JPS6140103B2 - - Google Patents

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JPS6140103B2
JPS6140103B2 JP17029179A JP17029179A JPS6140103B2 JP S6140103 B2 JPS6140103 B2 JP S6140103B2 JP 17029179 A JP17029179 A JP 17029179A JP 17029179 A JP17029179 A JP 17029179A JP S6140103 B2 JPS6140103 B2 JP S6140103B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photomask
white spot
spot defects
amount
Prior art date
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Expired
Application number
JP17029179A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5694350A (en
Inventor
Takeoki Myauchi
Katsuro Mizukoshi
Mikio Ppongo
Masaaki Okunaka
Masao Mitani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP17029179A priority Critical patent/JPS5694350A/en
Publication of JPS5694350A publication Critical patent/JPS5694350A/en
Publication of JPS6140103B2 publication Critical patent/JPS6140103B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72Repair or correction of mask defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は、IC,LSI等の製造に用いられるフオ
トマスクに生じた白点欠陥を修正する方法に関す
るものである。 フオトマスクに発生した白点欠陥はLSI等の生
産歩留まりに致命的な悪影響をもたらすものであ
り、白点欠陥を修正する技術が必要である。従来
からこの技術として白点欠陥部分に選択的に露光
を与えた後にエツチングを施すというリフト・オ
フ法が用いられていた。しかし、このようなリフ
ト・オフ法は、通常のパターンエツチングと同様
多くの修正工程と長時間に亘る多大の工数を必要
とするという欠点を有する。また、レーザ光を用
いて白点欠陥部分に部分蒸着を施すという方法も
提案されているが、この方法は精度、膜強度が悪
い等の実用上の問題点を有している。 本発明の目的は、上記した従来技術の有する欠
点および問題点を除去し、従来よりも簡略な工程
と短時間でできる少工数でしかも精度よくフオト
マスクに発生した白点欠陥を修正することができ
るフオトマスクの白点欠陥修正方法及びその装置
を提供することである。 本発明の上記目的を達成するため、本発明のフ
オトマスクの白点欠陥修正方法は、白点欠陥部分
を有するフオトマスクのすくなくとも1側面に金
属錯体溶液を塗布したのち、該白点欠陥部分に選
択的に可視光線または紫外光線を照射して金属ま
たは金属酸化物を析出させることによりフオトマ
スクの白点欠陥を修正する方法に、析出の過程で
変化する該照射光線が該フオトマスクを透過する
光量を測定し、該光量が照射を開始した時の光量
に対して一定割合以下に下つたとき照射を停止す
ることを特徴とする構成をとる。 また本発明のフオトマスクの白点欠陥修正装置
は、白点欠陥部分を有するフオトマスクのすくな
くとも1側面に金属錯体溶液を塗布して該白点欠
陥部分に選択的に可視光線または紫外光線を照射
して金属または金属酸化物を析出させることによ
りフオトマスクの白点欠陥を修正するように構成
し、さらにこの装置は、フオトマスクを透過する
光線の光量を測定する光検出器と、該光検出器の
情報が送られる制御部とを備え、該制御部では照
射開始時の透過光量を記憶しておいてこれを基準
値とし、前記検出器で検出されたフオトマスクの
透過光量がこの基準値に対して一定割合以下の光
量に下つた場合光照射を停止させる構成とする。 本発明を図面を用いて説明する。第1図は本発
明の方法に用いるフオトマスクの白点欠陥修正装
置の構成図である。1はArレーザ発生装置であ
り、2はそこから発生した波長5145Åのレーザ光
であり、レーザ光2はX,Y両方向の巾を独立に
設定できる矩形開口スリツト3に達し、矩形開口
スリツトを通過したレーザ光は、ハーフミラー4
を通つて対物レンズ5に入り、集光されて欠陥マ
スク6に照射される。矩形開口スリツト3は対物
レンズのもつ倍率で欠陥マスク6の面上に縮小投
影されるように配置されスリツト3の巾は自由に
調整できるようになつている。フオトマスク6の
マスクパターンは照明光源7からの光によつて照
明され、対物レンズ5と接眼光学系8で構成され
ている観察光学系により見ることができる。ま
た、矩形開口スリツト3の投影パターンはスリツ
ト照明光源9の光によつて欠陥マスク6の上に縮
小像として観察光学系により見ることができる。 欠陥マスク6の上には銀錯体溶液が塗布されて
溶媒が乾燥によりなくなつて、銀錯体膜10とな
つている。白点欠陥部分11が矩形開口スリツト
3の投影部分にくるようにXYテーブル12で調
整できるようになつている。17はXYテーブル
12を駆動させるXYテーブル駆動部である。 欠陥部11を透過するレーザ光2の光量は干渉
フイルター18を通つて光検出器14で測定さ
れ、その情報は制御部15へ送られ、制御部15
に直結した記録器16に記録される。干渉フイル
ター18は測光する光だけを通す機能を有する。 次に第1図に示す白点欠陥修正装置を使用して
フオトマスクの白点欠陥を修正する方法の一態様
を説明する。後に詳しく説明するが、金属錯体溶
液として有機溶媒(例えばジメチルスルホキシ
ド)に硝酸銀およびカルボン酸を添加した銀錯体
溶液を用意し、この溶液を白点欠陥部分11を有
するフオトマスクの上面にスピン塗布したのち有
機溶媒を蒸発させ銀錯体膜10を形成させる。こ
のとき正常パターン13は白点欠陥部分11を囲
むように配置される。そして、前記観察光学系で
見ながらスリツト投影像が正常パターン13につ
ながるように矩形開口スリツト3の巾を調整す
る。次にArレーザ光2をArレーザ発生装置より
発生させて白点欠陥部分11に照射する。照射を
開始した時およびその後の照射中にフオトマスク
6を透過するレーザ光2の光量をそれぞれ光検出
器14で測定してその時の情報を制御部15へ送
る。 制御部15では、照射開始時の透過光量を記憶
し、これを基準値として、この基準値に対して一
定割合(例えば10%)以下の光量に下つたらAr
レーザ光の照射を停止させる。このようにしてレ
ーザ光によつて銀が析出し、遮光性が十分になる
とレーザ光が自動的に遮断されて処理が終了す。
もし引続いて照射が行なわれると銀析出膜にダメ
ージを生じるため、透過光量は下限を経て増えは
じめ遮光性が低下しはじめる。このため基準値に
入つたら照射を停止することが不可欠である。透
過光量の情報は制御部15につないだ記録器16
により、データとして取り出すようにして、修正
作業の品質管理に使用する。こうすることによ
り、改めて修正部の検査を行なう必要がなくな
る。 レーザ光が自動的に切られて修正が完了した
時、この信号をXYテーブル駆動部17に送り、
次の白点欠陥の番地までテーブルを移動させるよ
うにする。こうすることにより、修正工数を短く
することができる。 欠陥部分の照射が完了すると、フオトマスク6
を水洗し、銀の析出していない部分の銀錯体膜1
0を取り除く。析出していない銀錯体、即ちカル
ボン酸銀塩は水に可溶であり容易に取り除くこと
ができる。 銀は析出すると5145Åの緑色光に遮光性を持つ
と同時に4000Åまでの光に対しても同様の遮光性
をもつ。従つてウエハーの露光に使用されるg線
(4358Å)、h線(4047Å)などの透過率を直接測
定する代りに5145Åの緑色光での遮光性を測定す
ることにより、十分目的を果せる。Arレーザの
紫外出力光(例えば3638Å)を用いて照射し銀を
析出させ、その紫外光をモニターするようにして
も同様に本発明の最適析出による白点欠陥修正の
目的を果せる。 銀析出のための照射光源としてArレーザの代
りに同様の波長の光を出す他のレーザ(例えば
YAGレーザの第2高調波:5300Å、色素レー
ザ:5500〜4000Åなど)や通常の緑色から近紫外
域の単色光を用いても本発明の目的を達成するこ
とができる。 第2図は本発明の方法による修正の際のレーザ
光の透過量の変化の一例を示したものである。横
軸はレーザ照射時間の相対値を表わし、縦軸は照
射開始時の白点欠陥部分のレーザ光の透過量を1
とした場合光透過量を表わす。図からわかるよう
に照射を継続するに従つて透過量は徐々に低下し
て、1.7相対時間後に最小の透過量を示し、続け
てレーザ光を照射すると透過量は増え始め、つい
には50%近くになつてしまう。このような傾向を
示すため、銀錯体溶液を用いて白点欠陥を修正す
る場合、モニターなしで析出させる方式をとる
と、膜厚、照射光量とその変動量、照射時のピン
ト外れ量、開口サイズによる回析の影響からくる
パワー密度の変化等析出量に影響を与える因子が
多く、常に所定以下の透過量にするということは
かなり困難である。これに対し、本発明の実施例
では、透過してくるレーザ光を測定し所定の透過
光量になると自動的に照射を停止するモニター方
式をとつているので、前述の因子にかかわらず所
定の透過光量になることを確認することができる
ので常に信頼性の高い修正となり、また修正部分
の遮光性の検査を同時にかねることもでき、改め
て透過率を測定する必要もない。 本発明において金属錯体溶液がフオトマスクの
1側面に塗布される。このとき用いられる金属錯
体溶液は、可視光線または紫外光線の照射を受け
てこの溶液中の金属が析出するかまたはその金属
の酸化物が析出するものであれば種々のものが用
いられる。ここに金属錯体とは、狭義の意味での
金属錯体、即ち1つあるいはそれ以上の金属を中
心原子として、それに他の原子または原子団、即
ち配位子が結合して1つの原子集団をつくつてい
るときの原子集団、以外に通常の溶液反応で生成
する金属塩を含む概念である。 本発明の一実施態様において金属錯体として、
有機溶媒に硝酸銀およびカルボン酸を添加した溶
液(以下銀錯体溶液という。)が用いられる。こ
の時溶液中にカルボン酸銀塩が溶解した状態で形
成される。銀塩の中でもカルボン酸銀塩が好まし
く用いられる。これはカルボン酸銀塩以外の銀塩
例えば、塩化銀、臭化銀、沃化銀などは水および
有機溶媒にほとんど溶解しないし、また硝酸銀は
水にはよく溶けるが、この水溶液を塗布して水を
蒸発させても膜状とならず、結晶粒子が析出する
からである。 カルボン酸銀塩を形成するために使用されるカ
ルボン酸としては各種のものが使用可能であるが
塗布の際実用上成膜性がよいものとして、カルボ
ン酸基(−COOH)を2つもつたジカルボン
酸、例えばシユウ酸、マロン酸、コハク酸、グル
タル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、
アゼライン酸、セバシン酸、フマール酸、マレイ
ン酸、シトラコン酸などがある。このうちでも、
シトラコン酸は特に成膜性にすぐれている。 またカルボン酸で、ジカルボン酸以外に実用上
成膜性のよいものとしては、1分中にカルボキシ
ル基(−COOH)とアルコール性水酸基(−
OH)とをもつたヒドロキシ酸がある。この例と
しては、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、ク
ルトロン酸、ヒドロアクリル酸、グリコール酸、
グリセリン酸、β−ヒドロキシプロピオン酸、α
−ヒドロキシ−n−酪酸、α−ヒドロキシ−イソ
酪酸などがある。 また有機溶媒としてアルコール系、セロソルブ
系、カルビトール系、グリコール系の有機溶媒、
ジメチルスルホキシド、ジメチルアセトアミド、
ジメチルホルムアミド等が挙げられる。 前記銀錯体溶液がフオトマスクにスピン塗布さ
れる。塗布厚さは1μm以下になるようにスピン
塗布の回転速度を調整する。ついで乾燥すること
により有機溶媒を蒸発させ、カルボン酸銀塩の塗
膜をフオトマスク面上に形成させる。この塗膜に
可視光線または紫外光線を照射すると銀を析出す
る。 以上述べた方法で銀を析出させることができる
が、析出銀膜の基板との密着強度をあげる必要が
ある場合には、銀錯体溶液にチタンアルコレート
を添加することにより目的が達せられる。例え
ば、硝酸銀(1.7g)、シトラコン酸(1.3g)、チ
タンテトラブチラート(Ti(O−n−C4H94
(5.13g)、エチルセロソルブ(10g)からなる溶
液を塗布液として用い、上記した方法で析出させ
た銀チタン酸化物膜は、基板との接着強度が著し
く強くなる。このようにして析出させた銀チタン
酸化物膜の可視光線に対する透過率は、波長4000
Å〜5000Åの可視光線に対して5〜18%である。
このような目的に用いることのチタンアルコレー
トには他に、Ti(O−iso−C3H74,Ti
〔OCH2CH(C2H5)C4H94,Ti(O−C17H354
Ti(O−iso−C3H72〔OC(CH3
CHCOCH32,Ti(O−n−C4H92〔OC2H4N
(C2H4OH)22,Ti〔OCH2CH(C2H5)CH
(OH)C3H74,Ti(O−n−C4H93
(OCOC17H35 Ti(iso−C3H7)(OCOC17H353,Ti(iso−
C3H7)〔OCOC(CH3)=CH22(OCOC17H35),
Ti(O−iso−C3H7)(OCOCH=CH23などがあ
る。 本発明の金属錯体溶液として前述の銀錯体溶液
の他にコバルト錯体溶液あるいは銅錯体溶液を用
いることができる。ここにコバルト錯体溶液とは
有機溶媒に硝酸コバルト(Co(NO32・nH2O)
およびカルボン酸を添加した溶液であり、銀錯体
溶液とは有機溶媒に硝酸銅(Cu(NO32
nH2O)およびカルボン酸を添加した溶液であ
る。またこの有機溶媒およびカルボン酸は銀錯体
溶液と同じものが用いられる。 銀錯体溶液の場合銀が析出するが、コバルト錯
体溶液、銅錯体溶液の場合にはいずれも黒色酸化
物として析出し、波長4000〜5000Åの可視光線に
対し、コバルト酸化物は透過率2〜4%、銅酸化
物は3〜9%と、遮光性はかなりすぐれており、
十分実用になる。ただし、この場合、コバルト、
銅キレートは成膜性を改善するために、界面活性
剤を用いる必要がある。界面活性剤としては、特
に非イオン系界面活性剤が優れる。 非イオン系界面活性剤として、例えばポリエチ
レングリコールアルキルエーテルR
(OCH2CH2)nOH,ポリエチレングリコール脂
肪酸エステルRCO(OCH2CH2)nOH,脂肪酸モ
ノグリセリド
The present invention relates to a method for correcting white spot defects that occur in photomasks used in the manufacture of ICs, LSIs, etc. White spot defects that occur on photomasks have a fatal negative impact on the production yield of LSIs, etc., and a technology to correct white spot defects is required. Conventionally, this technique has used a lift-off method in which the white spot defect area is selectively exposed to light and then etched. However, such a lift-off method has the disadvantage that, like ordinary pattern etching, it requires many correction steps and a large number of man-hours over a long period of time. A method has also been proposed in which partial vapor deposition is performed on the white spot defect using laser light, but this method has practical problems such as poor accuracy and poor film strength. It is an object of the present invention to eliminate the drawbacks and problems of the prior art as described above, and to correct white spot defects occurring on photomasks with a simpler process and shorter time than before, with fewer man-hours, and with high precision. An object of the present invention is to provide a method and apparatus for correcting white spot defects on a photomask. In order to achieve the above object of the present invention, the method for repairing white spot defects in a photomask of the present invention includes applying a metal complex solution to at least one side of a photomask having a white spot defect, and then selectively applying a metal complex solution to the white spot defect. A method of repairing white spot defects on a photomask by irradiating visible light or ultraviolet light to deposit a metal or metal oxide involves measuring the amount of light transmitted through the photomask by the irradiation light, which changes during the deposition process. , the irradiation is stopped when the amount of light falls below a certain percentage of the amount of light when the irradiation was started. Further, the photomask white spot defect correction apparatus of the present invention applies a metal complex solution to at least one side of a photomask having a white spot defect, and selectively irradiates the white spot defect with visible light or ultraviolet light. The apparatus is configured to correct white spot defects in a photomask by depositing a metal or metal oxide, and further includes a photodetector for measuring the amount of light transmitted through the photomask, and information on the photodetector. The control unit stores the amount of transmitted light at the start of irradiation and uses this as a reference value, and the amount of transmitted light of the photomask detected by the detector is set at a certain percentage with respect to this reference value. The structure is such that the light irradiation is stopped when the light amount falls below the following. The present invention will be explained using the drawings. FIG. 1 is a block diagram of a photomask white spot defect correction apparatus used in the method of the present invention. 1 is an Ar laser generator, 2 is a laser beam with a wavelength of 5145 Å generated from it, and the laser beam 2 reaches a rectangular aperture slit 3 whose width in both the X and Y directions can be set independently, and passes through the rectangular aperture slit. The laser beam is sent to the half mirror 4
The light passes through the objective lens 5, is focused, and is irradiated onto the defective mask 6. The rectangular opening slit 3 is arranged so as to be projected onto the surface of the defect mask 6 in a reduced size using the magnification of the objective lens, and the width of the slit 3 can be freely adjusted. The mask pattern of the photomask 6 is illuminated by light from an illumination light source 7 and can be seen by an observation optical system composed of an objective lens 5 and an eyepiece optical system 8. Further, the projected pattern of the rectangular opening slit 3 can be seen as a reduced image on the defect mask 6 by the light from the slit illumination light source 9 using the observation optical system. A silver complex solution is applied onto the defect mask 6, and the solvent is removed by drying to form a silver complex film 10. The white spot defect portion 11 can be adjusted using the XY table 12 so that it is located in the projection area of the rectangular opening slit 3. 17 is an XY table drive unit that drives the XY table 12. The amount of laser light 2 that passes through the defective part 11 is measured by the photodetector 14 through the interference filter 18, and the information is sent to the control section 15.
It is recorded on a recorder 16 directly connected to. The interference filter 18 has a function of passing only the light to be measured. Next, one aspect of a method for correcting white dot defects on a photomask using the white dot defect correction apparatus shown in FIG. 1 will be described. As will be explained in detail later, a silver complex solution in which silver nitrate and carboxylic acid are added to an organic solvent (for example, dimethyl sulfoxide) is prepared as a metal complex solution, and this solution is spin-coated on the upper surface of a photomask having white spot defects 11. The organic solvent is evaporated to form a silver complex film 10. At this time, the normal pattern 13 is arranged so as to surround the white spot defective portion 11. Then, while viewing with the observation optical system, the width of the rectangular opening slit 3 is adjusted so that the slit projected image is connected to the normal pattern 13. Next, Ar laser light 2 is generated by an Ar laser generator and irradiated onto the white spot defect portion 11 . A photodetector 14 measures the amount of laser light 2 passing through the photomask 6 at the start of irradiation and during subsequent irradiation, and sends information at that time to a control unit 15 . The control unit 15 stores the amount of transmitted light at the start of irradiation, uses this as a reference value, and when the amount of light falls below a certain percentage (for example, 10%) of this reference value, the Ar
Stop the laser beam irradiation. In this way, silver is precipitated by the laser beam, and when the light-shielding property becomes sufficient, the laser beam is automatically shut off and the process ends.
If irradiation is continued, the silver deposited film will be damaged, and the amount of transmitted light will begin to increase after reaching the lower limit, and the light-shielding property will begin to deteriorate. For this reason, it is essential to stop irradiation once the reference value is reached. Information on the amount of transmitted light is recorded by a recorder 16 connected to the control unit 15.
The data can be extracted as data and used for quality control of correction work. By doing so, there is no need to inspect the repaired portion again. When the laser beam is automatically turned off and the correction is completed, this signal is sent to the XY table drive unit 17,
The table is moved to the address of the next white spot defect. By doing so, the number of man-hours required for correction can be reduced. When the irradiation of the defective area is completed, the photomask 6
Wash with water and remove the silver complex film 1 in the area where silver is not deposited.
Remove 0. The unprecipitated silver complex, ie, carboxylic acid silver salt, is soluble in water and can be easily removed. When silver is deposited, it has a light-shielding property against green light of 5145 Å, and at the same time has a similar light-shielding property against light of up to 4000 Å. Therefore, instead of directly measuring the transmittance of G-line (4358 Å), H-line (4047 Å), etc. used for wafer exposure, the purpose can be sufficiently achieved by measuring the light shielding property of 5145 Å green light. Even if silver is precipitated by irradiation using ultraviolet output light (for example, 3638 Å) of an Ar laser and the ultraviolet light is monitored, the purpose of correcting white spot defects by optimal precipitation according to the present invention can be similarly achieved. Instead of Ar laser as the irradiation light source for silver deposition, other lasers emitting light of similar wavelength (e.g.
The object of the present invention can also be achieved using monochromatic light in the range from green to near ultraviolet (second harmonic of YAG laser: 5300 Å, dye laser: 5500 to 4000 Å, etc.) or ordinary green light to near ultraviolet light. FIG. 2 shows an example of a change in the amount of laser light transmitted during correction by the method of the present invention. The horizontal axis represents the relative value of the laser irradiation time, and the vertical axis represents the amount of laser light transmitted through the white spot defect at the start of irradiation.
When , it represents the amount of light transmission. As can be seen from the figure, as the irradiation continues, the amount of transmission gradually decreases, reaching the minimum amount of transmission after 1.7 relative time, and as the laser beam continues to be irradiated, the amount of transmission begins to increase, and finally approaches 50%. I'm getting used to it. Because of this tendency, when using a silver complex solution to correct white spot defects, if a method is used in which the deposition is performed without monitoring, the film thickness, irradiation light amount and its fluctuation amount, amount of out-of-focus during irradiation, aperture There are many factors that affect the amount of precipitation, such as changes in power density due to the influence of diffraction due to size, and it is quite difficult to always keep the amount of transmission below a predetermined value. In contrast, the embodiment of the present invention uses a monitoring system that measures the transmitted laser light and automatically stops irradiation when a predetermined amount of transmitted light is reached. Since it is possible to confirm that the amount of light is correct, the repair is always highly reliable, and the light-shielding property of the repaired area can also be inspected at the same time, so there is no need to measure the transmittance again. In the present invention, a metal complex solution is applied to one side of a photomask. Various metal complex solutions can be used as long as the metal in the solution or the oxide of the metal precipitates when irradiated with visible light or ultraviolet light. A metal complex is defined here as a metal complex in the narrow sense, that is, one or more metals as a central atom, and other atoms or atomic groups, i.e., ligands, bonded to it to form one atomic group. This concept includes not only the atomic group when it is present, but also metal salts produced in normal solution reactions. In one embodiment of the present invention, as the metal complex,
A solution prepared by adding silver nitrate and carboxylic acid to an organic solvent (hereinafter referred to as a silver complex solution) is used. At this time, carboxylic acid silver salt is formed in a dissolved state in the solution. Among the silver salts, carboxylic acid silver salts are preferably used. This is because silver salts other than carboxylic acid silver salts, such as silver chloride, silver bromide, and silver iodide, are hardly soluble in water or organic solvents, and silver nitrate is highly soluble in water, but when this aqueous solution is applied, This is because even if water is evaporated, a film does not form, and crystal particles precipitate. Various types of carboxylic acids can be used to form carboxylic acid silver salts, but a carboxylic acid with two carboxylic acid groups (-COOH) is preferred because it has good film-forming properties during coating. Dicarboxylic acids such as oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid,
These include azelaic acid, sebacic acid, fumaric acid, maleic acid, and citraconic acid. Among these,
Citraconic acid has particularly excellent film-forming properties. Carboxylic acids other than dicarboxylic acids that have good film-forming properties in practical terms include carboxyl groups (-COOH) and alcoholic hydroxyl groups (-
There are hydroxy acids with OH). Examples of this include lactic acid, malic acid, citric acid, tartaric acid, culutronic acid, hydroacrylic acid, glycolic acid,
Glyceric acid, β-hydroxypropionic acid, α
-Hydroxy-n-butyric acid, α-hydroxy-isobutyric acid, etc. In addition, as organic solvents, alcohol-based, cellosolve-based, carbitol-based, glycol-based organic solvents,
dimethyl sulfoxide, dimethyl acetamide,
Examples include dimethylformamide. The silver complex solution is spin coated onto a photomask. The rotational speed of spin coating is adjusted so that the coating thickness is 1 μm or less. Then, by drying, the organic solvent is evaporated and a coating film of carboxylic acid silver salt is formed on the photomask surface. When this coating film is irradiated with visible light or ultraviolet light, silver is precipitated. Although silver can be precipitated by the method described above, if it is necessary to increase the adhesion strength of the deposited silver film to the substrate, the purpose can be achieved by adding titanium alcoholate to the silver complex solution. For example, silver nitrate (1.7g), citraconic acid (1.3g), titanium tetrabutyrate (Ti(O-n - C4H9 ) 4 )
(5.13 g) and ethyl cellosolve (10 g) as a coating liquid, the silver titanium oxide film deposited by the method described above has significantly stronger adhesive strength with the substrate. The transmittance of the silver titanium oxide film deposited in this way for visible light is 4000.
It is 5 to 18% for visible light of Å to 5000 Å.
Other titanium alcoholates that can be used for this purpose include Ti(O-iso-C 3 H 7 ) 4 , Ti
[OCH 2 CH (C 2 H 5 ) C 4 H 9 ] 4 , Ti (OC 17 H 35 ) 4 ,
Ti(O-iso-C 3 H 7 ) 2 [OC(CH 3 )
CHCOCH 32 , Ti(O-n-C 4 H 9 ) 2 〔OC 2 H 4 N
(C 2 H 4 OH) 22 , Ti〔OCH 2 CH (C 2 H 5 ) CH
(OH) C3H7 4 ,Ti(O- n - C4H9 ) 3
(OCOC 17H35 ) Ti(iso−C 3 H 7 ) (OCOC 17 H 35 ) 3 , Ti(iso−
C 3 H 7 ) [OCOC(CH 3 )=CH 2 ] 2 (OCOC 17 H 35 ),
Examples include Ti(O-iso-C 3 H 7 )(OCOCH=CH 2 ) 3 . In addition to the silver complex solution described above, a cobalt complex solution or a copper complex solution can be used as the metal complex solution of the present invention. Here, the cobalt complex solution is cobalt nitrate (Co(NO 3 ) 2・nH 2 O) in an organic solvent.
A silver complex solution is a solution in which copper nitrate (Cu(NO 3 ) 2 .
nH 2 O) and a carboxylic acid. Further, the organic solvent and carboxylic acid used are the same as those for the silver complex solution. In the case of a silver complex solution, silver precipitates, but in the case of a cobalt complex solution and a copper complex solution, it precipitates as a black oxide. Cobalt oxide has a transmittance of 2 to 4 for visible light with a wavelength of 4000 to 5000 Å. %, copper oxide content is 3 to 9%, and the light shielding properties are quite excellent.
It's quite practical. However, in this case, cobalt,
Copper chelate requires the use of a surfactant in order to improve film formability. As the surfactant, nonionic surfactants are particularly excellent. As a nonionic surfactant, for example, polyethylene glycol alkyl ether R
(OCH 2 CH 2 ) nOH, polyethylene glycol fatty acid ester RCO (OCH 2 CH 2 ) nOH, fatty acid monoglyceride

【式】が用いられる。 本発明より、LSIの生産歩留まりに大きな影響
を与えるフオトマスクの白点欠陥の修正を従来の
リフトオフ法に比べ約1/10の工数で実現できるよ
うになつた。また修正中に同時に透過光量のモニ
ターができるため、常に最適修正が可能となり、
また修正データを同時に取り出せるため修正品質
の管理が容易になつた。本発明はこのように実用
上の種々の利点を有する。
[Formula] is used. The present invention has made it possible to correct white spot defects on photomasks, which have a major impact on LSI production yields, in about 1/10 the number of steps compared to the conventional lift-off method. In addition, since the amount of transmitted light can be monitored at the same time during correction, optimal correction is always possible.
Also, since correction data can be retrieved at the same time, it has become easier to manage correction quality. The present invention thus has various practical advantages.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の方法に使用する白点欠陥修正
装置の一構成例の図であり、第2図は本発明の方
法により、白点欠陥を修正する際の光透過量の変
化の一例を表わす図である。 2……レーザ光、3……矩形開口スリツト、5
……対物レンズ、6……欠陥マスク、11……白
点欠陥、12……光検出器、15……制御部、1
6……記録器。
FIG. 1 is a diagram of a configuration example of a white spot defect correction device used in the method of the present invention, and FIG. 2 is an example of a change in the amount of light transmission when a white spot defect is repaired by the method of the present invention. FIG. 2... Laser light, 3... Rectangular opening slit, 5
... Objective lens, 6 ... Defect mask, 11 ... White spot defect, 12 ... Photodetector, 15 ... Control unit, 1
6...Recorder.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 白点欠陥部分を有するフオトマスクのすくな
くとも1側面に金属錯体溶液を塗布したのち、該
白点欠陥部分に選択的に可視光線または紫外光線
を照射して金属または金属酸化物を析出させるこ
とによりフオトマスクの白点欠陥を修正する方法
であつて、析出の過程で変化する該照射光線が該
フオトマスクを透過する光量を測定し、該光量が
照射を開始した時の光量に対して一定割合以下に
下つたとき照射を停止することを特徴とするフオ
トマスクの白点欠陥修正方法。 2 金属錯体溶液が、有機溶媒に少なくとも硝酸
銀およびカルボン酸を添加した溶液であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフオトマ
スクの白点欠陥修正方法。 3 金属錯体溶液が、有機溶媒に少なくとも硝酸
銀、カルボン酸およびチタンアルコレートを添加
した溶液であることを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のフオトマスクの白点欠陥修正方法。 4 金属錯体溶液が、有機溶媒に少なくともカル
ボン酸、界面活性剤および硝酸コバルトまたは硝
酸銅を添加した溶液であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項に記載のフオトマスクの白点欠
陥修正方法。 5 界面活性剤が非イオン系界面活性剤であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第4項記載のフオ
トマスクの白点欠陥修正方法。 6 カルボン酸がジカルボン酸またはヒドロキシ
酸であることを特徴とする特許請求の範囲第2項
乃至第5項記載のフオトマスクの白点欠陥修正方
法。 7 ジカルボン酸がシトラコン酸であることを特
徴とする特許請求の範囲第6項記載のフオトマス
クの白点欠陥修正方法。 8 白点欠陥部分を有するフオトマスクのすくな
くとも1側面に金属錯体溶液を塗布して該白点欠
陥部分に選択的に可視光線または紫外光線を照射
して金属または金属酸化物を析出させることによ
りフオトマスクの白点欠陥を修正するフオトマス
クの白点欠陥修正装置であつて、フオトマスクを
透過する光線の光量を測定する光検出器と、該光
検出器の情報が送られる制御部とを備え、該制御
部では照射開始時の透過光量を記憶しておいてこ
れを基準値とし、前記検出器で検出されたフオト
マスクの透過光量がこの基準値に対して一定割合
以下の光量に下つた場合光照射を停止させる構成
としたことを特徴とするフオトマスクの白点欠陥
修正装置。
[Claims] 1. After applying a metal complex solution to at least one side of a photomask having white spot defects, the white spot defects are selectively irradiated with visible light or ultraviolet light to form a metal or metal oxide. A method of repairing white spot defects on a photomask by depositing irradiation light, which measures the amount of light transmitted through the photomask by the irradiation light that changes during the deposition process, and determines whether the amount of light is relative to the amount of light when irradiation starts. A method for correcting white spot defects on a photomask, characterized in that irradiation is stopped when the value falls below a certain percentage. 2. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claim 1, wherein the metal complex solution is a solution prepared by adding at least silver nitrate and carboxylic acid to an organic solvent. 3. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claim 1, wherein the metal complex solution is a solution prepared by adding at least silver nitrate, carboxylic acid, and titanium alcoholate to an organic solvent. 4. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claim 1, wherein the metal complex solution is a solution prepared by adding at least a carboxylic acid, a surfactant, and cobalt nitrate or copper nitrate to an organic solvent. . 5. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claim 4, wherein the surfactant is a nonionic surfactant. 6. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claims 2 to 5, wherein the carboxylic acid is a dicarboxylic acid or a hydroxy acid. 7. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claim 6, wherein the dicarboxylic acid is citraconic acid. 8. Applying a metal complex solution to at least one side of a photomask having white dot defects and selectively irradiating the white dot defect with visible light or ultraviolet light to precipitate metals or metal oxides. A photomask white spot defect correction device for correcting white spot defects, comprising: a photodetector that measures the amount of light transmitted through the photomask; and a control unit to which information from the photodetector is sent. Then, the amount of transmitted light at the start of irradiation is memorized and used as a reference value, and when the amount of transmitted light of the photomask detected by the detector falls below a certain percentage of this reference value, light irradiation is stopped. A white spot defect correction device for a photomask, characterized in that it has a configuration in which:
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