JPS59216306A - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
- Publication number
- JPS59216306A JPS59216306A JP58090682A JP9068283A JPS59216306A JP S59216306 A JPS59216306 A JP S59216306A JP 58090682 A JP58090682 A JP 58090682A JP 9068283 A JP9068283 A JP 9068283A JP S59216306 A JPS59216306 A JP S59216306A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gain
- source follower
- amplifier circuit
- circuit
- stage differential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、増幅回路、よシ詳しくは絶縁ゲート形電界効
果トランジスタを用いた大負荷容量広帯域増幅回路に関
するものである。
果トランジスタを用いた大負荷容量広帯域増幅回路に関
するものである。
絶縁ゲート形電界効果トランジスタ(説明はMetal
Qxide Sem1conductor )
ランジスタすなわちMOS)ランジスタを例にとって行
なう)を用いたアナログ集積回路においては、高速アナ
ログ信号を出力するために、大きな負荷容量を駆動でき
、かつ利得が1に近い広帯域増幅回路が必要になること
がある。このような増幅回路では、高速かつ大容量負荷
となるため多段増幅を用いたボルテージホロワは帰還の
位相回路が大きくなって発振するため使用できない。そ
のため、従来は、第1図に示す1段差動増幅器を用いた
ボルテージホロワが用いられていた。
Qxide Sem1conductor )
ランジスタすなわちMOS)ランジスタを例にとって行
なう)を用いたアナログ集積回路においては、高速アナ
ログ信号を出力するために、大きな負荷容量を駆動でき
、かつ利得が1に近い広帯域増幅回路が必要になること
がある。このような増幅回路では、高速かつ大容量負荷
となるため多段増幅を用いたボルテージホロワは帰還の
位相回路が大きくなって発振するため使用できない。そ
のため、従来は、第1図に示す1段差動増幅器を用いた
ボルテージホロワが用いられていた。
第1図の増幅回路では、ゲートを信号入力端子1とする
NチャンネルMOSトランジスタ2と信号出力端子3に
ゲートを接続されたNチャンネルMOS)ランジスタ4
が共通ソースの差動ペアを構成している。トランジスタ
2と4の共通ソースは、ゲートをバイアス電源5に、ソ
ースを負側電源6に接続されたNチャネルMOSの電流
源トランジスタ7のドレインに接続されている。共通ソ
ースの差動ペアトランジスタ2と4のドレインは、それ
ぞれ、カレントミラーを構成する二つのPチャンネルM
O8)ランジスタ8と9のそれぞれのドレインに接続さ
れている。トランジスタ8と9のゲートはトランジスタ
7のドレインに、ソースは正側電源10に接続されてい
る。トランジスタ4と9のドレインの接続点が、トラン
ジスタ2゜4.5,7.8で構成される1段差動増幅器
11の出力、すなわち、信号出力端子3となっている。
NチャンネルMOSトランジスタ2と信号出力端子3に
ゲートを接続されたNチャンネルMOS)ランジスタ4
が共通ソースの差動ペアを構成している。トランジスタ
2と4の共通ソースは、ゲートをバイアス電源5に、ソ
ースを負側電源6に接続されたNチャネルMOSの電流
源トランジスタ7のドレインに接続されている。共通ソ
ースの差動ペアトランジスタ2と4のドレインは、それ
ぞれ、カレントミラーを構成する二つのPチャンネルM
O8)ランジスタ8と9のそれぞれのドレインに接続さ
れている。トランジスタ8と9のゲートはトランジスタ
7のドレインに、ソースは正側電源10に接続されてい
る。トランジスタ4と9のドレインの接続点が、トラン
ジスタ2゜4.5,7.8で構成される1段差動増幅器
11の出力、すなわち、信号出力端子3となっている。
なお、一段差動器11の負極性の入力端子は、トランジ
スタ4のゲートである。したがって、1段差動増幅器1
1の出力が負極性入力端子に直接接続されており、第1
図の増幅回路はボルテージホロワとなっている。
スタ4のゲートである。したがって、1段差動増幅器1
1の出力が負極性入力端子に直接接続されており、第1
図の増幅回路はボルテージホロワとなっている。
動
第1図の増幅回路では、1段差−幅器11の利得が小さ
いため、入力端子1から出力端子3までの利得が1より
もかなり小さくなってしまうという問題がある。この問
題に対しては、信号出力端子3と1段差動増幅器11の
負極性入力端子すなわらトランジスタ4のゲートの間に
抵抗分圧回路を挿入して、負帰還量を減らして利得kl
に合せることが考えられる。しかしながら、この方法で
は、抵抗分圧回路が1段差動増幅器11の負荷となりそ
の利得を下げてしまい、全体の利得安定度を下げてしま
うとい9問題がある。さらに、製造プロセスや温度の変
動で1段差動増幅器11の利得が変っても抵抗分圧回路
の分圧比が変らないので、全体の利得が変ってしまうと
いう問題もおる。
いため、入力端子1から出力端子3までの利得が1より
もかなり小さくなってしまうという問題がある。この問
題に対しては、信号出力端子3と1段差動増幅器11の
負極性入力端子すなわらトランジスタ4のゲートの間に
抵抗分圧回路を挿入して、負帰還量を減らして利得kl
に合せることが考えられる。しかしながら、この方法で
は、抵抗分圧回路が1段差動増幅器11の負荷となりそ
の利得を下げてしまい、全体の利得安定度を下げてしま
うとい9問題がある。さらに、製造プロセスや温度の変
動で1段差動増幅器11の利得が変っても抵抗分圧回路
の分圧比が変らないので、全体の利得が変ってしまうと
いう問題もおる。
したがって、本発明の目的は、製造プロセス、温度等の
変動があっても利得が変動しない高速大容量負荷増幅回
路を提供することにある。
変動があっても利得が変動しない高速大容量負荷増幅回
路を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明では、1段差増幅器
の出力端子からソースホロワを介した帰還回路を用いて
1段差動増幅器の負極性入力端子に帰還を施し、ソース
ホロワによる利得低下を用いて帰還量を減らすことによ
り増幅器の利得変動の影響を打消している。この構成に
よれば、1段差動増幅器の利得変動に対応してソースホ
ロワの利得も変動するので、全体としての利得安定度が
改善される。
の出力端子からソースホロワを介した帰還回路を用いて
1段差動増幅器の負極性入力端子に帰還を施し、ソース
ホロワによる利得低下を用いて帰還量を減らすことによ
り増幅器の利得変動の影響を打消している。この構成に
よれば、1段差動増幅器の利得変動に対応してソースホ
ロワの利得も変動するので、全体としての利得安定度が
改善される。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第2図は、本発明の一つの実施例の構成を示す回路図で
ある。第2図の増幅回路は、第1図の増幅回路の信号出
力端子3と1段差動増幅器11の負極性入力端子との間
にNチャンネルMO8)ランジスタ20によるソースホ
ロワを挿入したものである。トランジスタ20のゲート
は信号出力端子3すなわち1段差動増幅器11の出力端
子に、ドレインは正側電源10に、ソースは定電流源ト
ランジスタ27のドレインと1段差動増幅器11の負極
性入力端子すなわちトランジスタ4のゲートに接続され
ている。定電流源トランジスタ27は、Nチャンネルで
、ソースが負側電源6に、ゲートがバイアス電源25に
接続されている。バイアス電源25は、バイアス電源5
と共通にすることもできる。
ある。第2図の増幅回路は、第1図の増幅回路の信号出
力端子3と1段差動増幅器11の負極性入力端子との間
にNチャンネルMO8)ランジスタ20によるソースホ
ロワを挿入したものである。トランジスタ20のゲート
は信号出力端子3すなわち1段差動増幅器11の出力端
子に、ドレインは正側電源10に、ソースは定電流源ト
ランジスタ27のドレインと1段差動増幅器11の負極
性入力端子すなわちトランジスタ4のゲートに接続され
ている。定電流源トランジスタ27は、Nチャンネルで
、ソースが負側電源6に、ゲートがバイアス電源25に
接続されている。バイアス電源25は、バイアス電源5
と共通にすることもできる。
第2図の増幅回路の利得は、各トランジスタの定数を次
の条件を満足するように選ぶことによシ1に等しくする
ことができる。まず、第1図の増幅回路の利得の1から
のずれ(低下分)ΔG1は、トランジスタ2と4の相互
コンダクタンスを等しく0M4)ランジスタ4,7.9
の出力コンダクタンスを04.G7.G9とすると となる。一方、第2図のソースホロワの利得すなわち出
力端子3からトランジスタ4のゲートまでの利得の1か
らのずれΔGEは、トランジスタ20の相互コンダクタ
ンスをGMF、)ランジスタ20.27の出力コンダク
タンスtl−GF、 GCとすると、 となる。したがって、第1図の増幅回路の利得の1から
のずれを第2図のソースホロワによる帰還量低下で補償
して第2図の増幅回路の利得t−iにする条件は、 ΔGF=ΔG1 ・・・・川・・ (3)とすることで
ある。(3)の条件をほぼ満足する設計をした場合、製
造プロセス条件や温度が設計条件からずれても、0M4
とGMF及びG4.G7とGF、GCは同じNチャンネ
ルのもので、1、Pチャンネルの09の寄与が大きくな
ければ、ΔGFとΔG1の変動がほぼ同じとなり、第2
図の増幅回路の利得は1からほとんどずれない。特に、
トランジスタ7.9.27のゲート長を大きくしてG7
.G9.GCをG4.GFに比べて無視できるようにし
、さらにトランジスタ4と20のゲート長と動作電流@
度を等しくすれば、ΔG1とΔGFを良く一致させるこ
とができる。
の条件を満足するように選ぶことによシ1に等しくする
ことができる。まず、第1図の増幅回路の利得の1から
のずれ(低下分)ΔG1は、トランジスタ2と4の相互
コンダクタンスを等しく0M4)ランジスタ4,7.9
の出力コンダクタンスを04.G7.G9とすると となる。一方、第2図のソースホロワの利得すなわち出
力端子3からトランジスタ4のゲートまでの利得の1か
らのずれΔGEは、トランジスタ20の相互コンダクタ
ンスをGMF、)ランジスタ20.27の出力コンダク
タンスtl−GF、 GCとすると、 となる。したがって、第1図の増幅回路の利得の1から
のずれを第2図のソースホロワによる帰還量低下で補償
して第2図の増幅回路の利得t−iにする条件は、 ΔGF=ΔG1 ・・・・川・・ (3)とすることで
ある。(3)の条件をほぼ満足する設計をした場合、製
造プロセス条件や温度が設計条件からずれても、0M4
とGMF及びG4.G7とGF、GCは同じNチャンネ
ルのもので、1、Pチャンネルの09の寄与が大きくな
ければ、ΔGFとΔG1の変動がほぼ同じとなり、第2
図の増幅回路の利得は1からほとんどずれない。特に、
トランジスタ7.9.27のゲート長を大きくしてG7
.G9.GCをG4.GFに比べて無視できるようにし
、さらにトランジスタ4と20のゲート長と動作電流@
度を等しくすれば、ΔG1とΔGFを良く一致させるこ
とができる。
第2図において、共通ソースの差動ペアトランジスタ2
と4及びソースホロワのトランジスタ20は、ウェルの
中に形成されているものとしてそのウェルをそれぞれの
ソースに接続して基板効果の影響を軽減している。高速
化のために、ウェルを負側電源6に接続することも可能
であるが、その場合には、ΔGlとΔGFを一致させる
ために、トランジスタ2,4.20のすべてのウェルを
負側電源に接続することが望ましい。
と4及びソースホロワのトランジスタ20は、ウェルの
中に形成されているものとしてそのウェルをそれぞれの
ソースに接続して基板効果の影響を軽減している。高速
化のために、ウェルを負側電源6に接続することも可能
であるが、その場合には、ΔGlとΔGFを一致させる
ために、トランジスタ2,4.20のすべてのウェルを
負側電源に接続することが望ましい。
次に、第3図は、本発明の他の実施例の回路図でちゃ、
入力信号に対する緩衝効果を増強したものである。第3
図の増幅回路は、第2図の増幅回路の1段差動増幅器1
1の正極性と負極性の入力端子にPチャンネルMO8)
ランジスタ30と40によるソースホロワを挿入したも
のである。
入力信号に対する緩衝効果を増強したものである。第3
図の増幅回路は、第2図の増幅回路の1段差動増幅器1
1の正極性と負極性の入力端子にPチャンネルMO8)
ランジスタ30と40によるソースホロワを挿入したも
のである。
トランジスタ37と47は、ソースホロワの負荷用定電
流源トランジスタであり、ドレインがソースホロワトラ
ンジスタ30と40のソースにそれぞれ接続され、ソー
スが正側電源10に、ゲートがバイアス用電源35に接
続されている。
流源トランジスタであり、ドレインがソースホロワトラ
ンジスタ30と40のソースにそれぞれ接続され、ソー
スが正側電源10に、ゲートがバイアス用電源35に接
続されている。
第3図の構成によれば、入力信号がyチャネルのソース
ホロワにより緩衝されるので信号出力端子3によシ大き
な負荷容量を接続することができる。信号入力端子1側
のyチャンネルソースホロワの基板効果による利得低下
は、帰還路側のPチャンネルソースホロワによる利得低
下で相殺される。
ホロワにより緩衝されるので信号出力端子3によシ大き
な負荷容量を接続することができる。信号入力端子1側
のyチャンネルソースホロワの基板効果による利得低下
は、帰還路側のPチャンネルソースホロワによる利得低
下で相殺される。
なお、帰還路側の2段ソースホロワにおける位相回転に
よる発振を防ぐために、出力端子3と1段差動増幅器の
負極性入力端子の間に容量50を接続して高周波で帰還
路を短絡するようにすることもできる。
よる発振を防ぐために、出力端子3と1段差動増幅器の
負極性入力端子の間に容量50を接続して高周波で帰還
路を短絡するようにすることもできる。
以上、本発明を具体的に説明してきたが、本発明を次の
ように拡張できることは明らかである。
ように拡張できることは明らかである。
これまで0M08回路でNチャンネルの差動ベアを例に
説明したが、NチャンネルとPチャンネルを入れ替え、
かつ、電源の極性を反転して同様の効果を持つ回路を構
成すること。また、0M08回路ではなく、Nチャンネ
ルまたはPチャンネルの単1チャンネルトランジスタ回
路で同様の回路を構成すること。この場合には、定電流
源はデプレッションMO8)ランジスタで、カレントミ
ラーtv部tm、vベルシフト回路とデプレッションM
O8)ランジスタも利用した公知の構成で実現できる。
説明したが、NチャンネルとPチャンネルを入れ替え、
かつ、電源の極性を反転して同様の効果を持つ回路を構
成すること。また、0M08回路ではなく、Nチャンネ
ルまたはPチャンネルの単1チャンネルトランジスタ回
路で同様の回路を構成すること。この場合には、定電流
源はデプレッションMO8)ランジスタで、カレントミ
ラーtv部tm、vベルシフト回路とデプレッションM
O8)ランジスタも利用した公知の構成で実現できる。
さらに、これまでの説明では、本発明の増幅回路の利得
を1としてきたけれども、帰還路のソースホロワの出力
に抵抗分圧回路を挿入することにより1以上の利得を持
たせること。
を1としてきたけれども、帰還路のソースホロワの出力
に抵抗分圧回路を挿入することにより1以上の利得を持
たせること。
以上詳しく説明したように、本発明によれば、高い利得
安定性を持つ高速大容量負荷増幅回路を実現でき、特に
、絶縁ゲート形電界効果トランジスタ集積回路の高性能
化をはかることができる。
安定性を持つ高速大容量負荷増幅回路を実現でき、特に
、絶縁ゲート形電界効果トランジスタ集積回路の高性能
化をはかることができる。
第1図は、従来の増幅回路の構成を示す図面、第2図と
第3図は、本発明の増幅回路の構成を示す図面である。
第3図は、本発明の増幅回路の構成を示す図面である。
Claims (1)
- 1、 1段差動増幅器の正極性入力端子を信号入力端子
とし、上記1段差動増幅器の出力端子を信号出力端子と
し、上記信号出力端子からソースホロワを介した回路に
よって上記1段差動増幅器の負極性入力端子に帰還を施
して構成されたことを特徴とする増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58090682A JPS59216306A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58090682A JPS59216306A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59216306A true JPS59216306A (ja) | 1984-12-06 |
JPH0449808B2 JPH0449808B2 (ja) | 1992-08-12 |
Family
ID=14005299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58090682A Granted JPS59216306A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59216306A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232243A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
WO2004093308A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 水晶発振回路 |
JP2007158567A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | アッテネータ |
JP2007208361A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Seiko Instruments Inc | 電圧レベルシフト回路、および半導体集積回路 |
WO2010002570A2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | Raytheon Company | Differential source follower source leader addressable node readout circuit |
JP2013090136A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ソースフォロア回路 |
US9306541B2 (en) | 2011-04-11 | 2016-04-05 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58090682A patent/JPS59216306A/ja active Granted
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002232243A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
WO2004093308A1 (ja) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fujitsu Limited | 水晶発振回路 |
US7042299B2 (en) | 2003-04-15 | 2006-05-09 | Fujitsu Limited | Crystal oscillation circuit |
JP2007158567A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | アッテネータ |
JP2007208361A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Seiko Instruments Inc | 電圧レベルシフト回路、および半導体集積回路 |
WO2010002570A2 (en) * | 2008-06-30 | 2010-01-07 | Raytheon Company | Differential source follower source leader addressable node readout circuit |
WO2010002570A3 (en) * | 2008-06-30 | 2010-05-06 | Raytheon Company | Differential source follower source leader addressable node readout circuit |
US8080775B2 (en) | 2008-06-30 | 2011-12-20 | Raytheon Company | Differential source follower source leader addressable node readout circuit |
US9306541B2 (en) | 2011-04-11 | 2016-04-05 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit |
JP6036686B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2016-11-30 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2013090136A (ja) * | 2011-10-18 | 2013-05-13 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ソースフォロア回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0449808B2 (ja) | 1992-08-12 |
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