JPS59205820A - 定電流駆動回路 - Google Patents
定電流駆動回路Info
- Publication number
- JPS59205820A JPS59205820A JP7937983A JP7937983A JPS59205820A JP S59205820 A JPS59205820 A JP S59205820A JP 7937983 A JP7937983 A JP 7937983A JP 7937983 A JP7937983 A JP 7937983A JP S59205820 A JPS59205820 A JP S59205820A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- current
- constant current
- destroyed
- emitting diodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/795—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors
- H03K17/7955—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar transistors using phototransistors
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- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は定電流駆動回路に関する。
一般に、フォトセンサに用いられる発光ダイオードの駆
動回路としては、第１図に示すような回路が知られてい
る。ここで、発光ダイオード１０を流れる％流１は近似
的に次のように表わされる ’：＝■ＣＣ” ここで■、は発光ダイオード１０の順方向電圧、Ｒは抵
抗１２の抵抗値である。
動回路としては、第１図に示すような回路が知られてい
る。ここで、発光ダイオード１０を流れる％流１は近似
的に次のように表わされる ’：＝■ＣＣ” ここで■、は発光ダイオード１０の順方向電圧、Ｒは抵
抗１２の抵抗値である。
フォトセンサの感度は発光ダイオード１０を流れる電流
に比例するので、この電流ｉは一定であることが望まし
い。しかしながら、上式から明らかなように、電源電圧
ＶＣＣが変動すると、発光ダイオード１０を流れる電流
ｉも変動してしまう。ところで、電源電圧は常に一足と
は限らない。近年、装置自身は電源を持たずに、各種の
電源供給可能装置と組合わさせて使うシステムが増えて
いる。たとえば、内視鏡写真撮影システムにおいては、
フォトセンサを用いてフィルムの有無を検知するカメラ
には電源か設けられていない。電源は光源装置側Ｏこ設
けられていて、カメラは内視鏡を介して光源装置から電
源の供給を受ける。ここで、各種の光源装置は電源電圧
が異なることがある。したがって、カメラ側からみると
、光源装置が変わる毎に、供給される電源電圧が変わる
ことになり、フォトセンサの感度が変わってしまい奸才
しくない。
に比例するので、この電流ｉは一定であることが望まし
い。しかしながら、上式から明らかなように、電源電圧
ＶＣＣが変動すると、発光ダイオード１０を流れる電流
ｉも変動してしまう。ところで、電源電圧は常に一足と
は限らない。近年、装置自身は電源を持たずに、各種の
電源供給可能装置と組合わさせて使うシステムが増えて
いる。たとえば、内視鏡写真撮影システムにおいては、
フォトセンサを用いてフィルムの有無を検知するカメラ
には電源か設けられていない。電源は光源装置側Ｏこ設
けられていて、カメラは内視鏡を介して光源装置から電
源の供給を受ける。ここで、各種の光源装置は電源電圧
が異なることがある。したがって、カメラ側からみると
、光源装置が変わる毎に、供給される電源電圧が変わる
ことになり、フォトセンサの感度が変わってしまい奸才
しくない。
そのため、第２図に示すような定電流素子１４を用いた
発光ダイオードの定電流駆動回路が考えられている。定
電流素子１４としては、ゲート、ソース端間が短絡され
たＭＯＳ ＦＥＴが用いられる。そのため、発光ダイオ
ード１０を流れる電流ｌはＭＯＳ ＦＥＴの飽和ドレ
イン電流’ ＤＢＳとなり■ｃＣの変動に係わらずほぼ
一定となる。
発光ダイオードの定電流駆動回路が考えられている。定
電流素子１４としては、ゲート、ソース端間が短絡され
たＭＯＳ ＦＥＴが用いられる。そのため、発光ダイオ
ード１０を流れる電流ｌはＭＯＳ ＦＥＴの飽和ドレ
イン電流’ ＤＢＳとなり■ｃＣの変動に係わらずほぼ
一定となる。
ところが、このような定電流駆動回路においても、定電
流素子としてのＭＯＳ ＦＥＴが破壊されたりしてドレ
イン、ソース端間が短絡されたりすると、電流ｉはほぼ
無限大になり発光ダイオードが破壊されてし才う虞れが
ある。ここで、発光ダイオードが１個の゛場合はまだ良
いが、複数個の場合は１じ理に時間が７Ｊ）かる。この
ように、従来の定電流駆動回路は定゛成流素子が破壊さ
れると風勅の対象素子、たとえは発光ダイオードも破壊
されるという欠点がある。
流素子としてのＭＯＳ ＦＥＴが破壊されたりしてドレ
イン、ソース端間が短絡されたりすると、電流ｉはほぼ
無限大になり発光ダイオードが破壊されてし才う虞れが
ある。ここで、発光ダイオードが１個の゛場合はまだ良
いが、複数個の場合は１じ理に時間が７Ｊ）かる。この
ように、従来の定電流駆動回路は定゛成流素子が破壊さ
れると風勅の対象素子、たとえは発光ダイオードも破壊
されるという欠点がある。
この発明は上述した事情に対処すべ（なされたもので、
足瀧加素子が破壊されたときに、連鎖的に他の回路素子
が破壊されることのない定電流駆動回路を提供すること
をその目的とする。
足瀧加素子が破壊されたときに、連鎖的に他の回路素子
が破壊されることのない定電流駆動回路を提供すること
をその目的とする。
以下、図面を参照してこの発ｌ３Ｊ４１こよる定電流駆
動回路の一実施例を説明する。第３図は、フォトセンサ
の駆動回路に応用したこの実施例の回路図である。ｎ個
の発光ダイオード２０−１〜２０ｎと抵抗２２とＭＯＳ
ＦＥＴ ２４のソース、ドレイン路が直列に接続され
る。、ＭＯＳ ＦＥＴ２４のゲートはソースに接続され
、ｍｏｓ ＦＥＴ２４は飽和している。
動回路の一実施例を説明する。第３図は、フォトセンサ
の駆動回路に応用したこの実施例の回路図である。ｎ個
の発光ダイオード２０−１〜２０ｎと抵抗２２とＭＯＳ
ＦＥＴ ２４のソース、ドレイン路が直列に接続され
る。、ＭＯＳ ＦＥＴ２４のゲートはソースに接続され
、ｍｏｓ ＦＥＴ２４は飽和している。
このような構成ｌこおいては、発光ダイオード２０−１
〜２０ ｎを流れる電流ｉは？！１０８ ＦＥＴ２４
の飽和ドレイン電流より８８である。ただし、Ｒは抵抗
２２の抵抗値１．ΣＶ 十Ｒ・ｉ ＜ Ｖ。ｏ１１＋
＋ａｌ Ｆ寡 ここで、ＭＯＳ Ｆ’ＥＴ ２４のソース、ドレイン端
間が顧絡されたとすると、各発光ダイオードをそのため
、各発光ダイオードの順方向最大電流をＩＭとすると１
ｓ ＜ ＩＭ ・・・（２）、となるようにＲの値
を設定すれば定電流素子としてのｍｏｓ ＦＥＴ２４が
破壊しても、発光ダイオードが破壊することはない。（
１）式と（２）式より、Ｒの値は次のように与えられる
。
〜２０ ｎを流れる電流ｉは？！１０８ ＦＥＴ２４
の飽和ドレイン電流より８８である。ただし、Ｒは抵抗
２２の抵抗値１．ΣＶ 十Ｒ・ｉ ＜ Ｖ。ｏ１１＋
＋ａｌ Ｆ寡 ここで、ＭＯＳ Ｆ’ＥＴ ２４のソース、ドレイン端
間が顧絡されたとすると、各発光ダイオードをそのため
、各発光ダイオードの順方向最大電流をＩＭとすると１
ｓ ＜ ＩＭ ・・・（２）、となるようにＲの値
を設定すれば定電流素子としてのｍｏｓ ＦＥＴ２４が
破壊しても、発光ダイオードが破壊することはない。（
１）式と（２）式より、Ｒの値は次のように与えられる
。
抵抗２２の抵抗値Ｒを（３）式のように設定すれば、正
賞時（ＭＯＳ ＦＥＴ ２４の動作時）は発光ダイオー
ドにＩＤ８８の定電流が流れ、フォトセンサの感度は電
源電圧Ｖ。Ｃが変化しても一定となる。
賞時（ＭＯＳ ＦＥＴ ２４の動作時）は発光ダイオー
ドにＩＤ８８の定電流が流れ、フォトセンサの感度は電
源電圧Ｖ。Ｃが変化しても一定となる。
また、ＭＯＳ ＩＴ Ｅ ４が破壊しても、発光ダイ
オードを流れる電流は、抵抗２２により制限され、ＩＭ
以上ζこはならないので、連鎖的ｌこ発光ダイオードが
破壊されることはない。
オードを流れる電流は、抵抗２２により制限され、ＩＭ
以上ζこはならないので、連鎖的ｌこ発光ダイオードが
破壊されることはない。
この実施例では、駆動の対象は発光ダイオードとしたが
、これに限定されず、順方向電流がある値以上になると
破壊されるので定電流駆動の必要がある回路素子全てに
この実施例は適用可能である。また、定電流素子、電流
制限素子も上述の例に限定されない。たとえば、電流制
限素子としては、定電流素子と同様にゲート。
、これに限定されず、順方向電流がある値以上になると
破壊されるので定電流駆動の必要がある回路素子全てに
この実施例は適用可能である。また、定電流素子、電流
制限素子も上述の例に限定されない。たとえば、電流制
限素子としては、定電流素子と同様にゲート。
ソース端間が短絡されたＭＯＳ ＦＥＴを用（１）でも
よい。
よい。
以上説明したように、この発明によれは、定電流素子に
電流制限素子を直列に接続することにより、定電流素子
が破壊されても、他の回路素子が破壊されることのない
定電流駆動回路が提供される。
電流制限素子を直列に接続することにより、定電流素子
が破壊されても、他の回路素子が破壊されることのない
定電流駆動回路が提供される。
第１図、第２図はこの発明の従来例の回路図、第３図は
この発明による定電流駆動回路の一実施例の回路図であ
る。 ２０ １〜２０ ｎ−発光ダイオード、２２・・抵抗
、２４・・ＭＯＳ ＦＥＴ０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第３図 特許庁長′１ 若 杉 和 夫 殿１、事件の表示 ％願昭５８−７９３７９号 ２ 発明の名利・ 定電流駆動回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス光学工業株式会社４、代理人 ６、補正の文１象 明細書 の内容 願晋に添付の明細書第２頁第２行目に記載の「電流に比
例」乞「電流にほぼ比例」と削正する。 （２）同第４頁第１１行目、第１２行目、第１５行 する。 （３）同第５頁第４行目に記載の（３ｉ式ン次のように
訂正する。 Ｃ □ く Ｒく
・・・・・・ （３）ＩＭｔ（−ＩＤ８
Ｓ）
この発明による定電流駆動回路の一実施例の回路図であ
る。 ２０ １〜２０ ｎ−発光ダイオード、２２・・抵抗
、２４・・ＭＯＳ ＦＥＴ０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図
第２図 第３図 特許庁長′１ 若 杉 和 夫 殿１、事件の表示 ％願昭５８−７９３７９号 ２ 発明の名利・ 定電流駆動回路 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０３７） オリンパス光学工業株式会社４、代理人 ６、補正の文１象 明細書 の内容 願晋に添付の明細書第２頁第２行目に記載の「電流に比
例」乞「電流にほぼ比例」と削正する。 （２）同第４頁第１１行目、第１２行目、第１５行 する。 （３）同第５頁第４行目に記載の（３ｉ式ン次のように
訂正する。 Ｃ □ く Ｒく
・・・・・・ （３）ＩＭｔ（−ＩＤ８
Ｓ）
Claims (1)
- 順方向電流が所定値以上になると破壊される回路素子を
定電流で駆動する定電流駆動回路において、前記回路素
子に電流制限素子と定電流素子とを１夕１０こ接続する
ことを特徴とする定電流駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7937983A JPS59205820A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 定電流駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7937983A JPS59205820A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 定電流駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59205820A true JPS59205820A (ja) | 1984-11-21 |
Family
ID=13688233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7937983A Pending JPS59205820A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 定電流駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59205820A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166632U (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-16 | ||
| JPS62110317A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Toshiba Corp | 固体継電器 |
| JP2003133592A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | Ｌｅｄ駆動回路および発光装置 |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP7937983A patent/JPS59205820A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61166632U (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-16 | ||
| JPS62110317A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Toshiba Corp | 固体継電器 |
| JP2003133592A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Hitachi Ulsi Systems Co Ltd | Ｌｅｄ駆動回路および発光装置 |
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