JPS59204709A - 変位量検出器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁化パターンを検出する磁気センサ、特に磁気
抵抗効果素子を具える磁気センサを具える変位量検出装
置およびその製造方法に関するものである。

このような変位量検出装置としては、例えば磁気エンコ
ーダがあり、２個の磁気センサから互いに９０°の位相
差を有する出力信号を発生させている。これらの９０°
の位相差を有する信号を適切に処理することにより変位
方向および変位量を検出することができる。このように
９００の位相差を有する２つの信号を取出すために、従
来は第１図に示すように変位方向Ａに延在する記録媒体
１の上方に第１および第２の磁気センサ２Ａおよび２Ｂ
を変位方向と直交する方向に並べて配置し、記録媒体１
には変位方向に位相をずらして第１および第２の磁化パ
ターントラックＩＡおよびＩＢを形成している。しかし
、このように位相をずらして磁化パターントラックＩＡ
　、ＩＢを記録する方法は、陶磁化パターントラック間
でのクロストークが生じ、信号のＳ／Ｎが低下すると共
に磁化パターントラックを記録するときに、両トラック
を正確に半ピツチずつずらして記録することが困難であ
り、所望の位相差を有する信号が得られず、変位量の検
出精度が低いという欠点がある。

このような欠点を解決するために、第２図に示すように
、単一の磁化パターントラックを記録した磁気記録媒体
１′の上方に第１および第２の磁気センサ２Ａおよび２
Ｂを、変位方向Ａに磁化パターンのピッチの半分だけ相
互にずらして配置することが考えられる。しかしながら
、このような方法では２つの磁気センサ２Ａおよび２Ｂ
を変位方向に所定の距離だけ正確に離間させることが非
常に困難となる。特に変位量検出分解能を上げるために
磁化パターンのピッチを狭くすると、磁気センサ２Ａお
よび２Ｂを所定の距離だけ離間させるのが益々困難とな
る。したがって、この方法でも変位量を正確に検出する
ことができないという欠点がある。

本発明の目的は、上述した従来の欠点を除去し、記録媒
体には単一の磁化パターントラックを記録するだけで足
り、しかも磁気センサを変位方向にずらせる必要がなく
、シたがって所望の位相差を有する信号を正確に得るこ
とができるような変位量検出器を提供しようとするもの
である。

本発明の変位量検出器は、少なく共２組の磁気センサを
共通の基板上に並べて装着し、この共通基板と磁化パタ
ーンとを、変位方向と直交する方向において相対的に傾
斜させて配置し、所定の位相差を有する少なく共２つの
信号を発生させるよう構成したことを特徴とするもので
ある。

本発明はさらに、このような変位量検出器の製造方法に
も関するものであり、磁化パターンと共通基板とを容易
かつ正確に所定の角度だけ傾斜させることができるよう
にした変位量検出器の製造方法を提供しようとするもの
である。

本発明は、少なく共２組の磁気センサを並べて装着した
共通基板と磁化パターンとを、変位方向と直交する方向
において相対的に傾斜させて配置した変位量検出器を製
造するに当たり、少なく共２組の磁気センサを装着した
共通基板を、磁化パターンを記録すべき磁気記録媒体に
対して固定的に取付け、変位方向と直交する方向に対し
て回動自在に配置した記録ヘッドによって前記磁気記録
媒体に磁化パターンを記録し、この記録した磁化パター
ンに応答して磁気センサから出力される少なく共２つの
信号が所定の位相差を有するように前記記録ヘッドを回
動させることを特徴とするものである。

以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する０第８図
は本発明の変位量検出器の基本的構成を示す線図である
。本発明においては、磁気記録媒体１１には単一の磁化
パターンを記録する。また、第１および第２の磁気セン
サ１２Ａおよび１２Ｂを共通の基板１８上に並べて装着
する。磁気記録媒体１１と磁気センサ１２Ａ、１２Ｂと
の相対変位方向を矢印Ａで示すように定め、この変位方
向Ａと直交する方向において、磁化パターンと共通基板
１８とを相対的に傾斜させる。第、８図番こおいては、
磁化パターンは変位方向と直交する方向に形成されてい
るので、共通基板１８が変位方向と直交する方向に対し
て角度θだけ傾斜させである。

このように、共通基板１８を磁化パターンの方向に対し
て傾斜させることにより、２つの磁気センサ１２Ａおよ
び１２Ｂからは、上記角度θによって決まる位相差を有
する信号が得ら′れることになる。次に傾斜角度θと位
相差との関係について説明する。今、記録媒体ｌｌ上に
記録した磁化パターンのピッチをＰとし、磁気センサ１
２Ａおよび１２Ｂはそれぞれ長さｌを有しており、これ
らが基板１８上に互いに隣接して並置されているとする
。また、傾斜角度θのときに２つの信号の間には第４図
に示すように位相差βが生ずるものとすると、 となり、したがって となる。例えば、今記録媒体１１として直径が２０ｔｎ
ｖｎのドラムを用い、その周囲に１０００個の・パルス
を記録し、長さ２．８朋の磁気センサ１２Ａおよび１２
Ｂを基板１８上に並置し、９０°の位相差βを有する２
つの信号を発生させる場合には、記録した磁化パターン
のピッチＰは２０×π／１０００　＝０．０６８ｍｍと
なるので、となる。すなわち、基板１８と磁化パターン
とを、変位方向と直交する方向において、０．８２°の
角度だけ傾けることにより、磁気センサ１２Ａおよび１
２Ｂからは互いに９０°の位相差を有する２つの信号が
得られることになる０ 第５図は磁化パターンと磁気センサとを傾斜させること
による出力振幅の変化を示すグラフであり、横軸には２
つの信号間の位相差βおよびそれに対応する傾斜角θを
プロットし、縦軸には傾斜角θ＝０のときの出力に対す
る相対出力■（β）／■（β＝０）をプロットしである
。上述した例のように、傾斜角θを０．８２°として位
相差β＝９００の信号を得るときには、相対出力は９０
％以上となり、十分大きな出力が得られることがわかる
。

このように本発明の変位量検出器においては、単一の磁
化パターントラックを有する磁気記録媒体を用い、２つ
の磁気センサを装着した共通基板を磁化パターンに対し
て角度θだけ傾けることによって所望の位相差βを有す
る２つの信号が得られることになる。

次に、本発明の変位量検出器に用いる磁気センサについ
て詳細に説明する。

第６図Ａは本発明の磁気センサの一例の構成を示す線図
的平面図であり、第６図Ｂは線図的斜視図である。第６
図ＡおよびＢでは図面を明瞭とするために上側の絶縁層
は省いであると共に第６図Ａにおいては磁気抵抗膜には
斜線を付けて示した。

本例では４個の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４を具えるも
のであり、素子ＭＲＩとＭＲ２およびＭＲ８とＭＲ４は
それぞれ同じ磁気抵抗膜をパターニングして形成されて
おり、素子ＭＲＩとＭＲ８おＪ：びＭＲ２とＭＲ４は上
下に積層されている。これらの素子はシリコン基板Ｓの
上に形成されており、素子ＭＲＩ、ＭＲ８とＭＲ２、Ｍ
Ｒ４との間には絶縁膜ＩＮＳが介挿されている。４つの
磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４は第６図Ｃに示すようにブ
リッジ回路を構成するように接続されているＯすなわち
、下側の素子ＭＨＩとＭＲ２の一端は接点Ｃ１およびＣ
２で導体Ｌ１に接続され、この導体は端子Ｔ１に接続さ
れている。上側の素子ＭＲ８とＭＲ４の一端は接点Ｃ８
およびＣ４で導体Ｌ２に接続され、この導体は端子Ｔ２
に接続されている。下側の素子ＭＨＩの他端は接点Ｃ５
および導体Ｌ８を経て端子Ｔ８に接続され、上側の素子
ＭＲ８の他端は接点Ｃ６および導体Ｌ４を経て端子Ｔ４
に接続され、下側の素子ＭＲ２の他端は接点Ｃ７および
導体Ｌ５を経て端子Ｔ５に接続され、上側の素子ＭＲ４
の他端は接点Ｃ８および導体Ｌ６を経て端子Ｔ６に接続
されている。第６図Ａにおいては、下側の素子ＭＲＩお
よびＭＲ２に対する接点は２重枠で示しである０第６図
Ｃに示すように、端子Ｔ１およびＴ２はブリッジ回路の
出力端子であり、差動増幅器ＤＡの差動入力端子Ｇこ・
接続され、端子Ｔ３とＴ４は電源Ｅの正端子に共通に接
続され、端子Ｔ５とＴ６は負端子に共通に接続される。

したがって端子Ｔ８とＴ４およびＴ５とＴ６はそれぞれ
１個の端子とすることもできるが、製造工程途中で磁気
抵抗素子の短絡試験などを行なうためには、上述したよ
うに別個に端子を設けておくのが好適である。このよう
な構成においては、バイアス効果による相互バイアスは
第６図Ｃにおいて素子ＭＲ２とＭＢ８には紙面の下から
上に向うバイアス磁界が印加され、素子ＭＨＩとＭＢ２
には紙面の上から下へ向うバイアス磁界が印加されるこ
とになり、出力信号が得られる結合となる。したがって
差動増幅器ＤＡの出力端子からは磁気検出出力がノイズ
に影響されずに高速度で得られることになる０また、基
板Ｓとしてシリコン基板を用いているが、シリコンはガ
ラスに比べ１０倍以上の熱伝導率を有しているので放熱
作用が高く、磁気抵抗素子で発生されるジュール熱を有
効に放散させることができる口したがって大きな駆動電
流を流すことができるので、検出感度が非常に高くなる
利点がある。また、シリコン基板は半導体装置の製造分
野で良質のものが容易に得られると云う利点もある。

次に本例の磁気センサにおける不平衡電圧を考察してみ
る。今、第１および第２の素子ＭＲＩおよびＭＢ２を構
成する第１の磁気抵抗膜の温度係数をもった比抵抗をρ
、（Ｔ）、膜厚をち□とし、第８および第４の素子ＭＲ
８およびＭＢ２を構成する第２の磁気抵抗膜の比抵抗を
ρ２（Ｔ）、膜厚をｔ、とし、第１および第８の素子Ｍ
ＨＩおよびＭＢ８のパターン形状係数（すなわち長さ７
幅）をに工、第２および第４の素子ＭＲ２およびＭＢ２
のパターン形状係数をに２とすると、第１〜第４の磁気
抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４の抵抗値Ｒ工〜Ｒ４は次のよう
になる。

Ｒｏ−ρ、（Ｔ）・ｋ工／１０ Ｒ，＝ρ、（Ｔ）・ｋ　２　／　ｔ　ｔＲ＝ρ　（Ｔ）
・ｋよ／１２ ２ Ｒ，＝ρ、（Ｔ）・ｋ　、　／　ｔ、　２したがって被
検出磁界がない場合の不平衡電圧ΔＶは電源Ｅの電圧を
ｖｓとすると、 Δｖ＝ｖ１−　ｖ。

となる。すなわち、ρ□（Ｔ）←ρ２（Ｔ）　ｐ　ｔ１
←ｔ２あるいはに１→に２であっても不平衡電圧Δ■は
常に零となり、オフセットや温度ドリフトもなく、正確
な磁気検出を行なうことができる。

次に上述した磁気センサを製造する方法について説明す
る。第７図に示すように、シリコン基板２１の上に厚さ
５００人のＴａ　、０５より成る第１絶縁膜２２、厚さ
８００人の８１チＮｉ　−１９チ・Ｆｅパーマロイより
成る第１磁気抵抗膜２８、厚さ１５００人の８１０２よ
り成る第２絶縁膜２４、厚さ５００人のＴａ２Ｏ，より
成る第８絶縁膜２５、厚さ８００人のＮｉＦｅパーマロ
イより成る第２磁気抵抗膜２６および厚さ１５００Ａの
Ｓ１０．より成る第４絶縁膜２７の６層を順次に蒸着す
る０この蒸着はシリコン基板２１を８００°Ｃの湿度に
加熱して行なう。次Ｇこ、ポジタイプのフォトレジスト
膜を被着する０この蒸着中、基板２１は例えば８００℃
の温度に加熱しておくｏフォトレジスト膜としては、例
えばドライエツチング用のＡＺ−１８５０を用いること
ができる０ 次に、第８図に示すように、形成すべき磁気抵抗素子の
パターンに対応する所望の、＜ターンを有するフォトマ
スクＭ１を用いて光を選択的に照射し、フォトマスクＭ
１の透明部分Ｍｌａを透過した光が当ったフォトレジス
ト膜の非硬化部分を除去する０本例ではフォトマスクＭ
１により形成される磁気抵抗素子の長さＬを約１　ｍｍ
とし、幅Ｗを５０μとする０このバターニングはＴ　ａ
　２０　ｒ、およびＳｉＯ□より成る絶縁膜を除去する
ＯＦ、ガスと、Ｆ、ｅＮｉより成る磁気抵抗膜を除去す
るａｃｉ、ガスと、このＯＯｌ、ガスの作用を補助する
０、ガスとを含むガスを用いるドライエツチングにより
行なう。このようにして６層全部を一回のエツチング処
理により除去するので工程が簡単になると共に上下に積
層される磁気抵抗素子の寸法形状を完全に一致させるこ
とができ、特性の等しいものが容易に得られる。また、
第１および第２の磁気抵抗素子は第１の抵抗膜から形成
し第８および第４の磁気抵抗素子は第２の磁気抵抗膜か
ら形成するのでこれらの膜厚や特性も揃ったものとなる
。

次に第９図に示すように、新たなネガタイプのフォトレ
ジスト膜２８を被着した後、第１０図に示すように下側
の第１磁気抵抗膜２３に対する接点を形成すべき位置に
不透明部Ｍ２ａを形成したフォトマスクＭ２によりフォ
トレジスト膜２８の対応する位置に孔２８ａをあける。

次に、第４絶縁膜２７、第２磁気抵抗膜２６および第８
絶縁膜２５に対してエツチング処理を施し、第１１図に
示すように第２絶縁膜２４まで達するスルーホール８０
を形成する０この場合にも、第１図に示した工程で用い
たＯＦ、ガス、ａａｌ、ガス、０２ガスを用いるドライ
エツチングを採用できる。この工程では第２絶縁膜２４
の表面が露出するまで行なえばよく、この第２絶縁膜が
多少エツチングされてもよいので、エツチングの制御を
それほど厳密に行なう必要はない０また、このエツチン
グはウェットエツチングで行なうこともでき、この場合
には５１０２に対してはフッ酸系エッチャント、Ｔａ２
０５に対してはアルカリ系エッチャント、磁気抵抗膜を
構成するＦｅＮｉに対しては強酸混液エッチャントをそ
れぞれ用いることができる。

次に第１２図に示すようにネガタイプのポリイミド系の
絶縁性フォトレジスト膜３１を被着した後、第１８図に
示すようなフォトマスクＭ８を用いて、フォトレジスト
膜８１に孔８１ａおよび８１ｂをあける０孔８１ａは上
述したスルーホール８０の底部に形成されるものであり
、これと対応するフォトマスクＭ８の不透明部を符号Ｍ
８ａで示す。また、他の不透明部Ｍ８ｂは上側の磁気抵
抗膜２６に対する接点を形成するための孔８１ｂに対応
している。また、フォトマスクＭ８には不透明部Ｍ８ｃ
を形成するが、これは後にボンディングするためにこの
部分の絶縁性フォトレジスト膜３１を除去するためのも
のであり、この部分に対応するフォトレジスト膜８１の
孔は第１２図ではボしていない。

次に、第１４図に示すように７オトレジスト膜８１にあ
けた孔８１ａおよびｆｌｌｌｂを経てＳｉＯ２より成る
第２絶縁膜２４と同じ＜　ＳｉＯ２より成る第４絶縁膜
２７を、ＳｉＯ□を選択的に侵すがＴａ、０５は侵さな
いエッチャント、例えばフッ酸系エッチャントであるＩ
Ｆ　＋　６ＮＨ，Ｆによりウェットエツチングして除去
し、それぞれ第１および第２磁気抵抗膜２８および２６
に達する孔２４ａおよび２７ａを形成する。このように
、Ｓｉｎ、を選択的に腐食除去するエッチャントを用い
て孔を形成するため、第１および第２の磁気抵抗膜２８
および２６がピンホールを介して短絡するのを有効に防
止することができる。

次に、第１５図に示すよう（こ、フォトレジスト膜８１
上に、２０００人の厚さのＭｏ膜および５００ＯＡのＡ
ｕ膜を順次に蒸着して金属膜３８を形成する。この間、
基板２１は約２５０℃の温度に加熱する。

次に、ポジタイプのフォトレジスト膜を被着した後に、
第１６図に示すフォトマスクＭ４を用いて金属膜８３を
バターニングして第１７図に示すような導体パターンを
形成する。

次に、第１８図に示すように、ガラスエポキシより構成
した絶縁基板上に５μの厚さのＮｉ層の上に１μの厚さ
のＡｕ層を被着した後、所定のパターニングを行なった
共通基板３４の金属部分８５ａ上に、それぞれ上述した
ようにして形成した４個の磁気抵抗素子を有する２つの
磁気センサ８６および８７を並べて載せ、シリコン基板
２１を金属部分８５ａにボンディングする。この金属部
分８５ａを大面積とすることにより、これを介しての放
熱作用が助長される効果が得られる。上述したように各
磁気センサ８６および８７はそれぞれ４個の磁気抵抗素
子を有しており、各磁気センサの導体の端子Ｔ１〜Ｔ６
およびＴ　１’〜Ｔ　６’はそれぞれ微細なワイヤ８８
を介して共通基板３４の導体部分８５ａおよび３５ｂ＆
こ接続する０このワイヤボンディングを良好に行なうた
めに、導体端子Ｔ１〜Ｔ６、Ｔ　１’〜Ｔ　６’の下側
では、絶縁性フォトレジスト膜８１は上述したように除
去しである。

これら２個の磁気センサ８６および８７に形成された８
個の磁気抵抗素子ＭＲＩ〜ＭＲ４およびＭＲＩ’〜Ｍ　
Ｒ４’は第１９図に示すように接続されるので、共通基
板８４上の端子８９ａおよび３９ｆは電源Ｅの正および
負端子（こそれぞれ接続され、端子８９ｂおよび８９ｃ
は第１差動増幅器ＤＡに接続され、端子３９ｄおよび８
９ｅは第２差動増幅器Ｄ　Ａ’にそれぞれ接続される０
これら差動増幅器ＤＡおよびＤ　Ａ’の出力は互いに所
定の位相差βを持ったものとなり、これらの出力は信号
処理回路ＳＰＣに供給され、ここで信号処理され、変位
の方向および変位量を表わす信号が出力されることにな
る。

上述したように本発明の変位量検出器（こおいては、２
個の磁気センサを並べて装着した共通基板と磁化パター
ンとを、変位方向と直交する方向において相対的に傾け
るが、この傾斜角度θは、例えば０．８２°ときわめて
僅かである。実際にこのように小さな傾斜角度θを持つ
ように調整することは非常に困難であり、面倒な調整作
業を必要とすると共に精度の高い調整機構を１個１個の
変位量検出器に設けるとコスト高を招くことになる。

本発明はこのような欠点を除去し、共通基板と磁化パタ
ーンとを所望の角度だけ容易かつ迅速に傾斜させること
ができ、しかも各変位量検出器には高精度で高価な調整
機構を設ける必要がないようにした変位量検出器の製造
方法を提供するものである。以下、この製造方法につい
て説明する。

第２０図は、磁気記録媒体として磁気ドラムを用い、そ
の回転方向および回転量を検出するようにした本発明の
変位量検出器の一実施例を示す平面図であり、第２１図
は断面図である。磁気ドラム４１はほぼ円筒状の保持体
４２に軸受４８によって回転自在に支承した軸４４に固
着する。保持体４２には、磁気センサを装着した共通基
板４５を取付板４，６を介して取付ける。第２０図およ
び第２１図においては磁気センサは示していないが、第
２１図において上下方向に並べて共通基板４５に装着さ
れており、この共通基板４５は取付板４６に固着されて
おり、この取付板はねじにより保持体４２に固着されて
いる。した〜がって共通基板４５は保持体４２、したが
って磁気ドラム４１に対して固定的に取付けられている
。軸４４はモータ４７に連結され、このモータにはロー
タリエンコーダ４８が連結されている。一方、磁気ドラ
ム４１に磁化パターンを記録するために磁気ヘッド４９
を設け、この磁気ヘッドをアーム５ｏを介して回転ステ
ージ５１に連結し、磁気ヘッド４９を線Ｘ−Ｘを中心と
して回動できるようにする。

ロータリエンコーダ４８の出力をパルス発生器５２に供
給して軸４４、したがって回転ドラム４１の回転に完全
に一対一に対応するパルスを発生させ、このパルスを磁
気ヘッド４９に供給して磁化パターンを記録するように
する。ロータリエンコーダ４８およびパルス発生器５２
を適切に構成し、磁気ドラム４１の円周面に１０００個
のパルスを等間隔で記録できるようにする。

今、磁気ヘッド４９のギャップが第２２図Ａに示すよう
に軸４４と平行になっていると、磁気ドラム４１の表面
には第２２図Ｂに示すように変位方向Ａに対して直交す
る方向に磁化パターンが記録されることになる。一方、
回転ステージ５１を角度ψだけ回転させると、第２３図
Ａに示すように磁気ヘッド４９のギャップは軸４４に対
して角度ψだけ傾斜することになる。したがってこの場
合には第２８図Ｂに示すように変位方向Ａと直交する方
向に対して角度ψだけ傾いた磁化パターンが記録される
ことになる。したがって、第２１図に示すように共通基
板４５に装着した２つの磁気センサからの出力信号をモ
ニタ５８に表示し、こ・れら２つの信号が所望の位相差
βとなるように回転ステージ５１を操作しながら磁気ド
ラム４１に磁化パターンを記録すれば、共通基板４５と
磁化パターンとは変位方向と直交する方向において所望
の角度θだけ傾斜することになる。この場合、磁気ヘッ
ド４９により以前に記録した磁化パターンの上に新たな
磁化パターンを重畳して記録してもよいが、第２０図に
おいて鎖線で示すように消去ヘッドを設けたり、磁気ヘ
ッド４９を消失ヘッドとして用いて以前に記録した磁化
パターンを消去するようにしてもよい。

上述したように、本発明の製造方法によれば、磁気セン
サを装着した共通基板４５は磁気ドラム４１に対して固
定的に配置し、磁化パターンを記録ヘッド４９を磁気ド
ラム４１に対して傾斜させるようにしたため、共通基板
と磁化パターンを容易かつ迅速に所定の角度だけ相対的
に傾斜させることができる。しかも、磁気ヘッド４９を
回転自在に保持する回転ステージ５１は多数の変位量検
出器に対して共通に使用することができるので、・安価
に実施することができる。

本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、幾
多の変更や変形が可能である。例えば上述した例では２
個の磁気−センサを用い、互いに９００の位相差を有す
る２つの信号を発生させるようにしたが、３つの磁気セ
ンサを用い、相互に４５°の位相差を有する８つの信号
を発生させたり、５つの磁気センサを用い、相互に４５
°の位相差を有する５つの信号を発生させることもでき
る。また、磁気記録媒体は磁気ドラムに限定されるもの
ではなく、磁気ディスクとすることもでき、またリニア
エンコーダとして用いることもできる。

さらに、磁気センサを固定し、磁化パターンを移動させ
る代りに、磁化パターンを固定し、磁気センサを移動さ
せることもできる。また、磁気センサも上述した例に限
定されるものではなく、種々の形式、構成の磁気センサ
を用いることができる。

さらに、第２１図に示す例ではモニタ上に２つの信号を
再生表示し、これを見ながら回転ステージを回転させる
ようにしたが、２つの信号の位相差が所望の値になるよ
うしこ回転ステージを自動的に回転させるサーボループ
を設けてもよい０上述したようＧこ、本発明の変位量検
出器は、磁気センサを並べて装着した共通基板と磁化パ
ターンとを、変位方向と直交する方向において相対的に
傾斜させたため、単一の磁化パターンを用いて互いに所
定の位相差を有する信号を得ることができ、変位の方向
および変位量を正確に検出することができる。また、本
発明の製造方法によれば、共通基板と磁化パターンとを
容易かつ正確に所定の角度だけ傾斜させることができる
と共に個々の変位値検出器には調整機構を設ける必要が
ないので、安価に実施することができる０

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来の変位量検出器の構成を示す
線図、 第３図は本発明の変位量検出器の原理的構成を示す線図
、 第４図および第５図は本発明の変位量検出器の動作を説
明するための図、 第６図Ａ、ＢおよびＣは本発明の変位量検出器に用いる
磁気センサの一例の構成を示す図、第７図〜第１８図は
同じく磁気センサの順次の製造工程を示す図、 第１９図は同じく磁気センサの回路図、第２０図および
第２１図は本発明の製造方法を説明するための平面図お
よび断面図、 第２２図Ａ、Ｂおよび第２３図Ａ、Ｂは同じくその製造
方法を説明するための図である０１１・・・磁気記録媒
体 １２Ａ、１２Ｂ・・・磁気センサ １８・・・共通基板　　　　Ａ・・変位方向θ・傾斜角
　　　　　　β　位相差 ３４・共通基板　　　　８６．３７・・磁気センサ４１
・・・磁気ドラム　　　４２・・保持体４４　・軸　　
　　　　　４５　・共通基板４６・・・取付板　　　　
　４７　・モータ４８・・・ロータリエンコーダ ４９・・・磁気ヘッド　　　５１・・回転テーブル５２
・・・パルス発ＩＪＥ、器５８・・・モニタ０第１図 ２Ａ ｂ 第２図 第４図 第９図 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第２２図 ＡＢ 第２３図 Ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　少なく共２組の磁気センサを共通の基板上に並べて
   装着し、この共通基板と磁化パターンとを、変位方向と
   直交する方向において相対的に傾斜させて配置し、所定
   の位相差を有する少なく共２つの信号を発生させるよう
   構成したことを特徴とする変位量検出器。 ２　前記磁化パターンを変位方向と直交する方向に延在
   させると共に前記共通の基板を変位方向と直交する方向
   に対して傾斜させたことを特徴とする特許請求の範囲ｌ
   記載の変位量検出器。 ＆　前記共通基板を変位方向と直交する方向に延在させ
   ると共に前記磁化パターンを変位方向と直交する方向に
   対して傾斜させたことを特徴とする特許請求の範囲ｌ記
   載の変位量検出器。 表　前記磁化パターンを変位方向と直交する方向に対し
   て傾斜させると共に前記共通基板を変位方向と直交する
   方向に対して傾斜させたことを特徴とする特許請求の範
   囲１記載の変位量検出器。 五　少なく共２組の磁気センサを並べて装着した共通基
   板と磁化パターンとを、変位方向と直交する方向におい
   て相対的に傾斜させて配置した変位量検出器を製造する
   に当たり、少なく共２組の磁気センサを装着した共通基
   板を、磁化パターンを記録すべき磁気記録媒体に対［７
   て固定的に取付け、変位方向と直交する方向に対して回
   動自在に配置した記録ヘッドによって前記磁気記録媒体
   に磁化パターンを記録し、この記録した磁化パターンに
   応答して磁気センサから出力される少なく共２つの信号
   が所定の位相差を有するように前記記録ヘッドを回動さ
   せることを特徴とする変位量検出器の製造方法。