JPS59210543A - レ−ザ記録媒体 - Google Patents

レ−ザ記録媒体

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JPS59210543A
JPS59210543A JP58084249A JP8424983A JPS59210543A JP S59210543 A JPS59210543 A JP S59210543A JP 58084249 A JP58084249 A JP 58084249A JP 8424983 A JP8424983 A JP 8424983A JP S59210543 A JPS59210543 A JP S59210543A
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JP
Japan
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light
recording
laser
recording medium
layers
Prior art date
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JP58084249A
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English (en)
Inventor
Akira Morinaka
森中　彰
Shigeru Oikawa
及川　茂
Hironori Yamazaki
裕基 山崎
Koji Sato
弘次 佐藤
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上に積層された薄膜にレーザ・ビームを
照射してその反射率、あるいは透過率を変化させること
によシ、光学的信号を記録再生するレーザ記録媒体に関
する。
〔従来技術〕
レーザ・ビームによる熱的効果を記録にオリ用するヒー
トモード記録方式は （１）経年変化がなく記録保存性が良い。
（２）実時間で記録、再生ができる。
（３）記録密度が磁気記録等に比べ非常に高密度である
。
といった特徴を持つため大容量記憶システム、画像ファ
イルへの応用が幅広く検討されている。
従来、ヒートモード形の記録媒体として、基板上に、光
吸収剤となる染料とこれを溶解するバインダの塗布層に
よって記録層が形成されたもの（米国特許第１１１７４
１９号明細書）や、金属、金属酸化物、カルコゲナイド
層を蒸着、スパッタリング等の薄膜形成法を用いて薄膜
イヒし記録層とするレーザ記録材料が用いられてきた〔
例えばＭ、Ｌ−％　　−７（Ｍ、Ｌ、Ｔｏｖａｎ　）　
、エレクトロン　イオン　アンド　ビーム　テクノロジ
ー　（Ｅｌ＠ｅｔｒｏｎ工Ｏｎ　ａｎ、ｄ　Ｂｅａｍ　
’ｒｅｃｈｎｏ１ｏｇｙ　）第１１回シンポジウム記録
（１９６９）、エレクトロニクス（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ　）　（１９６８）　３月１８日号５０頁、特開昭
５０−４６３１７号公報等参照〕。
しかし、上で述べたレーザ記録材料はアルゴン（ムｒ）
、ヘリウム−ネオン（Ｈｅ−Ｍｅ　）レーザ発振波長に
吸収を持つ物質であって、しかも、いずれも記録閾値エ
ネルギーが高く、高出力レーザ光源を必要とし、変調器
も大型のものを使用せねばならなかった。
最近、光源の小型化、変調器の高速小型化を目的として
、半導体レーザ（ＬＤ　）がレーザ記録に用いられるよ
うＫなシ、発振波長が近赤外域のＬＤ　用（〜８５０　
ｎｍ　）　　を用いたヒートモード記録材料が報告され
始めた（例えば１９８０年、応用物理学会秋季全国大会
講演予稿集、山崎ほか１７Ｐ−Ｈ−１６参照）。
しかし、記録媒体の光吸収層が金属単体である場合は、
表面からの酸化劣化が防げず、記録感度が経時変化を起
す欠点を持っていた。
このために、保存安定性の良い媒体で、かつ記録閾値の
低い媒体が望まれている。
他方、記録密度をより向上させる方法としては（１）記
録ビットの微細化、（２）記録の多重化が考えられるが
、（１）は現段階で記録ビット径は波長オーダの１μｍ
　に達し大幅な向上は困難である。
そこで（２）の記録の多重化が唯一の記録の高密度化を
図る方法であるが、これまでにこのような記録多重化を
目的としたヒートモード記録材料が報告されたことはな
く、高密度記録可能なレーザ記録媒体の発明が待ち望ま
れていた。
〔発明の目的〕
本発明は、レーザ光の光エネルギーを用いて物質の状態
変化を記録として利用するレーザ記録媒体に関するもの
でｓｂその目的は、従来のレーザ記録媒体に比べて同等
以上の感度を持ち、かつ多重記録の可能なレーザ記録媒
体を提供することにある。
〔発明の構成〕
すなわち、本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は
レーザ記録媒体の発明であって、基板上に、記録光に対
して透明な２層の薄膜を設け、記録光を吸収する光吸収
剤層をその間に挾んだ構造を持つレーザ記録媒体におい
て、記録光を吸収する光吸収剤層を変えることなく複数
組積層したことを特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は別のレーザ記録媒体の発
明であって、基板上に、記録光に対して透明な２層の薄
膜を設け、記録光を吸収する光吸収剤層をその間に挾ん
だ構造を持つレーザ記録媒体において、同一種２つ以上
の光吸収剤層とそれを挾んだ記録光に透明な薄膜とでな
る多重レーザ記録媒体内に、前記光吸収剤層とは異種の
２つ以上の光吸収剤層とそれを挾んだ記録光に透明な薄
膜とでなる多重レーザ記録媒体を合せ持つことを特徴と
する。
第１図は、本発明によるレーザ記録媒体の基本構成を示
す断面概略図である。第１図中１１．１３は透明の蒸着
膜、１２は光吸収剤層、１４は基板を各告示している。
とのレーザ記録媒体への記録は第２図に示したように行
われる。
すなわち第２図は、本発明によるレーザ記録媒体の基本
の記録機構の・各種の例を示す断面概略図である。第２
図中、符号２１は基板、２２．２３は透明な薄膜、２４
．２５．２６は光吸収剤層、２７．２８．２９は記録ビ
ットを意味する。
熱変形タイプの光吸収剤層２４では２１の透明基板側あ
るいは２３の薄膜側からレーザ光が照射されると、２４
の光吸収剤層に吸収されて熱エネルギーとなシ、光吸収
剤層２４は溶融、蒸発し、記録ビット部２７は反射率が
低下する〔第２図（ム）〕。
他の熱変形タイプの光吸収剤層２５を用いると同様なレ
ーザ光の熱によシ光吸収剤層２５が膨張し、変形し、記
録ビット２８となシ反射率が増加する〔第２図（Ｂ）〕
。
変性タイプの光吸収剤層２６を用いると同様なレーザ光
の熱によシ光吸収剤層２６は結晶化、あるいはフォトク
ロミズム等の反射率変化を生じ２９で示される記録ビッ
トが生じる〔第２図（０）　、）。
第３図には本発明による多重レーザ記録媒体の１例を示
す断面概略図である。第３図中５０．３２．５４は透明
の蒸着膜、３１．３３は同一種の光吸収剤層、５５は基
板、Ｂｉｌ：書込用ビーム、Ｌは焦点レンズを示す。
とのレーザ記録媒体の記録原理は第１図の媒体と同様で
あるが、例えば光吸収剤層３１．３３の選択はレーザビ
ームの焦点位置を変化させる。
第３図中ＢＩＸＢ２は同一波長の光源であるが焦点位置
の違うＩｌｌ、Ｌ２によって相当する光吸収剤層にのみ
結像して記録が行える。
以上は一層、二層の光吸収剤層についてのみ図を記載し
たが、本質的に各層間が独立しているため三層以上の多
重化が可能である。
第４図には、光吸収剤層の透過率とレンズの開口率（Ｈ
Ａ　）をパラメータとした積層形の同一種の光吸収剤層
を用いたレーザ記録媒体の各層のエネルギー密度の計算
結果を示す。換言すれば、レンズで当該吸収剤層に焦点
を絞ったときの他層への干渉の大きさを示す。すなわち
第４図は光吸収剤層の番号（ｎ）（横軸）と光吸収剤層
に到達するパワー密度（相対値）（縦軸）との関係を示
すグラフである。第４図中りは１層の厚さ、Ｔは１層の
透過率を示す。
第４図から明らかなように、ＮＡ＝１５のレンズを用い
て透過率１０％の光吸収剤層を用いた媒体においては、
焦点から２μｍ離れた光吸収剤層では照射レーザ光のエ
ネルギー密度は１ＡＯ以下になシ、レーザ記録媒体の記
録閾値を考えると十分に記録分離が可能、つｔ’ｂ記録
の多重が可能である。簡単に述べると１０％の透過率の
光吸収剤層を１０層並べたレーザ記録媒体を作９、光吸
収剤層間の透明な薄膜が２μｍ以上あれば１０重が可能
であることを示している。
これは同一種の光吸収剤層を用いた場合の結果であシ、
光吸収剤層を異なった物質にすると、波長の異なるレー
ザ光源を用いるため光吸収剤層間の透明な薄膜は２μｍ
以下でちっても多重記録には何ら影響がない。
つ′！、シ、第５図に示したよりなレーザ記録媒体が構
成できる。すなわち、第５図は本発明によるレーザ記録
媒体の他の１例を示す断面概略図である。第５図中、５
０は基板、５１．５３．５４．５５．５６は透明な薄膜
を示す。
５２．５７は各各互いに特性吸収帯の異なる光吸収剤層
を示している。
馬は光吸収剤層５７にのみ吸収される波長の記録光源、
Ｂ！は光吸収剤層５２にのみ吸収される波長の記録光源
とする。
前述のように同一種の光吸収剤層を用いた多重記録にお
いて、光吸収剤層５２あるいは５７の組は各各２　ｐｍ
　　（ＮＡ＝（Ｌ　５　、Ｔ％＝１０％の時）以上離す
必要があるが第５図のようにレーザ媒体を構成すると５
２と５７を組合せることによって媒体厚を小さくするこ
とができる。また、５２．５７は互いに他波長の光Ｂ１
、Ｂ、を吸収しないだめ、光の利用効率が低下し感度に
影響することなく記録の多重度を大幅に向上させること
ができる。
本発明で用いる記録光に対して透明な薄膜の例としては
、８　ｉ　０２、ＴｅＯ２、ＷＯ３、ロイコ染料、フェ
ノールフタレイン、チモールフタレイン、脂肪酸アミド
とビスフェノール系化合物との混合物、又はフルオレセ
インが挙げられる。
本発明で用いる記録光を吸収する光吸収剤層の例として
は、半導体レーザ用に、テルル、ビスマス、セレン等の
半金属若しくは銀、金等の金属のいずれかの蒸着薄膜、
バナジルフタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン
、スクアリリウム色素、ニッケルジチオレート錯体、白
金ジチオレート錯体、又はテルル酸化物の層、ＡｒＬ／
−ｆ用にフルオレセイン、ローダミンＢ１四−ダミ７６
Ｇ、カルコゲナイドガラス、又は水素含有非晶質シリコ
ンの層、Ｈｅ−Ｎ＠レーザ用にオキサジン−過塩素酸塩
、ナイルブルーＡ過塩素酸塩又はガロシアニンの層が挙
げられる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例によシ、更に具体的に説明するが
本発明はこれに限定されない。
実施例１ ガラス基板上に、ビスフェノールＡとステアリン酸アミ
ド１対１混合物を真空槽内圧ｌＸ１０”トル以下で１０
＾／Ｂ・Ｃの蒸着速度で５０００１の膜厚で蒸着し透明
な薄膜を作製した。次にこの薄膜上にＴｏ　　を１５０
又の膜厚で蒸着し、すぐＫこのＴｏ　薄膜上に、クリス
タルバイオレットラクトン（以下、ＣｖＩＪと略記する
）をステアリン酸アミド蒸着の条件と同様に１　ｐｍ　
　の膜厚で蒸着し、レーザ記録媒体を作製した。このレ
ーザ記録媒体は、透過光で薄褐色を呈する薄膜であった
。
とのレーザ記録媒体に光ビーム径ｉ、　５　Ｘ　１．８
μｍ媒体面でのパワー６、　Ｏｍｙ　の半導体レーザ（
波長８５０　ｎｍ　）　　パルスで書込みを行うと、記
録媒体にレーザ光の熱によって記録ビットが形成された
。ビット形成に必要なパルス幅は１００’　ｎ５ｅｃ　
　が記録閾値となシ約５０ｍＪ／−の感度に相当した。
ビット形成によシ媒体の反射率、透過率が変化しパワー
を弱めたレーザ光で走査することによシ信号記録の有無
が確かめられた。
実施例２ ポリメチルメタクリレート（以下、ＰＭＭＡ　　と略記
する）基板上にフェノールフタレイン（以下、ＰＰ　　
と略記する）層を１μｍ真空蒸着して透明ガ薄膜を作製
する。次にバナジルフタロシアニン（以下Ｖ　−Ｐｃと
略記する）を４００又蒸着して光吸収剤層を形成した。
光吸収剤層上にマラカイトグリーンラクトン（以下、Ｍ
Ｇｌｌと略記する）を１μｍ蒸着してレーザ記録媒体と
する。このレーザ記録媒体は透過光で薄ブルーを呈する
薄膜となった。このレーザ記録媒体に実施例１と同様の
レーザ光を用いて記録を行ったところ、３００ｎｓｅｃ
　　のレーザパルス幅で記録ビットが形成された。感度
的には、約１００ＢＪ　／−の値に相当する。
実施例３ ポリカーボネート（以下、ＰＯと略記する）基板上に、
チモールフタレイン（以下、ＴＰ　　と略記する）を１
．０μｍ蒸着して透明薄膜とした。
続いてこの薄膜上にＢ１　　を１２０ス蒸着し更にｒａ
−１ｏ７（採土ケ谷化学社製）を５．０μｍ蒸着した。
この薄膜上にＢｉ　　を１００ス蒸着し最後にＯＶＬを
１．０　ｐｍ　の厚さで蒸着して２重記録形のレーザ記
録媒体とした。
とのレーザ記録媒体に媒体表面から第１層Ｂｉにレーザ
記録焦点を合せ第１層記録を行った。
続いて媒体表面から第２層Ｂｉ　　に焦点を合せ第２層
記録を行った。いずれもレーザパワーを１／１０　　に
弱め対応するＢ１　　層に焦点を合せることによシ、記
録ビットが生じて反射率低下した記録が行われたことが
確認できた。レーザパルス幅は上記実施例１及び２と同
様の条件で、レーザ・パルス幅１５０　ｎａｅｅ　　の
記録閾値を示した。感度として４５　ｍＪ　／ｃｒＩ？
に対応していた。
実施例４ ガラス基板上にＣＶＬを２．５μｍ真空蒸着して、薄膜
を得た。次にＴｅ　　を１００＾スパツタリングして光
記録層薄膜を作製し、続いてスパッタリングターゲット
をＥｌｌｏ、に切替えてｓ１０！の２０００１スパツタ
膜で覆いレーザ記録媒体とする。
このレーザ記録媒体に、半導体レーザ光で実施例１及び
２と同条件で照射を行うとレーザノ（ルス幅１６０　ｎ
５ｓｃ　　で記録が行えた。感度として４８ｍＪ／７＋
に対応した。
実施例５〜？ 以下衣１に示したレーザ記録媒体を構成し、レーザ記録
を行って記録ビットの形成を確認した。記録感度を表１
に示した。
実施例１０ ＰＭＭＡ　基板上に、ＯＶＬ　１．０μｍ蒸着して透明
薄膜を作製した。続いてＴｅ０１　、Ｔｏ　ＸＧｅを共
蒸着して、Ｔｅ０１．１　（）ｅＯ，１組成にして薄膜
を１０００１積層し、ＰＰ　　を五〇μｍ蒸着し、更に
Ｔｅ０１．１（）＠０．１　１００　ｏＸ積層し、最後
にｃｖｒ、　２．０μｍを蒸着して２層記録し−ザ媒体
とし、熱処理し析出状態から結晶化状態とした。このレ
ーザ媒体に媒体表面から第１層目Ｔｅ０１．Ｉ　Ｇｅ（
１１に焦点を合せ続いて、第２層Ｔｅ０１．Ｉ　Ｇｅｏ
、１　　に焦点を合せ記録を行った。
いずれもレーザパワーを１／１０　　に弱め対応するＴ
ｅ０１．Ｉ　Ｇ６［Ｌｌ　　に焦点を合せることによシ
、記録ピット部の反射率低下が読出せた。
レーザパルス幅は実施例１．２．３と同様の条件で２０
０　ｎ５ｅｃ　　で、感度として６０ｍＪ／ｄに対応し
ていた。
いずれのＴｅ０１．Ｉ　Ｇ９１．１　　層も記録用レー
ザパルス光のビーム面積を１０倍に広げ、初期のレーザ
パワー幅でスキャンすることによシ再結晶化して記録ピ
ットは消失した。
実施例１１ ＰＭＭＡ　基板上に、ＯＶＬ　１．０μｍ　を蒸着して
、次にＶ−Ｐｃ２５０＾、ＰＰ　　Ｉ　Ｏｐｍ、　Ｖ−
Ｐｃ　２５０１、ＲＦｉＤ　−ＤＯＦ　Ｉ　Ｏｐｍ蒸着
積層して２層記録し−ザ媒体を作製した。
実施例１．２．６、及び１０と同様な方法で二層１込み
を行った。焦点をＶ　−Ｐｃに合せてレーザ光を記録し
た。
レーザパルス幅５００　ｎｓθＣで記録ビットが形成さ
れた。これは感度として１００　ｍＪ／ｄに対応してい
る。
続いて焦点を第２層Ｖ−Ｂｅに合せて、レーザ光を照射
すると、レーザパルス幅３５０　ｎ５ｅｃ　　で記録ビ
ットが形成された。これは記録感度として約１２０　ｍ
Ｊ／ｅｎ？に対応している。
本レーザ記録媒体は第一層第二層の記録に対して異なっ
た発色をするように作製したもので各層の記録後、顕微
鏡観察で赤、青の発色が確認できた。したがって膜厚方
向３μｍの分離で独立に記録再生が可能なことは明らか
である。
実施例１２ ｒＭＭム基板上に、ＴＰｊ、０μｍ　を蒸着し、プラズ
マＣＶＤ法を用いて水素含有アモルファスシリコンを１
ｏｏｏｕの膜厚で作製した。次にＣ！Ｖ’Ｌを２．０　
ｐｍ　蒸着しその上にム８４０Ｓｅ２５Ｇｅ１０’２５
をＲＦ　　スパッタによ、９３ｏｏｏλ作製した。
更にＡｓ４０Ｓｅ２５”１０日２５上に８１０２を２ｏ
ｏｏＨの膜厚でつけてレーザ記録媒体とした。
波長５１４　ｎｍ　のムｒ　レーザ光をアモルファスシ
リコン層に焦点を合せ記録を行うと、アモルファスシリ
コン層の屈折率が変化して記録が行えた。次に波長４５
５　ｎｍ　のムｒ　レーザ光をＡｓ４ｏＳ・２５”１０
８２５層に絞って照射し記録を行うと、Ａ”４０Ｓ＠２
５Ｇ”１０８２５の屈折率が変化して記録が行えた。各
層の記録光の読出しにはＨｓ−Ｍｅレーザ光を用いた。
レーザ媒体の８１０２面から紫外光を照射すると第１層
のム＠４θＳ・２５’・１０”２５の記録のみが消去で
きた。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明のレーザ記録媒体は、基板
上への蒸着膜積層といった方法で簡便に広面積にかつ均
一に作製できる。また、作製条件は基板加熱といった過
程を通す必要がないためプラスチック基板のような熱変
形、ひずみを生じやすい透明基板でも容易に作製が行え
る。
また、作製されたレーザ記録媒体は、既存のヒートモー
ド型のレーザ記録材料と同等以上の記録感度、コントラ
ストを持ち、かつ光吸収剤層が透明な薄膜でサンドイッ
チされているために、レーザ記録によるピット生成部の
変形がカバーされて媒体は平晶が記録前後ともフラット
である。したがって実施例に示したような記録媒体を複
数組で組合せるような多重記録が記録用レーザの焦点深
度あるいは波長選択によって容易に行える。
更に、媒体の安定性として、構成材料としての透明な薄
膜は極めて安定であると同時に、Ｔｏ、Ｂｉ等の半金属
を光吸収剤として用いる際に生じる酸化による劣化に対
して上下層のサンドイッチ層が十分酸化防止効果を持つ
ため光吸収剤層の安定性も向上する利点を持っている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるレーザ記録媒体の基本構成を示す
断面概略図、第２図は本発明によるレーザ記録媒体の基
本の記録機構の各種の例を示す断面概略図、第３図は本
発明によるレーザ記録媒体の多重記録の１例を示す断面
概略図、第４図は本発明によるレーザ記録媒体の光吸収
剤層の番号とパワー密度との関係を示すグラフ、そして
第５図は本発明によるレーザ記録媒体の他の１例を示す
断面概略図である。 １１．１３．２２．２３．３０．３２．３４．５１．５
３．５４．５５．５６、：透明な薄膜、“１２．２４．
２５．２６．３１．３３．５２．５７：光吸収剤層、　
１４，２１．３５．５０：基板、２７．２８．２９．３
６．３７：記録ピッ）、”：書込用ビーム、′Ｌ＝焦点
レンズ。 第３図 第　ｌｌ　　図 光　弓ｇヒ　斗又奮り層　どり番号　（ン７）第５図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、記録光に対して透明な２層の薄膜を設け
    、記録光を吸収する光吸収剤層をその間に挾んだ構造を
    持つレーザ記録媒体において、記録光を吸収する光吸収
    剤層を変えることなく複数組積層したことを特徴とする
    レーザ記録媒体。 ２、記録光に対して透明な薄膜として、ＥｌｉＯｉ、Ｔ
    　ｅ　Ｏ！、ＷＯ，、ロイコ染料、フェノールフタレイ
    ン、チモールフタレイン、脂肪酸アミドとビスフェノー
    ル系化合物との混合物、又はフルオレセインの薄膜を用
    いる特許請求の範囲第１項に記載のレーザ記録媒体。 ３、記録光を吸収する光吸収剤層として、半導体レーザ
    用に、テルル、ビスマス、セレン等の半金属若しくは銀
    、金等の金属のいずれかの蒸着薄膜、バナジ／Ｉ／７タ
    ロシアニン、アルでニウム７タロシアニン、スクアリリ
    ウム色素、ニッケルジチオレート錯体、白金ジチオレー
    ト錯体、又はテルル酸化物の層、アルゴンレーザ用にフ
    ルオレセイン、ローダミンＢ１０−ダミン６Ｇ、カルコ
    ゲナイドガラス、又は水素含有非晶質シリコンの層、ヘ
    リウム−ネオンレーザ用にオキサジン−過塩素酸塩、ナ
    イルプルーＡ過塩素酸塩又はガロシアニンの層を用いる
    特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のレーザ記録媒
    体。 ４、基板上に、記録光に対して透明な２層の薄膜を設け
    、記録光を吸収する光吸収剤層をその間に挾んだ構造を
    持つレーザ記録媒体において、同一種２つ以上の光吸収
    剤層とそれを挾んだ記録光に透明な薄膜とでなる多重レ
    ーザ記録媒体内に、前記光吸収剤層とは異種の２つ以上
    の光吸収剤層とそれを挾んだ記録光に透明な薄膜とでな
    る多重レーザ記録媒体を合せ持つことを特徴とするレー
    ザ記録媒体。 ５、記録光に対して透明な薄膜として、５ｉｎｓ。 Ｔ　６０Ｂ、　ＷＯ＠、ロイコ染料、フェノールフタレ
    イン、チモールフタレイン、脂肪酸アミドとビスフェノ
    ール系化合物との混合物、又はフルオレセインの薄膜を
    用いる特許請求の範囲第４項に記載０レ一ザ記録媒体。 ６、記録光を吸収する光吸収剤層として、半導体レーザ
    用に、テルル、ビスマス、セレン等の半金属若しくは銀
    、金等の金、硯のいずれ−＋５）の蒸着薄膜、ノくナジ
    ルフタロシアニン、アルミニウムフタロシアニン、スク
    アリリウム色素、ニッケルジチオレート錯体、白金ジチ
    オレート錯体、又はテルル酸化物の層、アルゴンレーザ
    用にフルオレセイン、ロータ゛ミンＢ１０−ダミン６Ｇ
    、カルコゲナイド°ガラス、又は水素含有非晶質シリコ
    ンの層、ヘリウム−ネオンレーザ用にオキサジン−過塩
    素酸塩、ナイルプルー人過塩素酸塩又はガロシアニンの
    層を用いる特許請求の範囲第４項又は第５項に記載のレ
    ーザ記録媒体。
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