KR101993337B1 - Laser Thermal Transfer Apparatus And Method Of Fabricating Organic Material Pattern Using The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 다수의 격벽이 형성된 제1기판과 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성된 제2기판을 상기 다수의 격벽과 상기 전사재료층이 접촉하도록 합착하는 단계와; 합착된 상기 제1 및 2기판 상부에서 제1레이저빔을 조사하여 상기 광열변환층 및 상기 전사재료층에 각각 제1 및 제2예비돌출부를 형성하는 단계와; 합착된 상기 제1 및 제2기판 상부에서 상기 제1레이저빔과 상이한 형상의 제2레이저빔을 조사하여 상기 광열변환층 및 상기 전사재료층에 각각 제1 및 제2주돌출부를 형성하는 단계와; 상기 제1기판으로부터 상기 제2기판을 제거하여 상기 다수의 격벽 사이의 상기 제1기판 상부에 유기물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기물질 패턴 제조방법을 제공한다The present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: attaching a first substrate on which a plurality of barrier ribs are formed, a second substrate on which a photothermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed, so that the plurality of barrier ribs and the transfer material layer are in contact with each other; Forming first and second preliminary protrusions on the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer, respectively, by irradiating a first laser beam on the first and second substrates, respectively; Forming first and second main protrusions on the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer by irradiating a second laser beam having a different shape from the first laser beam on the upper portions of the first and second coalesced substrates, ; And removing the second substrate from the first substrate to form an organic material pattern on the first substrate between the plurality of barrier ribs

Description

레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기물질 패턴 제조방법 {Laser Thermal Transfer Apparatus And Method Of Fabricating Organic Material Pattern Using The Same}[0001] The present invention relates to a laser thermal transfer apparatus and a method of manufacturing an organic material pattern using the same,

본 발명은 유기물질 패턴 제조방법 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1돌출부 형성 후 제2돌출부를 형성함으로써 균일한 유기물질 패턴을 제조할 수 있는 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기물질 패턴 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing an organic material pattern, and more particularly, to a laser thermal transfer apparatus capable of manufacturing a uniform organic material pattern by forming a second protrusion after forming a first protrusion, and a method of manufacturing an organic material pattern using the same will be.

평판표시장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OlED) 표시장치는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. An organic light emitting diode (OLED) display device, which is one of a flat panel display (FPD), has high luminance and low operating voltage characteristics.

그리고, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs), has no viewing angle limit, And it is driven with a low voltage of 5 to 15 V direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.

또한, 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다.
In addition, since the manufacturing process of the organic light emitting diode display device is all of deposition and encapsulation, the manufacturing process is very simple.

이러한 유기발광다이오드 표시장치는 다수의 화소영역 각각에 형성되는 발광다이오드를 포함하는데, 발광다이오드는 제1 및 제2전극과, 제1 및 제2전극 사이에 형성되는 유기물질 패턴을 포함한다. The organic light emitting diode display includes a light emitting diode formed in each of a plurality of pixel regions, the light emitting diode including first and second electrodes and an organic material pattern formed between the first and second electrodes.

일반적으로, 유기물질 패턴은, 메탈마스크(metal mask)라고도 불리는 섀도우마스크(shadow mask)를 이용한 열증착(thermal evaporation) 방법으로 형성되는데, 섀도우마스크는 고해상도 대면적 대응에 한계가 있고 섀도우마스크의 오염에 의하여 불량이 발생하고 제조비용이 증가하는 문제가 있다.
In general, the organic material pattern is formed by a thermal evaporation method using a shadow mask, which is also called a metal mask. The shadow mask has a limitation in high-resolution large- There is a problem that the manufacturing cost is increased.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 레이저(laser)를 조사하여 재료층을 열전사하여 유기물질 패턴을 형성하는 방법이 제안되었는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다. In order to solve this problem, a method of forming an organic material pattern by irradiating a laser to a material layer by thermal transfer has been proposed, which will be described with reference to the drawings.

도 1a 내지 도 1c는 종래의 레이저 열전사 방법을 설명하는 도면이다. 1A to 1C are views for explaining a conventional laser thermal transfer method.

도 1a에 도시한 바와 같이, 다수의 격벽(12)이 형성된 제1기판(10) 상부에 광열변환층(32) 및 전사재료층(34)이 형성된 제2기판(30)을 배치하고, 다수의 격벽(12)과 전사재료층(34)이 접촉하도록 제1 및 제2기판(10, 30)을 밀착시킨다. 1A, a second substrate 30 on which a photo-thermal conversion layer 32 and a transfer material layer 34 are formed is disposed on a first substrate 10 on which a plurality of partitions 12 are formed, The first and second substrates 10 and 30 are brought into close contact with each other so that the barrier rib 12 and the transfer material layer 34 contact each other.

다수의 격벽(12)이 형성된 제1기판(10)은 억셉터(acceptor) 기판이라고도 불리고, 다수의 격벽(12)은 화소정의층(pixel define layer)라고도 불리며, 예를 들어 제1기판(10)은 발광다이오드의 제1전극이 형성되어 있는 유기발광다이오드 표시장치의 어레이 기판일 수 있으며, 다수의 격벽(12)은 발광다이오드의 제1전극의 가장자리를 덮는 절연층(뱅크층)일 수 있다.The first substrate 10 on which the plurality of barrier ribs 12 are formed is also referred to as an acceptor substrate and the plurality of barrier ribs 12 are also referred to as a pixel define layer. May be an array substrate of an organic light emitting diode display in which a first electrode of a light emitting diode is formed and the plurality of partitions 12 may be an insulating layer (bank layer) covering an edge of the first electrode of the light emitting diode .

광열변환층(32) 및 전사재료층(34)이 형성된 제2기판(30)은 도너(donor) 기판이라고 불리며, 예를 들어 제2기판(30)은 유리 또는 PET(polyethylene terephthalate)와 같은 필름으로 이루어질 수 있으며, 전사재료층(34)은 발광다이오드의 유기발광물질을 포함할 수 있다. The second substrate 30 on which the photo-thermal conversion layer 32 and the transfer material layer 34 are formed is called a donor substrate. For example, the second substrate 30 may be a glass or a film such as PET (polyethylene terephthalate) And the transfer material layer 34 may include an organic light emitting material of the light emitting diode.

도 1b에 도시한 바와 같이, 제2기판(30) 상부에서 다수의 격벽(12) 사이의 공간에 대응되도록 레이저빔(52)을 조사하면, 레이저빔(52)을 흡수한 광열변환층(32)의 일부분이 팽창하여 제1돌출부(32a)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(34)의 일부분도 돌출하여 제2돌출부(34a)가 형성되며, 제2돌출부(34a)는 다수의 격벽(12) 사이로 노출된 제1기판(10)에 접촉된다. 1B, when the laser beam 52 is irradiated on the second substrate 30 so as to correspond to the space between the plurality of partitions 12, the light-to-heat conversion layer 32 A portion of the transfer material layer 34 also protrudes to form a second protrusion 34a and the second protrusion 34a is formed by a plurality of partition walls 34a, 12 of the first substrate 10 exposed.

도 1c에 도시한 바와 같이, 제1기판(10)으로부터 제2기판(30)을 제거하면, 제1기판(10)에 접촉하는 제2돌출부(34a)만 남아서 다수의 격벽(12) 사이의 제1기판(10) 상부에 유기물질 패턴(14)이 형성된다.
1C, when the second substrate 30 is removed from the first substrate 10, only the second protrusions 34a contacting the first substrate 10 remain, An organic material pattern 14 is formed on the first substrate 10.

그런데, 이와 같은 레이저 열전사 방법을 이용한 유기물질 패턴(14)의 형성에는 몇 가지 문제점이 있다.However, there are some problems in forming the organic material pattern 14 using the laser thermal transfer method.

먼저, 광열변환층(32)의 제1돌출부(32a)의 가장자리부의 형상과 다수의 격벽(12)의 가장자리부의 형상이 일치하지 않아서, 다수의 격벽(12)의 가장자리부와 제1기판(10)이 접촉하는 영역(A)과 같이 유기물질이 잔존하지 않고 유기물질 패턴(14)이 들뜨는 미전사영역이 발생하는 문제가 있다.The edges of the first projections 32a of the photo-thermal conversion layer 32 and the edges of the plurality of barrier ribs 12 do not coincide with each other and the edge portions of the plurality of barrier ribs 12 and the edges of the first substrate 10 There is a problem that an organic material does not remain and an untransferred region where the organic material pattern 14 is lifted occurs.

그리고, 유기물질 패턴(14)이 제1기판(10) 및 다수의 격벽(12)과 접촉하지 못하고 들뜬 상태로 형성되므로, 유기물질 패턴(14)의 제1기판(10) 및 다수의 격벽(12)에 대한 접합력이 감소되고, 그 결과 제2기판(30) 제거 시에 유기물질 패턴(14)의 가장자리부(B)가 뜯기는 형태로 형성되는 문제가 있다.Since the organic material pattern 14 is formed in an excited state without contacting the first substrate 10 and the plurality of barrier ribs 12, the first substrate 10 and the plurality of barrier ribs 12 of the organic material pattern 14 12 of the organic material pattern 14 is reduced and as a result, the edge portion B of the organic material pattern 14 is torn when the second substrate 30 is removed.

이와 같은 유기물질 패턴(14)의 불량은, 유기발광다이오드 표시장치에서 다수의 화소영역의 유기발광층의 불균일을 야기하고, 그 결과 유기물질 패턴 형성공정의 신뢰성 및 수율이 저하되며, 나아가 영상의 휘도편차와 같은 불량을 초래하여 표시품질이 저하된다.
The defects of the organic material pattern 14 cause unevenness of the organic light emitting layer in a plurality of pixel regions in the organic light emitting diode display device. As a result, the reliability and yield of the organic material pattern forming process are lowered, Resulting in defects such as deviation and the display quality is degraded.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 제1레이저빔에 의하여 전사재료층에 예비돌출부를 형성하고 이후 제2레이저빔에 의하여 주돌출부를 형성함으로써, 미전사영역 및 뜯김불량이 방지되고 신뢰성 및 수율이 개선되는 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기물질 패턴 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor laser device, in which a preliminary protrusion is formed in a transfer material layer by a first laser beam and then a main protrusion is formed by a second laser beam, Reliability and yield are improved, and a method of manufacturing an organic material pattern using the same.

그리고, 본 발명은, 예비돌출부 형성 후 주돌출부를 형성함으로써, 유기발광다이오드 표시장치의 표시품질이 개선되는 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기물질 패턴 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
It is another object of the present invention to provide a laser thermal transfer apparatus in which display quality of an organic light emitting diode display device is improved by forming a main protrusion after forming a preliminary protrusion, and a method of manufacturing an organic material pattern using the same.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 레이저광을 출사하는 광원과; 상기 레이저광을 상이한 형상의 제1 및 제2레이저빔으로 가공하는 빔형상 마스크와; 상기 제1 및 제2레이저빔을 집속하여 투사하는 렌즈와; 합착된 제1 및 제2기판이 안착되는 스테이지를 포함하고, 상기 제1기판 상면에는 다수의 격벽이 형성되고, 상기 제2기판 하면에는 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성되고, 상기 제1 및 제2레이저빔은 상기 광열변환층에 순차적으로 조사되는 레이저 열전사 장치를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a light source device comprising: a light source emitting laser light; A beam shaped mask for processing the laser beam into first and second laser beams of different shapes; A lens for focusing and projecting the first and second laser beams; A plurality of partition walls are formed on an upper surface of the first substrate, a photo-thermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed on a lower surface of the second substrate, 1 and the second laser beam are sequentially irradiated to the photo-thermal conversion layer.

한편, 본 발명은, 레이저광을 출사하는 광원과; 상기 레이저광을 상이한 형상의 제1 및 제2레이저빔으로 각각 가공하는 제1 및 제2빔형상 마스크와; 상기 제1 및 제2레이저빔을 집속하여 투사하는 렌즈와; 합착된 제1 및 제2기판이 안착되는 스테이지를 포함하고, 상기 제1기판 상면에는 다수의 격벽이 형성되고, 상기 제2기판 하면에는 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성되고, 상기 제1 및 제2레이저빔은 상기 광열변환층에 순차적으로 조사되는 레이저 열전사 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light source device comprising: a light source for emitting laser light; First and second beam shaped masks for respectively processing the laser beam into first and second laser beams of different shapes; A lens for focusing and projecting the first and second laser beams; A plurality of partition walls are formed on an upper surface of the first substrate, a photo-thermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed on a lower surface of the second substrate, 1 and the second laser beam are sequentially irradiated to the photo-thermal conversion layer.

다른 한편, 본 발명은, 제1 및 제2레이저광을 출사하는 제1 및 제2광원과; 상기 제1 및 제2레이저광을 상이한 형상의 제1 및 제2레이저빔으로 각각 가공하는 제1 및 제2빔형상 마스크와; 상기 제1 및 제2레이저빔을 각각 집속하여 투사하는 제1 및 제2렌즈와; 합착된 제1 및 제2기판이 안착되는 스테이지를 포함하고, 상기 제1기판 상면에는 다수의 격벽이 형성되고, 상기 제2기판 하면에는 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성되고, 상기 제1 및 제2레이저빔은 상기 광열변환층에 순차적으로 조사되는 레이저 열전사 장치를 제공한다.On the other hand, the present invention provides a laser processing apparatus comprising: first and second light sources for emitting first and second laser beams; First and second beam shaped masks for respectively processing the first and second laser beams into first and second laser beams of different shapes; First and second lenses for respectively focusing and projecting the first and second laser beams; A plurality of partition walls are formed on an upper surface of the first substrate, a photo-thermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed on a lower surface of the second substrate, 1 and the second laser beam are sequentially irradiated to the photo-thermal conversion layer.

그리고, 상기 제1레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지고, 상기 제2레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 상기 이격영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다.The first laser beam may have a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs, and the second laser beam may have a shape corresponding to the spacing region between the plurality of barrier ribs.

또한, 상기 빔형상 마스크는, 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상의 제1개구영역과 사각형 형상의 제2개구영역으로 구성되는 다수의 개구부를 포함하고, 상기 레이저광은 상기 제1 및 제2개구영역을 통과하여 각각 상기 제1 및 제2레이저빔으로 가공될 수 있다.Further, the beam-shaped mask may include a plurality of openings each formed of a first bar-shaped opening area facing each other and a second open area having a rectangular shape, and the laser light is transmitted through the first and second And can be processed into the first and second laser beams, respectively, through the aperture region.

그리고, 상기 제1 및 제2빔형상 마스크는 교체하여 장착되고, 상기 제1빔형상 마스크는 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상을 갖는 다수의 제1개구부를 포함하고, 상기 제2빔형상 마스크는 각각이 사각형 형상을 갖는 다수의 제2개구부를 포함하고, 상기 레이저광은 상기 다수의 제1개구부 및 상기 다수의 제2개구부를 통과하여 각각 상기 제1 및 제2레이저빔으로 가공될 수 있다. And wherein the first and second beam-form masks are interchangeably mounted, the first beam-form mask comprising a plurality of first openings each having two bar shapes facing each other, and the second beam- The laser beam can be processed into the first and second laser beams, respectively, through the plurality of first openings and the plurality of second openings, respectively, .

또한, 상기 제1빔형상 마스크는 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상을 갖는 다수의 제1개구부를 포함하고, 상기 제2빔형상 마스크는 각각이 사각형 형상을 갖는 다수의 제2개구부를 포함하고, 상기 제1레이저광은 상기 다수의 제1개구부를 통과하여 상기 제1레이저빔으로 가공되고, 상기 제2레이저광은 상기 다수의 제2개구부를 통과하여 상기 제2레이저빔으로 가공될 수 있다. The first beam-shaped mask may also include a plurality of first openings each having a shape of two bars facing each other, and the second beam-shaped mask includes a plurality of second openings each having a rectangular shape , The first laser light passes through the plurality of first openings to be processed into the first laser beam and the second laser light can be processed into the second laser beam through the plurality of second openings .

다른 한편, 본 발명은, 다수의 격벽이 형성된 제1기판과 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성된 제2기판을 상기 다수의 격벽과 상기 전사재료층이 접촉하도록 합착하는 단계와; 합착된 상기 제1 및 2기판 상부에서 제1레이저빔을 조사하여 상기 광열변환층 및 상기 전사재료층에 각각 제1 및 제2예비돌출부를 형성하는 단계와; 합착된 상기 제1 및 제2기판 상부에서 상기 제1레이저빔과 상이한 형상의 제2레이저빔을 조사하여 상기 광열변환층 및 상기 전사재료층에 각각 제1 및 제2주돌출부를 형성하는 단계와; 상기 제1기판으로부터 상기 제2기판을 제거하여 상기 다수의 격벽 사이의 상기 제1기판 상부에 유기물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 유기물질 패턴 제조방법을 제공한다. On the other hand, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: attaching a first substrate on which a plurality of partition walls are formed, a second substrate on which a photo-thermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed, Forming first and second preliminary protrusions on the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer, respectively, by irradiating a first laser beam on the first and second substrates, respectively; Forming first and second main protrusions on the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer by irradiating a second laser beam having a different shape from the first laser beam on the upper portions of the first and second coalesced substrates, ; And removing the second substrate from the first substrate to form an organic material pattern on the first substrate between the plurality of barrier ribs.

그리고, 상기 제1레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지고, 상기 제2레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 상기 이격영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다.
The first laser beam may have a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs, and the second laser beam may have a shape corresponding to the spacing region between the plurality of barrier ribs.

본 발명은, 제1레이저빔에 의하여 전사재료층에 예비돌출부를 형성하고 이후 제2레이저빔에 의하여 주돌출부를 형성함으로써, 미전사영역 및 뜯김불량이 방지되고 신뢰성 및 수율이 개선되는 효과가 있다. The present invention has the effect of preventing the untransferred area and the thinning defect and improving the reliability and yield by forming the preliminary protruding portion in the transfer material layer by the first laser beam and then forming the main protruding portion by the second laser beam .

그리고, 본 발명은, 예비돌출부 형성 후 주돌출부를 형성함으로써, 유기발광다이오드 표시장치의 표시품질이 개선되는 효과가 있다.
Further, the present invention has an effect that the display quality of the organic light emitting diode display device is improved by forming the main protrusion after forming the preliminary protrusion.

도 1a 내지 도 1c는 종래의 레이저 열전사 방법을 설명하는 도면.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치의 빔형상 마스크를 도시한 도면.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 이용한 유기물질 패턴 제조방법을 설명하는 도면.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 도면.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 열전사 장치의 빔형상 마스크를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 도면.1A to 1C are diagrams illustrating a conventional laser thermal transfer method.
2 is a view showing a laser thermal transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view showing a beam shape mask of the laser thermal transfer apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4A to 4D illustrate a method of manufacturing an organic material pattern using the laser induced thermal imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention.
5A and 5B illustrate a laser thermal transfer apparatus according to a second embodiment of the present invention.
6A and 6B are diagrams showing a beam shape mask of a laser thermal transfer apparatus according to a second embodiment of the present invention.
7 is a view showing a laser thermal transfer apparatus according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기물질 패턴 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a laser thermal transfer apparatus and a method of manufacturing an organic material pattern using the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치의 빔형상 마스크를 도시한 도면이다. FIG. 2 is a view showing a laser thermal transfer apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view showing a beam shape mask of the laser thermal transfer apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치(140)는, 레이저광(152)을 출사하는 광원(150)과, 레이저광(152)을 원하는 형태의 제1 및 제2레이저빔(152a, 152b)으로 가공하는 빔형상 마스크(160)와, 빔형상 마스크(160)를 통과한 제1 및 제2레이저빔(152a, 152b)을 집속하여 투사하는 렌즈(170)와, 합착된 제1 및 제2기판(110, 130)이 안착되는 스테이지(180)를 포함한다.2 and 3, the laser thermal imaging apparatus 140 according to the first embodiment of the present invention includes a light source 150 that emits laser light 152, Shaped mask 160 that is processed into first and second laser beams 152a and 152b of the first type and a first and second laser beams 152a and 152b that have passed through the beam type mask 160, And a stage 180 on which the first and second substrates 110 and 130 are adhered.

광원(150)으로는 펄스(pulse)형 레이저 또는 연속발진(continuous wave: CW)형 레이저 모두 사용될 수 있으며, 광열변환층(132)에 흡수될 수 있는 다양한 파장대의 레이저가 사용될 수 있다.As the light source 150, either a pulsed laser or a continuous wave (CW) type laser can be used, and lasers of various wavelengths that can be absorbed by the photo-thermal conversion layer 132 can be used.

빔형상 마스크(160)는 다수의 개구부(162)를 포함하는데, 광원(150)으로부터 출사된 레이저광(152)은 빔형상 마스크(160)를 통과하면서 다수의 개구부(162)의 형태로 가공된다. The beam-shaped mask 160 includes a plurality of openings 162. The laser light 152 emitted from the light source 150 is processed in the form of a plurality of openings 162 while passing through the beam-shaped mask 160 .

다수의 개구부(162) 각각은 서로 마주보는 2개의 바 형상의 제1개구영역(162a)과 사각형 형상의 제2개구영역(162b)을 포함하며, 제1 및 제2개구영역(162a, 162b)을 통과한 레이저광(152)은 각각 제1 및 제2레이저빔(152a, 152b)으로 가공된다.Each of the plurality of openings 162 includes a first bar-shaped first opening area 162a and a second rectangular opening area 162b opposed to each other, and the first and second opening areas 162a and 162b, The laser beam 152 is processed into the first and second laser beams 152a and 152b, respectively.

예를 들어, 제1개구영역(162a) 및 제1레이저빔(152a)은 제1기판(110)의 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지며, 제2개구영역(162b) 및 제2레이저빔(152b)은 제1기판(110)의 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다.For example, the first opening region 162a and the first laser beam 152a have a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of partition walls 112 of the first substrate 110, The region 162b and the second laser beam 152b may have a shape corresponding to a spacing region between the plurality of partition walls 112 of the first substrate 110. [

억셉터(acceptor) 기판으로 불리는 제1기판(110) 상면에는 화소정의층(pixel define layer)으로 불리는 다수의 격벽(112)이 형성되는데, 예를 들어 제1기판(110)은 발광다이오드의 제1전극이 형성되어 있는 유기발광다이오드 표시장치의 어레이 기판일 수 있으며, 다수의 격벽(112)은 발광다이오드의 제1전극의 가장자리를 덮는 절연층(뱅크층)일 수 있다.A plurality of barrier ribs 112 called a pixel define layer are formed on an upper surface of a first substrate 110 called an acceptor substrate. For example, the first substrate 110 may include a light- And the plurality of barrier ribs 112 may be an insulating layer (bank layer) covering the edge of the first electrode of the light emitting diode.

도너(donor) 기판으로 불리는 제2기판(130) 하면에는 광열변환층(132) 및 전사재료층(134)이 순차적으로 형성되는데, 제2기판(130)은 레이저광(152)의 파장에 대하여 흡수 및 반사가 없는 투명한 재료로 구성될 수 있으며, 예를 들어 유리 또는 PET(polyethylene terephthalate)와 같은 필름으로 이루어질 수 있다.A photo-thermal conversion layer 132 and a transfer material layer 134 are sequentially formed on a lower surface of a second substrate 130 called a donor substrate. Absorption and reflection, and may be made of a film such as glass or PET (polyethylene terephthalate), for example.

광열변환층(132)은, 레이저광(152)을 흡수하고 광열변환 과정을 통하여 부피가 팽창하는 물질로 이루어진다. The photo-thermal conversion layer 132 is made of a material that absorbs the laser beam 152 and expands in volume through a photo-thermal conversion process.

전사재료층(134)은 발광다이오드의 유기물질 패턴을 구성하는 유기발광물질을 포함할 수 있는데, 유기물질 패턴이 정공 주입층(hole injecting layer: HIL), 정공 수송층(hole transporting layer: HTL), 발광물질층(emitting material layer: EML), 전자 수송층(electron transporting layer: ETL), 전자 주입층(electron injecting layer: EIL) 등과 같은 다중층으로 구성될 경우 전사재료층(134)도 다중층에 대응되는 다중물질층으로 구성될 수도 있다.The transfer material layer 134 may include an organic light emitting material that forms an organic material pattern of the light emitting diode. The organic material pattern may include a hole injecting layer (HIL), a hole transporting layer (HTL) (EIL), an electron transporting layer (ETL), an electron injecting layer (EIL), or the like, the transfer material layer 134 is also applicable to multiple layers And the like.

그리고, 광열변환층(132)과 전사재료층(134) 사이에는 광열변환층(132) 또는 전사재료층(134)을 보호하기 위한 보호층이 형성될 수도 있다.
A protective layer for protecting the photo-thermal conversion layer 132 or the transfer material layer 134 may be formed between the photo-thermal conversion layer 132 and the transfer material layer 134.

이러한 레이저 열전사 장치(140)에서는, 합착된 제1 및 제2기판(110, 130) 상부에서 광원(150), 빔형상 마스크(160), 렌즈(170)가 이동방향을 따라 이동하면서 제1 및 제2레이저빔(152a, 152b)을 광열변환층(134)에 순차적으로 조사함으로써, 제1기판(110) 상부의 다수의 격벽(112) 사이에 유기물질 패턴을 형성하는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.In the laser thermal transfer apparatus 140, the light source 150, the beam mask 160, and the lens 170 move along the moving direction on the first and second substrates 110 and 130, And the second laser beams 152a and 152b are successively irradiated to the photo-thermal conversion layer 134 to form an organic material pattern between the plurality of partitions 112 on the first substrate 110, .

도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 이용한 유기물질 패턴 제조방법을 설명하는 도면이다. 4A to 4D are views illustrating a method of manufacturing an organic material pattern using the laser induced thermal imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 4a에 도시한 바와 같이, 다수의 격벽(112)이 형성된 제1기판(110) 상부에 광열변환층(132) 및 전사재료층(134)이 형성된 제2기판(130)을 배치하고, 다수의 격벽(112)과 전사재료층(134)이 접촉하도록 제1 및 제2기판(110, 130)을 합착한다. A second substrate 130 on which a photo-thermal conversion layer 132 and a transfer material layer 134 are formed is disposed on a first substrate 110 on which a plurality of partitions 112 are formed, The first and second substrates 110 and 130 are adhered to each other such that the barrier rib 112 and the transfer material layer 134 are in contact with each other.

도 4b에 도시한 바와 같이, 제2기판(130) 상부에서 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 갖는 제1레이저빔(152a)을 조사하면, 제1레이저빔(152a)을 흡수한 광열변환층(132)의 일부분이 팽창하여 제1예비돌출부(132a)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(134)의 일부분도 돌출하여 제2예비돌출부(134a)가 형성되며, 제2예비돌출부(134a)는 다수의 격벽(112) 사이로 노출된 제1기판(110)에 접촉된다. As shown in FIG. 4B, when the first laser beam 152a having a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of partition walls 112 is irradiated on the second substrate 130, A part of the photo-thermal conversion layer 132 which has absorbed the first preliminary projection 152a is expanded to form the first preliminary projection 132a so that a part of the transfer material layer 134 also protrudes, And the second preliminary projection 134a contacts the first substrate 110 exposed between the plurality of barrier ribs 112. [

이때, 제1레이저빔(152a)의 세기 및 형상은 광열변환층(132)의 성능과 최종적으로 형성되는 유기물질 패턴(도 4d의 114)의 형상에 따라 결정될 수 있다.At this time, the intensity and shape of the first laser beam 152a may be determined according to the performance of the photo-thermal conversion layer 132 and the shape of the finally formed organic material pattern 114 (FIG. 4D).

다수의 격벽(112) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되도록 제1레이저빔(152a)을 조사하므로, 제2예비돌출부(134a)의 가장자리부는 다수의 격벽(112)의 가장자리부와 유사한 형상으로 형성되어 제1기판(110) 및 다수의 격벽(112)으로부터 들뜨는 영역이 최소화된다. Since the first laser beam 152a is irradiated to correspond to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs 112, the edge portion of the second preliminary projection portion 134a has a shape similar to the edge portion of the plurality of barrier ribs 112 So that the area occupied by the first substrate 110 and the plurality of barrier ribs 112 is minimized.

도 4c에 도시한 바와 같이, 제2기판(130) 상부에서 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역에 대응되는 형상을 갖는 제2레이저빔(152b)을 조사하면, 제2레이저빔(152b)을 흡수한 광열변환층(132)의 일부분이 팽창하여 제1주돌출부(132b)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(134)의 일부분도 돌출하여 제2주돌출부(134b)가 형성되며, 제2주돌출부(134b)는 다수의 격벽(112) 사이로 노출된 제1기판(110)에 접촉된다. The second laser beam 152b is irradiated onto the second substrate 130 with a second laser beam 152b having a shape corresponding to the spacing between the plurality of partitions 112, A part of the photo-thermal conversion layer 132 that has absorbed the first heat transfer layer 132 expands to form the first main protrusion 132b so that a part of the transfer material layer 134 also protrudes to form the second main protrusion 134b, The two main protrusions 134b are in contact with the first substrate 110 exposed between the plurality of partition walls 112.

이때, 제2레이저빔(152b)의 세기는 광열변환층(132)의 성능과 최종적으로 형성되는 유기물질 패턴(도 4d의 114)의 형상에 따라 결정될 수 있으며, 예를 들어 제1레이저빔(152a)의 세기와 동일한 값일 수 있다.At this time, the intensity of the second laser beam 152b may be determined according to the performance of the photo-thermal conversion layer 132 and the shape of the finally formed organic material pattern (114 in FIG. 4D), for example, the first laser beam 152a. ≪ / RTI >

다수의 격벽(112) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되도록 제1레이저빔(152a)을 조사하여 제2예비돌출부(134a)를 형성한 후 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역에 대응되도록 제2레이저빔(152b)을 조사하므로, 제2주돌출부(134b)의 가장자리부는 다수의 격벽(112)의 가장자리부와 동일한 형상으로 형성되어 제1기판(110) 및 다수의 격벽(112)으로부터 들뜨는 영역이 제거되며, 그 결과 제2주돌출부(134b)는 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역 전체에 균일하게 형성된다. The first laser beam 152a is irradiated to correspond to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs 112 to form the second preliminary projection portion 134a so as to correspond to the spacing region between the plurality of barrier ribs 112 The edges of the second main protrusions 134b are formed in the same shape as the edge portions of the plurality of the partition walls 112 and the second main protrusions 134b are formed from the first substrate 110 and the plurality of the partition walls 112 The second main protrusion 134b is uniformly formed on the entirety of the spacing region between the plurality of partition walls 112. As a result,

도 4d에 도시한 바와 같이, 제1기판(110)으로부터 제2기판(130)을 제거하면, 제1기판(110)에 접촉하는 제2주돌출부(134b)만 남아서 다수의 격벽(112) 사이의 제1기판(110) 상부에 유기물질 패턴(114)이 형성된다.4D, when the second substrate 130 is removed from the first substrate 110, only the second main protrusions 134b contacting the first substrate 110 remain, The organic material pattern 114 is formed on the first substrate 110 of the first substrate 110. [

이때, 제2주돌출부(134b)는 다수의 격벽(112) 사이의 이격영역 전체에서 제1기판(110)과 균일하게 접촉되어 형성되므로, 미전사영역 없이 유기물질 패턴(114)을 형성할 수 있다.In this case, the second main protrusion 134b is formed in uniform contact with the first substrate 110 in the entire spacing region between the plurality of barrier ribs 112, so that the organic material pattern 114 can be formed without the non- have.

그리고, 유기물질 패턴(114)의 제1기판(110) 및 다수의 격벽(112)에 대한 접합력이 개선되므로, 제2기판(130) 제거 시 유기물질 패턴(114)이 뜯기는 형태로 형성되는 것을 방지할 수 있다. Since the bonding strength of the organic material pattern 114 to the first substrate 110 and the plurality of barrier ribs 112 is improved, the organic material pattern 114 is formed in a tearing shape when the second substrate 130 is removed Can be prevented.

따라서, 유기발광다이오드 표시장치에서 다수의 화소영역의 유기발광층의 균일도가 개선되고, 유기물질 패턴 형성공정의 신뢰성 및 수율이 개선되며, 영상의 휘도편차와 같은 불량이 방지되어 표시품질이 개선된다.
Accordingly, in the organic light emitting diode display, the uniformity of the organic light emitting layer in a plurality of pixel regions is improved, reliability and yield of the organic material pattern forming process are improved, defects such as luminance deviation of the image are prevented, and display quality is improved.

다른 실시예에서는, 레이저 열전사 장치에 2개의 빔형상 마스크를 교체하여 장착할 수도 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.In another embodiment, two beam masks may be alternatively mounted on the laser thermal transfer apparatus, which will be described with reference to the drawings.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 도면이고, 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 열전사 장치의 빔형상 마스크를 도시한 도면으로, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. FIGS. 5A and 5B are views showing a laser thermal transfer apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIGS. 6A and 6B illustrate a beam shape mask of a laser thermal transfer apparatus according to a second embodiment of the present invention, In the figure, description of the same parts as those in the first embodiment will be omitted.

도 5a, 도 5b, 도 6a 및 도 6b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 열전사 장치(240)는, 레이저광(252)을 출사하는 광원(250)과, 레이저광(252)을 원하는 형태의 제1 및 제2레이저빔(252a, 252b)으로 각각 가공하는 제1 및 제2빔형상 마스크(260, 265)와, 제1 및 제2빔형상 마스크(260, 265)를 통과한 제1 및 제2레이저빔(252a, 252b)을 집속하여 투사하는 렌즈(270)와, 합착된 제1 및 제2기판(210, 230)이 안착되는 스테이지(280)를 포함한다.5A, 5B, 6A, and 6B, the laser thermal transfer apparatus 240 according to the second embodiment of the present invention includes a light source 250 that emits laser light 252, First and second beam shaped masks 260 and 265 that process light 252 into first and second laser beams 252a and 252b of a desired shape respectively and first and second beam shaped masks 260 and 260, A lens 270 for focusing and projecting the first and second laser beams 252a and 252b passing through the first and second substrates 210 and 230 and the stage 280 on which the first and second substrates 210 and 230 are mounted do.

제1빔형상 마스크(260)는 다수의 제1개구부(262)를 포함하는데, 광원(250)으로부터 출사된 레이저광(252)은 제1빔형상 마스크(260)를 통과하면서 다수의 제1개구부(262)의 형태로 가공된다. The first beam-shaped mask 260 includes a plurality of first openings 262 through which the laser light 252 emitted from the light source 250 passes through the first beam- (262).

다수의 제1개구부(262) 각각은 서로 마주보는 2개의 바 형상을 갖는데, 다수의 제1개구부(262)를 통과한 레이저광(252)은 제1레이저빔(252a)으로 가공된다. Each of the plurality of first openings 262 has two bar shapes facing each other. The laser beam 252 passing through the plurality of first openings 262 is processed into the first laser beam 252a.

예를 들어, 다수의 제1개구부(262) 및 제1레이저빔(252a)은 제1기판(210)의 다수의 격벽(212) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가질 수 있다. For example, the plurality of first openings 262 and the first laser beam 252a may have a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs 212 of the first substrate 210.

그리고, 제1빔형상 마스크(260)와 교체할 수 있는 제2빔형상 마스크(265)는, 다수의 제2개구부(267)를 포함하는데, 광원(250)으로부터 출사된 레이저광(252)은 제2빔형상 마스크(265)를 통과하면서 다수의 제2개구부(267)의 형태로 가공된다. The second beam-shaped mask 265 that can be replaced with the first beam-shaped mask 260 includes a plurality of second openings 267. The laser beam 252 emitted from the light source 250 And is processed in the form of a plurality of second openings 267 while passing through the second beam-shaped mask 265.

다수의 제2개구부(267) 각각은 사각형 형상을 갖는데, 다수의 제2개구부(267)를 통과한 레이저광(252)은 제2레이저빔(252b)으로 가공된다. Each of the plurality of second openings 267 has a rectangular shape, and the laser beam 252 passing through the plurality of second openings 267 is processed into the second laser beam 252b.

예를 들어, 다수의 제2개구부(267) 및 제2레이저빔(252b)은 제1기판(210)의 다수의 격벽(212) 사이의 이격영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다.
For example, the plurality of second openings 267 and the second laser beam 252b may have a shape corresponding to a spacing region between the plurality of barrier ribs 212 of the first substrate 210.

이러한 레이저 열전사 장치(240)에서는, 합착된 제1 및 제2기판(210, 230) 상부에서 광원(250), 제1빔형상 마스크(260), 렌즈(270)를 이동방향을 따라 이동시키면서 다수의 격벽(212) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 갖는 제1레이저빔(252a)을 광열변환층(232)에 조사하면, 제1레이저빔(252a)을 흡수한 광열변환층(232)의 일부분이 팽창하여 제1예비돌출부(도 4b의 132a)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(234)의 일부분도 돌출하여 제2예비돌출부(도 4b의 134a)가 형성되며, 제2예비돌출부(134a)는 다수의 격벽(112) 사이로 노출된 제1기판(110)에 접촉된다. In the laser thermal transfer apparatus 240, the light source 250, the first beam-shaped mask 260, and the lens 270 are moved along the moving direction on the first and second substrates 210 and 230, When the first laser beam 252a having a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs 212 is irradiated to the photo-thermal conversion layer 232, the photo-thermal conversion layer 232, which absorbs the first laser beam 252a, A portion of the transfer material layer 234 also protrudes to form a second preliminary projection (134a in FIG. 4B), and a portion of the transfer material layer 234 is also protruded to form a second preliminary projection 2 preliminary protrusion 134a contacts the first substrate 110 exposed between the plurality of partition walls 112. [

제1빔형상 마스크(260)를 이용한 제1레이저빔(252a)의 조사가 완료되면, 제1빔형상 마스크(260)를 제2빔형상 마스크(265)로 교체하고, 합착된 제1 및 제2기판(210, 230) 상부에서 광원(250), 제2빔형상 마스크(265), 렌즈(270)를 이동방향을 따라 이동시키면서 다수의 격벽(212) 사이의 이격영역에 대응되는 형상을 갖는 제2레이저빔(252b)을 광열변환층(234)에 조사하면, 제2레이저빔(252b)을 흡수한 광열변환층(232)의 일부분이 팽창하여 제1주돌출부(도 4c의 132b)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(234)의 일부분도 돌출하여 제2주돌출부(도 4c의 134b)가 형성되며, 제2주돌출부(134b)는 다수의 격벽(212) 사이로 노출된 제1기판(210)에 접촉된다.When the irradiation of the first laser beam 252a using the first beam shaped mask 260 is completed, the first beam shaped mask 260 is replaced with the second beam shaped mask 265, The second beam-shaped mask 265 and the lens 270 are moved along the moving direction on the first substrate 210 and the second substrate 230 so as to have a shape corresponding to the spacing region between the plurality of the partition walls 212 When the second laser beam 252b is irradiated on the photo-thermal conversion layer 234, a part of the photo-thermal conversion layer 232 that absorbs the second laser beam 252b expands and the first main projecting portion (132b in FIG. 4C) A portion of the transfer material layer 234 also protrudes to form a second main protruding portion 134b in Figure 4c and a second main protruding portion 134b is formed in the first substrate 132 exposed between the plurality of partitions 212, (Not shown).

이후, 제1기판(210)으로부터 제2기판(230)을 제거하면, 제1기판(210)에 접촉하는 제2주돌출부(134b)만 남아서 다수의 격벽(212) 사이의 제1기판(210) 상부에 유기물질 패턴(도 4d의 114)이 형성된다.
Thereafter, when the second substrate 230 is removed from the first substrate 210, only the second main protrusions 134b contacting the first substrate 210 remain, and the first substrate 210 An organic material pattern 114 (Fig. 4D) is formed.

한편, 다른 실시예에서는, 레이저 열전사 장치에 2개의 빔형상 마스크를 동시에 장착할 수도 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.On the other hand, in another embodiment, two beam masks may be simultaneously mounted on the laser thermal transfer apparatus, which will be described with reference to the drawings.

도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 레이저 열전사 장치를 도시한 도면으로, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다.7 is a view showing a laser thermal transfer apparatus according to a third embodiment of the present invention, and a description of the same parts as those of the first embodiment will be omitted.

도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3실시예에 따른 레이저 열전사 장치(340)는, 제1 및 제2레이저광(352, 354)을 각각 출사하는 제1 및 제2광원(350a, 350b)과, 제1 및 제2레이저광(352, 354)을 원하는 형태의 제1 및 제2레이저빔(352a, 352b)으로 각각 가공하는 제1 및 제2빔형상 마스크(360, 365)와, 제1 및 제2빔형상 마스크(360, 365)를 통과한 제1 및 제2레이저빔(352a, 352b)을 집속하여 투사하는 제1 및 제2렌즈(370a, 370b)와, 합착된 제1 및 제2기판(310, 330)이 안착되는 스테이지(380)를 포함한다.7, the laser thermal transfer apparatus 340 according to the third embodiment of the present invention includes first and second light sources 350a and 350b for emitting first and second laser lights 352 and 354, respectively, First and second beam shaped masks 360 and 365 which respectively process the first and second laser beams 352 and 354 into first and second laser beams 352a and 352b of a desired shape, First and second lenses 370a and 370b for focusing and projecting the first and second laser beams 352a and 352b having passed through the first and second beam shaped masks 360 and 365, And a stage 380 on which the first and second substrates 310 and 330 are seated.

제1 및 제2광원(350a, 350b)은 동일한 사양의 레이저일 수 있다.The first and second light sources 350a and 350b may be lasers of the same specification.

그리고, 제1 및 제2빔형상 마스크(360, 365)는 제2실시예의 제1 및 제2빔형상 마스크(도 6a 및 도 6b의 260, 265)와 동일한 구성을 가질 수 있다. The first and second beam-shaped masks 360 and 365 may have the same configuration as the first and second beam-shaped masks (260 and 265 in Figs. 6A and 6B) of the second embodiment.

즉, 제1빔형상 마스크(360)는 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상을 갖는 다수의 제1개구부를 포함할 수 있으며, 다수의 제1개구부 및 제1레이저빔(352a)은 제1기판(310)의 다수의 격벽(312) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가질 수 있다. That is, the first beam-shaped mask 360 may include a plurality of first openings each having two bar shapes facing each other, and the plurality of first openings and the first laser beam 352a may include a plurality of first openings, And may have a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of partitions 312 of the substrate 310.

그리고, 제2빔형상 마스크(365)는, 각각이 사각형 형상을 갖는 다수의 제2개구부를 포함할 수 있으며, 다수의 제2개구부 및 제2레이저빔(352b)은 제1기판(310)의 다수의 격벽(312) 사이의 이격영역에 대응되는 형상을 가질 수 있다.
The second beam-shaped mask 365 may include a plurality of second openings each having a rectangular shape, and the plurality of second openings and the second laser beam 352b may include a plurality of second openings, And may have a shape corresponding to the spacing region between the plurality of barrier ribs 312.

이러한 레이저 열전사 장치(340)에서는, 합착된 제1 및 제2기판(210, 230) 상부에서 제1 및 제2광원(350a, 350b), 제1 및 제2빔형상 마스크(360, 365), 제1 및 제2렌즈(370a, 370b)를 이동방향을 따라 이동시키면서 다수의 격벽(312) 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 갖는 제1레이저빔(352a)과 다수의 격벽(312) 사이의 이격영역에 대응되는 형상을 갖는 제2레이저빔(352b)을 광열변환층(332)에 순차적으로 조사한다.In this laser thermal transfer apparatus 340, first and second light sources 350a and 350b, first and second beam-shaped masks 360 and 365 are formed on the first and second substrates 210 and 230, A first laser beam 352a having a shape corresponding to the edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs 312 while moving the first and second lenses 370a and 370b along the moving direction, And the second laser beam 352b having a shape corresponding to the spacing region between the first laser beam 351 and the second laser beam 352 is sequentially irradiated onto the photo-thermal conversion layer 332.

이에 따라, 제1레이저빔(352a)을 흡수한 광열변환층(332)의 일부분이 팽창하여 제1예비돌출부(도 4b의 132a)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(334)의 일부분도 돌출하여 제2예비돌출부(도 4b의 134a)가 형성되며, 제2예비돌출부(134a)는 다수의 격벽(312) 사이로 노출된 제1기판(310)에 접촉된다. Thus, a part of the photo-thermal conversion layer 332 that absorbed the first laser beam 352a expands to form the first preliminary projection (132a in Fig. 4B), so that a part of the transfer material layer 334 is also projected And the second preliminary projection 134a is formed on the first substrate 310 exposed between the plurality of barrier ribs 312. The second preliminary projection 134a is formed on the first substrate 310 as shown in FIG.

그리고, 제2레이저빔(352b)을 흡수한 광열변환층(332)의 일부분이 팽창하여 제1주돌출부(도 4c의 132b)가 형성되고, 이에 따라 전사재료층(334)의 일부분도 돌출하여 제2주돌출부(도 4c의 134b)가 형성되며, 제2주돌출부(134b)는 다수의 격벽(312) 사이로 노출된 제1기판(310)에 접촉된다.Then, a part of the photo-thermal conversion layer 332 that absorbed the second laser beam 352b expands to form the first main protrusion (132b in Fig. 4C), so that a part of the transfer material layer 334 also protrudes The second main protrusion 134b is formed and the second main protrusion 134b is contacted with the first substrate 310 exposed between the plurality of partitions 312. [

이후, 제1기판(310)으로부터 제2기판(330)을 제거하면, 제1기판(310)에 접촉하는 제2주돌출부(134b)만 남아서 다수의 격벽(312) 사이의 제1기판(310) 상부에 유기물질 패턴(도 4d의 114)이 형성된다.
Thereafter, when the second substrate 330 is removed from the first substrate 310, only the second main protrusion 134b contacting the first substrate 310 remains to form the first substrate 310 between the plurality of barrier ribs 312 An organic material pattern 114 (Fig. 4D) is formed.

이상과 같이, 제1레이저빔을 조사하여 광열변환층 및 전사재료층에 예비돌출부를 형성한 후, 제2레이저빔을 조사하여 광열변환층 및 전사재료층에 주돌출부를 형성함으로써, 미전사영역이나 뜯기는 형태가 방지되어 균일한 유기물질 패턴을 형성할 수 있으며, 그 결과 유기발광다이오드 표시장치에서 다수의 화소영역의 유기발광층의 균일도가 개선되고, 유기물질 패턴 형성공정의 신뢰성 및 수율이 개선되며, 영상의 휘도편차와 같은 불량이 방지되어 표시품질이 개선된다.
As described above, by irradiating the first laser beam to form the preliminary protruding portions on the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer, and then irradiating the second laser beam to form the main projecting portions on the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer, As a result, the uniformity of the organic light emitting layer in a plurality of pixel regions is improved in the organic light emitting diode display device, and the reliability and yield of the organic material pattern forming process are improved And defects such as luminance deviation of the image are prevented, and the display quality is improved.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It can be understood that

110: 제1기판 112: 다수의 격벽
130: 제2기판 132: 광열변환층
134: 전사재료층 140: 레이저 열전사 장치
150: 광원 160: 빔형상 마스크
170: 렌즈 180: 스테이지110: first substrate 112:
130: second substrate 132: photo-thermal conversion layer
134: transfer material layer 140: laser thermal transfer device
150: light source 160: beam shape mask
170: Lens 180: Stage

Claims (9)

레이저광을 출사하는 광원과;
상기 레이저광을 상이한 형상의 제1 및 제2레이저빔으로 가공하는 빔형상 마스크와;
상기 제1 및 제2레이저빔을 집속하여 투사하는 렌즈와;
합착된 제1 및 제2기판이 안착되는 스테이지
를 포함하고,
상기 제1기판 상면에는 다수의 격벽이 형성되고,
상기 제2기판 하면에는 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성되고,
상기 제1레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지고, 상기 제2레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 상기 이격영역에 대응되는 형상을 가지고,
상기 제1레이저빔이 상기 이격영역의 상기 가장자리부에 대응되는 상기 광열변환층에 조사된 후, 상기 제2레이저빔이 상기 이격영역에 대응되는 상기 광열변환층에 조사되는 레이저 열전사 장치.
A light source for emitting laser light;
A beam shaped mask for processing the laser beam into first and second laser beams of different shapes;
A lens for focusing and projecting the first and second laser beams;
The stage on which the first and second substrates,
Lt; / RTI >
A plurality of barrier ribs are formed on the upper surface of the first substrate,
A photothermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed on a lower surface of the second substrate,
Wherein the first laser beam has a shape corresponding to an edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs and the second laser beam has a shape corresponding to the spacing region between the plurality of barrier ribs,
Wherein the first laser beam is irradiated to the photo-thermal conversion layer corresponding to the edge portion of the spacing region, and then the second laser beam is irradiated to the photo-thermal conversion layer corresponding to the spacing region.
레이저광을 출사하는 광원과;
상기 레이저광을 상이한 형상의 제1 및 제2레이저빔으로 각각 가공하는 제1 및 제2빔형상 마스크와;
상기 제1 및 제2레이저빔을 집속하여 투사하는 렌즈와;
합착된 제1 및 제2기판이 안착되는 스테이지
를 포함하고,
상기 제1기판 상면에는 다수의 격벽이 형성되고,
상기 제2기판 하면에는 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성되고,
상기 제1레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지고, 상기 제2레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 상기 이격영역에 대응되는 형상을 가지고,
상기 제1레이저빔이 상기 이격영역의 상기 가장자리부에 대응되는 상기 광열변환층에 조사된 후, 상기 제2레이저빔이 상기 이격영역에 대응되는 상기 광열변환층에 조사되는 레이저 열전사 장치.
A light source for emitting laser light;
First and second beam shaped masks for respectively processing the laser beam into first and second laser beams of different shapes;
A lens for focusing and projecting the first and second laser beams;
The stage on which the first and second substrates,
Lt; / RTI >
A plurality of barrier ribs are formed on the upper surface of the first substrate,
A photothermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed on a lower surface of the second substrate,
Wherein the first laser beam has a shape corresponding to an edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs and the second laser beam has a shape corresponding to the spacing region between the plurality of barrier ribs,
Wherein the first laser beam is irradiated to the photo-thermal conversion layer corresponding to the edge portion of the spacing region, and then the second laser beam is irradiated to the photo-thermal conversion layer corresponding to the spacing region.
제1 및 제2레이저광을 출사하는 제1 및 제2광원과;
상기 제1 및 제2레이저광을 상이한 형상의 제1 및 제2레이저빔으로 각각 가공하는 제1 및 제2빔형상 마스크와;
상기 제1 및 제2레이저빔을 각각 집속하여 투사하는 제1 및 제2렌즈와;
합착된 제1 및 제2기판이 안착되는 스테이지
를 포함하고,
상기 제1기판 상면에는 다수의 격벽이 형성되고,
상기 제2기판 하면에는 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성되고,
상기 제1레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지고, 상기 제2레이저빔은 상기 다수의 격벽 사이의 상기 이격영역에 대응되는 형상을 가지고,
상기 제1레이저빔이 상기 이격영역의 상기 가장자리부에 대응되는 상기 광열변환층에 조사된 후, 상기 제2레이저빔이 상기 이격영역에 대응되는 상기 광열변환층에 조사되는 레이저 열전사 장치.
First and second light sources for emitting first and second laser beams;
First and second beam shaped masks for respectively processing the first and second laser beams into first and second laser beams of different shapes;
First and second lenses for respectively focusing and projecting the first and second laser beams;
The stage on which the first and second substrates,
Lt; / RTI >
A plurality of barrier ribs are formed on the upper surface of the first substrate,
A photothermal conversion layer and a transfer material layer are sequentially formed on a lower surface of the second substrate,
Wherein the first laser beam has a shape corresponding to an edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs and the second laser beam has a shape corresponding to the spacing region between the plurality of barrier ribs,
Wherein the first laser beam is irradiated to the photo-thermal conversion layer corresponding to the edge portion of the spacing region, and then the second laser beam is irradiated to the photo-thermal conversion layer corresponding to the spacing region.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 빔형상 마스크는, 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상의 제1개구영역과 사각형 형상의 제2개구영역으로 구성되는 다수의 개구부를 포함하고,
상기 레이저광은 상기 제1 및 제2개구영역을 통과하여 각각 상기 제1 및 제2레이저빔으로 가공되는 레이저 열전사 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the beam-shaped mask includes a plurality of openings each composed of a first bar-shaped opening area facing each other and a second rectangular opening area,
Wherein the laser beam passes through the first and second aperture regions and is processed into the first and second laser beams, respectively.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 및 제2빔형상 마스크는 교체하여 장착되고,
상기 제1빔형상 마스크는 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상을 갖는 다수의 제1개구부를 포함하고,
상기 제2빔형상 마스크는 각각이 사각형 형상을 갖는 다수의 제2개구부를 포함하고,
상기 레이저광은 상기 다수의 제1개구부 및 상기 다수의 제2개구부를 통과하여 각각 상기 제1 및 제2레이저빔으로 가공되는 레이저 열전사 장치.
3. The method of claim 2,
The first and second beam-like masks are interchangeably mounted,
Wherein the first beam-shaped mask comprises a plurality of first openings each having two bar shapes facing each other,
Wherein the second beam-shaped mask comprises a plurality of second openings each having a rectangular shape,
Wherein the laser beam passes through the plurality of first openings and the plurality of second openings to be processed into the first and second laser beams, respectively.
제 3 항에 있어서,
상기 제1빔형상 마스크는 각각이 서로 마주보는 2개의 바 형상을 갖는 다수의 제1개구부를 포함하고,
상기 제2빔형상 마스크는 각각이 사각형 형상을 갖는 다수의 제2개구부를 포함하고,
상기 제1레이저광은 상기 다수의 제1개구부를 통과하여 상기 제1레이저빔으로 가공되고,
상기 제2레이저광은 상기 다수의 제2개구부를 통과하여 상기 제2레이저빔으로 가공되는 레이저 열전사 장치.
The method of claim 3,
Wherein the first beam-shaped mask comprises a plurality of first openings each having two bar shapes facing each other,
Wherein the second beam-shaped mask comprises a plurality of second openings each having a rectangular shape,
The first laser light passes through the plurality of first openings and is processed into the first laser beam,
And the second laser beam passes through the plurality of second openings and is processed into the second laser beam.
다수의 격벽이 형성된 제1기판과 광열변환층 및 전사재료층이 순차적으로 형성된 제2기판을 상기 다수의 격벽과 상기 전사재료층이 접촉하도록 합착하는 단계와;
합착된 상기 제1 및 2기판 상부에서 상기 다수의 격벽 사이의 이격영역의 가장자리부에 대응되는 형상을 가지는 제1레이저빔을 조사하여 상기 이격영역의 상기 가장자리부에 대응되는 상기 광열변환층 및 상기 전사재료층에 각각 제1 및 제2예비돌출부를 형성하는 단계와;
합착된 상기 제1 및 제2기판 상부에서 상기 다수의 격벽 사이의 상기 이격영역에 대응되는 형상을 가지는 제2레이저빔을 조사하여 상기 이격영역에 대응되는 상기 광열변환층 및 상기 전사재료층에 각각 제1 및 제2주돌출부를 형성하는 단계와;
상기 제1기판으로부터 상기 제2기판을 제거하여 상기 다수의 격벽 사이의 상기 제1기판 상부에 유기물질 패턴을 형성하는 단계
를 포함하고,
상기 제1레이저빔을 조사하여 상기 제1 및 제2예비돌출부를 형성하는 단계 이후, 상기 제2레이저빔을 조사하여 상기 제1 및 제2주돌출부를 형성하는 단계가 수행되는 유기물질 패턴 제조방법.

Attaching a second substrate on which a plurality of partition walls are formed and a photo-thermal conversion layer and a transfer material layer sequentially, so that the plurality of partition walls and the transfer material layer are in contact with each other;
A first laser beam having a shape corresponding to an edge portion of the spacing region between the plurality of barrier ribs is irradiated on the first and second substrates, and the photo-thermal conversion layer and the photo-conversion layer corresponding to the edge portion of the spacing region, Forming first and second preliminary protrusions on the transfer material layer, respectively;
Irradiating a second laser beam having a shape corresponding to the spacing region between the plurality of partitions on the first and second substrates, and irradiating the photo-thermal conversion layer and the transfer material layer corresponding to the spacing region Forming first and second main protrusions;
Removing the second substrate from the first substrate to form an organic material pattern on the first substrate between the plurality of partitions;
Lt; / RTI >
Wherein the step of forming the first and second main protrusions by irradiating the second laser beam is performed after the step of forming the first and second preliminary protrusions by irradiating the first laser beam .

삭제delete
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