある。したがって、
レーザビームのうち少なくとも一のレーザビームが駆動
ミラーにおいて反射した後、この反射ビームと他のレー
ザビームとがビーム結合器において結合される。
According to a third aspect of the present invention, in the laser processing apparatus of the second aspect, a driving mirror that reflects at least one laser beam among the laser beams, and a reflected beam from the driving mirror and another laser beam are used. The configuration has a beam combiner for combining. Therefore,
After at least one of the laser beams reflects off the drive mirror, the reflected beam and another laser beam are combined in a beam combiner.

【0015】請求項4記載の発明は、請求項1記載のレ
ーザ加工装置において、レーザ発振器から出射するレー
ザビームを複数のレーザビームに分割するビームスプリ
ッタを有する構成としてある。したがって、成膜時に加
工対象物の加工対象面であってビーム照射位置を含む領
域が撮像装置によって撮像され、この撮像装置からの撮
像信号に基づきビームスプリッタによって分割したレー
ザビームのアパーチャに対するビーム透過位置とビーム
強度がコントローラによって制御される。
According to a fourth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus of the first aspect, a beam splitter for splitting a laser beam emitted from a laser oscillator into a plurality of laser beams is provided. Therefore, an area including the beam irradiation position, which is the processing target surface of the processing target at the time of film formation, is imaged by the imaging device, and the beam transmission position with respect to the aperture of the laser beam divided by the beam splitter based on the imaging signal from the imaging device. And beam intensity are controlled by a controller.

【0016】請求項5記載の発明は、請求項1〜4のう
ちいずれか一記載のレーザ加工装置において、加工対象
物をレーザビーム照射面内で互いに直角な二方向に移送
可能なX−Yテーブルを有する構成としてある。したが
って、成膜時にX−Yテーブルによって加工対象物が互
いに直角な二方向に移送される。
According to a fifth aspect of the present invention, in the laser processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects, an X-Y capable of moving an object to be processed in two directions perpendicular to each other within a laser beam irradiation surface. It has a configuration having a table. Therefore, the object to be processed is transferred in two directions perpendicular to each other by the XY table during film formation.

【0017】請求項6記載の発明(レーザ加工方法)
は、レーザ発振器から出射してアパーチャを透過するレ
ーザビームを加工対象物に照射するとともに、成膜用の
原料ガスを供給することにより、加工対象物上に成膜す
るレーザ加工方法において、成膜するにあたり、加工対
象物の加工対象面であってビーム照射位置を含む領域を
撮像し、この撮像信号に基づきレーザビームのアパーチ
ャに対するビーム透過位置とビーム強度を制御する方法
としてある。したがって、加工対象物に対する成膜が、
加工対象物の加工対象面であってビーム照射位置を含む
領域を撮像し、この撮像信号に基づきレーザビームのア
パーチャに対するビーム透過位置とビーム強度を制御す
ることにより行われる。
The invention according to claim 6 (laser processing method)
In the laser processing method of irradiating a laser beam emitted from a laser oscillator and passing through an aperture onto a processing object and supplying a source gas for film formation, a film is formed on the processing object. In doing so, there is a method in which a region including a beam irradiation position on a processing target surface of a processing target is imaged, and a beam transmission position with respect to an aperture of a laser beam and a beam intensity are controlled based on the imaged signal. Therefore, film formation on the object to be processed is
This is performed by imaging a region including the beam irradiation position on the processing target surface of the processing target, and controlling the beam transmission position and the beam intensity with respect to the aperture of the laser beam based on the imaging signal.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につき、
図面を参照して説明する。図1は本発明の第一実施形態
に係るレーザ加工装置の概略を示すブロック図である。
同図において、符号1で示すCVD用のレーザ加工装置
は、レーザ発振器2,第一光学系3,第二光学系4,撮
像装置5およびコントローラ6を備えている。これによ
り、チャンバ(図示せず)内の加工対象物A上にレーザ
ビームaを照射するとともに、原料ガスGを供給する
と、この原料ガス(例えばクロムカルボニルガス)Gを
成膜用材料とする薄膜が形成される。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram schematically showing a laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
In FIG. 1, a CVD laser processing apparatus denoted by reference numeral 1 includes a laser oscillator 2, a first optical system 3, a second optical system 4, an imaging device 5, and a controller 6. As a result, a laser beam a is irradiated onto a processing target A in a chamber (not shown), and a raw material gas G is supplied. When the raw material gas G is supplied, a thin film using the raw material gas (for example, chromium carbonyl gas) G as a film forming material is formed. Is formed.

【0019】なお、加工対象物Aは、成膜時にチャンバ
内にチャンバ外から搬送され、X−Yテーブル(図示せ
ず)上に位置決めされる。これにより、加工対象物A
が、チャンバ内において加工対象位置(膜形成位置)に
応じて互いに直角な二方向に移送される。
The workpiece A is conveyed from the outside of the chamber into the chamber during film formation, and is positioned on an XY table (not shown). Thereby, the workpiece A
Are transported in the chamber in two directions perpendicular to each other according to the processing target position (film formation position).

【0020】レーザ発振器2は、それぞれが互いに並列
する主副二つのレーザ発振器2a,2bからなり、第一
光学系3の後方に配設され、かつコントローラ6に接続
されている。これにより、レーザ発振器2aからレーザ
ビームaが出射すると、第一光学系3および第二光学系
4(ともに一部)を介して加工対象物A上に照射され
る。一方、レーザ発振器2bからレーザビームbが出射
すると、第一光学系3および第二光学系4(一部)を介
して加工対象物A上に照射される。
The laser oscillator 2 is composed of two main and sub-laser oscillators 2a and 2b, each of which is parallel to each other, disposed behind the first optical system 3 and connected to the controller 6. Thus, when the laser beam a is emitted from the laser oscillator 2a, the laser beam a is irradiated onto the processing target A via the first optical system 3 and the second optical system 4 (both partially). On the other hand, when the laser beam b is emitted from the laser oscillator 2b, it is irradiated on the processing target A via the first optical system 3 and the second optical system 4 (partly).

【0021】第一光学系3は、駆動ミラー7,ビーム結
合器8,アパーチャ9およびリレーレンズ10を有し、
レーザ発振器2の前方に配設されている。これにより、
レーザ発振器2a,2bからのレーザビームa,bが第
一光学系3を透過すると、第二光学系4内に入射する。
The first optical system 3 has a drive mirror 7, a beam combiner 8, an aperture 9, and a relay lens 10,
It is arranged in front of the laser oscillator 2. This allows
When the laser beams a and b from the laser oscillators 2 a and 2 b pass through the first optical system 3, they enter the second optical system 4.

【0022】駆動ミラー7は、レーザ発振器2bの前方
に回動自在に配設され、かつコントローラ6にアクチュ
エータ7aを介して接続されている。これにより、駆動
ミラー7(アクチュエータ7a)が、コントローラ6か
らの制御信号を受けると、所定の回動位置に回動してレ
ーザ発振器2bからのレーザビームbをビーム結合器8
に反射する。
The drive mirror 7 is disposed rotatably in front of the laser oscillator 2b, and is connected to the controller 6 via an actuator 7a. Thus, when the drive mirror 7 (actuator 7a) receives the control signal from the controller 6, it rotates to a predetermined rotation position to convert the laser beam b from the laser oscillator 2b into a beam combiner 8
To reflect.

【0023】ビーム結合器8は、レーザ発振器2aの前
方に配設され、かつ駆動ミラー7に並設されている。こ
れにより、レーザ発振器2aから出射するレーザビーム
aがビーム結合器8を透過するとともに、レーザ発振器
2bから出射するレーザビームbが駆動ミラー7で反射
してビーム結合器8に入射すると、これら両レーザビー
ムa,bが結合される。
The beam combiner 8 is arranged in front of the laser oscillator 2a and is arranged in parallel with the drive mirror 7. As a result, when the laser beam a emitted from the laser oscillator 2a passes through the beam combiner 8 and the laser beam b emitted from the laser oscillator 2b is reflected by the drive mirror 7 and enters the beam combiner 8, both of these lasers Beams a and b are combined.

【0024】アパーチャ9は、開口サイズが可変するア
パーチャからなり、ビーム結合器8とリレーレンズ10
との間に配設されている。これにより、レーザ発振器2
aからのレーザビームaがアパーチャ9を透過すると、
図2に示すようにアパーチャ9の開口サイズに対応する
ビーム形状(矩形状)をもって加工対象物A上に照射さ
れる。一方、レーザ発振器2bからのレーザビームbが
アパーチャ9を透過すると、図2に示すようにレーザビ
ーム自体のビーム形状(円形状)をもって加工対象物A
上に照射される。
The aperture 9 is composed of an aperture whose aperture size is variable, and includes a beam combiner 8 and a relay lens 10.
It is arranged between and. Thereby, the laser oscillator 2
When the laser beam a from a passes through the aperture 9,
As shown in FIG. 2, the beam is irradiated onto the processing target A with a beam shape (rectangular shape) corresponding to the aperture size of the aperture 9. On the other hand, when the laser beam b from the laser oscillator 2b passes through the aperture 9, the processing object A has the beam shape (circular shape) of the laser beam itself as shown in FIG.
Irradiated on top.

【0025】リレーレンズ10は、第二光学系4の近傍
に配設されている。これにより、両レーザ発振器2a,
2bからのレーザビームa,bがリレーレンズ10を透
過すると、第二光学系4内に入射する。
The relay lens 10 is disposed near the second optical system 4. Thereby, both laser oscillators 2a,
When the laser beams a and b from 2 b pass through the relay lens 10, they enter the second optical system 4.

【0026】第二光学系4は、対物レンズ11,ビーム
スプリッタ12および結像レンズ13を有し、加工対象
物Aの上方に配設されている。これにより、第一光学系
3からの各レーザビームa,bがビームスプリッタ12
で反射し、この反射光が対物レンズ11を透過して加工
対象物A上に結像する。
The second optical system 4 has an objective lens 11, a beam splitter 12, and an imaging lens 13, and is disposed above the workpiece A. As a result, the laser beams a and b from the first optical system 3 are
And the reflected light passes through the objective lens 11 to form an image on the processing target A.

【0027】撮像装置5は、CCDカメラからなり、第
二光学系4の上方に配設され、かつコントローラ6に接
続されている。これにより、加工対象物Aの加工対象面
であってビーム照射位置を含む領域が第二光学系4を介
して撮像される。そして、この撮像信号が画像データと
してコントローラ6に出力される。
The imaging device 5 comprises a CCD camera, is disposed above the second optical system 4, and is connected to the controller 6. Accordingly, an area including the beam irradiation position on the processing target surface of the processing target A is imaged via the second optical system 4. Then, this imaging signal is output to the controller 6 as image data.

【0028】コントローラ6は、撮像装置5からの撮像
信号を受けて画像処理を施す画像処理部(図示せず)を
有し、レーザ発振器2,撮像装置5,駆動ミラー7およ
びアパーチャ9に接続されている。これにより、コント
ローラ6内の画像処理部における処理結果に基づき、駆
動ミラー7を回動させてレーザビームbのアパーチャ9
に対するビーム透過位置が制御されるとともに、レーザ
ビームbのビーム強度が制御される。
The controller 6 has an image processing section (not shown) for performing image processing upon receiving an image signal from the image pickup device 5, and is connected to the laser oscillator 2, the image pickup device 5, the drive mirror 7 and the aperture 9. ing. Thereby, based on the processing result in the image processing unit in the controller 6, the driving mirror 7 is rotated to open the aperture 9 of the laser beam b.
And the beam intensity of the laser beam b is controlled.

【0029】次に、本発明の第一実施形態に係るレーザ
加工方法につき、図1および図2を用いて説明する。す
なわち、本実施形態におけるレーザ加工方法によるガラ
ス基板に対するパターン形成(成膜)は、レーザ発振器
2a,2bから出射してアパーチャ9を透過するレーザ
ビームa,bを加工対象物Aに照射するとともに、成膜
用の原料ガスを供給することにより行われる。このと
き、撮像装置5によって加工対象物Aの加工対象面であ
ってビーム照射位置を含む領域が撮像される。また、コ
ントローラ6によって撮像装置5の撮像信号から画像処
理が施され、この画像処理結果に基づいてレーザビーム
bのアパーチャ9に対するビーム透過位置とビーム強度
が制御される。
Next, a laser processing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. That is, the pattern formation (film formation) on the glass substrate by the laser processing method in the present embodiment irradiates the processing target A with the laser beams a and b emitted from the laser oscillators 2a and 2b and transmitted through the aperture 9. This is performed by supplying a source gas for film formation. At this time, the imaging device 5 captures an image of an area including the beam irradiation position on the processing target surface of the processing target A. Further, the controller 6 performs image processing from an image signal of the imaging device 5, and controls a beam transmission position and a beam intensity of the laser beam b with respect to the aperture 9 based on the image processing result.

【0030】一方、パターンに欠損欠陥が生じた場合の
成膜は、図2に示すように、レーザ発振器2bからのレ
ーザビームbがレーザビームaのビーム強度より高いビ
ーム強度をもち、かつアパーチャ9の開口サイズより小
さいビーム形状(円形状)をもってアパーチャ9におけ
る所定の開口位置を透過し、加工対象物A(ガラス基
板)に照射することにより行われる。
On the other hand, as shown in FIG. 2, when a defect defect occurs in the pattern, the laser beam b from the laser oscillator 2b has a beam intensity higher than the beam intensity of the laser beam a and the aperture 9 This is performed by transmitting light through a predetermined opening position in the aperture 9 with a beam shape (circular shape) smaller than the opening size described above, and irradiating the processing object A (glass substrate).

【0031】したがって、本実施形態においては、成膜
時に加工対象物Aの加工対象面であってビーム照射位置
を含む領域を撮像装置5によって撮像し、この撮像装置
5からの撮像信号に基づきレーザビームbのアパーチャ
9に対するビーム透過位置とレーザビームbのビーム強
度をコントローラ6によって制御するから、各ビーム照
射位置での成膜進行速度を同一の成膜進行速度に設定さ
れ、また欠損欠陥の修正時に既存膜に発生する熱ストレ
スが抑制され、成膜時に均一な膜厚を得ることができる
とともに、既存膜の剥離発生を防止することができる。
さらに、本実施形態において、成膜時に均一な膜厚が得
られることは、加工時間を確実に短縮することができ
る。
Therefore, in the present embodiment, at the time of film formation, a region including the beam irradiation position, which is a processing target surface of the processing target A, is imaged by the imaging device 5, and a laser beam is generated based on an imaging signal from the imaging device 5. Since the beam transmission position of the beam b with respect to the aperture 9 and the beam intensity of the laser beam b are controlled by the controller 6, the film formation progress speed at each beam irradiation position is set to the same film formation progress speed, and the defect defect is corrected. Thermal stress sometimes generated in the existing film is suppressed, and a uniform film thickness can be obtained at the time of film formation, and peeling of the existing film can be prevented.
Furthermore, in the present embodiment, the fact that a uniform film thickness is obtained at the time of film formation can reliably reduce the processing time.

【0032】なお、本実施形態においては、複数のレー
ザ発振器2a,2bによって複数のレーザビームa,b
を出射する場合について説明したが、本発明はこれに限
定されず、単一のレーザ発振器によって複数のレーザビ
ームを出射することもできる。この場合、レーザ発振器
から出射するレーザビームを複数のレーザビームに分割
するビームスプリッタが用いられる。
In this embodiment, a plurality of laser beams a and b are provided by a plurality of laser oscillators 2a and 2b.
Although the case of emitting a laser beam has been described, the present invention is not limited to this, and a single laser oscillator can emit a plurality of laser beams. In this case, a beam splitter that splits a laser beam emitted from a laser oscillator into a plurality of laser beams is used.

【0033】また、本実施形態においては、駆動ミラー
7を走査することによりレーザビームbを加工対象物A
上に照射する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されず、アパーチャ9と別個のアパーチャによって
ビーム形状を整形し照射してもよい。
Further, in the present embodiment, the laser beam b is scanned by the
Although the case of irradiating above has been described, the present invention is not limited to this, and the beam may be shaped and irradiated by an aperture separate from the aperture 9.

【0034】この他、本発明においては、複数のレーザ
発振器から出射する各レーザビームの波長や発振形態
(パルス発振,連続発振)が同一であっても、互いに異
なるものであってもよい。
In addition, in the present invention, the wavelengths and oscillation modes (pulse oscillation and continuous oscillation) of the laser beams emitted from the plurality of laser oscillators may be the same or different.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、成
膜時に加工対象物の加工対象面であってビーム照射位置
を含む領域を撮像装置によって撮像し、この撮像装置か
らの撮像信号に基づきレーザビームのアパーチャに対す
るビーム透過位置とビーム強度をコントローラによって
制御するから、各ビーム照射位置での成膜進行速度を同
一の成膜進行速度に設定され、また欠損欠陥の修正時に
既存膜に発生する熱ストレスが抑制される。
As described above, according to the present invention, at the time of film formation, a region including a beam irradiation position on a processing target surface of a processing target object is imaged by an image pickup device, and an image pickup signal from the image pickup device is generated. The controller controls the beam transmission position and beam intensity with respect to the aperture of the laser beam based on the controller, so the film formation progress speed at each beam irradiation position is set to the same film formation progress speed, and it occurs in the existing film when defect defects are corrected Heat stress is suppressed.

【0036】したがって、成膜時に均一な膜厚を得るこ
とができるとともに、既存膜の剥離発生を防止すること
ができるから、成膜上の信頼性を高めることができる。
また、成膜時に均一な膜厚が得られることは、加工時間
を確実に短縮することができるから、生産性を高めるこ
ともできる。
Accordingly, a uniform film thickness can be obtained at the time of film formation, and the occurrence of peeling of the existing film can be prevented, so that the reliability of the film formation can be improved.
In addition, since a uniform film thickness can be obtained at the time of film formation, the processing time can be reliably shortened, and therefore, productivity can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工装置の
概略を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a laser processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第一実施形態に係るレーザ加工方法を
説明するために示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view for explaining a laser processing method according to the first embodiment of the present invention.

【図3】マスクパターンに欠損欠陥が発生した状態を示
す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a state in which a defective defect has occurred in a mask pattern.

【図4】(a)および(b)は従来におけるレーザ加工
例を説明するために示す平面図である。
FIGS. 4A and 4B are plan views illustrating a conventional laser processing example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 レーザ加工装置 2,2a,2b レーザ発振器 3 第一光学系 4 第二光学系 5 撮像装置 6 コントローラ 7 駆動ミラー 8 ビーム結合器 9 アパーチャ A 加工対象物 G 原料ガス a,b レーザビーム Reference Signs List 1 laser processing device 2, 2a, 2b laser oscillator 3 first optical system 4 second optical system 5 imaging device 6 controller 7 drive mirror 8 beam combiner 9 aperture A processing object G raw material gas a, b laser beam

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レーザ発振器から出射してアパーチャを
透過するレーザビームを加工対象物に照射するととも
に、成膜用の原料ガスを供給することにより、前記加工
対象物上に成膜するレーザ加工装置において、 前記加工対象物の加工対象面であってビーム照射位置を
含む領域を撮像する撮像装置と、 この撮像装置からの撮像信号に基づき、前記レーザビー
ムの前記アパーチャに対するビーム透過位置とビーム強
度を制御するコントローラとを含ませたことを特徴とす
るレーザ加工装置。
1. A laser processing apparatus for irradiating a laser beam emitted from a laser oscillator and passing through an aperture onto a processing target object and supplying a source gas for film formation to form a film on the processing target object. An imaging device that images a region including a beam irradiation position on a processing target surface of the processing target, based on an imaging signal from the imaging device, a beam transmission position of the laser beam with respect to the aperture and a beam intensity. A laser processing apparatus characterized by including a controller for controlling.
【請求項2】 前記レーザ発振器が、互いに独立してレ
ーザビームを出射する複数のレーザ発振器からなること
を特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
2. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein said laser oscillator comprises a plurality of laser oscillators for emitting laser beams independently of each other.
【請求項3】 前記レーザビームのうち少なくとも一の
レーザビームを反射する駆動ミラーおよびこの駆動ミラ
ーからの反射ビームと他のレーザビームとを結合するビ
ーム結合器を有することを特徴とする請求項2記載のレ
ーザ加工装置。
3. A drive mirror for reflecting at least one of the laser beams, and a beam combiner for combining a reflected beam from the drive mirror with another laser beam. The laser processing apparatus according to the above.
【請求項4】 前記レーザ発振器から出射するレーザビ
ームを複数のレーザビームに分割するビームスプリッタ
を有することを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装
置。
4. The laser processing apparatus according to claim 1, further comprising a beam splitter for dividing a laser beam emitted from the laser oscillator into a plurality of laser beams.
【請求項5】 前記加工対象物をレーザビーム照射面内
で互いに直角な二方向に移送可能なX−Yテーブルを有
することを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか一記
載のレーザ加工装置。
5. The laser processing according to claim 1, further comprising an XY table that can transfer the object to be processed in two directions perpendicular to each other within a laser beam irradiation surface. apparatus.
【請求項6】 レーザ発振器から出射してアパーチャを
透過するレーザビームを加工対象物に照射するととも
に、成膜用の原料ガスを供給することにより、前記加工
対象物上に成膜するレーザ加工方法において、 成膜するにあたり、前記加工対象物の加工対象面であっ
てビーム照射位置を含む領域を撮像し、 この撮像信号に基づき、前記レーザビームの前記アパー
チャに対するビーム透過位置とビーム強度を制御するこ
とを特徴とするレーザ加工方法。
6. A laser processing method for irradiating a processing object with a laser beam emitted from a laser oscillator and passing through an aperture, and supplying a source gas for film formation, thereby forming a film on the processing object. In forming a film, an image of a region including a beam irradiation position on a processing target surface of the processing target is captured, and a beam transmission position and a beam intensity of the laser beam with respect to the aperture are controlled based on the imaging signal. A laser processing method characterized by the above-mentioned.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010210919A (en) * 2009-03-10 2010-09-24 Omron Corp Method and device for forming cvd thin film
WO2022209929A1 (en) * 2021-04-02 2022-10-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 Laser processing head and laser processing system
WO2022209930A1 (en) * 2021-04-02 2022-10-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 Laser machining head, and laser machining system comprising same

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