JP2674294B2 - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
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- JP2674294B2 JP2674294B2 JP2266496A JP26649690A JP2674294B2 JP 2674294 B2 JP2674294 B2 JP 2674294B2 JP 2266496 A JP2266496 A JP 2266496A JP 26649690 A JP26649690 A JP 26649690A JP 2674294 B2 JP2674294 B2 JP 2674294B2
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- Japan
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- head
- electrode
- insulating layer
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁
気記録装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに関する。
気記録装置に使用される磁気抵抗効果ヘッドに関する。
［従来の技術］ 磁気抵抗効果ヘッド（以下、MRヘッドと称する。）は
高い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体−
磁気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装
置の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。
MRヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、MR素子
と称する。）に電極を取り付けて電流を流し、MR素子の
抵抗変化を出力として検出している。このMRヘッドと電
極の取り付け方法としては多くのものが開発されてい
る。
高い再生感度を有し、かつ、再生出力が磁気記録媒体−
磁気ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記録装
置の高密度化、小型化に対して有利なデバイスである。
MRヘッドにおいては、磁気抵抗効果素子（以下、MR素子
と称する。）に電極を取り付けて電流を流し、MR素子の
抵抗変化を出力として検出している。このMRヘッドと電
極の取り付け方法としては多くのものが開発されてい
る。
第２図は従来のMRヘッドの構成の一例を示すディスク
対向面の断面図である。このMRヘッドでは、電極２がテ
ーパー形状に形成されており、その上にMR素子１が形成
されている。電極がテーパー形状になっていることは、
MR素子の形状異方性を生かし、バルクハウゼンノイズを
軽減する効果がある。このMRヘッドにおいては、媒体か
ら発する磁束のうち、電極の間を通るものが検出される
ので、MRヘッドの感知幅は電極間の距離に等しいといえ
る。また、図中、４は下シールド間ギャップを、５は上
シールド間ギャップを示しており、磁気シールド6,7が
媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収することに
より分解能を高めている。
対向面の断面図である。このMRヘッドでは、電極２がテ
ーパー形状に形成されており、その上にMR素子１が形成
されている。電極がテーパー形状になっていることは、
MR素子の形状異方性を生かし、バルクハウゼンノイズを
軽減する効果がある。このMRヘッドにおいては、媒体か
ら発する磁束のうち、電極の間を通るものが検出される
ので、MRヘッドの感知幅は電極間の距離に等しいといえ
る。また、図中、４は下シールド間ギャップを、５は上
シールド間ギャップを示しており、磁気シールド6,7が
媒体から発する磁束のうち余分な磁束を吸収することに
より分解能を高めている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、近年、記録密度が上がり、トラック幅
が狭くなるにつれて、電極をテーパー形状にエッチング
する際に生じる誤差により、MRヘッドの感知幅を精度よ
く定めることが困難になっている。
が狭くなるにつれて、電極をテーパー形状にエッチング
する際に生じる誤差により、MRヘッドの感知幅を精度よ
く定めることが困難になっている。
本発明の目的は、テーパー形状の電極を用いたMRヘッ
ドにおいて、感知幅を正確に定めることのできるMRヘッ
ドを提供することにある。
ドにおいて、感知幅を正確に定めることのできるMRヘッ
ドを提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、テーパー形状の分離した電極層と、該電極
層間に形成され、前記テーパー部に接触した絶縁層と、
前記電極層と前記絶縁層に接した磁気抵抗効果素子層と
が順次積層して形成され、前記磁気抵抗効果素子層のう
ち、前記絶縁層に接した部分が磁界の検出用に作用する
磁気抵抗効果ヘッドであって、絶縁層と磁気抵抗効果素
子層との接触面が平坦面であることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッドである。
層間に形成され、前記テーパー部に接触した絶縁層と、
前記電極層と前記絶縁層に接した磁気抵抗効果素子層と
が順次積層して形成され、前記磁気抵抗効果素子層のう
ち、前記絶縁層に接した部分が磁界の検出用に作用する
磁気抵抗効果ヘッドであって、絶縁層と磁気抵抗効果素
子層との接触面が平坦面であることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッドである。
［作用］ 本発明においては、テーパー形状の電極とMR素子層の
間に絶縁層を設置し、感知幅として絶縁層の幅を用いる
ことにより、トラック幅を精度よく決定することができ
る。また、絶縁層とMR素子層の接触面を平面にすること
により、バルクハウゼンノイズの発生が抑えられる。
間に絶縁層を設置し、感知幅として絶縁層の幅を用いる
ことにより、トラック幅を精度よく決定することができ
る。また、絶縁層とMR素子層の接触面を平面にすること
により、バルクハウゼンノイズの発生が抑えられる。
［実施例］ 次に本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1,2 第１図は本発明の一実施例の断面図である。セラミッ
クの非磁性基板上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた下
シールド７をメッキ法により成膜し、次いでイオンミリ
ングにより、幅30μｍにパターン化する。その上に、厚
さ0.4μｍのSiO2を用いた下シールド間ギャープ４をス
パッタリング法により成膜し、さらに、厚さ0.24μｍの
Auを用いた電極２を蒸着法により成膜する。この電極の
上に、厚さ0.01μｍのTa、厚さ0.14μｍのAl2O3、厚さ
１μｍのレジストを成膜し、入射角30゜のArビームによ
り電極をテーパー形状にエッチングし、Al2O3をホット
リン酸により除去する。次に、ステンシル形状のフォト
レジストをトラック幅に相当する幅4.0μｍだけ離して
１組作製し、厚さ0.04μｍのSiO2からなる絶縁層３をリ
フトオフにより成膜する。
クの非磁性基板上に厚さ１μｍのパーマロイを用いた下
シールド７をメッキ法により成膜し、次いでイオンミリ
ングにより、幅30μｍにパターン化する。その上に、厚
さ0.4μｍのSiO2を用いた下シールド間ギャープ４をス
パッタリング法により成膜し、さらに、厚さ0.24μｍの
Auを用いた電極２を蒸着法により成膜する。この電極の
上に、厚さ0.01μｍのTa、厚さ0.14μｍのAl2O3、厚さ
１μｍのレジストを成膜し、入射角30゜のArビームによ
り電極をテーパー形状にエッチングし、Al2O3をホット
リン酸により除去する。次に、ステンシル形状のフォト
レジストをトラック幅に相当する幅4.0μｍだけ離して
１組作製し、厚さ0.04μｍのSiO2からなる絶縁層３をリ
フトオフにより成膜する。
さらに、MR素子層１として、厚さ0.04μｍのパーマロ
イ膜、厚さ0.02μｍのTi膜、および厚さ0.05μｍのCoZr
Mo膜を成膜する。そしてMR素子層と絶縁層と電極とを同
時に幅５μｍにパターン化する。
イ膜、厚さ0.02μｍのTi膜、および厚さ0.05μｍのCoZr
Mo膜を成膜する。そしてMR素子層と絶縁層と電極とを同
時に幅５μｍにパターン化する。
さらに、厚さ0.3μｍのSiO2膜を用いた上シールド間
ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に
厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ
法により成膜する。次いで、フォトリソグラフィー技術
とイオンエッチング技術を用いて、幅30μｍのパターン
に形成する。得られたMRヘッドを実施例１とする。
ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に
厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ
法により成膜する。次いで、フォトリソグラフィー技術
とイオンエッチング技術を用いて、幅30μｍのパターン
に形成する。得られたMRヘッドを実施例１とする。
実施例１においては、感知幅は4.0μｍとしたが、上
記と同様にして、この幅が８μｍであるものを作製し、
実施例２とした。これらのMRヘッドをそれぞれ複数個作
製し、実際の感知幅がどの程度ばらついているかをレー
ザー顕微鏡により測定した。表−１は感知幅の設計値と
実測値のずれを示したものである。表−１より、本発明
の実施例のMRヘッドでは0.2μｍ以下の精度で感知幅を
決定することができ、感知幅が４μｍであるような狭ト
ラックヘッドでも適用できることが実証された。
記と同様にして、この幅が８μｍであるものを作製し、
実施例２とした。これらのMRヘッドをそれぞれ複数個作
製し、実際の感知幅がどの程度ばらついているかをレー
ザー顕微鏡により測定した。表−１は感知幅の設計値と
実測値のずれを示したものである。表−１より、本発明
の実施例のMRヘッドでは0.2μｍ以下の精度で感知幅を
決定することができ、感知幅が４μｍであるような狭ト
ラックヘッドでも適用できることが実証された。
比較例1,2 第２図は本発明の第１の比較例を示すMRヘッドの断面
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパ
ーマロイを用いた下シールド７をメッキ法により成膜
し、イオンミリングにより幅30μｍにパターン化する。
その上に、厚さ0.4μｍのSiO2を用いた下シールド間ギ
ャップ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚
さ0.24μｍのAuを用いた電極２を蒸着法により成膜す
る。この電極の上に、厚さ0.01μｍのTa、厚さ0.14μｍ
のAl2O3、厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角30゜
のArビームにより電極をテーパー形状にエッチングし、
Al2O3をホットリン酸により除去する。このとき分離し
た電極の幅が感知幅となる。本比較例ではこの幅が４μ
ｍとなるようにレジストを配置している。
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパ
ーマロイを用いた下シールド７をメッキ法により成膜
し、イオンミリングにより幅30μｍにパターン化する。
その上に、厚さ0.4μｍのSiO2を用いた下シールド間ギ
ャップ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚
さ0.24μｍのAuを用いた電極２を蒸着法により成膜す
る。この電極の上に、厚さ0.01μｍのTa、厚さ0.14μｍ
のAl2O3、厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角30゜
のArビームにより電極をテーパー形状にエッチングし、
Al2O3をホットリン酸により除去する。このとき分離し
た電極の幅が感知幅となる。本比較例ではこの幅が４μ
ｍとなるようにレジストを配置している。
次に、MR素子層１として、厚さ0.04μｍのパーマロイ
膜、厚さ0.02μｍのTi膜、および厚さ0.05μｍのCoZrMo
膜を成膜する。そしてMR素子層と絶縁層と電極とを同時
に幅５μｍにパターン化する。
膜、厚さ0.02μｍのTi膜、および厚さ0.05μｍのCoZrMo
膜を成膜する。そしてMR素子層と絶縁層と電極とを同時
に幅５μｍにパターン化する。
さらに、厚さ0.3μｍのSiO2膜を用いた上シールド間
ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に
厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ
法により成膜する。次いでフォトリソグラフィー技術と
イオンエッチング技術を用いて、幅30μｍのパターンに
形成する。得られたMRヘッドを比較例１とする。
ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に
厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ
法により成膜する。次いでフォトリソグラフィー技術と
イオンエッチング技術を用いて、幅30μｍのパターンに
形成する。得られたMRヘッドを比較例１とする。
比較例１では感知幅は電極の距離で決定され、４μｍ
であったが、上記と同様にして感知幅が８μｍのものを
作製し、比較例２とした。
であったが、上記と同様にして感知幅が８μｍのものを
作製し、比較例２とした。
表−２は感知幅の設計値と実測値のずれを示したもの
である。表−２より、比較例のMRヘッドでは感知幅の作
成誤差が1.0μｍ以上になってしまうため、感知幅が４
μｍであるような狭トラックヘッドには適用できないこ
とがわかる。
である。表−２より、比較例のMRヘッドでは感知幅の作
成誤差が1.0μｍ以上になってしまうため、感知幅が４
μｍであるような狭トラックヘッドには適用できないこ
とがわかる。
比較例３ 第３図は本発明の第３の比較例を示すMRヘッドの断面
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパ
ーマロイを用いた下シールド７をメッキ法により成膜
し、イオンミリングにより幅30μｍにパターン化する。
その上に、厚さ0.4μｍのSiO2を用いた下シールド間ギ
ャップ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚
さ0.24μｍのAuを用いた電極２を蒸着法により成膜す
る。この電極の上に、厚さ0.01μｍのTa、厚さ0.14μｍ
のAl2O3、厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角30゜
のArビームにより電極をテーパー形状にエッチングし、
Al2O3をホットリン酸により除去する。次に、フォトレ
ジストを感知幅に相当する幅４μｍだけ離して１組作成
し、厚さ0.04μｍのSiO2からなる絶縁層３をリフトオフ
により成膜する。
図である。セラミックの非磁性基板上に厚さ１μｍのパ
ーマロイを用いた下シールド７をメッキ法により成膜
し、イオンミリングにより幅30μｍにパターン化する。
その上に、厚さ0.4μｍのSiO2を用いた下シールド間ギ
ャップ４をスパッタリング法により成膜し、さらに、厚
さ0.24μｍのAuを用いた電極２を蒸着法により成膜す
る。この電極の上に、厚さ0.01μｍのTa、厚さ0.14μｍ
のAl2O3、厚さ１μｍのレジストを成膜し、入射角30゜
のArビームにより電極をテーパー形状にエッチングし、
Al2O3をホットリン酸により除去する。次に、フォトレ
ジストを感知幅に相当する幅４μｍだけ離して１組作成
し、厚さ0.04μｍのSiO2からなる絶縁層３をリフトオフ
により成膜する。
さらに、MR素子層１として、厚さ0.04μｍのパーマロ
イ膜、厚さ0.02μｍのTi膜、および厚さ0.05μｍのCoZr
Mo膜を成膜する。そしてMR素子層と絶縁層と電極とを同
時に幅５μｍにパターン化する。
イ膜、厚さ0.02μｍのTi膜、および厚さ0.05μｍのCoZr
Mo膜を成膜する。そしてMR素子層と絶縁層と電極とを同
時に幅５μｍにパターン化する。
さらに、厚さ0.3μｍのSiO2膜を用いた上シールド間
ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に
厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ
法により成膜する。次いでフォトリソグラフィー技術と
イオンエッチング技術を用いて、幅30μｍのパターンに
形成する。
ギャップ５をスパッタリング法により成膜し、その上に
厚さ１μｍのパーマロイを用いた上シールド６をメッキ
法により成膜する。次いでフォトリソグラフィー技術と
イオンエッチング技術を用いて、幅30μｍのパターンに
形成する。
本比較例においては、感知幅は感知幅は４μｍであ
る。しかしながら、感知幅の端部において、MR素子が電
極のテーパー形状を反映するため、第３図に示すよう
に、MR素子１が平面とならずに屈曲してしまっている。
る。しかしながら、感知幅の端部において、MR素子が電
極のテーパー形状を反映するため、第３図に示すよう
に、MR素子１が平面とならずに屈曲してしまっている。
表−３は感知幅が４μｍの実施例１と比較例３につい
て、作製したMRヘッドの再生波形にバルクハウゼンノイ
ズが発生する頻度を示したものである。表−３より、比
較例３においてはテストしたすべてのヘッドでバルクハ
ウゼンノイズが観測されていることがわかる。
て、作製したMRヘッドの再生波形にバルクハウゼンノイ
ズが発生する頻度を示したものである。表−３より、比
較例３においてはテストしたすべてのヘッドでバルクハ
ウゼンノイズが観測されていることがわかる。
表−１および表−３より、本発明のMRヘッドが感知幅
を精度よく決定することが可能であり、かつ、バルクハ
ウゼンノイズの発生頻度が小さいのに対して、電極間の
距離を感知幅としたMRヘッドでは感知幅を精度よく定め
ることが困難であり、また、MR素子と絶縁層の接触面が
平面になっていないMRヘッドにおいては、バルクハウゼ
ンノイズが100％発生してしまうことがわかる。
を精度よく決定することが可能であり、かつ、バルクハ
ウゼンノイズの発生頻度が小さいのに対して、電極間の
距離を感知幅としたMRヘッドでは感知幅を精度よく定め
ることが困難であり、また、MR素子と絶縁層の接触面が
平面になっていないMRヘッドにおいては、バルクハウゼ
ンノイズが100％発生してしまうことがわかる。
［発明の効果］ 以上のように、本発明においては、感知幅を正確に定
めることができ、バルクハウゼンノイズの少ない磁気抵
抗効果ヘッドを得ることができる。
めることができ、バルクハウゼンノイズの少ない磁気抵
抗効果ヘッドを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例のディスク対向面の断面図、
第２図および第３図はそれぞれ本発明の比較例に用いら
れる磁気抵抗効果ヘッドのディスク対向面の断面図であ
る。 １……MR素子 ２……電極 ３……絶縁層 ４……下シールド間ギャップ ５……上シールド間ギャップ ６……上シールド ７……下シールド
第２図および第３図はそれぞれ本発明の比較例に用いら
れる磁気抵抗効果ヘッドのディスク対向面の断面図であ
る。 １……MR素子 ２……電極 ３……絶縁層 ４……下シールド間ギャップ ５……上シールド間ギャップ ６……上シールド ７……下シールド
Claims (1)
- 【請求項１】テーパー形状の分離した電極層と、該電極
層間に形成され、前記テーパー部に接触した絶縁層と、
前記電極層と前記絶縁層に接した磁気抵抗効果素子層と
が順次積層して形成され、前記磁気抵抗効果素子層のう
ち、前記絶縁層に接した部分が磁界の検出用に作用する
磁気抵抗効果ヘッドであって、絶縁層と磁気抵抗効果素
子層との接触面が平坦面であることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266496A JP2674294B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2266496A JP2674294B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143914A JPH04143914A (ja) | 1992-05-18 |
| JP2674294B2 true JP2674294B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=17431735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2266496A Expired - Lifetime JP2674294B2 (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674294B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5296987A (en) * | 1992-06-05 | 1994-03-22 | Hewlett-Packard Company | Tapered conductors for magnetoresistive transducers |
| US5707538A (en) * | 1995-07-28 | 1998-01-13 | Read-Rite Corporation | Variable gap magnetoresistive transducer and method of making the same |
| US6920021B2 (en) | 2002-08-26 | 2005-07-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Sunken electrical lead defined narrow track width magnetic head |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154012A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
| JPH026491Y2 (ja) * | 1984-09-07 | 1990-02-16 |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2266496A patent/JP2674294B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04143914A (ja) | 1992-05-18 |
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