JPS586128A - Method and apparatus for correcting defect of photo-mask - Google Patents

Method and apparatus for correcting defect of photo-mask

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JPS586128A
JPS586128A JP56103359A JP10335981A JPS586128A JP S586128 A JPS586128 A JP S586128A JP 56103359 A JP56103359 A JP 56103359A JP 10335981 A JP10335981 A JP 10335981A JP S586128 A JPS586128 A JP S586128A
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slit
missing
laser beam
power density
photomask
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幹雄 本郷
Katsuro Mizukoshi
克郎 水越
Takeoki Miyauchi
宮内 建興
Masao Mitani
正男 三谷
Masaaki Okunaka
正昭 奥中
Takao Kawanabe
川那部 隆夫
Isao Tanabe
田辺 功
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    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract

PURPOSE:To correct the defect of the photo-mask in high quality by detecting the size of a laser irradiating region and mounting a mechanism which can set a condition optimum for the size. CONSTITUTION:A metallic complex film 4 is formed onto a substrate 1 so as to coat the defect 3 generated to mask patterns 2 shaped by chromium, chromium oxide or these multilayers. Laser beams are irradiated to the film 4, and the precipitated film 6 of a metal, a metal oxide or the mixture is precipitated. A metallic complex of a section not precipitated is removed. Here, a solution obtaind by adding silver nitrate, carboxylic acid and an additive to an organic solvent is used as a metallic complex material. Silver carboxylic acid salt among the silver salt excellently dissolves into the organic solvent, and forms a superior film even when the organic solvent is evaporated.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフォトマスクの白点欠陥(欠落欠M)修正方法
とその装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method and apparatus for correcting white spot defects (missing defects M) on a photomask.

フォトマスクに発生する欠陥のうち黒点欠陥(残留欠1
iilI)についてはレーザによる修正(特公昭52−
9508 )で大巾な工程短縮が実現できている。一方
欠落欠陥、即ち正常なノくターンの一部が欠落する様な
欠陥についてはリフトオフ法が用いられている。このり
7トオフ法は(1)欠落欠陥を有するフォトマスク全面
にポジ減レジストを塗布する工程。
Among the defects that occur on photomasks, black spot defects (residual defects 1)
Regarding iii), correction by laser
9508), a significant process reduction has been achieved. On the other hand, the lift-off method is used for missing defects, that is, defects in which a part of a normal notch is missing. The 7-off method is (1) a step of applying a positive-reducing resist to the entire surface of a photomask having missing defects.

(2)部分露光法を用いて欠落欠陥部のみに露光を行う
工程、 (5)  現偉処理により欠落欠陥部Kj!lをあける
工程、 (4)  真空蒸着技術により欠落欠陥部とその周辺あ
るいはフォトマスク全面に金属膜を形成する工程、 (5)  レジスト除去を行い、同時にレジスト上に形
成されてiる金属膜も除去する工程、とかうなっており
、非常に多くの工程シよび時間を要する欠点があった。
(2) A process of exposing only the missing defective part using a partial exposure method; (5) A step of exposing only the missing defective part Kj! by the exposure process. (4) Step of forming a metal film on the missing defect portion and its surroundings or the entire surface of the photomask using vacuum evaporation technology; (5) Removing the resist and at the same time removing the metal film formed on the resist. It has the disadvantage that it requires a large number of steps and time to remove it.

tた、シーずによる部分蒸着を用い良方法も提案されて
いるが、精f#膜強度、膜の均一性など実用上の問題点
が多い。
A good method using partial vapor deposition using seeds has also been proposed, but there are many practical problems such as the strength of the fine f# film and the uniformity of the film.

これら欠点をなくシ、少ない1楊9時間で、しかも精度
よく均一な膜を形成する欠落欠陥修正方法として、欠落
欠陥を有するフォトマスク全面あるいは欠落欠陥部とそ
の周辺部のみに金属錯体を塗布し、欠落欠陥部のみにレ
ーザな照射することにより金属を析出させて欠陥を修正
する方法が提案されている。本発明はこの金属錯体を利
用した欠落欠陥修正方法の改良に関するものである。
As a method for repairing missing defects that eliminates these defects and forms a highly accurate and uniform film in less than 1 x 9 hours, a metal complex is applied to the entire surface of the photomask having missing defects or only to the missing defect areas and their surrounding areas. A method has been proposed in which the defect is corrected by depositing metal by irradiating only the missing defect with a laser beam. The present invention relates to an improvement in a method for repairing missing defects using this metal complex.

即ち本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくしフ
ォトマスク欠陥の修正を高品質に行うための方法および
装置を提供する忙ある。
That is, an object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art described above and to provide a method and apparatus for correcting photomask defects with high quality.

ところで塗布された金属錯塩にシーず光を照射して金属
を析出させて欠陥(正常パターンの一部が欠落した欠陥
)を修正する場合、シーず照射領域の大きさく即ち欠陥
の大きさ)Kより最適なシーず照射パワー密度が異なる
By the way, when a coated metal complex salt is irradiated with sheath light to precipitate metal to correct a defect (a defect where a part of the normal pattern is missing), the size of the sheath irradiation area, that is, the size of the defect) K The more optimal sheath irradiation power density is different.

そこで本発明はレーザ照射領域の火車さを検出し、その
大きさに最適な条件に設定できる機構を備えるととkよ
り、高品質な欠陥修正な行うものである。
Therefore, the present invention provides a mechanism for detecting the size of the laser irradiation area and setting the optimum conditions according to the size, thereby achieving high-quality defect correction.

以下本発明を図に従りて詳細kwi明する。まず、金属
錯体にレーザを照射して金属金属酸化物を析出させ、欠
陥を修正する工場を第1図に示す。
The present invention will be explained in detail below with reference to the drawings. First, FIG. 1 shows a factory in which defects are corrected by irradiating a metal complex with a laser to precipitate a metal oxide.

(a)  ガラス基板1上にり四ム、酸化クロムあるい
はそれらの多層で形成されたマスクパターン2に生じた
欠落欠陥部を覆う様に金属錯体を塗布乾燥し、金属錯体
膜4を形成する。
(a) A metal complex is coated on a glass substrate 1 so as to cover the missing defective portions that occur in the mask pattern 2 formed of chromium oxide, chromium oxide, or a multilayer thereof, and dried to form a metal complex film 4.

<h)  少なくとも欠落欠陥部を含む領域の金属錯。<h) Metal complex in the region including at least the missing defect part.

体膜4にレーザ光5を照射し、シー望光5の照射された
領域に金属、金属酸化物あるいはその混合物の析出膜6
を析出させる。
The body membrane 4 is irradiated with a laser beam 5, and a deposited film 6 of metal, metal oxide, or a mixture thereof is formed on the area irradiated with the laser beam 5.
is precipitated.

(C)  レーザ照射後、未析出部の金属錯体を除去す
る。その後必要に応じて洗浄、熱処理等を行う。
(C) After laser irradiation, remove the unprecipitated metal complex. Thereafter, cleaning, heat treatment, etc. are performed as necessary.

ここで用いる金属錯体材料としては有機溶媒に硝酸銀、
カルボン酸および添加剤を加え九溶液が用いられる。こ
の時溶液中でカルボン酸銀塩が溶解した状態で形成され
る。銀塩の中でもカルボン酸銀塩が好ましく用いられる
のは有機溶媒によ〈溶解し、有機溶媒を蒸発させて41
L好な膜を形成するためである。カルボン酸としてハ各
種のものが使用可能であるが、カルボン酸基を2つもつ
ジカルボン酸、その中でもシトラコン酸が特に成膜性に
すぐれている。tた有機+1#、!−してアルコール系
、七日ソルプ系、カルピトール系、グリコール系の有機
溶媒の他ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアンド
、ジメチルホルムアミド等が使用可能であるが、メチル
セロソルブ、アセトニトリル、アセチルアセトン、およ
びジメチルスルホキシドの混合液が最適である。
The metal complex materials used here include silver nitrate and organic solvent.
Nine solutions are used to add carboxylic acid and additives. At this time, carboxylic acid silver salt is formed in a dissolved state in the solution. Among the silver salts, carboxylic acid silver salts are preferably used by dissolving them in an organic solvent and evaporating the organic solvent.
This is to form a good film. Although various carboxylic acids can be used, among dicarboxylic acids having two carboxylic acid groups, citraconic acid has particularly excellent film-forming properties. It was organic +1#,! In addition to organic solvents such as alcohol-based, Seven-day Solp-based, carpitol-based, and glycol-based solvents, dimethyl sulfoxide, dimethyl acetoand, dimethyl formamide, etc. can be used; however, a mixture of methyl cellosolve, acetonitrile, acetylacetone, and dimethyl sulfoxide can be used. Liquid is best.

さらに析出された金属J[または金属酸化物膜あるいは
その混合物膜と基板の密着性を向上させるKFiチタン
アルコレートを添加することで目的を達せられるがチタ
ンテトラブチラードが最適である。前F)1!11を塗
布液として塗布乾燥し0.1〜1μ馬の錯体膜を形成し
、所定部分にレーダを照射する。レーザ照射により金属
l//&ま危は金属酸化物膜あるいはその混合物膜を析
出させた後、メチルセロソルブま九はアセトニトリルあ
るいは両者の混合液で洗浄するととにより析出した部分
以外の錯体膜を完全に除去することができる。その後紫
外線炉で30秒〜5分間ベーキングすることKより析出
膜強度および基板への接着強度を向上することができる
The objective can be further achieved by adding KFi titanium alcoholate which improves the adhesion between the precipitated metal J [or metal oxide film or its mixture film and the substrate], but titanium tetrabutylide is most suitable. F) 1!11 is applied as a coating liquid and dried to form a complex film of 0.1 to 1 μm, and a predetermined portion is irradiated with radar. After a metal oxide film or a mixture thereof is deposited by laser irradiation, methyl cellosolve is washed with acetonitrile or a mixture of both to completely remove the complex film other than the precipitated part. can be removed. Thereafter, baking in an ultraviolet oven for 30 seconds to 5 minutes can improve the strength of the deposited film and the strength of adhesion to the substrate.

こζでし〜ザ照射はfs2図に示す様にシー簀発振器(
図示せず)より発振されたレーザ光5を任意の寸法に変
化できる可変スリット7により矩形に成形され対物レン
ズ8により、可変スリット7の実儂が結ぶ位置に置かれ
た欠@?を有するフォトマスク10上に対物レンズ80
倍率の逆数の大きさでシー望光が矩形に集光される第2
図に示した光学系により、前記錯体膜を約(1,21m
の厚さに形成した試料に照射領域の火車さと照射部にお
けるパワー密度を変えて析出させた結果をtsS図に示
す。図中において実線の上の領域はパワー密度が高すぎ
て、析出した膜がレーザにより損傷を受け、破線の下側
の領域はパワー密度が低すぎて洗浄により析出膜が脱落
する恐れの大きい領域である。即ち、実線と破線で8★
れた領域が適正な条件範囲であり。
The irradiation is performed using a sea oscillator (see the fs2 diagram).
(not shown) is formed into a rectangular shape by a variable slit 7 that can change the size to any size, and an objective lens 8 places the laser beam 5 at a position where the actual size of the variable slit 7 connects. An objective lens 80 is placed on a photomask 10 having a
The second beam is focused into a rectangular shape with the size of the reciprocal of the magnification.
The optical system shown in the figure allows the complex film to be spread approximately (1.21 m
The tsS diagram shows the results of depositing on a sample formed to a thickness of 200 nm by changing the power density of the irradiation area and the power density at the irradiation part. In the figure, the area above the solid line is where the power density is too high and the deposited film will be damaged by the laser, and the area below the broken line is where the power density is too low and there is a high risk that the deposited film will fall off during cleaning. It is. In other words, the solid line and the broken line are 8★
The area covered by this is the appropriate condition range.

一点鎖線で示した条件が最適であったにζで横軸は照射
領域の寸法(正方形に照射し九場合の一辺の長さ)、縦
軸は照射部のレープパワー書度である。照射領域の寸法
(5))が2μ講〜sosw*の範囲にお−てはレーダ
パワー重度ψ)の間に5xp−一定 の関係を満す条件が最適であった。
The conditions shown by the one-dot chain line were optimal. The horizontal axis is the size of the irradiation area (the length of one side when irradiating a square), and the vertical axis is the rape power level of the irradiation area. In the range of the irradiation area size (5) from 2 μm to sosw*, the optimum condition was that the radar power severity ψ) satisfied the 5xp-constant relationship.

篤5図に示したのは正方形の領域に照射した場合の結果
であるが、照射領域が長方形の場合には照射領域の面積
の平方根を寸法(5)とした場合のパワー密度が最適で
ありた。九だし照射領域の短辺と長辺が1:5以上の長
方形の場合には数ケ所に分割して頴に照射した方が良好
であった。
Figure 5 shows the results when a square area is irradiated, but when the irradiation area is rectangular, the optimum power density is when the square root of the area of the irradiation area is taken as the dimension (5). Ta. When the nine-dashi irradiation area had a rectangular shape with a ratio of short side to long side of 1:5 or more, it was better to divide the area into several areas and irradiate the skin.

第5図は有機溶IK硝酸#1.カルボン酸および添加剤
を加えた溶液を厚さ昭μmの膜に形成して用iた場合の
結果であり、適正パワー密度は錯体の組成および膜厚に
より変化する。
Figure 5 shows organic solution IK nitric acid #1. These are the results when a solution containing carboxylic acid and additives is used to form a film with a thickness of 1.5 μm, and the appropriate power density varies depending on the composition of the complex and the film thickness.

また金属錯体溶液として有機溶媒に硝酸銀。Also silver nitrate in an organic solvent as a metal complex solution.

カルボン酸および添加剤を加えたIIIIKついて説明
して来危が本方法はそれに@定されるものではなく狭義
の意味での金属錯体、即ち1つあるいはそれ以上の金属
を中心原子としてそれに他の原子f&は原子団、つ★り
配位子が結合して1′)の原子集団を作りている時の原
子集団以外に、通常の溶液反応で生成する金属塩な含む
概念のものにも適用で自る。
The present method is not limited thereto, but rather refers to metal complexes in the narrow sense, i.e., metal complexes with one or more metals as the central atom and other metal complexes. Atom f& is an atomic group, and in addition to the atomic group when diagonal ligands combine to form the atomic group 1'), it also applies to the concept including metal salts produced in normal solution reactions. Self-defense.

以上述べて来た修正方法をII施するための修正装置の
一例を示す。
An example of a correction device for carrying out the correction method II described above will be shown.

ls4図に示される実施例の欠陥修正装置はAyレシー
発振器11、シレず光50光路を−げる九めのにツー1
2.シヤツタ15、ズーム光学系14とその駆動装置5
1.レーザ光を対物レンズ8の方向へ曲げるメイク四イ
ックミラー15、対物レンズ8に向うレーザ光5の光路
上に配置され九矩形開ロスリット7とそO駆−装置16
およびスリット位置を検出するための検出値R17、ノ
・−7電ツー18.対物レンズ8.フォトマスク10の
マスクパターン2を観察および位置合せを行う照明光源
19とノ・−7ミラー20と観察光学系21とレーザカ
ットフィルタ22、スリット照明“光源25と干渉フィ
ルタ24.フォトマスク10のパターン2゛と矩形開口
スリット70投影−を観察し表示するハーフミラー25
とシレずカットラ4ルタ26と撮像装置27と峰二りT
i2B、7オトマ哀り10を載置するX−Yテーブル2
9とその駆−装置go、X−Yテーブル29の駆動装置
50とクヤツタ15の制御をし、かつ矩形開口スリット
7の駆動装置16を制御してその時の矩形開口の寸法を
検出する検出装置17からの信号によりレーザ照射領域
の寸法を判定し、×−ム光学系14の駆動装置を制御し
て最適パリ−密度が得られるビーム径に制御する制御装
置52を備えて構成されてiる。  。
The defect correction device of the embodiment shown in Fig. ls4 includes an Ay receiver oscillator 11 and a ninth tool 1 which generates 50 optical paths of non-receiving light.
2. Shutter 15, zoom optical system 14 and its driving device 5
1. A make-up mirror 15 that bends the laser beam toward the objective lens 8, a nine rectangular open loss slit 7 disposed on the optical path of the laser beam 5 toward the objective lens 8, and an O drive device 16 therefor.
and detection value R17 for detecting the slit position, No.-7 electric tool 18. Objective lens8. An illumination light source 19 for observing and aligning the mask pattern 2 of the photomask 10, a No. 7 mirror 20, an observation optical system 21, a laser cut filter 22, a slit illumination light source 25, and an interference filter 24. Pattern of the photomask 10. A half mirror 25 for observing and displaying the projection of the rectangular aperture slit 70
And Shirezu Cutler 4 Ruta 26 and Imaging Device 27 and Minejiri T
X-Y table 2 on which i2B, 7 Otoma Airi 10 is placed
9 and its drive device go, a detection device 17 that controls the drive device 50 of the X-Y table 29 and the drive device 15, and also controls the drive device 16 of the rectangular opening slit 7 to detect the dimensions of the rectangular opening at that time. The control device 52 determines the dimensions of the laser irradiation area based on signals from the laser beam, and controls the drive device of the x-luminescent optical system 14 to control the beam diameter to obtain the optimum paris density. .

そして前記jrシレー発振器11から発振されたレーダ
光5はメイク四イックミラー15により光路な曲げられ
、X−1両方向の巾を独立に設定で―る矩形開ロスリッ
)7に達し、任意の大m−aの矩形に成形される。
The radar light 5 oscillated from the JR Schiller oscillator 11 is bent in its optical path by a make-up mirror 15, and reaches a rectangular open loss filter 7 whose width in both X-1 directions can be set independently. - It is formed into a rectangular shape of a.

前記矩形間6スリツト7により任意の矩形に成形された
レーザ光5はノー−フンクー25.18を透過し、対物
レンズ8により集光されて欠落欠陥を有するフォトマス
クIOK照射される。ζζでフォトマスク10および矩
形開口スリット7は矩形開口スリット7の儂が対物レン
゛ズ6により対物レンズ80倍率の逆数の火車さ、即ち
対物レンズ80倍率を1倍とすると/HK縮少されて投
影される位置関係に置かれる。
The laser beam 5 formed into an arbitrary rectangular shape by the six inter-rectangular slits 7 passes through the No-Funk 25.18, is focused by the objective lens 8, and is irradiated onto the photomask IOK having the missing defect. In ζζ, the photomask 10 and the rectangular aperture slit 7 are reduced by the objective lens 6 to the reciprocal of the 80 magnification of the objective lens, that is, when the 80 magnification of the objective lens is 1, /HK is reduced. placed in the projected position.

フォトマスク10のバタ゛−ン2の観察および位置合せ
は照明光源19からの光を/S−フ々ツー2018で結
合することKより観察光学系21により行うことができ
る。また観察光学系21には作業者の安全のためシレず
光カットフィルタ22が配置されている。
Observation and alignment of the pattern 2 of the photomask 10 can be performed by the observation optical system 21 by combining the light from the illumination light source 19 with the /S-function 2018. Further, a shading light cut filter 22 is arranged in the observation optical system 21 for the safety of the operator.

さらに、スリット照明光源25の光は干渉フィルタ24
により特定の波長のみ透過し、メイク闘イックンラ″−
15を透過し、矩形開ロ°スリット70投影儂として対
物レンズ8によりフォトマスり10上に結偉される。こ
こでグイクロイックミ1)−15はシーず光5の波長の
み反射し、スリット照明光の特定波長を透過する特性を
有する。
Furthermore, the light from the slit illumination light source 25 is filtered through an interference filter 24.
This allows only specific wavelengths to pass through, making it extremely difficult to make waves.
15 and is projected onto the photomass 10 by the objective lens 8 as a projection through the rectangular opening slit 70. Here, the light beam 1)-15 has a characteristic of reflecting only the wavelength of the sheath light 5 and transmitting a specific wavelength of the slit illumination light.

そしてこのスリット照明光による矩形開口スリット7の
像も観察光学系旧により観察することができる。
The image of the rectangular opening slit 7 created by this slit illumination light can also be observed using the observation optical system.

さらにま九、ハーフミ9−25.レーずカットフィルタ
26.および撮像装di!27によりフォトマスク10
のパターン2や矩形開口スリット・7の投影像をモニタ
I〆28により鋪察することもできる・欠幡欠pi55
を有するフォトマスク10の上には金属錯体溶液が塗布
され、乾燥により金属錯体JI[4が形成されている。
Further Maku, Halfumi 9-25. Rays cut filter 26. and imaging device di! Photomask 10 by 27
It is also possible to observe the projected image of pattern 2 and rectangular opening slit 7 on the monitor I〆28.
A metal complex solution is applied onto the photomask 10 having the above, and a metal complex JI[4 is formed by drying.

欠落欠陥部55が矩形スリット70投影儂と一致する様
にX−Yテーブル29で調整てきる様になりている。ま
た、 X−Yテーブル29は手動および駆動装置50に
より駆動できる。
The missing defect portion 55 can be adjusted using the X-Y table 29 so that it coincides with the projection of the rectangular slit 70. Further, the X-Y table 29 can be driven manually or by a drive device 50.

観察光学系21ある−は峰二りTF28により観察しな
がら矩形開口スリット7の巾を調整し、投影像を欠落欠
陥部5Mの大きさに一致させる。この時スリット位置検
出装置17によりX−Y両方向のスリット中を検出し、
その巾KThける最適パワー密度を制御装置52を算出
しズーム光学系14の駆動装置31を駆動して最適パワ
ー密度が得られるビーム径にする。
The observation optical system 21 adjusts the width of the rectangular aperture slit 7 while observing with the peaked TF 28 to make the projected image match the size of the missing defect portion 5M. At this time, the slit position detection device 17 detects the inside of the slit in both the X and Y directions,
The control device 52 calculates the optimum power density by the width KTh, and drives the drive device 31 of the zoom optical system 14 to set the beam diameter to obtain the optimum power density.

全ての設定が終了するとジャツメ1sを開−てシーず光
5を欠落欠陥部SSK照射する。この時レーザ光5はス
リット照明光による矩形開口スリット70投影像と全く
同一〇領域に照射される。
When all the settings are completed, the shutter 1s is opened and the sheath light 5 is irradiated to the missing defective part SSK. At this time, the laser beam 5 is irradiated onto exactly the same area as the projected image of the rectangular opening slit 70 by the slit illumination light.

ここでシーず光5をON 、OFFする九めにシャッタ
15を使用しているが、電気光学ある鱒は音響光学効果
による変調!によっても同様の動作が行なえるし、さら
KArレーシー振器11の電源を制御することにより行
なうむ、ともできる。
Here, the shutter 15 is used to turn on and off the sheath light 5, but the electro-optic trout is modulated by the acousto-optic effect! The same operation can also be performed by controlling the power supply of the KAr Lacey oscillator 11.

前記制御装置52は、りぎの機能を持つ。すなわち、欠
陥検査装置で検出された位置情報を磁気媒体などから読
み取り、 X−Yテーブル29の駆能と、スリット位置
検出装置17からの信号な受けとり矩形開口スリット7
0寸法(すなわちフォトマスク10上に投影された矩形
形状のI倍二Mは対物レンズの倍率)を算出しその寸法
から最適なパワー密度を算出する機能と、その最適パワ
ー密度を得るのく必要なビーム径を算出して、ズーム光
学系14の駆動装置51を駆動して所定のビーム径に調
整する機能と、適正な条件でシャッタ1iToるいは変
調器、電源を制御することによりレーザ光5をON、O
FFする機能とを有する。i九欠落欠陥部S3の火車さ
があらかじめわかりている場合には、矩形開口スリット
7の巾を変化させるための駆動装置1i271に:駆動
してスリット中を設定することも可能である。
The control device 52 has a gate function. That is, the position information detected by the defect inspection device is read from a magnetic medium or the like, and the rectangular opening slit 7 is used to drive the X-Y table 29 and receive signals from the slit position detection device 17.
It is necessary to have a function to calculate the 0 dimension (that is, I times 2 M of the rectangular shape projected on the photomask 10 is the magnification of the objective lens) and calculate the optimal power density from that dimension, and to obtain the optimal power density. By calculating the beam diameter and adjusting the beam diameter to a predetermined value by driving the drive device 51 of the zoom optical system 14, and by controlling the shutter 1iTo, modulator, and power supply under appropriate conditions, the laser beam 5 is ON, O
It has a function of FF. If the width of the missing defective portion S3 is known in advance, it is also possible to set the width of the rectangular opening slit 7 by driving the drive device 1i271 for changing the width of the rectangular opening slit 7.

ここでレーザ光5をON、OFFする適正な条件とは例
えば照射されたレーザ光5のフォトマスク10を透過す
る光量を検出し、その透過光量の変化から金属等、の析
出状態を判定して得られる条件を含むtのである。
Here, the proper conditions for turning on and off the laser beam 5 are, for example, detecting the amount of light transmitted through the photomask 10 of the irradiated laser beam 5, and determining the state of precipitation of metal etc. from the change in the amount of transmitted light. t containing the conditions obtained.

次に前記第41に示される欠陥修正装置を使用してフォ
トマスク10の欠落欠陥A5を修正する方法の一態様を
説明する。欠落欠陥s5′6を有するフォトマスク10
の全面あるiは欠落欠陥!墨とその周辺11に銀錯体溶
液等の金属錯体溶液を塗布、乾燥し、金属錯体膜4を形
成した後、X−Yテーブル29上に載置し、欠陥検査装
置からの位置情報をもとに制御−置!2によりテーブル
駆動装置50を駆動して少なくともttas光学系21
あるいは撮像装置27の視野内に欠落欠陥部が入る様に
する。ついでスリット照明光源2iSKよる矩形開口ス
リット70投影像を観察しなからx−Yテーブル29に
よる稽位置決めおよびスリット駆動装置16を駆動して
スリット中の設定を行う。この時、矩形開口スリット7
の投影像が正常パターンからはみ出ない様に1かつ欠落
欠陥部SSを十分に覆うように調整する。ここで、スリ
ット位置検出装置17により1例えば光軸(光学系の中
心)を原点としたスリット先端位置までの距離に押当す
る信号を制御装、置s2へ送り、X方向の2信号、Y方
向の2信号から、矩形開゛口の寸法を算出する。ついで
制御装置s2においてこの寸 、法における最適パワー
密度を近似式あるいはメモリ部忙記憶しであるテーブル
から判定して決定する。即ち第5図に示した例では最適
パワー密度Pとスリット寸法(投影面上での寸法)Sの
間でPxS w一定の関係があることから、 10μ罵
口におけるパワー密度が400 oWAとなる−に設定
しておけば、スリット寸法が20μ鷹口(10μ肩口の
2倍)の場合にはパワー密度は2000W/111 、
即ちズーム駆動装置siを駆動してビーム径をf倍忙広
ければ良い。(パワー密度はビーム径の2乗に反比例す
る)全ての設定が完了し九後、自動的にあるいは作業者
の指示によりシャッタ15を開いてArレーザ発振器1
1から発振されたレーザ光5を欠落欠陥部s3に照射す
る。次に一定時間、あるいは金属等の析出状態をモニタ
しながら照射した後適正条件でシャッタ15へ信号を送
りレーザ光5の照射を停止させる。
Next, one aspect of a method for correcting the missing defect A5 of the photomask 10 using the defect correction apparatus shown in the forty-first embodiment will be described. Photomask 10 with missing defect s5'6
The entire i is a missing defect! After applying a metal complex solution such as a silver complex solution to the black ink and its surrounding area 11 and drying it to form a metal complex film 4, it is placed on an X-Y table 29, and based on the position information from the defect inspection device. Control-place! 2 drives the table driving device 50 and at least the ttas optical system 21.
Alternatively, the missing defective portion may be placed within the field of view of the imaging device 27. Next, while observing the projected image of the rectangular opening slit 70 by the slit illumination light source 2iSK, positioning is performed using the x-y table 29 and the slit driving device 16 is driven to set the inside of the slit. At this time, the rectangular opening slit 7
Adjustment is made so that the projected image does not protrude from the normal pattern and sufficiently covers the missing defective portion SS. Here, the slit position detection device 17 sends a signal that presses the distance from the optical axis (the center of the optical system) to the slit tip position to the control device s2, and sends two signals in the X direction and Y The dimensions of the rectangular opening are calculated from the two direction signals. Then, in the control device s2, the optimum power density for these dimensions and dimensions is determined by judging from an approximate formula or a table stored in the memory section. That is, in the example shown in Fig. 5, since there is a certain relationship PxSw between the optimum power density P and the slit size (dimension on the projection plane) S, the power density at 10μ swearing is 400oWA. If you set it to
That is, it is sufficient to drive the zoom drive device si to widen the beam diameter by f times. (The power density is inversely proportional to the square of the beam diameter.) After all settings are completed, the shutter 15 is opened automatically or according to the operator's instructions, and the Ar laser oscillator 1 is opened.
A laser beam 5 oscillated from 1 is irradiated onto the missing defect portion s3. Next, after irradiating for a certain period of time or while monitoring the state of precipitation of metal, etc., a signal is sent to the shutter 15 under appropriate conditions to stop the irradiation of the laser beam 5.

以上により前記金属錯体l[4にレーザ光5を照射し、
金属膜を析出させることKより、フォトマスク10の欠
落欠陥55が修正もれる。
As described above, the metal complex l[4 is irradiated with laser light 5,
By depositing the metal film, the missing defect 55 of the photomask 10 is repaired.

これで−個の欠落欠陥3sの修正が終了し、必要に応じ
て観察した後、作業者からの修正完了の信号が出される
と、次の欠陥位置へX−Yテーブル29を駆動する。全
ての欠落欠陥部35に金属膜を析出させた後、フォトマ
スク10は洗浄により、金属が析出した部分以外の金l
I4一体膜4を除去し、必要に応じて熱処理を加えた後
、修正作業は終了する。
This completes the correction of - number of missing defects 3s, and after observing if necessary, when the operator issues a signal indicating completion of correction, the X-Y table 29 is driven to the next defect position. After the metal film has been deposited on all the missing defective parts 35, the photomask 10 is cleaned to remove the gold film from the parts other than the parts where the metal has been deposited.
After removing the I4 integral film 4 and applying heat treatment if necessary, the repair work is completed.

第5図にフォトマスク欠落欠陥修正装置の別な一例を示
す。この第5図に示される修正装置は第4図に示される
修正装置と比較して次の点が異なる。即ちダイクロイッ
クミノ−S4の裏側に所定の大きさを有するアバ′−チ
ャ板35と光量検出器56を備えている点である。ダイ
クロイックミラー54はレーザ光5の大部分は反射、一
部分例えば1係を透過し、干渉フィルタ24で特定の波
長に1択されたスリット照明用光源25からの光を透過
する特性を有する。ダイクロイックミラー34を透過し
たシー°東弐の一一分5′は一定の面積を有するアパー
チャを有する敏B5によりビームの中心部のみが通過し
光検出器561ft受光される。ここでグイクロイツク
ミ2−54のシー簀光5に対する透過率とアノ(−チャ
35の面積が既知であればスリット7面上における・〕
(ワー密度即ちフォトマスク10上における)(ワー密
度が算出できる。このことから、矩形開口スリット7の
スリット寸法を検出し、制御装置32においてその寸法
における最適)(ワー密度を近似式あるいはメモリに記
憶しであるテーブルより決定した後、光量検出器36か
らの信号と比較しながら、ズーム駆動装置51によりズ
ーム光学系14を駆動してビーム径を変化させ、光量検
出器56カ1らの信号と最適パワー密度が一致するかあ
るいは一定の誤差内(例えば±5%)に入った−にズー
ム駆動装置s1を停止させれば良い。以上により、フォ
トマスク10上におけるレーザ光5の照射パワー密度は
最適値に設定することができる。
FIG. 5 shows another example of the photomask missing defect correction apparatus. The correction device shown in FIG. 5 differs from the correction device shown in FIG. 4 in the following points. That is, an aperture plate 35 having a predetermined size and a light amount detector 56 are provided on the back side of the dichroic minnow S4. The dichroic mirror 54 has a characteristic of reflecting most of the laser beam 5, transmitting a portion, for example, the first beam, and transmitting the light from the slit illumination light source 25 selected at a specific wavelength by the interference filter 24. Only the center portion of the beam transmitted through the dichroic mirror 34 passes through the beam B5, which has an aperture having a certain area, and is received by a photodetector 561ft. Here, the transmittance of Guikuroitsukumi 2-54 to the screen light 5 and that (-on the slit 7 surface if the area of 35 is known)
(Word density, that is, on the photomask 10) (The word density can be calculated. From this, the slit size of the rectangular opening slit 7 is detected, and the control device 32 calculates the optimum word density for that size) using an approximate formula or memory. After determining the value from a memorized table, the zoom optical system 14 is driven by the zoom drive device 51 to change the beam diameter while comparing it with the signal from the light amount detector 36, and the signal from the light amount detector 56 is changed. It is sufficient to stop the zoom drive device s1 when the optimum power density matches or falls within a certain error (for example, ±5%).As described above, the irradiation power density of the laser beam 5 on the photomask 10 can be set to an optimal value.

次に、第4図および第5図に示した修正装置に使用する
ズーム光学系14について説明する。
Next, the zoom optical system 14 used in the correction device shown in FIGS. 4 and 5 will be explained.

W46図に示すのはズーム光学系14の一例で凹しンズ
58、凸レンズ59.凹レンズ40.および凸レンズ4
1から構成されており、アフォーカル・ズーム系(平行
光を入射した場合平行光として出力する)を構成してi
る。
Figure W46 shows an example of the zoom optical system 14, which includes a concave lens 58, a convex lens 59. Concave lens 40. and convex lens 4
1, which constitutes an afocal zoom system (when parallel light is input, it is output as parallel light).
Ru.

第6図(A)K示す様に凸レンズ39と凹レンズ40が
合さっている場合、入射するシー簀光5は最大ビーム径
で出力する。これに対して(@)k示す様に凸レンズ3
9と凹レンズ40がそれぞれ凹レンズ58と凸レンズ4
1と合さりている場合には最小ビーム径で出力する。凸
レンズ69および凹レンズ40が第6図t/I)と(1
)に示し穴位置の間を連続的に変化させることにより、
出力するビーム径は連続的に変化する。当然、各レンズ
の焦点距離を選択することKよりビーム径を縮小するこ
ともで自る。
When the convex lens 39 and the concave lens 40 are combined as shown in FIG. 6(A)K, the incident filtered light 5 is output with the maximum beam diameter. On the other hand, as shown in (@)k, the convex lens 3
9 and concave lens 40 are respectively concave lens 58 and convex lens 4.
1, output with the minimum beam diameter. The convex lens 69 and the concave lens 40 are shown in FIG.
) By continuously changing the hole position shown in
The output beam diameter changes continuously. Of course, the beam diameter can also be reduced by selecting the focal length of each lens.

上記アフォーカル・ズーム系の他1例えばカー メツ用
ズームレンズと固定焦点距離の集光レンズを組合せるこ
とにより全く同一の機能を得ることができる。。
In addition to the above-mentioned afocal zoom system, the same function can be obtained by combining, for example, a camera zoom lens and a condensing lens with a fixed focal length. .

また第4図および第5図に示した修正装置において、パ
ワー密度を変化させる手段として、ズーム光学系14を
用い友場合について説明して来たが第7図に示す様に円
形透明基板42上にクロム、アルミニウム、ニクロム、
り′ロメル等の金属を局方向く厚さを変えて蒸着等によ
り形成した薄膜により透過率を連続的に変化させるフィ
ルタあるいは第8図に示す様に透明平板44゜44′を
光軸に垂直な面45に対して面対称となる様に設置し、
レーザ光5の入射角が連続的に変化する様(ただし光軸
に喬直な面45に対して面対称な関係を保り7’Ett
)K矢印で示した方向に回転させることにより、透過率
を連続的に変化させるフィルタを使用することにより、
目的は達せられる。
Furthermore, in the correction apparatus shown in FIGS. 4 and 5, we have explained the case where the zoom optical system 14 is used as a means for changing the power density, but as shown in FIG. chromium, aluminum, nichrome,
A filter in which the transmittance is continuously changed by a thin film formed by vapor deposition or the like using a metal such as Romel with varying thickness in the local direction, or a transparent flat plate 44°44' perpendicular to the optical axis as shown in Figure 8. installed so that it is plane symmetrical with respect to the plane 45,
The incident angle of the laser beam 5 changes continuously (however, it maintains a plane symmetrical relationship with respect to the plane 45 perpendicular to the optical axis, 7'Ett
) By using a filter whose transmittance changes continuously by rotating it in the direction shown by the K arrow,
The purpose will be achieved.

ズーム光学系14と第7図あるいは第8図に示したフィ
ルタを併用することKより、同様の機能が得られること
も明らかである。第7図および第8図に示したフィルタ
を使用する場合、レーザ光5が照射される最大面積まで
十分に均一なビームのパワー分布が得られる様あらかじ
めビーム径を拡大する等の手段を構じておく必要がある
It is also clear that a similar function can be obtained by using the zoom optical system 14 and the filter shown in FIG. 7 or 8 in combination. When using the filters shown in FIGS. 7 and 8, measures such as enlarging the beam diameter must be taken in advance to obtain a sufficiently uniform beam power distribution up to the maximum area irradiated with the laser beam 5. It is necessary to keep it.

本発明を実施するためのシレずとしては連続発振のレー
ザ光が好ましく、実施例ではAyレシー発振器を用いた
場合について説明して来たが近赤外、可視、紫外の波長
を持つレーザであれば良い。この中にはYAGレーザの
基本波、1s2高調波および第3高調波、Krレーザ、
 Ih−Cdレーザ、連続発振シレず励起Dyaレーザ
および、4rレーザが含まれるが可視の短波長側から近
紫外の領域が望ましい。
Continuous wave laser light is preferable as a source for carrying out the present invention, and although the case where an Ay receiver oscillator is used has been explained in the embodiments, laser light with near-infrared, visible, or ultraviolet wavelengths may be used. Good. This includes the fundamental wave of YAG laser, 1s2 harmonic and third harmonic, Kr laser,
Ih-Cd lasers, continuous wave continuous pumping Dya lasers, and 4r lasers are included, but it is preferable to use short visible wavelengths to near ultraviolet wavelengths.

以上説明したように本発明によれば従来の9フトオフ法
に比較して少ない工程でかつ/、。の時間で欠落欠陥部
を修正でき、しかも欠落欠陥部に析出された金属膜、金
属酸化物膜tたはその混合物膜と基板の接着強度が大き
くかつm光性の十分な修正を高精度に行うことができ、
従りて半導体装置の生産歩留を大巾に向上しうる効果が
ある。
As explained above, the present invention requires fewer steps than the conventional 9-ft-off method. It is possible to repair the missing defect in a time of 100 minutes, and the adhesion strength between the metal film, metal oxide film, or a mixture thereof deposited on the missing defect and the substrate is high, and the optical property can be sufficiently repaired with high precision. can be done,
Therefore, the production yield of semiconductor devices can be greatly improved.

さらに本発明の装置によれば、前記欠落欠陥修正方法を
確実に実施化しうる効果を有する。
Furthermore, the apparatus of the present invention has the effect of reliably implementing the missing defect correction method.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明方法の工程を示す図、第2図は本発明方
法を実施するための光学系め説明図第1図は本発明方法
により欠落欠陥を修正する場合のレーザ光照射領の寸法
と最適ノくワー密度の関係を示す図、#!4図は本発明
方法を実施するための欠落欠陥修正装置の一例を示す系
統図第5図は欠落欠陥修正装置の他の一例を示す系統図
、第6図は本発明方法を実施するためのI(ワー密tL
@整手段としてのズーム光学系の一例を示す図、第7図
およびsIs図は同じく)(ワー密度調整手段としての
透過率連続可変フィルタを説明する図である。 5・・・レーザ光、   7・・・矩形開口スリット8
・・・対物レンズ、10・・・フォトマスク、11・・
・Arシレー発振器、13・・・シャツータ、14・・
・ズーム光学系。 15・・・グイクロイックミラー。 29・・・X−Yテーブル・ 17・・・スリット位置検出装置、 52・・・制御装置、 36・・・光量検出装置。 才 1 口 才 3WJ ゑ射R威の1迭S(μm) オキ図 1( 才5図 オ6図 CB> オフ罠 3 才8目 、44 第1頁の続き 0発 明 者 奥中牢昭 横浜市戸塚区吉田町292番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所丙 0発 明 者 用那部隆夫 0発 明 者 田辺功 小平市上水本町1450番地株式会 社日立製作所武蔵工場内
Fig. 1 is a diagram showing the steps of the method of the present invention, and Fig. 2 is an explanatory diagram of the optical system for carrying out the method of the present invention. Diagram showing the relationship between dimensions and optimum density, #! FIG. 4 is a system diagram showing an example of a missing defect correction apparatus for carrying out the method of the present invention. FIG. 5 is a system diagram showing another example of a missing defect correction apparatus for carrying out the method of the present invention. I (work density tL
@A diagram showing an example of a zoom optical system as an adjusting means, FIG. 7 and an sIs diagram are the same) (A diagram explaining a continuously variable transmittance filter as a word density adjusting means. 5... Laser light, 7 ...Rectangular opening slit 8
...Objective lens, 10...Photomask, 11...
・Ar oscillator, 13...Shirt oscillator, 14...
-Zoom optical system. 15... Guicroic mirror. 29... X-Y table, 17... Slit position detection device, 52... Control device, 36... Light amount detection device. Sai 1 Mouth 3 WJ 1 S (μm) Oki Figure 1 ( 5 Figure O 6 CB > Off Trap 3 8 Years Old, 44 Continuation of Page 1 0 Inventor Ryōaki Okunaka City of Yokohama 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku Hitachi, Ltd. Production Technology Laboratory C0 Author: Takao Yonabe 0 Author: Isao Tanabe 1450 Josui Honcho, Kodaira-shi Musashi Factory, Hitachi, Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 欠落欠陥を有するフォトマスクの少なくと4欠落
欠陥部とその周辺wnt*属錯体S*を塗゛布した後、
欠落欠陥部を含むレーザ照射領域の大さに応じたバ9−
V!R度に設定され九シーず光を前記レーザ照射値域に
照射して金属膜金属酸化物膜txはその混合物膜を析出
させることを特徴とするフォトマスクの欠落欠陥修正方
法。 2、金属錯体#液が有機#縄に少なくとも硝酸銀、カル
ボン鹸シよびチタンアルコレートを添加し九**である
こと**徴とする特許饋求範囲第1項記載のフォトマス
クの欠落欠陥修正方法。 毛 シーず光を発生する手段と鋏手段より発生したレー
ザ光を任意の大きさの矩形に成形するための矩形開口ス
リットと該矩形開口スリットで矩形に成形されたシーず
光を前記矩形開口スリットの縮少像として集光結像する
ための対物レンズと、欠落欠陥を有するフォト1スクを
載置す;6 X−Yテーブルと、前記矩形開口スリット
の寸法を検出する手段と、前記矩形開口スリットの縮少
像として集光結像されるレーザ光のパワー密度を任意に
変化させる手段と、前記シー望光をos、oippさせ
る手段と、欠陥位置の情報により鐘形−ロスリットの縮
少像と欠落欠陥位置が一歇する様K X−Yテーブルの
位置な制御する機能と前記矩形開口スリットの寸法を検
出する手段からの情報によりスリットの寸法を判定し、
その寸法における最適パワー密度を算出する機能と算出
された最適パワーfMRが得られるIIK前記レーザ光
のパワー密度を変化させる手段を制御する機能とシーず
光をopi 、oypさせる手段を制御する機能とを有
する制御装置とを備え九ことを特徴とするフォトマスク
の欠−欠陥修正装置。 4、 レーザ光を発生する手段と蚊手段より発生し九レ
ーザ光を任意の矩形に成形するための矩形開口スリット
と、該矩形開口スリットで矩形に成形されたレーザ光を
前記矩形開口スリットの縮少像として集光結儂するため
の対物レンズと、欠落欠陥を有するフォトマスクを載置
するX−Yテーブルと、前記矩形開口スリットの寸法を
検出する手段と、前記矩形開口スリットの縮少像として
集光結儂されるレーザ光のパワー密度を任意に変化させ
る手段と、前記変化されたシーず光のパワー密度を検出
する手段と、前記レーザ光をON、OFFさせる手段と
、欠陥位置の情報により矩形開口スリットの縮少像と欠
落欠陥位置が一致する様K X−Yテーブルの位置を制
御する機能と前記矩形開口スリットの寸法を検出する手
段からの情報によりスリットの寸法を判定しその寸法に
おける最適パワー密度を算出する機能と前記パワー密度
を検出する手段からの情報と算出され几最適パワー密度
とを比較して両者が一致するかあるいは一定誤差範囲内
に納まる様に前記レーザ光のパラ−密度を変化させる手
段を制御する機能とレーザ光をON、OFFする手段を
制御する機能とを有する制御装置とを備えたことを特徴
とするフォトマスクの欠落欠陥修正装置。 5、 前記制御装置は前記矩形開口スリットの寸法と最
適パワー密度の関係を近似式として記憶し、前記矩形開
口スリットの寸法を検出する手段からの情報により判定
したスリットの寸法におりる最適パワー密度を前記近似
式かマスクの欠落欠陥修正装置。 6、 前記制御装置は前記矩形開口スリットの寸法と最
適パワー密度の関係をテーブル(表)として記憶し、前
記矩形開口スリットの寸法を検出する手段からの情報に
より判定したスリットの寸法ニおける最適パワー密度を
前記テーブルを参照して決定する機能を有することを特
徴とする特許請求範囲第3項および第4項記載のフォト
マスクの欠落欠陥修正装置。′7、 前記レーザ光のノ
(ワー密度を変化させる手の゛ニジ・トーヘクの欠落欠
陥修正装置。 8、−記レーザ光のパワー密度を変化させる手第4JJ
I記載のフォトマスクの欠落欠陥修正装置。 9、 前記レーザ光を発生する手段として連続発振lr
レシー発掻器を備えたことを特徴とする特許請求の範西
第3項ト誉ゼ第4項記載のフォトiスク欠落欠陥修正゛
装置。
[Claims] 1. After applying the wnt* group complex S* to at least four missing defect areas and their surroundings of a photomask having missing defects,
Bar 9- according to the size of the laser irradiation area including the missing defect part
V! A method for repairing missing defects in a photomask, characterized in that the metal film and metal oxide film tx are deposited as a mixture film by irradiating the laser irradiation value range with nine-sea light set at an R degree. 2. Correction of missing defects in a photomask as described in item 1 of the scope of the patent application, characterized in that the metal complex #liquid is made by adding at least silver nitrate, carboxylic acid, and titanium alcoholate to an organic #rope. Method. A means for generating sheath light, a rectangular aperture slit for shaping the laser light generated by the scissor means into a rectangle of arbitrary size, and a sheath light formed into a rectangle by the rectangular aperture slit. an objective lens for condensing and forming a reduced image of the image, and a photo disk having a missing defect; 6. an X-Y table, a means for detecting the dimensions of the rectangular aperture slit, and a means for arbitrarily changing the power density of a laser beam condensed and imaged as a reduced image of the slit; means for making the optical beam os, oipp; and a reduced image of the bell-shaped Ross slit based on information on the defect position. The size of the slit is determined based on the function of controlling the position of the X-Y table and the information from the means for detecting the size of the rectangular opening slit,
A function to calculate the optimum power density for the dimensions, a function to control the means for changing the power density of the laser beam to obtain the calculated optimum power fMR, and a function to control the means to opi and oyp the sheath light. What is claimed is: 9. A photomask chipping/defect correction apparatus, comprising: a control device having a control device; 4. A means for generating a laser beam, a rectangular aperture slit for shaping the laser beam generated by the mosquito means into an arbitrary rectangle, and a rectangular aperture slit for shaping the laser beam into a rectangular shape by the rectangular aperture slit. An objective lens for condensing light as a small image, an X-Y table on which a photomask having a missing defect is placed, means for detecting the dimensions of the rectangular aperture slit, and a reduced image of the rectangular aperture slit. means for arbitrarily changing the power density of the laser beam condensed and condensed as a laser beam; means for detecting the changed power density of the sheath beam; means for turning the laser beam ON and OFF; Based on the information, the reduced image of the rectangular aperture slit matches the missing defect position K. The size of the slit is determined by the function of controlling the position of the The function of calculating the optimum power density for the dimensions and the information from the means for detecting the power density are compared with the calculated optimum power density, and the laser beam is adjusted so that the two match or fall within a certain error range. What is claimed is: 1. A photomask missing defect repairing device comprising: a control device having a function of controlling a means for changing para-density and a function of controlling a means for turning on and off a laser beam. 5. The control device stores the relationship between the dimensions of the rectangular opening slit and the optimum power density as an approximate expression, and determines the optimum power density that falls within the slit dimensions determined based on information from the means for detecting the dimensions of the rectangular opening slit. The approximation formula or mask missing defect correction device. 6. The control device stores the relationship between the dimensions of the rectangular opening slit and the optimum power density as a table, and calculates the optimum power for the slit dimension determined based on information from the means for detecting the dimensions of the rectangular opening slit. 5. The photomask missing defect correcting apparatus according to claim 3, further comprising a function of determining the density by referring to the table. '7. Device for correcting missing defects in the power density of the laser beam. 8. 4th JJ
The apparatus for correcting missing defects in a photomask according to I. 9. Continuous oscillation lr as means for generating the laser beam
An apparatus for correcting missing photo disk defects as set forth in claim 3 and claim 4, characterized in that it is equipped with a receipt scratcher.
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