JP2010033761A - Transfer device, transfer method, transfer body, and method of manufacturing organic electroluminescent display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、転写装置、転写方法、転写体、及び有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法に関する。 The present invention relates to a transfer device, a transfer method, a transfer body, and a method for manufacturing an organic electroluminescent display.
有機材料のエレクトロルミネセンス(Electroluminescence)を利用した有機EL(Electroluminescence)素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
このような有機EL素子を用いた有機エレクトロルミネセンスディスプレイ(以下、有機ELディスプレイと称する)は、R(赤)、G(緑)、B(青)各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、発光素子毎にパターン形成することで製造されている。
2. Description of the Related Art Organic EL (Electroluminescence) elements using organic electroluminescence are attracting attention as light emitting elements that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive.
An organic electroluminescent display using such an organic EL element (hereinafter referred to as an organic EL display) is a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light in R (red), G (green), and B (blue) colors. Is manufactured by patterning each light emitting element.
このパターン形成方法の一つとして、熱エネルギーを用いた転写法、すなわち熱転写法が提案されている。そして、熱転写法における熱エネルギー源としてレーザ光源を用いる技術が知られており、レーザ光強度の変動にともなう転写幅の変動を抑制したり、照射範囲内の温度分布を均一化したりするためにレーザ光の強度分布を制御する技術が提案されている(特許文献1を参照)。 As one of the pattern forming methods, a transfer method using thermal energy, that is, a thermal transfer method has been proposed. A technique using a laser light source as a thermal energy source in the thermal transfer method is known, and a laser is used to suppress fluctuations in the transfer width due to fluctuations in the laser light intensity and to make the temperature distribution in the irradiation range uniform. A technique for controlling the light intensity distribution has been proposed (see Patent Document 1).
この特許文献1に開示がされた技術によれば、転写の寸法精度を向上させたり、照射対象である転写膜の温度分布を均一化させたりすることができる。しかしながら、照射範囲の周縁部分(エッジ部分)における切断に関する考慮がされておらず、転写不良や転写膜の損傷が発生するおそれがあった。
According to the technique disclosed in
そのため、照射範囲の周縁部分(エッジ部分)に高い強度のレーザ光を照射することで、転写膜の損傷を抑制する技術が提案されている(特許文献2を参照)。
しかしながら、特許文献2に開示がされた技術によれば、光学レンズを有するマスクを用いて照射範囲の周縁部分(エッジ部分)に高い強度のレーザ光を照射する必要があるため、転写装置の複雑化、高コスト化を招くおそれがあった。
また、転写膜が設けられた基材とガラス基板とを貼り合わせる際に気体が混入することや、転写不良が発生した際の対処に関しても考慮がされていなかった。そのため、製品歩留まりの向上などにも課題を残していた。
However, according to the technique disclosed in
In addition, no consideration has been given to the mixing of gas when the base material provided with the transfer film is bonded to the glass substrate, and the countermeasure when a transfer failure occurs. For this reason, problems remain in improving the product yield.
本発明は、構成の簡易化や製品歩留まりの向上を図ることができる転写装置、転写方法、転写体、及び有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法を提供する。 The present invention provides a transfer device, a transfer method, a transfer body, and an organic electroluminescent display manufacturing method capable of simplifying the configuration and improving the product yield.
本発明の一態様によれば、レーザ発振手段と、前記レーザ発振手段から放射されたレーザ光の強度分布を制御する第1の強度分布制御手段と、を備え、前記第1の強度分布制御手段は、転写膜を有する転写体に対する照射範囲の中央部分を照射する前記レーザ光を透過させる第1の透過部と、前記照射範囲の周縁部分を照射する前記レーザ光を透過させる第2の透過部と、を有し、前記第2の透過部の透過率は、前記第1の透過部の透過率よりも相対的に高いこと、を特徴とする転写装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, the first intensity distribution control means comprises: laser oscillation means; and first intensity distribution control means for controlling the intensity distribution of laser light emitted from the laser oscillation means. The first transmission part that transmits the laser beam that irradiates the central part of the irradiation range with respect to the transfer body having the transfer film, and the second transmission part that transmits the laser beam that irradiates the peripheral part of the irradiation range The transfer device is characterized in that the transmittance of the second transmission part is relatively higher than the transmittance of the first transmission part.
また、本発明の他の一態様によれば、レーザ発振手段と、前記レーザ発振手段から放射されたレーザ光の強度分布を制御する第2の強度分布制御手段と、を備え、第2の強度分布制御手段は、前記レーザ光を透過させる開口部を有し、前記開口部の周縁部分における前記レーザ光の回折と干渉とにより、前記開口部の中央部分における前記レーザ光の強度よりも相対的に強いレーザ光が形成されること、を特徴とする転写装置が提供される。 According to another aspect of the invention, there is provided a second intensity distribution comprising: laser oscillation means; and second intensity distribution control means for controlling the intensity distribution of laser light emitted from the laser oscillation means. The distribution control means has an opening through which the laser beam is transmitted, and is relative to the intensity of the laser beam at the central portion of the opening due to diffraction and interference of the laser beam at the peripheral portion of the opening. A transfer device characterized in that a strong laser beam is formed.
また、本発明の他の一態様によれば、転写膜を有する転写体を被処理物に対向させて載置し、前記転写体にレーザ光を照射して前記被処理物に前記転写膜を転写させる転写方法であって、上記のいずれかに記載の転写装置を用いて、前記転写体に対する照射範囲の周縁部分におけるレーザ光の強度が前記照射範囲の中央部分におけるレーザ光の強度よりも高くなるようにレーザ光を照射すること、を特徴とする転写方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a transfer member having a transfer film is placed facing the object to be processed, and the transfer member is irradiated with laser light to place the transfer film on the object to be processed. A transfer method for transferring, wherein the intensity of the laser beam at the peripheral portion of the irradiation range with respect to the transfer body is higher than the intensity of the laser beam at the central portion of the irradiation range using the transfer device according to any one of the above. There is provided a transfer method characterized by irradiating with laser light.
また、本発明の他の一態様によれば、基材と、前記基材の一方の主面に設けられた転写膜と、前記基材のレーザ光の照射範囲の外側に設けられた通気手段と、を備えたことを特徴とする転写体が提供される。 According to another aspect of the present invention, the base material, the transfer film provided on one main surface of the base material, and the ventilation means provided outside the laser light irradiation range of the base material And a transfer body characterized by comprising:
また、本発明の他の一態様によれば、被処理物に対向させて上記の転写体を載置し、前記転写体を前記被処理物に密着させる際に前記転写体の基材に設けられた通気手段を介して混入した気体を排出し、前記転写体に対する照射範囲の周縁部分におけるレーザ光の強度が前記照射範囲の中央部分におけるレーザ光の強度よりも高くなるように、前記転写体に前記レーザ光を照射すること、を特徴とする有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the transfer body is placed facing the object to be processed, and is provided on the substrate of the transfer body when the transfer body is brought into close contact with the object to be processed. The transferred body is discharged so that the mixed gas is discharged through the ventilation means, and the intensity of the laser beam at the peripheral portion of the irradiation range with respect to the transfer body is higher than the intensity of the laser beam at the central portion of the irradiation range. A method for producing an organic electroluminescence display is provided, which is characterized by irradiating the laser beam with the laser beam.
本発明によれば、構成の簡易化や製品歩留まりの向上を図ることができる転写装置、転写方法、転写体、及び有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the transfer apparatus which can aim at simplification of a structure and improvement of a product yield, the transfer method, a transfer body, and an organic electroluminescent display is provided.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施の形態に係る転写装置を例示するための模式図である。
図1に示すように、転写装置1には、レーザ発振手段2、結像光学手段3、強度分布制御手段4、移動手段5、レーザ制御手段6が設けられている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a schematic view for illustrating the transfer device according to the first embodiment.
As shown in FIG. 1, the
レーザ発振手段2は、例えば、半導体レーザ光やYAGレーザ光などを発振可能なものとすることができる。ただし、これらに限定されるわけではなく、適宜変更することができる。
結像光学手段3には、レーザ発振手段2から出射されたレーザ光Lを集光させるための図示しない集光レンズ、光路を変更させるための図示しない反射ミラーなどを設けることができる。そして、結像光学手段3を介することで、マスク上(例えば、強度分布制御手段4上)のパターン形状をレーザ照射面(例えば、転写体10上)に結像させることができるようになっている。
The laser oscillation means 2 can oscillate semiconductor laser light, YAG laser light, or the like, for example. However, it is not necessarily limited to these and can be changed as appropriate.
The imaging
移動手段5は、例えば、XYテーブルとすることができ、上面に載置された被処理物100(例えば、アクセプタ基板)を水平面内において移動させることができるようになっている。また、被処理物100を載置する面には図示しない保持手段が設けられ、載置された被処理物100を保持することができるようになっている。図示しない保持手段としては、例えば、静電チャックなどを例示することができる。また、対向する転写体10と被処理物100との相互の位置がずれないように周縁を保持する手段を設けるようにすることもできる。
The moving
なお、被処理物100への照射位置を変化させる移動手段として、被処理物100側を移動させる移動手段5を例示したが、レーザ光Lの出射側(例えば、レーザ発振手段2、結像光学手段3、強度分布制御手段4)を移動させる移動手段とすることもできる。
In addition, although the moving means 5 which moves the to-be-processed
レーザ制御手段6は、移動手段5の移動に同期させて、レーザ発振手段2をオン・オフ駆動(パルス駆動)する。そして、被処理物100の任意の位置に所望のタイミングでレーザビームLを照射することができるようになっている。
なお、マスクなど(例えば、強度分布制御手段4)を介してレーザ光を照射する場合には、照射が不要な部分をマスクなどにより遮蔽することができるので、必ずしもパルス駆動とする必要はない。例えば、マスク上(強度分布制御手段4上)に連続照射することもできる。ただし、パルス駆動とすればエネルギーのロスを抑制することができる。
The laser control means 6 drives the laser oscillation means 2 on / off (pulse drive) in synchronization with the movement of the moving
In the case of irradiating laser light through a mask or the like (for example, intensity distribution control means 4), a portion that does not need to be irradiated can be shielded by the mask or the like, and thus it is not always necessary to perform pulse driving. For example, continuous irradiation can be performed on the mask (on the intensity distribution control means 4). However, energy loss can be suppressed by pulse driving.
強度分布制御手段4は、レーザ発振手段2から放射されたレーザ光Lの強度分布を制御する。
ここで、レーザ光Lの強度分布制御を例示する前に、レーザ光Lの強度分布と転写との関係を説明する。
図2は、レーザ光の強度分布と転写との関係を例示するための模式図である。なお、図2(a)は転写の様子を例示するための模式断面図、図2(b)はレーザ光の強度分布を例示するための模式グラフ図、図2(c)は転写不良となった場合の様子を例示するための模式断面図である。
The intensity
Here, before illustrating the intensity distribution control of the laser light L, the relationship between the intensity distribution of the laser light L and the transfer will be described.
FIG. 2 is a schematic diagram for illustrating the relationship between the intensity distribution of laser light and transfer. 2A is a schematic cross-sectional view for illustrating the state of transfer, FIG. 2B is a schematic graph for illustrating the intensity distribution of laser light, and FIG. 2C is a transfer defect. It is a schematic cross section for illustrating the situation in the case of.
図2(a)に示すように、有機発光材料からなる発光層を発光素子毎にパターン形成させる場合には、アノード電極101が形成された被処理物100(例えば、アクセプタ基板)に対向させて転写体10(例えば、ドナー基板)が載置、密着される。
被処理物100のガラス基板102の主面には、アノード電極101と隔壁103とが設けられている。隔壁103は格子状を呈し、各アノード電極101を囲むことで画素領域を形成するとともに各画素間における電気的な短絡を防止している。
As shown in FIG. 2A, when a light emitting layer made of an organic light emitting material is patterned for each light emitting element, the light emitting layer is opposed to an object 100 (for example, an acceptor substrate) on which an
An
転写体10の基材11の主面には転写膜12が設けられている。転写膜12には少なくとも有機発光材料からなる発光層が含まれている。また、基材11にはレーザ光Lの光エネルギーを熱エネルギーに変換させるための図示しない光−熱変換層が設けられている。なお、発光層の他にも正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを含むこともできる。また、アノード電極101と対をなすカソード電極を発光層などとともに設けるようにすることもできる。
A
レーザ光Lを用いた熱転写法(Laser Induced Thermal Imaging)により、転写膜12を転写させる場合には、転写体10の所定領域(照射範囲)にレーザ光Lが照射される。照射されたレーザ光Lの光エネルギーは、基材11に設けられた図示しない光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換される。この熱エネルギーにより転写膜12が基材11から離脱して、隔壁103により画されたアノード電極101上に転写される。
When the
ここで、転写膜12の結合を切断するのに必要なエネルギーは、転写膜12を基材11から引き離すのに必要なエネルギーよりも高くなる。ところが、一般的には、レーザ光Lの強度分布は図2(b)に示すように端部近傍(照射範囲の周縁部分)で弱くなる傾向がある。そのため、転写膜12の結合を切断する部分におけるエネルギーがかえって低下してしまい、図2(c)のA部に示すように、切断不良(転写不良)が発生する場合がある。
Here, the energy required to break the bond of the
この場合、レーザ光Lのエネルギー自体を高めるようにすれば、切断不良(転写不良)を抑制することができる。しかしながら、レーザ光Lのエネルギーを高くしすぎると、転写膜12が損傷したり、転写された転写膜12の品質が低下したりするおそれがある。
In this case, if the energy of the laser beam L itself is increased, cutting defects (transfer defects) can be suppressed. However, if the energy of the laser beam L is too high, the
そのため、転写膜12の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高めるようにすれば、転写膜12の損傷や品質の低下を抑制しつつ切断不良(転写不良)の発生を抑制することができる。
Therefore, if the intensity of the laser beam is increased at the portion where the bonding of the
この場合、特許文献2に開示がされた技術を用いれば、転写膜12の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高めることができる。しかしながら、レーザ光強度を高めるための光学レンズが必要となり転写装置の複雑化、高コスト化を招くおそれがある。また、画素の細緻化が進む傾向にあるため、これに対応するための光学レンズの設計や製造が困難となるおそれもある。
In this case, if the technique disclosed in
次に、図1に示した強度分布制御手段4についてさらに例示をする。
図3は、強度分布制御手段を例示するための模式図である。なお、図3(a)は強度分布制御手段を例示するための模式断面図、図3(b)はレーザ光の強度分布を例示するための模式グラフ図である。
図3(a)に示すように、強度分布制御手段4aには、レーザ光Lを遮光する遮光部13、レーザ光Lを透過させる透過部14、透過部15が設けられている。遮光部13は、例えば、クロム(Cr)などの金属材料などで形成させることができる。また、透過部14、透過部15は、レーザ光の透過を制御できるように半透光性の材料で形成させることができる。半透光性の材料としては、例えば、金属と珪素とを含有する金属シリサイド系の材料(例えば、モリブデンシリサイド(MoSi)、タンタルシリサイド(TaSi)、チタンシリサイド(TiSi)、タングステンシリサイド(WSi)など)などを例示することができる。ただし、これらに例示をした材料に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
Next, the intensity distribution control means 4 shown in FIG. 1 will be further illustrated.
FIG. 3 is a schematic diagram for illustrating the intensity distribution control means. 3A is a schematic cross-sectional view for illustrating the intensity distribution control means, and FIG. 3B is a schematic graph for illustrating the intensity distribution of laser light.
As shown in FIG. 3A, the intensity distribution control means 4a is provided with a
この場合、透過部15の透過率は透過部14の透過率よりも高くなるように設定されている。また、透過率の低い透過部14は照射範囲の中央部分に設けられ、透過率の高い透過部15は照射範囲の周縁部に設けられている。すなわち、強度分布制御手段4aには、転写体10に対する照射範囲の中央部分を照射するレーザ光を透過させる透過部14と、照射範囲の周縁部分を照射するレーザ光を透過させる透過部15と、が設けられ、透過部15の透過率が、透過部14の透過率よりも高くなるようになっている。そのため、照射範囲の中央部分を透過するレーザ光Laの強度よりも周縁部分を透過するレーザ光Lbの強度を高くすることができる。その結果、図3(b)に示すように転写膜12の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高めることができる。
In this case, the transmittance of the
なお、半透光性の材料の透過率を変えることで転写膜12の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高める場合を例示したがこれに限定されるわけではない。照射範囲におけるレーザ光の透過率が部分的に制御できればよい。例えば、複数の微細なスリットを設けて透過するレーザ光の一部を遮ることでレーザ光の透過率を制御するようにしてもよいし、これと前述した半透光性の材料で形成された透過部とを組み合わせても良い。
In addition, although the case where the laser beam intensity in the part (periphery part of irradiation range) which cut | disconnects the coupling | bonding of the
図4は、他の実施の形態に係る強度分布制御手段を例示するための模式図である。なお、図4(a)は強度分布制御手段を例示するための模式断面図、図4(b)はレーザ光の強度分布を例示するための模式グラフ図である。
図4(a)に示すように、強度分布制御手段4bには、レーザ光Lを遮光する遮光部13、レーザ光Lを透過させる透過部16が設けられている。遮光部13は、例えば、クロム(Cr)などの金属材料などで形成させることができる。
FIG. 4 is a schematic diagram for illustrating intensity distribution control means according to another embodiment. 4A is a schematic cross-sectional view for illustrating the intensity distribution control means, and FIG. 4B is a schematic graph for illustrating the intensity distribution of laser light.
As shown in FIG. 4A, the intensity distribution control means 4b is provided with a
透過部16は、レーザ光Lを透過させる開口部とされている。そのため、透過部16の周縁部分においては透過するレーザ光が回折により拡がるとともに干渉を生ずることで強度が高められる部分Lcが生じる。すなわち、強度分布制御手段4bには、レーザ光Lを透過させる開口部が設けられ、開口部の周縁部分におけるレーザ光Lの回折と干渉とにより、開口部の中央部分におけるレーザ光Lの強度よりも相対的に強いレーザ光Lcが形成される。そのため、図4(b)に示すように転写膜12の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高めることができる。
The
この場合、強度が高められる部分Lcのレーザ光強度は、透過部16の開口寸法、透過部16から転写膜12までの寸法などの影響を受ける。そのため、透過部16の開口寸法などを適宜変更するようにすれば、強度が高められる部分Lcのレーザ光強度を制御することができる。また、転写膜12の結合の切断は熱エネルギーにより行われることになるため、基材11における熱拡散の影響を設ける。そのため、基材11の材質や厚み寸法などを考慮して透過部16の開口寸法を決定するようにすることが好ましい。
以上例示をしたように、本実施の形態に係る転写装置によれば、転写膜の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高めることができるので、転写膜の損傷や品質の低下を抑制しつつ切断不良(転写不良)の発生を抑制することができる。
In this case, the laser beam intensity of the portion Lc where the intensity is increased is affected by the opening size of the
As illustrated above, according to the transfer apparatus according to the present embodiment, the laser beam intensity can be increased at the portion where the transfer film bond is cut (peripheral portion of the irradiation range), It is possible to suppress the occurrence of cutting defects (transfer defects) while suppressing deterioration in quality.
また、強度分布制御手段の構成を簡素化することができるので、転写装置が複雑化したり高コスト化したりすることを抑制することができる。また、強度分布制御手段の設計や製造の容易化を図ることもできるので、画素の細緻化などにも柔軟に対応することができる。 In addition, since the configuration of the intensity distribution control means can be simplified, it is possible to prevent the transfer apparatus from becoming complicated or expensive. In addition, since the intensity distribution control means can be easily designed and manufactured, it is possible to flexibly cope with pixel miniaturization.
次に、本実施の形態に係る転写体について例示をする。
図5は、第2の実施の形態に係る転写体について例示をするための模式図である。なお、図5(a)は転写体の模式平面図、図5(b)は転写体を被処理物に載置、密着させた場合を例示をするための模式断面図である。
Next, the transfer body according to the present embodiment is illustrated.
FIG. 5 is a schematic diagram for illustrating the transfer body according to the second embodiment. 5A is a schematic plan view of the transfer body, and FIG. 5B is a schematic cross-sectional view for illustrating the case where the transfer body is placed on and closely attached to the object to be processed.
図6は、気体の混入を例示するための模式図である。なお、図6(a)は気体の混入を例示するための模式断面図、図6(b)は気体の混入による転写不良を例示するための模式断面図である。
まず、図6に例示をする気体の混入について説明をする。
図6(a)に示すように、転写体10を被処理物100(例えば、アクセプタ基板)に載置、密着させた場合、すなわち転写体10を被処理物100に貼り付けた場合、転写体10と被処理物100との間に気体(例えば、空気など)が巻き込まれ画素領域に気泡17が生ずる場合がある。
この場合、気泡17が存在する状態でレーザ光Lが照射され転写膜12の転写が行われると、図6(b)に示すように転写膜12が湾曲するようにして転写されたり、切断不良が発生するなどして転写不良となるおそれがある。
FIG. 6 is a schematic diagram for illustrating gas mixing. FIG. 6A is a schematic cross-sectional view for illustrating gas mixing, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view for illustrating transfer failure due to gas mixing.
First, mixing of gas illustrated in FIG. 6 will be described.
As shown in FIG. 6A, when the
In this case, when the
そのため、本実施の形態に係る転写体18は、レーザ光の照射範囲の外側(画素領域20の外側)に通気手段19を設けることで、混入した気体を逃がすことができるようになっている。
Therefore, the
図5(a)に示すように、転写体18には、基材11aと、基材11aの一方の主面に設けられた転写膜12と、通気手段19と、が設けられている。通気手段19は、例えば、基材11aの厚み方向を貫通する孔とすることができる。また、通気手段19は少なくとも基材11aに設けられていればよいが、基材11aと転写膜12とに設けられていれば混入した気体を逃がすことが容易となる。また、通気手段19はレーザ光の照射範囲の外側(画素領域20の外側)に略均等に設けるようにすることができる。
As shown in FIG. 5A, the
また、図5(b)に示すように、通気手段19の断面の一部が画素領域20に面し、一部が隔壁103に面するように設けられることが好ましい。そのようにすれば、転写体18の強度の低下を抑制しつつ、混入した気体を逃がすことが容易となる。
Further, as shown in FIG. 5B, it is preferable that a part of the cross section of the ventilation means 19 is provided so as to face the
本実施の形態によれば、転写体18を被処理物100に貼り付ける際に、転写体18と被処理物100との間に気体が巻き込まれ画素領域に気泡17が生じた場合であっても、気体を容易に逃がすことができる。また、転写体18を被処理物100に貼り付ける際には、密着性を高めるためにローラなどで転写体18を加圧する場合が多いので、混入した気体をさらに容易に逃がすことができる。そのため、転写不良を抑制することができ、製品の歩留まりを向上させることができる。
According to the present embodiment, when the
次に、本実施の形態に係る転写方法について例示をする。
図7は、第3の実施の形態に係る転写方法を例示するためのフローチャートである。 まず、アノード電極が形成された被処理物(アクセプタ基板)に対向させて転写膜を有する転写体(ドナー基板)を載置し、密着させる(ステップS1)。
この際、前述した通気手段が設けられた転写体を用いるものとすれば、転写体と被処理物との間に気体が巻き込まれたとしても、転写体を被処理物に密着させる際に転写体の基材に設けられた通気手段を介して混入した気体を排出させることができる。そのため、転写不良を抑制することができる。
Next, the transfer method according to this embodiment is illustrated.
FIG. 7 is a flowchart for illustrating the transfer method according to the third embodiment. First, a transfer body (donor substrate) having a transfer film is placed opposite to an object to be processed (acceptor substrate) on which an anode electrode is formed (step S1).
At this time, if the transfer body provided with the above-described ventilation means is used, even if a gas is caught between the transfer body and the object to be processed, the transfer is performed when the transfer body is brought into close contact with the object to be processed. The mixed gas can be discharged through the ventilation means provided on the body substrate. Therefore, transfer defects can be suppressed.
次に、転写体の照射範囲にレーザ光Lを照射することで、転写膜を基材から離脱させて、アノード電極上に転写させる(ステップS2)。
この際、前述した強度分布制御手段(転写装置)を用いるものとすれば、転写膜の結合を切断する部分(照射範囲の周縁部分)におけるレーザ光強度を高めることができるので、転写膜の損傷や品質の低下を抑制しつつ切断不良(転写不良)が発生することを抑制することができる。すなわち、転写体に対する照射範囲の周縁部分におけるレーザ光の強度が照射範囲の中央部分におけるレーザ光の強度よりも高くなるようにレーザ光を照射することができるので、転写膜の損傷や品質の低下を抑制しつつ切断不良(転写不良)が発生することを抑制することができる。
以上で被処理物(アクセプタ基板)への転写を終了させることができる。
Next, the transfer film is detached from the substrate by irradiating the irradiation range of the transfer body with the laser beam L, and transferred onto the anode electrode (step S2).
At this time, if the intensity distribution control means (transfer device) described above is used, the laser beam intensity can be increased at the portion where the transfer film bond is cut (periphery of the irradiation range), so that the transfer film is damaged. In addition, it is possible to suppress occurrence of cutting defects (transfer defects) while suppressing deterioration in quality. That is, since the laser beam can be irradiated so that the intensity of the laser beam at the peripheral part of the irradiation range with respect to the transfer body is higher than the intensity of the laser beam at the central part of the irradiation range, the transfer film is damaged or the quality is lowered It is possible to suppress the occurrence of cutting defects (transfer defects) while suppressing the above.
Thus, the transfer to the object to be processed (acceptor substrate) can be completed.
次に、転写体を被処理物(アクセプタ基板)から剥離する(ステップS3)。
このようにして転写された転写部分の検査は、一般的には転写部分を気密封止した後に行われる。そして、転写部分の検査において転写不良などの不良部分が発見された場合には、レーザ光を不良部分の電極に照射して、その部分の電極を溶解・蒸発させるようにしている。しかしながら、このようなリペア処理を施しても不良となった箇所をいわゆる滅点処理するだけであり、正常な発光機能を回復させることができるわけではない。そのため、正常な発光機能を回復させることができるようなリペア処理が望まれていた。
Next, the transfer body is peeled from the object to be processed (acceptor substrate) (step S3).
The inspection of the transferred portion thus transferred is generally performed after the transfer portion is hermetically sealed. When a defective portion such as a transfer failure is found in the inspection of the transfer portion, the electrode of the defective portion is irradiated with a laser beam so that the electrode of the portion is dissolved and evaporated. However, even if such repair processing is performed, only the so-called dark spot processing is performed on the defective portion, and the normal light emitting function cannot be recovered. Therefore, a repair process that can restore the normal light emitting function has been desired.
そこで、本実施の形態においては、転写体を被処理物(アクセプタ基板)から剥離させた後に転写不良の検査を行うことで不良箇所を特定し、その部分を清浄化処理した後に再度転写を行うようにしている。このようなリペア処理は必ずしも必要ではないが、転写不良の箇所の発光機能を回復させることができれば被処理物(アクセプタ基板)が用いられる製品(例えば、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ)の品質、機能の向上を図ることができる。 Therefore, in the present embodiment, after the transfer body is peeled off from the object to be processed (acceptor substrate), a defective portion is identified by inspecting the defective transfer, and after the portion is cleaned, the transfer is performed again. I am doing so. Although such a repair process is not necessarily required, the quality and function of a product (for example, an organic electroluminescence display) in which an object to be processed (acceptor substrate) is used can be recovered if the light emitting function of the defective transfer portion can be recovered. Improvements can be made.
図8は、本実施の形態に係るリペア処理を例示するための模式工程図である。
図8(a)に示すように、転写体を被処理物(アクセプタ基板)から剥離した後に、転写部分の検査を行う(ステップS4)。すなわち、転写体を被処理物(アクセプタ基板)から剥離した後に、転写体から転写された転写膜の検査を行う。
転写部分の検査には、画像処理法を用いることができる。例えば、CCD(charge coupled device)カメラ21などにより転写部分を撮像し、そのデータを解析することで転写不良の判定を行うことができる。
FIG. 8 is a schematic process diagram for illustrating the repair process according to the present embodiment.
As shown in FIG. 8A, after the transfer body is peeled from the object to be processed (acceptor substrate), the transfer portion is inspected (step S4). That is, after the transfer body is peeled from the object to be processed (acceptor substrate), the transfer film transferred from the transfer body is inspected.
An image processing method can be used for the inspection of the transfer portion. For example, a transfer failure can be determined by imaging a transfer portion with a CCD (charge coupled device)
転写部分の検査において転写不良部分12aが見つかった場合には、図8(b)に示すように清浄化処理を行う(ステップS5)。
清浄化処理には、レーザ光Lを照射することで転写不良部分12aを溶解・蒸発させるようなものを例示することができる。すなわち、検査における不良部分にレーザ光を照射することで不良部分を除去する。
When a
An example of the cleaning treatment is one that dissolves and evaporates the
この清浄化処理が終了した後には図8(c)に示すように、前述したステップS1の戻り、清浄化処理を行った部分(除去された部分)のみに再度転写を行う(ステップS6)。 After the cleaning process is completed, as shown in FIG. 8C, the process returns to the above-described step S1, and the transfer is performed again only on the cleaned part (removed part) (step S6).
本実施の形態によれば、転写不良部分をリペア処理することで正常な発光機能を回復させることができる。また、転写とリペア処理とを一体的な工程とすれば生産性の向上、製品歩留まりの向上を図ることができる。 According to this embodiment, the normal light emitting function can be recovered by repairing the defective transfer portion. Further, if the transfer and the repair process are integrated, the productivity and the product yield can be improved.
次に、本実施の形態に係る有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法について例示をする。
有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造工程は、アノード電極や隔壁などが設けられたアクセプタ基板を形成する工程、アクセプタ基板に転写体(ドナー基板)を載置、密着させてレーザ光を照射することで転写を行う転写工程、フリットからなる封止部を有する封止基板を形成する工程、アクセプタ基板と封止基板とを重ね合わせフリットにレーザを照射することで封止を行う封止工程などからなる。
ここで、前述した本実施の形態に係る転写装置、転写方法、転写体、リペア処理などは転写工程おいて用いることができる。なお、前述した本実施の形態に係る転写装置、転写方法、転写体、リペア処理以外のものは、既知の各工程の技術を適用することができるので、それらの説明は省略する。
本実施の形態に係る有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法によれば、転写不良の抑制、品質の向上、製品の歩留まりの向上、生産性の向上などを図ることができる。
Next, the manufacturing method of the organic electroluminescence display according to the present embodiment will be illustrated.
The manufacturing process of the organic electroluminescence display is a process of forming an acceptor substrate provided with an anode electrode, a partition wall, etc., and a transfer body (donor substrate) is placed on the acceptor substrate and brought into close contact with the laser beam to be transferred. A transfer process for forming a sealing substrate, a step for forming a sealing substrate having a sealing portion made of frit, a sealing step for sealing the acceptor substrate and the sealing substrate by irradiating the frit with laser, and the like.
Here, the transfer apparatus, transfer method, transfer body, repair process, and the like according to the present embodiment described above can be used in the transfer process. Since the transfer apparatus, transfer method, transfer body, and repair process other than those described above according to the present embodiment can apply the techniques of each known process, description thereof will be omitted.
According to the method of manufacturing an organic electroluminescence display according to the present embodiment, it is possible to suppress transfer defects, improve quality, improve product yield, improve productivity, and the like.
以上、本実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、転写体、転写装置、有機エレクトロルミネセンスディスプレイなどが備える各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Heretofore, the present embodiment has been illustrated. However, the present invention is not limited to these descriptions.
As long as the features of the present invention are provided, those skilled in the art appropriately modified the design of the above-described embodiments are also included in the scope of the present invention.
For example, the shape, dimensions, material, arrangement, and the like of each element included in the transfer body, the transfer device, the organic electroluminescence display, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate.
Moreover, each element with which each embodiment mentioned above is combined can be combined as much as possible, and what combined these is also included in the scope of the present invention as long as the characteristics of the present invention are included.
1 転写装置、2 レーザ発振手段、3 結像光学手段、4 強度分布制御手段、4a 強度分布制御手段、4b 強度分布制御手段、5 移動手段、6 レーザ制御手段、10 転写体、11 基材、11a 基材、12 転写膜、13 遮光部、14 透過部、15 透過部、16 透過部、18 転写体、19 通気手段、100 被処理物、101 アノード電極、102 ガラス基板、103 隔壁、L レーザ光、La レーザ光、Lb レーザ光
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記レーザ発振手段から放射されたレーザ光の強度分布を制御する第1の強度分布制御手段と、
を備え、
前記第1の強度分布制御手段は、転写膜を有する転写体に対する照射範囲の中央部分を照射する前記レーザ光を透過させる第1の透過部と、前記照射範囲の周縁部分を照射する前記レーザ光を透過させる第2の透過部と、を有し、
前記第2の透過部の透過率は、前記第1の透過部の透過率よりも相対的に高いこと、を特徴とする転写装置。 Laser oscillation means;
First intensity distribution control means for controlling the intensity distribution of the laser light emitted from the laser oscillation means;
With
The first intensity distribution control means includes a first transmission portion that transmits the laser beam that irradiates a central portion of an irradiation range with respect to a transfer body having a transfer film, and the laser beam that irradiates a peripheral portion of the irradiation range. A second transmission part that transmits the light,
The transfer device characterized in that the transmittance of the second transmission part is relatively higher than the transmittance of the first transmission part.
前記レーザ発振手段から放射されたレーザ光の強度分布を制御する第2の強度分布制御手段と、
を備え、
第2の強度分布制御手段は、前記レーザ光を透過させる開口部を有し、
前記開口部の周縁部分における前記レーザ光の回折と干渉とにより、前記開口部の中央部分における前記レーザ光の強度よりも相対的に強いレーザ光が形成されること、を特徴とする転写装置。 Laser oscillation means;
Second intensity distribution control means for controlling the intensity distribution of the laser light emitted from the laser oscillation means;
With
The second intensity distribution control means has an opening for transmitting the laser beam,
A transfer apparatus, wherein a laser beam relatively stronger than an intensity of the laser beam at a central portion of the opening is formed by diffraction and interference of the laser beam at a peripheral portion of the opening.
前記転写体にレーザ光を照射して前記被処理物に前記転写膜を転写させる転写方法であって、
請求項1または2に記載の転写装置を用いて、前記転写体に対する照射範囲の周縁部分におけるレーザ光の強度が前記照射範囲の中央部分におけるレーザ光の強度よりも高くなるようにレーザ光を照射すること、を特徴とする転写方法。 A transfer body having a transfer film is placed facing the object to be processed,
A transfer method for transferring the transfer film onto the object to be processed by irradiating the transfer body with laser light,
Using the transfer device according to claim 1 or 2, the laser beam is irradiated so that the intensity of the laser beam at the peripheral portion of the irradiation range with respect to the transfer body is higher than the intensity of the laser beam at the central portion of the irradiation range. And a transfer method characterized by:
前記基材の一方の主面に設けられた転写膜と、
前記基材のレーザ光の照射範囲の外側に設けられた通気手段と、
を備えたことを特徴とする転写体。 A substrate;
A transfer film provided on one main surface of the substrate;
Ventilation means provided outside the laser beam irradiation range of the substrate;
A transfer body characterized by comprising:
前記転写体を前記被処理物に密着させる際に前記転写体の基材に設けられた通気手段を介して混入した気体を排出し、
前記転写体に対する照射範囲の周縁部分におけるレーザ光の強度が前記照射範囲の中央部分におけるレーザ光の強度よりも高くなるように、前記転写体に前記レーザ光を照射すること、を特徴とする有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法。 The transfer body according to claim 4 is placed so as to face a workpiece,
When the transfer body is brought into close contact with the object to be treated, the mixed gas is discharged through the ventilation means provided on the base material of the transfer body,
Irradiating the transfer body with the laser light such that the intensity of the laser light at the peripheral part of the irradiation range with respect to the transfer body is higher than the intensity of the laser light at the central part of the irradiation range. Manufacturing method of electroluminescent display.
前記転写体から転写された転写膜の検査を行い、
前記検査における不良部分にレーザ光を照射することで前記不良部分を除去し、
前記除去された部分に前記転写膜を転写すること、を特徴とする請求項5または6に記載の有機エレクトロルミネセンスディスプレイの製造方法。 Peeling off the transfer body from the object to be treated;
Inspect the transfer film transferred from the transfer body,
The defective portion is removed by irradiating the defective portion in the inspection with a laser beam,
The method for producing an organic electroluminescence display according to claim 5, wherein the transfer film is transferred to the removed portion.
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JP2008192387A JP2010033761A (en) | 2008-07-25 | 2008-07-25 | Transfer device, transfer method, transfer body, and method of manufacturing organic electroluminescent display |
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US10693070B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for electroluminescence device |
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