JPS63228158A - Method for correcting mask defect - Google Patents
Method for correcting mask defectInfo
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はマスク欠陥修正方法において、金属含有ポリマ
を塗布し、欠陥部分にレーザビームを照射して欠陥部分
に金属膜を形成し、残りの未照射部分の金属含有ポリマ
を溶媒で除去することにより、マスクを汚染する虞れな
くマスク欠陥を修正しうるようにしたものである。[Detailed Description of the Invention] [Summary] The present invention is a mask defect repair method in which a metal-containing polymer is applied, a laser beam is irradiated to the defective part to form a metal film on the defective part, and the remaining unirradiated part is repaired. By removing the metal-containing polymer with a solvent, mask defects can be corrected without the risk of contaminating the mask.
（産業上の利用分野〕
本発明はマスク欠陥修正方法に係り、特に白欠陥を修正
するマスク欠陥修正方法に関する。(Industrial Application Field) The present invention relates to a mask defect repair method, and particularly to a mask defect repair method for repairing white defects.
マスクの修正はマスクを汚染することなく、シかも容易
に行なえることが必要とされる。Modifications to the mask must be easily performed without contaminating the mask.
従来のマスク欠陥修正方法であるリフト・オフ法を第７
図（Ａ）、（Ｂ）以下に示す。各図中（Ａ）は断面図、
（Ｂ）は平面図であり、断面図は拡大して示しである。The lift-off method, which is a conventional mask defect correction method, is the seventh method.
Figures (A) and (B) are shown below. (A) in each figure is a cross-sectional view,
(B) is a plan view, and the sectional view is enlarged.
第７図（Ａ）、（Ｂ）は修正を要するマスク１の一部を
示す。同図中、２はガラス板、３はクロム膜製のマスク
パターンである。４はピンホールである。これは白欠陥
であり、金属で埋めて修正する必要がある。FIGS. 7(A) and 7(B) show a part of the mask 1 that requires modification. In the figure, 2 is a glass plate, and 3 is a mask pattern made of a chrome film. 4 is a pinhole. This is a white defect and must be fixed by filling it with metal.
まず第８図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、マスク１の上
面にポジレジストを塗布し、ポジレジスト膜５を形成す
る。First, as shown in FIGS. 8A and 8B, a positive resist is applied to the upper surface of the mask 1 to form a positive resist film 5. Then, as shown in FIGS.
次に第９図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、水銀ランプよ
りの光６をピンホール４の個所に照射して露光し、第１
０図（Ａ）、（Ｂ）に示すように現像して、ポジレジス
トｌＩ５のうち照射部分を除去する。Next, as shown in FIGS. 9(A) and 9(B), the pinhole 4 is exposed by irradiating light 6 from a mercury lamp, and the first
As shown in FIGS. 0(A) and 0(B), development is performed to remove the irradiated portion of the positive resist II5.
次にマスク１をスパッタリング装置内にセットし、第１
１図（Ａ）、（Ｂ）に示すようにスパッタリングにより
上面にクロム１１７を形成する。Next, set the mask 1 in the sputtering equipment, and
As shown in FIGS. 1A and 1B, chromium 117 is formed on the upper surface by sputtering.
最後に、第１２図（Ａ＞、（Ｂ）に示すように、溶媒で
未照射部分のポジレジスト１８５を除去する。Finally, as shown in FIGS. 12A and 12B, the unirradiated portions of the positive resist 185 are removed using a solvent.
ポジレジスト膜５上のりＯム１Ｉ７ｂは流れ落ちて除去
され、ピンホール４を埋めている部分のクロム１１７ａ
だけが残り、ピンホール４がクロム膜７ａにより塞がれ
、白欠陥が修正される。The chromium 117b on the positive resist film 5 flows down and is removed, and the chromium 117a in the portion filling the pinhole 4 is removed.
Only the white defect remains, the pinhole 4 is closed by the chromium film 7a, and the white defect is corrected.
ポジレジスト膜５を除去するときにクロム膜が流れ出し
、これがゴミとなる。即ちマスク修正の過程でゴミが生
ずることになる。When the positive resist film 5 is removed, the chromium film flows out and becomes dust. That is, dust will be generated during the mask correction process.
クロム膜の小片８の一部は、第１３図に示すようにガラ
ス板２の表面に付着し、マスク１を汚染して新たな欠陥
を作ってしまう。Some of the small pieces 8 of the chromium film adhere to the surface of the glass plate 2 as shown in FIG. 13, contaminating the mask 1 and creating new defects.
また特にスパッタリングエ稈があるため、マスク修正に
要する時間及び経費がかかり、工程も複雑であるという
問題点があった。In addition, since there is a sputtering culm, it takes time and money to correct the mask, and the process is complicated.
本発明のマスク欠陥修正り法は、白欠陥を有するマスク
上に金属含有ポリマを塗布して金属含有ポリマ膜を形成
する工程と、
上記金属含有ポリマ膜のうち上記欠陥に対応する個所に
レーザビームを照射し、金属含有ポリマ膜中の有機物を
除去し、残った金属成分により金属膜を形成するレーザ
ビーム照射工程と、上覧レーザビーム未照射部分の上記
金属含有ポリマ膜を溶媒で溶解除去する工程とよりなる
。The mask defect repair method of the present invention includes the steps of: coating a metal-containing polymer on a mask having a white defect to form a metal-containing polymer film; and applying a laser beam to a portion of the metal-containing polymer film corresponding to the defect. A laser beam irradiation step in which the organic matter in the metal-containing polymer film is removed and a metal film is formed using the remaining metal components, and the part of the metal-containing polymer film that has not been irradiated with the above laser beam is dissolved and removed with a solvent. It depends on the process.
金属含有ポリマ膜の表面に金属膜は無いため、金属含有
ポリマ膜の溶解除去の際ゴミは発生しない。Since there is no metal film on the surface of the metal-containing polymer film, no dust is generated when the metal-containing polymer film is dissolved and removed.
金属膜の形成はレーザビームの照射によっているため、
スパッタリング装置は不要となる。Since the metal film is formed by laser beam irradiation,
A sputtering device becomes unnecessary.
第１図は本発明の一実施例になるマスク欠陥修正方法の
工程図である。FIG. 1 is a process diagram of a mask defect repair method according to an embodiment of the present invention.
本発明のマスク欠陥修正方法は、金属含有ポリマ膜形成
工程１０と、レーザビーム照射工程１１と、金属含有ポ
リマ膜溶解除去工程１２とよりなる。The mask defect repair method of the present invention includes a metal-containing polymer film forming step 10, a laser beam irradiation step 11, and a metal-containing polymer film dissolving and removing step 12.
以下各工程について、第２図（Ａ）、（Ｂ）以下を参照
して説明する。各図中（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図
であり、断面図は拡大して示しである。Each step will be explained below with reference to FIGS. 2(A) and 2(B). In each figure, (A) is a sectional view, and (B) is a plan view, and the sectional view is shown enlarged.
第２図（Ａ）、（Ｂ）は、修正を要するマスク２０の一
部を示す。同図中、２１はガラス板、２２はクロム膜製
のマスクパターン、２３は白欠陥を構成するピンホール
である。FIGS. 2A and 2B show a portion of the mask 20 that requires modification. In the figure, 21 is a glass plate, 22 is a chrome film mask pattern, and 23 is a pinhole that constitutes a white defect.
マスクを修正するには、まず上記の工程１０を行なう。To modify the mask, first perform step 10 above.
金属含有ポリマの一種である米国エンゲルハード社製の
メタロオルガニクス（商品名）Ａ−１１１８（型１）（
以下金属含有ポリマという）をトルエンで倍に希釈して
、１５００ｒｌ）Ｉでマスク２０の上面にスピンコーテ
ィングし、８０℃で３０分間大気中で乾燥させる。なお
、上記のメタ［１オルガニクス（Ａ−１１１８）はＡｕ
を含有したポリマである。MetalloOrganics (trade name) A-1118 (type 1) manufactured by Engelhard, USA, which is a type of metal-containing polymer,
A metal-containing polymer (hereinafter referred to as a metal-containing polymer) is diluted two-fold with toluene, spin-coated with 1500 rl) I on the upper surface of the mask 20, and dried in air at 80° C. for 30 minutes. In addition, the above meta[1 organics (A-1118) is Au
It is a polymer containing
これにより、第３図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、マス
ク２０の上面に金属含有ポリマ膜２４が形成される。As a result, a metal-containing polymer film 24 is formed on the upper surface of the mask 20, as shown in FIGS. 3(A) and 3(B).
次に工程１１を行なう。Next, step 11 is performed.
第４図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上記の金属含有ポ
リマ！１２４のうちピンホール２３に対応する個所を、
１μ−に集光させたアルゴンレーザビーム２５により５
秒間照射する。As shown in FIGS. 4(A) and (B), the above metal-containing polymer! 124, the part corresponding to the pinhole 23 is
5 by an argon laser beam 25 focused at 1 μ-
Irradiate for seconds.
照射領域は加熱され、金属含有ポリマｙＡ２４内の有機
物が除去され、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、金
属成分が残り、金属含有ポリマ膜２４は金属化され、第
５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ピンホール２３を埋
めるようにＡｕ膜２６が形成される。The irradiated area is heated to remove the organic matter in the metal-containing polymer film 24, leaving the metal component as shown in FIGS. 5(A) and 5(B), and metalizing the metal-containing polymer film 24. As shown in (A) and (B), an Au film 26 is formed to fill the pinhole 23.
最後に工程１２を行なう。Finally, step 12 is performed.
上記の金属含有ポリマ膜２４に適した溶媒である塩化メ
チレンを使用してレーザビーム未照射部分の金属含有ポ
リマ１１２４を溶解除去する。Using methylene chloride, which is a suitable solvent for the metal-containing polymer film 24 described above, the metal-containing polymer 1124 in the portions not irradiated with the laser beam is dissolved and removed.
これにより、第６図（Ａ＞、（Ｂ）に示すように、ピン
ホール２６は５００人のＡｕ！１２６で塞がれ、白欠陥
が修正される。As a result, as shown in FIGS. 6A and 6B, the pinhole 26 is filled with 500 pieces of Au!126, and the white defect is corrected.
金属含有ポリマ膜２４が溶解除去されるときに、ゴミは
何ら発生せず、マスク２０の欠陥は何らマスク２０を汚
染させずに、即ち新たな欠陥を生ぜしめることなく修正
される。When metal-containing polymer film 24 is dissolved away, no dust is generated and defects in mask 20 are corrected without any contamination of mask 20, ie, without creating new defects.
また上記工程１０，１１．１２は全て大気圧下で行ない
得るため、修正方法は容易である。Furthermore, since all of the above steps 10, 11, and 12 can be performed under atmospheric pressure, the modification method is easy.
またスパッタリング装置を使用しないので、従来の修正
方法に比べて、低コスト且つ短時間でマスク欠陥が修正
される。Furthermore, since a sputtering device is not used, mask defects can be repaired at a lower cost and in a shorter time than with conventional repair methods.
また、必要に応じてＡｕ膜２６のガラス板２１及びマス
クパターン２２への密着力は従来に比べて強く、剥離し
にくく、剥離して再び欠陥を作る虞れも少ない。また必
要に応じて前記のメタロオルガニクスに非金属物を添加
することにより、ＡｕｗＡ２６のガラス板２１及びマス
クパターン２２への密着力を更に強くすることも可能で
ある。Further, if necessary, the adhesion of the Au film 26 to the glass plate 21 and the mask pattern 22 is stronger than in the past, and it is difficult to peel off, and there is little risk of peeling off and creating defects again. Moreover, it is also possible to further strengthen the adhesion of AuwA 26 to the glass plate 21 and mask pattern 22 by adding a non-metallic substance to the metalloorganics as necessary.
なお、マスクパターンのかけも白欠陥であるが、これも
上記と同様に修正される。It should be noted that mask pattern overlap is also a white defect, but this is also corrected in the same manner as above.
また上記のメタロオルガニクス（Ａ−１１１８＞の代わ
りに、Ｃ「を含有したメタ［１オルガニクス（＃５Ｏ−
Ｄ）を使用してもよい。In addition, instead of the above metalloorganics (A-1118>), meta[1organics containing C''(#5O-
D) may also be used.
この場合には、トルエンで倍に希釈して、１、ｏｏｏｒ
ｐｓでスピンコーティングする。次いで８０℃で３０分
間大気中で乾燥を行なう。次に１μ−に集光したアルゴ
ンレーザビームを１０秒間照射する。最後にヘキサンで
未照射部分を洗い流す。照射領域には、１ 、０００人
のＱｒの膜が形成される。In this case, dilute with toluene to 1, ooor
Spin coat with ps. Then, drying is carried out in the air at 80° C. for 30 minutes. Next, an argon laser beam focused at 1 μm is irradiated for 10 seconds. Finally, wash away the unirradiated area with hexane. A film of 1,000 Qr is formed in the irradiated area.
（発明の効果〕
本発明によれば、金属含有ポリマ膜が溶解除去されると
きにゴミが発生しないため、白欠陥の修正をマスクを汚
染させることなく、即ち新たな欠陥を形成する虞れなく
、マスク欠陥を修正することが出来、また、スパッタリ
ング装置を使用することなく、全て大気圧下で行なうこ
とが出来、従来に比べて低コストで且つ短時間で修正出
来るという特長を有する。(Effects of the Invention) According to the present invention, since no dust is generated when the metal-containing polymer film is dissolved and removed, white defects can be corrected without contaminating the mask, that is, without the possibility of forming new defects. This method has the advantage that it is possible to correct mask defects, and that it can be performed under atmospheric pressure without using a sputtering device, and that it can be corrected at lower cost and in a shorter time than conventional methods.
第１図は本発明になるマスク欠陥修正方法の一実施例の
工程図、
第２図（Ａ）、（Ｂ）は夫々欠陥を有するマスクの一部
を示す図、
第３図（Ａ）、（Ｂ）は夫々金属含有ポリマ膜が形成さ
れたマスクを示す図、
第４図（Ａ）、＜８）は夫々レーザビーム照射状態を示
す図、
第５図（Ａ）、（Ｂ）は夫々金属膜が形成されたマスク
を示す図、
第６図（Ａ）、（Ｂ）は夫々欠陥が修正されたマスクを
示す図、
第７図（Ａ）、（Ｂ）乃至第１２図（Ａ）。
（Ｂ）は夫々従来のマスク欠陥修正方法の１例を工程毎
に説明する図、
第１３図は欠陥修正に伴って別の欠陥が生じた状態を説
明する図である。
図において、
２０はマスク、
２１はガラス板、
２２はマスクパターン、
２３はピンホール、
２４は金属含有ポリマ膜、
２５はアルゴンレーザビーム、
２６はＡｔ１ｌｌｌｌである。
一実施例の工程図
第１図
生じた状態を示す図
第１３図
（Ａ） （Ｂ）
欠陥を有するマスクを示す図
第２図
（Ａ） （Ｂ）
レーザビーム照射状態を示す図
第４図
（Ａ） （Ｂ）
金属膜が形成されたマスクを示す図
第５図
マスクＩくターン
（Ａ＞ （Ｂ）
欠陥を有するマスクの一部を示す図
第７図
（Ａ） （Ｂ）
ポルシスト膜が形成されたマスクを示す図第８図
（Ａ） （Ｂ）
露光状態を示す図
第９図FIG. 1 is a process diagram of an embodiment of the mask defect correction method according to the present invention; FIGS. 2(A) and (B) are diagrams showing a part of a mask having a defect, respectively; FIG. 3(A), (B) is a diagram showing a mask on which a metal-containing polymer film is formed, FIG. 4 (A), <8) is a diagram showing a state of laser beam irradiation, and FIGS. 5 (A) and (B) are each FIGS. 6(A) and 6(B) are diagrams showing masks with defects corrected, respectively. FIGS. 7(A), (B) to FIG. 12(A). . (B) is a diagram illustrating each step of an example of a conventional mask defect repair method, and FIG. 13 is a diagram illustrating a state in which another defect occurs as a result of defect repair. In the figure, 20 is a mask, 21 is a glass plate, 22 is a mask pattern, 23 is a pinhole, 24 is a metal-containing polymer film, 25 is an argon laser beam, and 26 is Atlllll. Figure 1 is a diagram showing the resulting state. Figure 13 (A) (B) is a diagram showing a mask with a defect. Figure 2 (A) (B) is a diagram showing the state of laser beam irradiation. (A) (B) Figure 5 showing a mask with a metal film formed. Mask I turn (A> (B) Figure 7 showing a part of the mask with defects. Figure 8 (A) (B) Figure 9 shows the exposure state
Claims (1)
リマを塗布して金属含有ポリマ膜を形成する工程と、 上記金属含有ポリマ膜（２４）のうち上記欠陥（２３）
に対応する個所にレーザビーム（２５）を照射し、金属
含有ポリマ膜中の有機物を除去し、残つた金属成分によ
り金属膜を形成するレーザビーム照射工程と、 上記レーザビーム未照射部分の上記金属含有ポリマ膜（
２４）を溶媒で溶解除去する工程（１２）とよりなるこ
とを特徴とするマスク欠陥修正方法。[Scope of Claims] A step of forming a metal-containing polymer film by coating a metal-containing polymer on a mask (20) having white defects (23); )
a laser beam irradiation step of irradiating a portion corresponding to the laser beam (25) to remove organic matter in the metal-containing polymer film and forming a metal film with the remaining metal component; Containing polymer film (
24) A method for repairing a mask defect, the method comprising the step (12) of dissolving and removing 24) with a solvent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061820A JPS63228158A (en) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | Method for correcting mask defect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061820A JPS63228158A (en) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | Method for correcting mask defect |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63228158A true JPS63228158A (en) | 1988-09-22 |
Family
ID=13182102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62061820A Pending JPS63228158A (en) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | Method for correcting mask defect |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63228158A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181945A (en) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | Method for correcting pattern chipping defect of mask |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111132A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Amending method of photomask |
| JPS57105741A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Image formation |
| JPS602956A (en) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacture of photomask |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62061820A patent/JPS63228158A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111132A (en) * | 1979-02-21 | 1980-08-27 | Hitachi Ltd | Amending method of photomask |
| JPS57105741A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Nec Corp | Image formation |
| JPS602956A (en) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nippon Denso Co Ltd | Manufacture of photomask |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181945A (en) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | Method for correcting pattern chipping defect of mask |
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