JPS59213180A - Light emitting diode - Google Patents
Light emitting diodeInfo
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- JPS59213180A JPS59213180A JP58086561A JP8656183A JPS59213180A JP S59213180 A JPS59213180 A JP S59213180A JP 58086561 A JP58086561 A JP 58086561A JP 8656183 A JP8656183 A JP 8656183A JP S59213180 A JPS59213180 A JP S59213180A
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Classifications
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は発光ダイオード（以下ＬＥＤと略称する）に係
り、特に電流狭窄層を有するダブルへテロ型のＧａＡｌ
Ａｓ ＬＥＤに関する。Detailed Description of the Invention [Technical Field to which the Invention Pertains] The present invention relates to a light emitting diode (hereinafter abbreviated as LED), and particularly relates to a double hetero type GaAl light emitting diode having a current confinement layer.
Regarding As LED.
近年、光を利用した情報伝送が盛んになっている。 In recent years, information transmission using light has become popular.
情報伝送に於いては、できるだけ多くの情報を−ＦＷに
伝送することが望ましい。この要求を満たすためには、
光源の応答速度が速いことが必要である。光源としてｒ
、’ｒ＞ｎを用いる場合、応答速度を速くするため、ダ
ブルへテロ型ＧａＡｌＡｓ−ＬＰ３Ｄが多く用いられる
。このダブルへテロ型０ａＡｌＡｓ −ＬＲＤは、通常
Ｎ型ＧａＡｓ基板の上にＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、
Ｎ型若しくはＰ型のＧａＡｄＡｓ活性層、Ｐ型層ａｋｌ
Ａｓクラット冒崎を順次積層して形成した構造となって
いる。このような構造で応答速度を速くする為には活性
層を１μｍ以下に薄くし、高濃度のＰ型にすると効果が
あることが知られている。しかしながら、活性層の厚み
を１ｔ１ｍ以Ｆに制御することは容易でなく、量産性に
乏しい。また、活性層を高濃度のＰ型層にすると、発光
効率が極端に低下することがあり大きな問題であった。In information transmission, it is desirable to transmit as much information as possible to -FW. To meet this requirement,
It is necessary that the light source has a fast response speed. r as a light source
, 'r>n, double hetero type GaAlAs-LP3D is often used to increase response speed. This double hetero-type 0aAlAs-LRD usually has an N-type GaAlAs cladding layer on an N-type GaAs substrate.
N-type or P-type GaAdAs active layer, P-type layer akl
The structure is formed by sequentially laminating Asaki cracks. In order to increase the response speed in such a structure, it is known that it is effective to make the active layer thinner than 1 μm and to make it highly concentrated P type. However, it is not easy to control the thickness of the active layer to 1t1m or more, and mass productivity is poor. Furthermore, when the active layer is made of a highly concentrated P-type layer, the luminous efficiency may be extremely reduced, which is a major problem.
本発明の目的は、量産性に優れた高発光効率でかつ・高
速応答の発光ダイオードを提供することである。An object of the present invention is to provide a light emitting diode with high luminous efficiency and high speed response, which is excellent in mass production.
Ｐ型ＧａＡｓ基板にに、電流狭窄穴を有するＮ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、Ｎ型ＧＩ
ＩＡｌＡｓ活性層、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を順次
積層して形成されたダブルへテロ型の発光ダイオードに
於いて、Ｎ型ＧａＡｌＡｓ活性層に８ｉ及びＴｅがドー
プされており、電流狭窄部の直径が２０μｍ乃至４０μ
ｍである発光ダイオードを得るようにし、たものである
。N-type GaAs with a current confinement hole in a P-type GaAs substrate
s current confinement layer, P type GaAlAs cladding layer, N type GI
In a double hetero type light emitting diode formed by sequentially laminating an IAlAs active layer and an N-type GaAlAs cladding layer, the N-type GaAlAs active layer is doped with 8i and Te, and the diameter of the current confinement portion is 20 μm. ~40μ
This is to obtain a light emitting diode of m.
Ｎ型ＧａＡｌＡｓ活性層に８１及びＴｅがドープされて
いることにより、この活性層を安定してＮ型化すること
ができ、またＮ型ＧａＡｓ電流狭窄層の電流狭窄穴の直
径を２０μｍ乃至４０μｍに制御することで応答が２０
ＭＨｚ Ｓｄ 、ｈで、発光出力が３ｍＷ以−ヒの光
通信用光源として適した発光ダイオードを得ることがで
きる。By doping the N-type GaAlAs active layer with 81 and Te, this active layer can be stably made into the N-type, and the diameter of the current confinement hole in the N-type GaAs current confinement layer can be set to 20 μm to 40 μm. The response is 20 by controlling
A light emitting diode suitable as a light source for optical communication with a light emission output of 3 mW or more at MHz Sd, h can be obtained.
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
即ち、Ｐ型ＧａＡｓ基板（１）上に、電流狭窄穴（２）
を有するＮ型ＧａＡ、ｓ電流狭窄層（３）、Ｐ型Ｇａ
Ａ１．Ａｓクラッド層（４）、ＳｌとＴｅをドープした
Ｎ型ＧａＡｌＡ、ｓ活性層（５）、Ｎ型ＧａＡｌＡｓク
ラッド層（６）が順次積層して形成されている。That is, a current constriction hole (2) is formed on a P-type GaAs substrate (1).
N-type GaA with s current confinement layer (3), P-type Ga
A1. An As cladding layer (4), an N-type GaAlA doped with Sl and Te, an s active layer (5), and an N-type GaAlAs cladding layer (6) are sequentially laminated.
また、Ｐ型ＧａＡｓ基板（１）のＦ部表面には、例えば
金ベリリウム合金からなる第１の電極（力が形成され、
Ｎ型層’ａＡＩＡｓクラッド層（６）の上部表面には、
例えば金ゲルマニウム合金からなる第２の電極（８）が
環状に形成されている。Further, on the F section surface of the P-type GaAs substrate (1), a first electrode made of, for example, a gold beryllium alloy (a force is formed,
On the upper surface of the N-type layer'aAIAs cladding layer (6),
A second electrode (8) made of, for example, a gold-germanium alloy is formed in an annular shape.
本実施例のＬｌは、上述の構造からなり、その特徴とす
るところは、Ｎ型（］ａＡｌＡｓ活性層（５）に、例え
ば８３ｍｇの８１と、例えば１ ｍｇのＴｅがドープさ
れており、またＮ型０ａＡｓ電流狭窄層（３）の電流狭
窄穴（２）の直径が２０μｍから４０μｍの間に制御さ
れていることである。尚、このＬＥＩ）のチップサイズ
は０．５間角である。Ll of this example has the above-mentioned structure, and its characteristics include that the N-type (]aAlAs active layer (5) is doped with, for example, 83 mg of 81 and, for example, 1 mg of Te; The diameter of the current confinement hole (2) of the N-type 0aAs current confinement layer (3) is controlled between 20 μm and 40 μm.The chip size of this LEI) is 0.5 square.
次に、上述の一実施例を製造工程に従い、第２図及び第
３図を参照して説明する。Next, the above embodiment will be explained according to the manufacturing process with reference to FIGS. 2 and 3.
第２図に示す液相成長用ボートは、ボート本体αυとス
ライダー（１４）から構成される。ボート本体山）には
少なくとも一つの溶液留め（１２）とこの溶液留め（（
鎧に対応したフタ（１３）が設けられている。溶液留め
（１２１の一つにＣ３ａ金ｒｍ、 １００１１ 、 Ｇ
ａＡｓ多結晶７．５１７．Ｔｅ６ ｍｌｌから成るＧａ
溶液（Ｉ８）を入れる。スライダー（１４）には、凹部
（１６）が設けられており、この凹部（１Ｇ）にＰ型（
］ａＡｓ基板（１′０を入れる。このスライダー（１４
１は、石英製の操作棒（１５）により移動させることが
できる。The boat for liquid phase growth shown in FIG. 2 is composed of a boat body αυ and a slider (14). At least one solution stopper (12) and this solution stopper ((
A lid (13) corresponding to the armor is provided. Solution fixing (C3a gold rm in one of 121, 10011, G
aAs polycrystalline 7.517. Ga consisting of Te6 ml
Add solution (I8). The slider (14) is provided with a recess (16), and this recess (1G) has a P-type (
] aAs board (1'0 is inserted. This slider (14
1 can be moved by a quartz operating rod (15).
［１−のような液相成長［１１ボートを石英反応管に入
れ、水素ガス雰囲気内で８５０℃まで昇温する。Liquid phase growth as in [1-1] Place the boat in a quartz reaction tube and raise the temperature to 850°C in a hydrogen gas atmosphere.
８５０℃で１２０分保持した後、０５’Ｃ／分の冷却速
度で３０分冷却する。８３５℃になったところで冷却速
度を０１℃／分に新町し、５０分経過した時操作棒（１
５１１を操作してスライダー（１４）を動かし、Ｐ型（
１ａ Ａｓ基板（１力を（１ａ溶液（１８１に接触させ
る。この状態で２分経過した後スライダー（Ｉを動かし
、Ｐ型０ａＡｓ基板（１７）をＧａ溶液（Ｉ８）から分
離する。その後冷却速度を０５℃／分に変化させ、２０
分経過した後、炉の電源を切り放冷する。放冷しより室
温に達した後、Ｐ型ＧａＡｓ基板０７）を取り出す。Ｐ
型ＧａＡｓ基板面上に厚さ約２μｍ電子濃度５ Ｘ １
０１７Ｃ：ｎ＋、−” のＮ型ＧａＡｓ層が形成されて
いる。このＮ型層ａＡｓ層トにレジスト膜を塗布する。After holding at 850°C for 120 minutes, it is cooled for 30 minutes at a cooling rate of 05'C/min. When the temperature reached 835℃, the cooling rate was increased to 01℃/min, and when 50 minutes had passed, the operating rod (1
Operate 511 to move the slider (14) and select the P type (
The 1a As substrate (1 force) is brought into contact with the 1a solution (181).After 2 minutes in this state, move the slider (I) to separate the P-type 0aAs substrate (17) from the Ga solution (I8).Then, the cooling rate was changed to 05°C/min, 20
After a few minutes have elapsed, turn off the power to the furnace and allow it to cool. After cooling to room temperature, the P-type GaAs substrate 07) is taken out. P
A type GaAs substrate with a thickness of about 2 μm and an electron concentration of 5 x 1
017C: An N-type GaAs layer of "n+, -" is formed. A resist film is applied to this N-type layer aAs layer.
電流狭窄穴（２）を形成したい部分のＮ型（１ａ Ａ
ｓ層に塗布したレジス） ｌ］ｉＸをフォト・エングレ
イヴイング・ブロセヌによって除去する。このレジスト
膜の穴の直径は、１０μｉｎ乃至６０μｉｎである。レ
ジスト１換をマスクとしてＮ型Ｇａ、Ａｓ１１ｖｌを選
択的にエツチングする。N type (1a A
The resist (1)iX applied to the s layer is removed by photo-engraving. The diameter of the hole in this resist film is 10 μin to 60 μin. Using the resist as a mask, N-type Ga and As11vl are selectively etched.
この場合のエンチャントの組成はｒ−＋、ｐｏ４：ｎ、
、ｔ１． ：Ｃ１１，０Ｈ＝１：１：３である。エツチ
ング屋は約２５μｍである。The composition of the enchantment in this case is r-+, po4:n,
, t1. :C11,0H=1:1:3. The etching depth is approximately 25 μm.
レジスト膜を除去した後表面を清浄化し、このウェハー
上に再び液相成長を行う。After removing the resist film, the surface is cleaned and liquid phase growth is performed again on this wafer.
第３図は２回目の液相成長を説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining the second liquid phase growth.
Ｐ型ＧａＡｓ基板上に選択的に穴あけされたＮ型ＧａＡ
ｓ層を持つウェハー（２ηがスライダーｅ４Ｊの凹部（
、ｌ！６）に置かれている。N-type GaA selectively drilled on a P-type GaAs substrate
Wafer with s layer (2η is the recess of slider e4J (
, l! 6).
第１の溶液留め（２２−１）には、Ｏａ金属１００ｇ、
ＧａＡｓ多結晶４．３ｇ、Ａ、ｌｌ金属１５０ｍｇ、Ｇ
ｅ １．５ ｇがら成る第１のＧａ溶液（２８−１）を
入れる。For the first solution retainer (22-1), 100 g of Oa metal,
GaAs polycrystal 4.3g, A, ll metal 150mg, G
e A first Ga solution (28-1) consisting of 1.5 g is introduced.
第２の溶液留め（２２−２）には、Ｇａ金属１ｒｌＯ＃
。The second solution retainer (22-2) includes Ga metal 1rlO#
.
ＧａＡｓ多結晶７５ｇ、Ａｌ金属１５ｍｇ、５１８３ｍ
、？、Ｔｅ１ｍｇから成る第２のＧａ溶液（２８−２）
を入れる。GaAs polycrystal 75g, Al metal 15mg, 5183m
,? , a second Ga solution (28-2) consisting of 1 mg of Te.
Put in.
第３の溶液留め（２２−３）には、Ｇａ １００ ＆、
Ｇ ａＡｓ多結晶４３ｇ、Ａｌ金属１５０ｍｇ、Ｔｅ
６＋ｎｇから成る第３の（）ａ溶液（２８−３）を入れ
る。The third solution retainer (22-3) contains Ga 100 &,
GaAs polycrystal 43g, Al metal 150mg, Te
Add the third ()a solution (28-3) consisting of 6+ng.
ポート全体を石英反応管に入れ、水素ガス雰囲気中で８
５０℃まで昇温する。Place the entire port in a quartz reaction tube and incubate for 8 hours in a hydrogen gas atmosphere.
Raise the temperature to 50°C.
８５０”Ｃで１２０分保持した後０５℃／分の冷却速度
で３０分冷却する。After holding at 850"C for 120 minutes, it was cooled for 30 minutes at a cooling rate of 05C/min.
８３５℃になったところで冷却速度を０１’Ｃ／分に変
更し、５０分経過した時外部から操作棒α９を操作する
ことでスライダー（１滲を動かし、ウェハー（２？）を
第１のＧａ溶液（２Ｂ−１）に接触させる。When the temperature reached 835°C, the cooling rate was changed to 01'C/min, and after 50 minutes, the slider (1) was moved by operating the operating rod α9 from the outside, and the wafer (2?) was placed in the first Ga. Contact with solution (2B-1).
その状態で１０分経過した後スライダー（２４）を動か
し、ウェハー （２ｉを第２のＧａ溶液（２８−２）
に接触させる。１分経過した後更にスライダー（２（
イ）を動かし１、ウェハー（２７１をｆｊａ３３のＧａ
溶液（２Ｂ−３）に接触させる。１０分経過した後ウニ
ノー−（２ηをＧａ溶液（２８−１，２８−２，２８−
３）から分離する、冷却速度を０５’Ｃ／分に変化さ１
±、２０分経過した後炉の電源を切り放冷する。After 10 minutes in this state, move the slider (24) and transfer the wafer (2i) to the second Ga solution (28-2).
contact with. After 1 minute has passed, move the slider (2 (
Move the wafer (271) to fja33 Ga
Contact with solution (2B-3). After 10 minutes, Uninova (2η) was added to Ga solution (28-1, 28-2, 28-
3) Separate from 1, changing the cooling rate to 05'C/min.
± After 20 minutes, turn off the power to the furnace and allow it to cool.
室温に達した後、ウェハー（：）ηを取り出す。ウェハ
ー七に厚さ約１０ ｔｔｍ正孔＋１ｆｕｌｌ： ２ Ｘ
］ ０”＋ｒ＋’のＰ型ＧａＡ４Ａｓクラ４ド層、厚
さ約１ ／１ｍ電了濶度Ｉ Ｘ １０”鍜−３のＮ型Ｇ
ａＡｌＡ、ｓ活性層、１９さ約１０ ｆｉｍ ７９’＞
子濃度５）／ １０１７’ ｃｎＬ−３のＮ型ＧａＡｌ
Ａｓクラッド層が順次形成されている。After reaching room temperature, take out the wafer (:)η. Wafer 7 has a thickness of about 10 ttm holes + 1 full: 2
] P-type GaA4As cladding layer of 0"+r+', thickness approximately 1/1 m, N-type G of 10"-3
aAlA, s active layer, 19 ~ 10 fim 79'>
N-type GaAl with concentration 5)/1017' cnL-3
As cladding layers are sequentially formed.
このウェハーの両面の表ｔ６１層を約１μｍ酸エツチン
グによって除去する。The top T61 layer on both sides of this wafer is removed by acid etching to approximately 1 μm.
Ｐ型ＯａＡ、ｓ＆根板上は金ベリウム合金を、Ｎ型層ａ
Ａ／Ａｓクラッド層十には金ゲルマニウム合金を形成す
る。金ゲルマニウム合金層に対してフォト・エングレイ
ヴイング・プロセスをイｊうことにより電極のパターニ
ングを行う。P-type OaA, s&Gold beryllium alloy on the root plate, N-type layer a
A gold-germanium alloy is formed on the A/As cladding layer. Electrodes are patterned by applying a photo-engraving process to the gold-germanium alloy layer.
ウェハーをダイシングしてチィップとしたものが第１図
に示すようなものである。The wafer is diced into chips as shown in FIG.
この第１図に示すようなＩＪＤの電流狭窄穴（２）直径
に対する応答と１００ｍＡＩ）Ｃの発光出力との関係を
第４図に示す。FIG. 4 shows the relationship between the response of the IJD shown in FIG. 1 to the diameter of the current constriction hole (2) and the light emission output of 100 mAI)C.
第４図の応答−電流狭窄穴直径特性曲線（４１）で示す
ように、電流狭さく穴直径が小さくなると応答は良くな
る。この応答はネットワークアナライザーで発光出力が
Ｉ ＭＨｚから１．５ｄＢダウンする周波数で定義する
。As shown by the response-current constriction hole diameter characteristic curve (41) in FIG. 4, the response improves as the current constriction hole diameter becomes smaller. This response is defined by a network analyzer as the frequency at which the light emission output is 1.5 dB down from I MHz.
しかしながら、第４図の発光出カー昂；流狭窄穴直径特
性曲線（４２）で示すように、発光出力は電流狭窄穴（
２）直径が小さくなると低くなる。However, as shown by the light emission output current constriction hole diameter characteristic curve (42) in FIG.
2) The smaller the diameter, the lower the value.
この原因は、電流密度の上昇によって局部的な温度−１
−昇が発生したためと考えられる。光通信用光源として
使用する場合には、適当な応答及び発光出力が求められ
るが、これは通常応答が２０ＭＨｚ以上で、発光出力が
３ｍＷ以上である。従って、第３図に示すようなＬＦ、
、１）の電流狭窄穴直径を２０／ｌｎＴから４０μＩＩ
＋に制御すれば応答は２０ＭＨｚ以上、発光出力は３ｍ
Ｗ以−ヒとなる。The cause of this is that the local temperature -1 due to the increase in current density.
- This is thought to be due to the occurrence of a rise. When used as a light source for optical communication, appropriate response and light emission output are required, and the normal response is 20 MHz or more and the light emission output is 3 mW or more. Therefore, the LF as shown in FIG.
, 1) the current constriction hole diameter from 20/lnT to 40 μII
If controlled to +, the response is 20MHz or more and the light output is 3m.
It becomes W.
また、Ｎ型０ａＡＩＡｓ活性層（５）に８１とＴｅをド
ープし共存させることにより安定したＮ型活性層を得る
ことができる。この場合、Ｓｔは発光効率を高めるため
、即ち発光中心となるためにドープされており、Ｔｅは
安定したＮ型化を図るためにドープされている。Further, by doping the N-type OaAIAs active layer (5) with 81 and Te so that they coexist, a stable N-type active layer can be obtained. In this case, St is doped to increase luminous efficiency, that is, to serve as a luminescent center, and Te is doped to ensure stable N-type formation.
以ト、本実施例により光通信用光源として適したＬＥＤ
を得ることができる。Hereinafter, according to this example, an LED suitable as a light source for optical communication will be described.
can be obtained.
尚、上述の実施例に於いては各層のＡ１組成比及びドー
ピング条件の一例を示したに：（Ｈ’６ぎない。In the above embodiment, an example of the A1 composition ratio and doping conditions of each layer was shown: (H'6 only).
また、通常ＧａＡｌＡｓのダブル−＼テロ構造を形成す
るのに用いられるｄ ４０． ｌ戊比及びドーピング条
件に於いても第４図にホずよ・うな！Ｉ：１性が見られ
ることを確認している。Also, d 40. which is usually used to form a double-\telo structure of GaAlAs. The ratio and doping conditions are also similar to Figure 4! It has been confirmed that I:1 characteristics are observed.
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図及び第３図
は第１図に示す一実施例の製造上程を示す図、第４図は
第１図に示す一実施例の特性曲線を示す図である。
Ｊ・・・Ｐ型層ａＡｓ基扱、 ２・・・電流狭窄
穴、３・・・Ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、
４・・・Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、５・・・Ｓｔ、
ＴｅをドープしたＮ型ＧａＡｌＡｓ活性層、６・・Ｎ型
（ｌａｌ！Ａｓクラッド層、７，８・・・電極。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑そのほか１名第 ２
図
第３図
二二二二二）
第 ４ 図
を六ｍ）FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the manufacturing process of the embodiment shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a diagram showing the manufacturing process of the embodiment shown in FIG. It is a figure showing a characteristic curve. J... P-type layer aAs-based treatment, 2... Current confinement hole, 3... N-type GaAs current confinement layer, 4... P-type GaAlAs cladding layer, 5... St,
N-type GaAlAs active layer doped with Te, 6...N-type (lal!As cladding layer, 7,8...electrodes. Agent: Patent attorney Noriyuki Chika and 1 other person 2nd)
Figure 3: 22222) Figure 4: 6m)
Claims (1)
型ＧａＡｓ電流狭窄層、Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層、
Ｎ型ＧａＡｌＡｓ活性層、Ｎ型層ａＡＡ！Ａｓクラッド
層を順次積層して形成されたダブル−テロ型の発光ダイ
オードに於いて、前記Ｎ型層ａＡＡ？Ａｓ活性層に８！
及びＴｅがドープされており、かつ前記電流狭窄穴の直
径が２０μｍ乃至４０μｍであることを特徴とする発光
ダイオード。(1) P type (N type with current confinement hole on JaAs substrate)
type GaAs current confinement layer, P type GaAlAs cladding layer,
N-type GaAlAs active layer, N-type layer aAA! In a double-terror type light emitting diode formed by sequentially laminating As cladding layers, the N-type layer aAA? 8 in the As active layer!
and Te doped, and the current constriction hole has a diameter of 20 μm to 40 μm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58086561A JPS59213180A (en) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58086561A JPS59213180A (en) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Light emitting diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59213180A true JPS59213180A (en) | 1984-12-03 |
Family
ID=13890420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58086561A Pending JPS59213180A (en) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | Light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59213180A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61228684A (en) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor light emitting element |
| JPS6436089A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Shinetsu Handotai Kk | Light-emitting semiconductor device |
-
1983
- 1983-05-19 JP JP58086561A patent/JPS59213180A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61228684A (en) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor light emitting element |
| JPS6436089A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Shinetsu Handotai Kk | Light-emitting semiconductor device |
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