JPS5921540B2 - フオトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents

フオトレジストパタ−ンの形成方法

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Publication number
JPS5921540B2
JPS5921540B2 JP52128412A JP12841277A JPS5921540B2 JP S5921540 B2 JPS5921540 B2 JP S5921540B2 JP 52128412 A JP52128412 A JP 52128412A JP 12841277 A JP12841277 A JP 12841277A JP S5921540 B2 JPS5921540 B2 JP S5921540B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
photoresist pattern
photosensitivity
forming
ion implantation
Prior art date
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Expired
Application number
JP52128412A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5461931A (en
Inventor
俊昭 尾形
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Suwa Seikosha KK filed Critical Suwa Seikosha KK
Priority to JP52128412A priority Critical patent/JPS5921540B2/ja
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Publication of JPS5921540B2 publication Critical patent/JPS5921540B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はフォトレジストパターンの形成方法に関する。
本発明の目的は、フォトレジストパターンを下部より上
部が広い逆錐台状に形成することにより高濃度イオン打
込みの際に生じるＪ−１００による剥離が困難になると
いう問題を解決することにある。
最近イオン打込み装置が大型化し、１０Ｈ〜１０１６ｃ
ｍ″２の高濃度のイオン打込みが比較的容易に行なえる
ようになわ、ＩＣ製造工程に頻繁に用いられるようにな
つてきたが、打込まれたイオンとの結合あるいはイオン
打込みの際発生する熱による重合でフォトレジストが非
常に硬化し、従来フォトレジストの剥離液として用いら
れてきたＪ−１００によつては除去できな＜なつてきた
。
従つて現在上記の硬化したレジストを除去するのにＯ２
ガスを用いたプラズマ灰化装置が使用されているが、プ
ラズマ灰化装置ではフォトレジスト内に含有される金属
イオンの除去が出来ず汚れとなつてウエフアー上に残留
し、トランジスタの特性を劣化させる原因となつている
。以下図に依つて説明する。第１図はイオン打込み前の
フォトレジストパターンの断面形状を示す図である。
イオン打込みを行なうにつれ表面部から徐々にフオトレ
ジスト１の硬化が進み、また表面部のレジストの収縮に
よつてフオトレジストパターンの断面形状は第２図に示
すように台形状に変形する。図の２は硬化の激しい部分
を示す。更にイオン打込みが継続させるとレジストパタ
ーンの変化によつて直接イオンの照射を受けることにな
つたレジストパターンの輪郭部も第３図に示すように非
常に硬化し、フオトレジストはパターンの輪郭部で基板
と強く密着する。このように硬化したフオトレジストを
剥離剤Ｊ−１００で剥離しようとすると第３図で斜線を
引いていない部分は基板から離れるが、レジストパター
ンの輪郭部は強く密着していて剥離することができない
。本発明はフオトレジストパターンの断面形状を変える
ことによつて、上記の問題を解決するものである。第４
図は本発明のフオトレジストパターンの形成方法の一例
を示す図である。
ネガタイプのフオトレジスト３を塗布し、プレベーク処
理を行なつた後、第一層のフオトレジスト３よシ光感度
の高い同じネガタイプのフオトレジスト４を塗布しプレ
ベーク処理をし、露光，現像を行なう。第５図はガラス
マスクを示す。第』のフオトレジスト４は第一層のフオ
トレジスト３が基板に充分密着する露光量が与えられる
と、ノフラスマスクの明部より外の部分まで現像後パタ
ーンとして残るため、二層のフオトレジストは上層が広
がつた逆錐台状のパターンになる。図の６，７はパター
ンとして残る部分を示す。従つてイオン打込みによつて
フオトレジスト上部が多少収縮してもフオトレジストパ
ターンの輪郭部が多量のイオン照射を受け、非常に硬化
するということは避けられる。しかし、単位時間あたｖ
の打込量が多い場合には発生する熱による収縮が激しい
ため、冷却を行ないながらイオン打込みを行なうことが
望ましい。上記の例は二層のネガタイプフオトレジスト
の例を示したが、三層以上でも良いことはいうまでもな
い。またその場合第二層よシ上のいずれか一層のフオト
レジストの光感度が第一層のフオトレジストの光感度よ
シ高ければ本発明の目的は達せられる。上層のフオトレ
ジストほど光感度が高い場合には最も良い形状が得られ
る。以上はネガタイブフオトレジストの場合について説
明したが、ポジタイプフオトレジストを用いても同じよ
うな形状にフオトレジストパターンを形成することがで
きる。その場合、第一層のレジストの光感度はネガタイ
プの場合とは逆に第二層あるいはそれより上のフオトレ
ジストの光感度より高くなければならない。以上述べた
ように本発明のフオトレジストパターン形成法で形成し
たレジストパターンは、イオン打込みによつても輪郭が
硬化することが少なくＪ−１００によつても剥離するこ
とができるので高濃度イオン打込みの際のレジストパタ
ーン形成方法として大いに役立つ。
【図面の簡単な説明】
第１図はイオン打込み前のフオトレジストパターンの断
面形伏を示す図である。 第２図はイオン打込みによつてフオトレジストパターン
が変形した状態を示す図である。第３図は高濃度イオン
打込みした後のフオトレジストパターンの状態を示す図
である。第４図は本突明のフオトレジストパターンの形
成方法を示す図である。１，３，４・・・フオトレジス
ト、２・・・非常に硬化したフオトレジスト、５・・・
ガラスマスタ、６，７・・・フオトレジストパターン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ イオン打ち込みマスクとして使用するフォトレジス
    トパターンの形成方法において、光感度の異なる同種類
    のフォトレジストが複数層に塗布され、該フォトレジス
    トの第１層の光感度は、他層のフォトレジストの内少な
    くとも１つ以上のフォトレジストの光感度より低いこと
    を特徴とするネガタイプフォトレジストを用いたフォト
    レジストパターンの形成方法。 ２ イオン打ち込みマスクとして使用するフォトレジス
    トパターンの形成方法において、光感度の異なる同種類
    のフォトレジストが複数層に塗布され、該フォトレジス
    トの第一層の光感度は、他層のフォトレジストの内少な
    くとも１つ以上のフォトレジストの光感度より高いこと
    を特徴とするポジタイプフォトレジストを用いたフォト
    レジストパターンの形成方法。 ３ イオン打ち込みマスクとして使用するフォトレジス
    トパターンの形成方法において、光感度の異なる同種類
    のフォトレジストが複数層に塗布され、該フォトレジス
    トは、下層から上層に移るに従つて光感度を高くして構
    成したネガタイプフォトレジストであることを特徴とす
    るフォトレジストパターンの形成方法。 ４ イオン打ち込みマスクとして使用するフォトレジス
    トパターンの形成方法において、光感度の異なる同種類
    のフォトレジストが複数層に塗布され、該フォトレジス
    トは下層から上層に移るに従つて光感度を低くして構成
    したポジタイプフォトレジストであることを特徴とする
    フォトレジストパターンの形成方法。
JP52128412A 1977-10-26 1977-10-26 フオトレジストパタ−ンの形成方法 Expired JPS5921540B2 (ja)

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JPS5461931A JPS5461931A (en) 1979-05-18
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