JPS59208920A - 超高周波電力増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、第■、Ｖ族の高速物質、たとえばＧａＡｓ　
、　ＧａＡ１５　、　Ｉ　ｎＰ　＝−＝など、から作ら
れる電界効果トランジスタを用いたモノリンツク高周？
＆電力増幅器の新しい構造に関する。この集積増幅器は
入力及び出力でマツチしており、高い利得及び高い出力
を有する。

本発明の高周波増幅器は、幾何形状の異なるいくつかの
実施態様があり、それらは全て同じベース、単一入力、
デート又はソースを有し少くさも２つの出力、たとえば
２つのドレーンを有する低又は中電力超高周波トランジ
スタを用いる。また、全ての実施態様は同じ構造を有し
、複数個の要素的電界効果トランジスタが樹木の形の組
織にまとめられている。各要素的な電界効果トランジス
タは同じ入力及び出力インダクタンスにマツチさせるこ
とができるパ゛それは低質１力なので小さな幾何学的寸
法を有し、それによって一方では小さなゲート・１・八
が、他方で入力信号と出力信号の間の位相のずれを小さ
くすることが可能になる。

このように、電界効果トランジスタが、このυＪ高周波
・〜’ｌ資にの各段の、１つの入力と少くとも２つの出
力を有する基本的モジュールになっている。

この基本的モジュールが樹木の形の構造に、すなわち、
ひとつの段のトランジスタがその後の段の少くとも２つ
のトランジスタを１１９に動するように組織されている
。最後の段のトランジスタの出力は全て結合されて１，
９幅器の全出力をひとつの出力に集めるようにする。上
記のｌｌＬ気的／Ｉｆ性の改善、すなわち高いｉｌＨ作
周波救と小さな位相のずれの外に、この構造は高利得増
幅器の場合でも入力−出力絶縁を与え、幾何学的な打込
みが容易になり、この点はもつと複雑な集積回路に挿入
するのに有利であり、増幅器の熱散逸を最適化すること
が可能になる。

より詳しくは、本発明は、低レベル入力信号が印加され
る入力端子と高出力信号が集められる出力端子を含む高
周波電力増幅器に関するものであり、＋ｉｆＪ記構造は
樹木の形で直列に結合式れた複数個の増幅段から成り、
各段は複数個の要素的セルから成り、各セルはひとつの
入力端子と少くとも２つの出力端子を有し、最初の段の
ひとつのセルがそれに続く増幅段の少くとも２つのセル
を駆動するようになっており、最後の段のセルの出力は
Ｑｉ−の出力端子に結合される。

遠隔通１Ｊ又は軍事タイプの用途によく用いられる一３
４高周波電力増幅器は、しばしはトランジスタ゛を能動
エレメントさして使用する。これらの増幅器に要求され
る性質としては、とくに次の３つの特性が現在必要であ
る：すなわち 一人力及び出力のインピーダンス゛修合−高い電圧又は
電力利得 現在、固体エレクトロニクスで最もよく用いられている
実施態様は、ハイブリッド技術によって作られているが
、それにはいくつかの（１（！由により＋ｌ＋＋ｊ限が
ある。

電界効果トランジスタのインピーダンスは増１ｉ１４．
を器が高い周波数領域、たとえば５から４０ＧＨｚ。

で作用している場合、マツチさせるのが容易でない。こ
のインピーダンスでは、結合線が絹とある物体が近いと
か２つの鞭が互いに近いということによって、あるいは
また結合線の形によって生ずる自己インダクタンスと谷
１１１′をもつようになる。

低い周波数、すなわち高々メガヘルツで考えられる周波
数では、このような間；値はない。

超高周波増幅器の利得は限られている。超高周波増幅器
の能動エレメントのひとつを成している電界効果トラン
ジスタの固有利得を大きくするには、このトランジスタ
のゲートの幅を大きくしなければならない。トランジス
タのインピーダンスは減少するのでマツチさせることが
雌しくなり、さらにゲートの幅の増加はトランジスタの
鍾尚動作周波数を減少させる。

ハイブリッド増幅器の出力は限られている。この種の増
幅器の出力を増すにはこの増幅器を作っている各トラン
ジスタのゲート幅を太きくしなければならないので、ハ
イブリッド増幅器のマツチングという同じ問題が再び現
われる。さらに、増幅器の固有出力は、各トランジスタ
が最大条件で駆！１山される場合の熱散逸と絶縁破壊の
可能性によって制限される。

第１図と第２図は、この超高周波電力増幅器の問題に対
する２つの周知の解答を示す：それらは、ハイブリッド
技術あるいは集積技術によって実施できる。

第１図は、いわゆる互いにかみ合うインクディッチ−テ
ッド現電力用トランジスタの一般的な図を示す。この電
力用トランジスタは、ソース１、ゲート２、及びドレー
ン３から成る、信号用トランジスタのレベルの要素的「
＋Ｔ電界効果トランジスタ多数回反復してイｉ）られる
。ソース１、ゲート２及びドレーン３で作られるような
弱電的なトランジスタを５００以上もまとめた形のイン
クディジチーチット）トランジスタが知られている。こ
れらのｇ：素的な信号トランジスタを結合してＱ７．力
用トランジスタを得ることは、”ｌ１図でソースについ
て示されているように、各金属被接ソース領域ＩＪこの
インタディジチーチット゛・１−ランジスタにｄ）って
配置１イされた金属被ｊ、４’Ｊ　’ｉ’＋（（吠４の
間をワイヤで結合することによって実現できる。あるい
はまた、ドレーン３１こついて示されているように、各
信号トランジスタのレイルでドレーンの金属被捷をのば
して、全ての金属被４Ｂ　３が単一の金［・４禎偵５と
結合するようにして実現することもできる。

要素的トランジスタ・エレメントの間に設ける結合がど
んなタイプのものであイＬ１　また、これらのトランジ
スタの１／４□質や、インタディ゛２テーテッビトラン
ジスタに用いる。ｒ！％ｐＪ形状や寸法が何であれこの
１（１１図で１１し）互なことは、インクディジチーテ
ッド・トランジスクの正確な表現でζよなく、インクテ
イシテーテッｌ−”市：弁効果トランジスタの幾何形状
や寸法の間１’Ｉ’ｔを示すことである。このインクデ
ィジチーチット−トランジスタが多数の一要索的な、つ
まり信号ｊ出：Ｌ界勾ノ果トランジスタをいっしょ？こ
丈とめ又いるためｊこ大きな寸法になっている場合、Ｒ
いかえると、ソース１１　ドレーン３、及び結合スｌ−
ＩＪツブ４及び５の金属被ＰＸが大きく、高周波でこの
トランジスクが増幅する信号の波長に比して幾何学的寸
法が広ずぎる（品分、入力信号と出力１．−ｆ弓と６月
１１１で位相のずれが起る。ｎいかえると、数Ｇ　Ｉ（
ｚと（ハう滴当な周波数の１器号がこのインクディジチ
ーテッドφトランジスタのゲート６に印加され、このト
ランジスタの共通ト９レーンの出力金Ｍ被す夫７から取
り出される場合、信号がこのトランジスタの入力傳１子
から出方端子までの間、　　に移・７カするパスは重装
になる。すなわち、信号がこの入力及び出力金属ネ皮覆
部１ご近いトランジスタによって伝送されるか、あるい
は前記金１１破啼部から遠いトランジスタによって伝送
されるか？こよりパスの長さはかなり違う。したがって
、考えている各エレメントの促さや幅が、要素的なトラ
ンジスタのソース又はドレーンであれ、又は、インクデ
ィジチーチット９・トランジスタの長さや幅であれ、入
りこんできて、インタディジチーテッドｅトランジスタ
を構成する各要素的な冒・ランジスタがそれぞれの位相
のずれを生ずるので一連の位相のずれがＡミリる。

ｉｊｆ２図は、別のタイプの超高周波′石カ増１咄器を
示す。これはいイっゆる”セル型″増帖器である。

セル型増幅器では、超高周波入力信号力を最初の増幅器
８（これはたとえば遁：圧増幅器である）に印加される
。この噌１１１α：ン８（これｌこついてｌｉ、ここで
詳しく述べる必゛）”シはない）の出力信号は、マツチ
したセルＱｉＣ分′１１１さ第１．た出力トランジスタ
に供給さイする。全てのセル９　ｊｉ　；’１１；列に
設置；ｔされ、その各々はひ吉つの入力とひとつの出力
しかもっていない。つ寸り各セル９１、ま、超高周波イ
ーｉ号用トランジスタのｉ′！元気的Ｉｉｒ性き、歪み
又は位相のずれなしに出すことができる出力との間で１
１ン滴な組合せとなる中出力のｉ田１ｊＱ＋周波トラン
ジスタζこなっていると耳・うことができる。増幅器８
の出力信号をいろいろなセルで）に分配するため１こ、
セル岬増１１・ｊ、１器はブロック１０及び１１によっ
て示される分割及び結合用のパタ勤回：烙を含み、受動
回路ＩＯはａ−号をセル？こ配給し、受Ｉ［Ｉｂ回路１
１はセル９から、来る信号及び出力を結倉する。

さらに（１１４のタイプのＪ曽１！・吊器をあげるこき
もできるが、従３１（のケースでは、　ｉｊｆ、力の利
得は一般に単一段で摺られていることを注意してＪ６か
なければならない。トｊ↓ＩＩゾ１（こ示されているよ
うなインクデイジテーテツＦ争トランジスタの１１１合
、全ての“隻素的トランジスタは並列に詰合され、共通
の入力と出力を有する。箒２図の場合、全てのセルｉｔ
並列でこれらも共通の入力及び出力をイイする。

第３１￥１は、本発■Ｊによる」Ｓ高周波増幅器の構造
ダイヤグラムを示す。

この増幅器のＦｉ　Ｆをもつと分り易く示すために、ひ
々つの入力と２つの出力をもつ線で示されている、増幅
器の各基本エレメント又はセルは　’＋に弁効果トラン
ジスタを作っていると想定しよう。この表現ｌこよって
２８３図のダイヤグラムを理解することがずっと容易に
なる。図示さイ１．ている段ｔｅ＋の数は本発明を制約
するものではない。凧３図ζこ示されている超高周波風
力増幅器は５段ある。端子１２は、たとえば２■１のト
ランジスタのグリッドで、それに印加された入力信号は
増幅さＩ’ｔトランジスタ１３の２つの出力端子から出
されろ。この２つの出ブト・、“Ｍ子ｌハたとえばこの
トランジスタの２つのト“レーンである。信号は、電圧
及び１１１：力が；具１のトランジスタ１３０）２つの
出力で少し増幅され、ＦＩ４１段（１°　）と直列（０
なっている、本発明による’１！　２　！ン（２ｅ）の
噌１ｐＨ；ｉ器を成しでいもトランジスタ１４及び１５
の２つの入力端子に並列に送りこまれる。

、６Ｊ！Ｊ２段の２つのトランジスタ１４及び１５は、
：１１１段のトランジスタ１３と同等なものであってよ
い。つ珪り、それら１よ各々がたとえばひとつの入フバ
ひとつのゲート、２つの出力又は２つのドレーンをもつ
１ト↑シ）用トランジスタである。トランジスタ１４か
らの、）Ｌ圧及び・；、ｉ力増幅器信−けは、今度はそ
れぞれ、’！！　３段の半分を借成しているトランジス
タ１Ｇ及び１７Ｉこ供給される。さらに、トランジスタ
１５からの信号ｊこりいても対称的である。

したがって、本発明の超高周波Ｍｊ力増幅器６．ｔ１ｒ
ズ１で第１．胸↓２．第３・・・１号（ｅ）２等と８己
されている巾〜固の増幅段から成り、それらりＩ＜直列
になっている。しかし、各段では、ひとつの入力及び２
つの出力を有する井水セル”ｔ　、ｉ”ｔ’ｌ　Ｊ’Ｚ
のひとつのセルによって！宅１助され、次のトートの少
くとも２つのセルを゛ｌ必Ｉｆｉ１３する。ｊ１召缶周
波１曽１昭）；！１のＩｉｌ宅・Ｉ’ｌｌコン２ｊゼー
ネントは　ｌｉ、ｌｉ題としているＧ　■Ｉ　７弔位の
周波数では、本ｉｉ＜（的に電界効果トランジスタであ
るから、増幅器の各基本セルはゲートを入力とし、２つ
のドレーン又は２つのソースを出力みしている。

増幅器のへ、ｋ後の段で全てのトランジスタの出力１ｆ
ひとつにまとめられ、出力端子１８でＣ；１圧及び・１
う；力増幅信号を出す。

本発明の増（重器の＋１゛ｑ４告は−ｊ’１′；電子増
倍管の現東を思い出させる。光電子増倍１ｆ；゛では、
各火剤光子は少くとも２個の光子を発生させ、それらが
今度は他の２つの光子を発生させる。

各セルがひとつの入力と少くとも２つの出力をもっとい
う・詩作の他に、各セルは入力と各出力で同じインピー
ダンスにマツチしている。各段のトランジスタの間の結
合はマツチした線、たとえば−ｊソさと幅か作動周波数
ｌこ結びゝついているマイクロストリップによって行わ
れ、このマイクロストリップ線はそれ自体十分な容量に
よってトランジスタのゲートに結合される。

第１段のひとつのトランジスタの入力がこの増幅１器の
入力になっている。最後の段、すなわち第３図で（、λ
・）＋’ｙ　５段、のトランジスタの出力は、通常の受
動４’ｊ合回路たとえばウィルキン゛ノン回路によって
結合されて単一の信号を出す。

、′４４図は、第３図の基本セル１３，１４．１５″、
Ｉイの各々を、！’ｉ４成する”ｆ界効果トランジスタ
の可能ｌＪ’、　＋ｌ′ｒｊ造を、いろいろある中から
とくにひとつ示していイ、。

このＪ＆本ナセル、たとえばひとつのソース１９゜ダリ
ツ）”２０．及び２つのドレーン２１及び２２を有する
インクディジチーテッド電界効果トランジスタｌこよっ
て作られる。

トランジスタかインクディジチーチット″（かみ合せ型
）であることにより、各段での′・１．力刊イＩすが可
能であるが、本づ（１明て用いらイするインタディジチ
ーテッド・トランジスタは少数のｉ９　％的トランジス
タをまとめているに過ぎないということに注意すること
が重要である。すなわら　Ｔ’４’　４１シ１て各出カ
ドレーンは４つの信号トランジスタのドレーンに対応し
ているが、第１図にｌ”Ｉ連して・）１（べたように山
、刃用インクゲイジテーテッド・トランジスタは５００
以上のトランジスタをひとつ（こまとめているものまで
ある。この＼Ｉ、（い（５λｉｔｔ、、−ｊ＠でル）ろ
。伺故なら、本発明の増幅器の基本セルをｔｉ’を成し
ている第４図のトランジスタはほんの少数の信号トラン
ジスタをいっしょにまとめただけなので、そのサイズが
小さい。サイズか小さいみいうことは、信号がこのトラ
ンジスタを通るとき、幾何学的長さによる位相のずれが
ないということを意味するからである。

第４図の吸ふ的セルはまた、この図では示されていない
が、２つの入力及び出力マツチング回路を含む。１′ｉ
・と後に、；Ｉｃ　４１ン１に示されているような２つ
の別々のドレーンがある吉いうことは本発明の報囲内で
必・！゛３不可欠という訳ではない。ただ２つの信号ト
ランジスタしかないインタディジチーテッド・トランジ
スタを設計することもできるだろうし、あるいはドレー
ンを金１ハ村皮覆２１及び２２で直接Ａ古今ぜず、各々
がそれぞｉｔのインピーク゛ンス堅合回路を含むように
することもできる。１代農なことは、すでに述べたこと
であるが、各セルがただ１つの入力と少く古も２つの出
方を有することである。

増１１情器の異なる段をマツチングさせる回路は、たと
えばひとつの段のトランジスタの出力から出で次の段の
別のトランジスタの入力へ行く単純な四分の一波長機で
、線に容′−１・を直列に入れたものでよい。あるいは
また、もつと洗練されたもので、各セルを最適化するイ
ンダクタンスなど％、のエレメントを含むようにするこ
ともできる。最終目的は、各要素的セルで電圧及び゛出
力が少し大きくなるようにして、増幅器の出力で信号の
歪みや位相のずれなしに高利得が得られるようにするこ
とである。この目標は、とくに増１１弓器の数が、１曽
えると共に各段では小さな利得で十分であり、したがっ
て出力信−号を入力信号にフィードバックすることが小
さく、歪みや位相のずれが小さくなることで達成される
。

；、６３図は、本発明による増幅器の、ｔＭ　；六の同
図を示す。その実施態様では、超高周波電力増幅器は各
トランジスタを半導体材料チップに打込むのに他の幾何
学的形態をとることもできる。

第５図は、本発明の増幅器の第１の実施ｉ、＋、ｉ様を
示しており、打込みは同心的である。

２ｇ５図の各段のトランジスタ又は要素的セルは、２”
ｆｒ　３図のように教学１３，１４，１５・・・・・・
等でなく、それらが（１゛１成している増幅器の段の番
−けによって示されている。すなわち、増幅器の入力は
第１段を伯′成している中心のトランジスタによって与
えられ、このトランジスタは同図の場合６つの出力を有
する。第１のトランジスタの６つの出力は、第２段を１
１・を成している６つのトランジスタへ供給され、２と
いう−ｆ１〒号で示された各トランジスタは今度は２つ
の出力を有し、それは各々ｒα３段のトランジスタに（
１１，給される、′Ｙ′「々。１６５図の形態では、１
１１１幅÷（；；は１問として４段の要素的トランジス
タから成る。

この幾１ｉｉＩ学的打込みにより、熱散逸をｎｊ４・１
多して、その結ｌ艮全でのトランジスタ、ず′／、Ｃわ
ち増＋ｌ＋ボイペの全ての１冑で均−ｆ、、ｃ　４１？
　ｔｉ：が保たれるようにすることができる。

！１￥６図は、木ｉ電ｊ’ｌ　Ｋよる’Ｉ柵’＋　７！
ｉ号の別の形！、＋、ｐを示す。この形態では、トラン
ジスタは少くとも２本の直線に沼って打込まれ、箒１の
線は、１゛刊１．２ｇ。

２、第３及びｉｊｊ；４１ミ１１：１；１１ゴ°まとめ
ており、ンＩＴ２の指宗は第５の増幅段（５段の増幅器
を間凧にしているのであれば）を含んでいる。より一般
的には、）’１％５図の形態の本発明による増幅器は、
少くとも２本の平行線の形で半導体材料ウェハに打込ま
れたトランジスタから成る。第１のｐ９には入力端子１
２と、Ｗめに並ぶ段が交互に存在し、この初めの段の全
体は、全てのトランジスタの合計が、最後の段のトラン
ジスタの合計から１を引いた故に等しくなるように選ば
れる。最後の段に関して、これは−列のトランジスタか
ら作られ、それらの出力がひとつに結合されて、増幅器
の単一の出力１８となる０ この第６図の形態又は幾何学的打込みによって、寸法の
問題が解決される。通常のハイブリッド増幅器は、とく
に多数の段がある場合、非常に丹くなるイ頃向があるか
らである。

この第２の形態では、段は１方の線でのｎ−１段と他方
の線での最後の段とに分けられ、各線にはひとつを除き
同数のトランジスタが含まれているので、この形態は熱
散逸を均一に分布させ、規則正しくすることができる。

本発明の超高周波電力増幅器のひとつの重要な側面は、
電気信号の入力と出力の間の絶縁の問題が従来の方法に
よる増幅器の場合よりずっと小さくなるということであ
る。実際、本発明の増幅器は、それぞれが隣りのものと
同じ特性を有する複数個の電界効果信号用トランジスタ
から作られている。これらの信号用トランジスタのそれ
ぞれの利得は比較的低いレベルに抑えられているので、
信号は、製造によるばらつきを除いて、増幅器の各点の
間すなわち各基本セルの間で比較的一定である。信号レ
ベルが比較的一定であり各段の利得は低いので、出力信
号から入力信号へのフィートノζツクは小さい。したが
って、出力信号と入力信号の間で位相のずれはほとんど
ない。第６図の形ｉＩｊ、ｑ　Ｆは、増幅器の段を構成
しているトランジスタを結合して、位相が非常に近くな
るようにすること、すなわちトランジスタが同じ線に沿
って交互に上下逆になるように打込まれているので、た
とえば位相の進んだ信号が位相の遅れた信号に対して逆
に１・δノきかけるということさえも可能である。

噌１１ダ器の全利得に関して、各要素的なトランジスタ
ｊ４はんの小さな利得しかないかもしれないが、この低
い利得に段の数をかけると、増幅器全体としての出力で
は、１哩圧及び電力で大きく増幅され、しかも位相のず
れによる制限のない信号を得ることができる。

結論として、従来の技術による通常の増幅器では、信号
は各段でその段の利得だけ増大し、トランジスタのサイ
ズは電力のｌ”＆　１ｔｌｃが高くなると共に大きくな
ると言える。他方、本発明による第１り造では、信号し
ばルは各段であまり増大せず、信号力Ｉ係船される点の
数が各段で増加する。しだ力５つて本硅明の構造では全
体としての増幅は小さな４言号用トランジスタの数によ
るものであって、位相のＪ゛れを生ずる少数の沙、刃用
トランジスタの力馨こよるものではない。この利点は、
各々１つσ）入力と少くとも２つの出力をも・つ信号用
トランジスタをイ吏用し、各信号用トランジスタを作動
周波数ζこ最う商化することによって得られる。

これまで本発明は、電界効果トランジスタカ５第３図及
び第６図のように線で、あるし弓お写５図のように円で
、図式的に示されている図を参照して説明してきた。第
７図は、本発明による増＋１ｇ　ｅａを半導体材料のウ
エノ１の自由表面のレバルで見た図を示す。第７図では
この増１−器は３段だけ１こ１辰定されているが、それ
は本発明の；Ｉ（１Σ囲を制限することを意顛していな
い。

ＧａＡｓに集積される本発明による増幅器Ｏ）目ζこ見
える部分を示すこの図で、次のものを認めることができ
るニ ートランジスタ１３によって作られる第１段−トランジ
スタ１４及び１５によって作られる第２段 一第３段、そのトランジスタ１６及び１７は半分をなす
。

この増幅器の入力は１２？こ、第１のトランジスタのゲ
ートに設けられ、出力は最後の段の全てのトランジスタ
のト９レーンから１８に設けられる。

各トランジスタは、ソース１９、ゲート２０、及び２つ
のドレーン２１及び２２を含む。トランジスタの間の結
合は、四分の一波長マイクロストリップ２３及び容量２
４によって行われる。

電源及びアース結合のための金属被覆は同図には示され
ていない。

本発明の増幅器の作動周波数を考えると高速材料、たと
えば第１．Ｖ族のＧａＡ３．Ａ／ＧａＡｓ。

ＩｎＰ、　　その他の物質が好ましい。しかし、この種
の増幅器は、シリコンなどの材料を用いてもつと低い周
波数にも応用できる。

本発明の増幅器は、本質的に遠隔通信、レーダーにおけ
る無線電気信号、あるいは材料及び宇宙空間設備に用い
られる。これはモノリシック集積回路を意図しており、
第６図に示されている形態によって複雑な集積回路、と
くに超高周波増幅器を含むものに組込むことができる。

本発明は特許請求の範囲において明確に記述されている
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の方法によるインクディジチーチット９
電力用電界効果トランジスタの線図、第２図は、従来の
方法によるセル型電界効果トランジスタ増幅器の線図、 第３図は、本発明による超高周波電力増幅器の構造線図
、 第４図は、本発明の栴造のチ！素的モジュールを成して
いる電界効果トランジスタの単純化した線図、 ＋″Ｉ４．５図は、本発明による超高周波電力増幅器の
第１実施例を示す図、 第６図は、本発明による超高周波電力増幅器の第２実施
例を示す図、 第７図は、本発明によるＧａＡｓ　基板への三段増幅器
の打込み方法を示す図である。 １・・・・・・ソース、２・・・・・・ゲート、３・・
・・・・ト９レーン、１２・・・・・・入力端子、１３
，１４，１５，１６．１７・・・・・・トランジスタ、
１８・・・・・・出力端子、１９・・・・・・ソース、
２０・・・・・・グリッド、２１．２２・・・・・・ド
レーン。 代理人弁理士今　　村　　　元

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１Ｊ７＆造が（η（木の形で、複数個の直列に結合
   さ　　（３）れた増幅器段から成り、各段が複数個の要
   素的セルを含み、各セルは１つの入力端子と少くとも２
   つの出力端子を有し、最初の段の１つのセルは次の増幅
   段の少くとも２つのセルを！！ｌ＜　ｐｔ１３するよう
   になっており、７ＩＴｈ後の段のセルの出力が弔−の出
   ノル１４１子？こ結合されている、低レベル入力信号が
   印加される入力端子と高　　（４）ｎｊ力（ｇ？号が１
   １きめられる出力端子とを含む超高周波？１（力増１園
   器。　　　　　　　　　　　　　　　　１（２）前５１
   ２υ素的増幅セルが低１４１．力？Ｅ界効果トランジス
   タであり、その人プル；Ｍ子がダリット９であり、少く
   とも２つあるその出力端子が２つ　　（５）のドレーン
   、又は２つのソースであり、トラン　　　。 ジスタには、そのソース又はドレーン電極のうち出力電
   極になっていないものから供給が行われる、特ｊ′ｆ請
   求の範囲第１項に記載の超高周波増幅器。 前記要素的増幅セルが低電力電界効果トランジスタであ
   り、その入力端子がソースであり、少くとも２つあるそ
   の出力端子がドレーンであり、ゲートが接地され、トラ
   ンジスタ（こはト９レーンから誘導によって供給が行わ
   れる、特許請求の範囲第１項に記載の超高周波増幅器。 前記要素的セルを構成する電界効果トランジスタが低電
   力トランジスタで、その幾何学的寸法が小さく、各トラ
   ンジスタの入力及び出力信号の位相のずれが小さい、特
   許Ｒｎ求の？１１Σ囲第２項ζこ記載の超高周波増幅器
   。 増幅器を構成する段の全てのトランジスタ／＋（ｌｉｌ
   　ｌ　’、什嬉Ｚ右１．−　ｍ　１　ｅ）−Ｊ−ｈ　ｌ
   ｒ＆Ｚ　＜’　笛９段との間で、電力利得が、第１段に
   対して第２段のトランジスタの数を少くとも２倍するこ
   とによって得られる、特許請求の範囲第２項に記載の超
   高周波増幅器。 （６）トランジスタが入力及び出力においてインビーグ
   ンス整合され、増幅器のひき続く２つの段に属する２つ
   のトランジスタ間の結合は整合したマイクロストリップ
   と、マイクロスｊ・リップとトランジスタの入力との間
   に１α列に入っているインダクタンスと容量とによって
   行われる、特許請求の範囲第２項に記載の超高周波増幅
   器。 （７）集積回路技術によって半導体物質結晶に作られる
   、特許請求の範囲第ｉ：＋ｉに記載の超高周波増１隅器
   。 （８）モノリシックな打込み構造が同心的であり、第１
   段を構成する入力トランジスタか中心（こあって、その
   後の段のトランジスタが入力トランジスタのまわりに同
   心円に沿って打込まれ、増幅器の出力信号は最後の増幅
   段を囲んでいる金属部分からとり出される、特許請求の
   範囲第７項に記載の超高周波増幅器。 （９）モノリシックな打込み（１り造が線形であり、初
   めの段（第１段から第４段まで）のトランジスタは第１
   列に中央の入力トランジスタに対して対称的に配置され
   、最後の段のトランジスタは纂１列と平行に第２列に打
   込まれ、増幅器の入力が第１列の中央のトランジスタで
   あり、増幅器の出力力積↓２列の全てのトランジスタの
   全ての出力を結合している金属部分からとり出される、
   特許請求の範囲第７項に記載の超高周波増幅器。 （１０）初めの段（＠１段から第４段まで）のトランジ
   スタのＩＭＪで、１つの段のトランジスタがそれに続く
   段のトランジスタと上下逆に打込まれ、位相のずれが打
   消されるようになっている、特許請求の範囲第９項に記
   載の超高周波増幅器。