JPS59204295A - 金属回路構造体 - Google Patents
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- JPS59204295A JPS59204295A JP144684A JP144684A JPS59204295A JP S59204295 A JPS59204295 A JP S59204295A JP 144684 A JP144684 A JP 144684A JP 144684 A JP144684 A JP 144684A JP S59204295 A JPS59204295 A JP S59204295A
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- H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
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- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、金属回路と、ポリイミド及び無機充填月を含
む組成物より成る誘電体層とが組合わされた。金属回路
構造体に係る。
む組成物より成る誘電体層とが組合わされた。金属回路
構造体に係る。
ポリイミドの層を含む構造体は周知である。ボリイミ１
り゛は、その誘電体特性並びに化学的及び機械的耐性に
より、多くの適用例に適した材料である。ポリイミド中
に充填材を混和することにより、ポリイミドの１３′性
を特別な目的に適合させるにとも知られている。
り゛は、その誘電体特性並びに化学的及び機械的耐性に
より、多くの適用例に適した材料である。ポリイミド中
に充填材を混和することにより、ポリイミドの１３′性
を特別な目的に適合させるにとも知られている。
Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ、 Ｄｉｓ
ｃ］、ｏｓ＋ｎ°ｅ Ｂｕ Ｉ ＩｃＬ、ｉｎ 、
第２３巻、第１２号、１９８１年５月、第５２８１頁
に於ける”５ｃｒｅｅｎａｂｌｅ Ａｌｐｈａ Ｐａｒ
シ１ｃｌｅ ｌ１ｊｒｒｉｃｒ”と題する文献に於て、
ポリアミン酸（ｐｏｌｙａｍｉｃａｃｊ、ｄ）及び窒化
硼素の粒子を含む溶液が、アルファ粒子障壁を形成する
ために基板上にスクリーン印刷されることが記載されて
いる。それらの微小な平板状の窒化硼素の粒子は又、熱
の転送を増加させる熱伝導利としても働く。
ｃ］、ｏｓ＋ｎ°ｅ Ｂｕ Ｉ ＩｃＬ、ｉｎ 、
第２３巻、第１２号、１９８１年５月、第５２８１頁
に於ける”５ｃｒｅｅｎａｂｌｅ Ａｌｐｈａ Ｐａｒ
シ１ｃｌｅ ｌ１ｊｒｒｉｃｒ”と題する文献に於て、
ポリアミン酸（ｐｏｌｙａｍｉｃａｃｊ、ｄ）及び窒化
硼素の粒子を含む溶液が、アルファ粒子障壁を形成する
ために基板上にスクリーン印刷されることが記載されて
いる。それらの微小な平板状の窒化硼素の粒子は又、熱
の転送を増加させる熱伝導利としても働く。
Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓｕｒ
ｅ １３ｕ月ｅＬｊｎ、第２３巻、第１号、１９８０年
６月、第１０９頁に於ける” ５ｃｒｅｅｎｅｄ Ｍ
ｕｌ、Ｌ、１ｌａｙｃｒ ＰｏＪｙｊ、ｎ＋ｉ、ｄｅ”
と題する文献は、低流動特性を有する、スクリーン印刷
可能な、付着性のポリイミド・ベース１への形成及び使
用について開示している。このベース１−に於ては、ポ
リアミン酸が溶解されている溶媒を吸収するスボンドと
して働く充填材として、グラファイトが用いられている
。従って、グラフアイ１−は、ポリイミドの前駆物質の
過度の浸出及び望ましくない流動を防ぐ。使用される際
に、上記ベース１−が清浄な乾燥した基板上にスクリー
ン印刷されて、３５０℃で硬化される。その様なグラフ
ァイトで充填されたポリイミドは、抵抗又はキャパシタ
の層を形成するために用いられる。所望ならば、その様
にして形成された抵抗層は、表面上に蒸着又はスバツタ
リンタされた金属を有してもよい。
ｅ １３ｕ月ｅＬｊｎ、第２３巻、第１号、１９８０年
６月、第１０９頁に於ける” ５ｃｒｅｅｎｅｄ Ｍ
ｕｌ、Ｌ、１ｌａｙｃｒ ＰｏＪｙｊ、ｎ＋ｉ、ｄｅ”
と題する文献は、低流動特性を有する、スクリーン印刷
可能な、付着性のポリイミド・ベース１への形成及び使
用について開示している。このベース１−に於ては、ポ
リアミン酸が溶解されている溶媒を吸収するスボンドと
して働く充填材として、グラファイトが用いられている
。従って、グラフアイ１−は、ポリイミドの前駆物質の
過度の浸出及び望ましくない流動を防ぐ。使用される際
に、上記ベース１−が清浄な乾燥した基板上にスクリー
ン印刷されて、３５０℃で硬化される。その様なグラフ
ァイトで充填されたポリイミドは、抵抗又はキャパシタ
の層を形成するために用いられる。所望ならば、その様
にして形成された抵抗層は、表面上に蒸着又はスバツタ
リンタされた金属を有してもよい。
欧州彷シ′１出有ｉ第ＦＰ−Ａ−００３０６４１号明細
書はポリイミド及び微／ｈな平板状の雲母より成る、全
面的又は選択的被膜について記載している。その被膜を
形成するために、微小な平板状の雲母を含むポリアミン
酸の溶液が、基板上に均一に、又は所望のパターンを有
するスクリーンを通して（＝Ｊ着される。溶媒が除去さ
れ、得られた層が硬化さ汎て、固体の旧著性の被膜が形
成される。その被膜は、望積回路を有するシリコン・チ
ップが表面上に装７ｎさｈるセラミック基板上に露出さ
れている、電流の流Ｊしる金属パターンを絶縁するため
に用いられることが好ましい。
書はポリイミド及び微／ｈな平板状の雲母より成る、全
面的又は選択的被膜について記載している。その被膜を
形成するために、微小な平板状の雲母を含むポリアミン
酸の溶液が、基板上に均一に、又は所望のパターンを有
するスクリーンを通して（＝Ｊ着される。溶媒が除去さ
れ、得られた層が硬化さ汎て、固体の旧著性の被膜が形
成される。その被膜は、望積回路を有するシリコン・チ
ップが表面上に装７ｎさｈるセラミック基板上に露出さ
れている、電流の流Ｊしる金属パターンを絶縁するため
に用いられることが好ましい。
米国特許第３６１５９１３号明細書は、半導体表面のた
めの表面安定化層として用いられるポリイミド及びポリ
アミド−ポリイミドの被膜並びにその様な被膜の形成に
ついて記載している。その被膜は、酸化アルミニウム、
酸化シリコン、ガラス・ファイバ、窒化硼素、６莢、雲
母、酸化マタ′ネシウム、及び再活性化されたボリテ１
〜ラフルオルエチレンより成る群から選択された電気的
絶縁月より成る充填材を含む。
めの表面安定化層として用いられるポリイミド及びポリ
アミド−ポリイミドの被膜並びにその様な被膜の形成に
ついて記載している。その被膜は、酸化アルミニウム、
酸化シリコン、ガラス・ファイバ、窒化硼素、６莢、雲
母、酸化マタ′ネシウム、及び再活性化されたボリテ１
〜ラフルオルエチレンより成る群から選択された電気的
絶縁月より成る充填材を含む。
米国特許第４２４６１．４７号明細沓は、ろう（Ｊけ用
マスクの組成物、スクリーン印刷によるその付着、その
使用及びその剥離について記載している。スクリーン印
刷及び剥離が可能な、そのろう付は用マスク組成物は、
ポリエボキシト又はポリイミド／アミド、粘着性低下剤
（ｄａｔ、ａｃｋｊ−ｆｊ、ｅｒ）、高温に耐える充填
材、及び溶媒を含む。その付着されたろう付は用マスク
は、基板上の所定の領域をろうの付着から保護する。ろ
うイ・」け用マスクは、それが使用された後に容易に剥
離可能であることが重要である。その固体の充填材は、
高温にさらされて耐え得るものでなければならない。高
温に耐える、適当な固体の充填材には、例えば、酸化亜
鉛及びアルミナ等がある。
マスクの組成物、スクリーン印刷によるその付着、その
使用及びその剥離について記載している。スクリーン印
刷及び剥離が可能な、そのろう付は用マスク組成物は、
ポリエボキシト又はポリイミド／アミド、粘着性低下剤
（ｄａｔ、ａｃｋｊ−ｆｊ、ｅｒ）、高温に耐える充填
材、及び溶媒を含む。その付着されたろう付は用マスク
は、基板上の所定の領域をろうの付着から保護する。ろ
うイ・」け用マスクは、それが使用された後に容易に剥
離可能であることが重要である。その固体の充填材は、
高温にさらされて耐え得るものでなければならない。高
温に耐える、適当な固体の充填材には、例えば、酸化亜
鉛及びアルミナ等がある。
本発明の目的は、小さな許容範囲内で再現可能な÷１１
互に近接して配置された小さな貫通孔を有し、４５Ｊ
才ｔたイ・１若特性並びに好ましい物理的及び化学的特
性を右する、ポリイミドを基材とする誘電体層を相互間
に有している相互接続された金属回路の複数の層より成
り、大規模の製造処理に適している、基板−にに設けら
れた金属回路構造体を提供することである。
互に近接して配置された小さな貫通孔を有し、４５Ｊ
才ｔたイ・１若特性並びに好ましい物理的及び化学的特
性を右する、ポリイミドを基材とする誘電体層を相互間
に有している相互接続された金属回路の複数の層より成
り、大規模の製造処理に適している、基板−にに設けら
れた金属回路構造体を提供することである。
本発明の」二記１〒１的は、ポリイミドと、酸化アルミ
ニラ１３又は酸化亜鉛或はそれらに混合物とを含む組成
物より成る誘電体層を相互間に有している金層回路の複
数の層より成る、基板上に設けられた金属回路構造体に
よって達成される。上記構造体は、次の処理工程を含む
方法によって形成される。
ニラ１３又は酸化亜鉛或はそれらに混合物とを含む組成
物より成る誘電体層を相互間に有している金層回路の複
数の層より成る、基板上に設けられた金属回路構造体に
よって達成される。上記構造体は、次の処理工程を含む
方法によって形成される。
（］）金属回路の層を表面上に有する基板上に、ポリア
ミドカルポル酸と、酸化アルミニウム又は酸化亜鉛或は
それらの混合物とを含む組成物を全面的にスクリーン印
刷する。
ミドカルポル酸と、酸化アルミニウム又は酸化亜鉛或は
それらの混合物とを含む組成物を全面的にスクリーン印
刷する。
（２） その付着された層を約７５乃至約１２０℃の
温度で乾燥させる。
温度で乾燥させる。
（３）相互に隣接する金属回路の層の間に１１通孔が必
要とされる位置に於て、上記の（，１着された層中に貫
通孔を選択的に食刻する。
要とされる位置に於て、上記の（，１着された層中に貫
通孔を選択的に食刻する。
（４）上記の付着された層を約３００乃至４００℃の温
度で硬化させる。
度で硬化させる。
（５）金層回路のもう１つの層を形成する。
本発明による構造体に於ける誘電体層は、金層とポリイ
ミＩくとの厚さの比が約１：２を超えない限りに於て、
平坦である。Ａ１□０３又′は、Ｚ ｎ Ｏは誘電体層
の機械的及び熱的安定性並びに熱伝導性を増加させる。
ミＩくとの厚さの比が約１：２を超えない限りに於て、
平坦である。Ａ１□０３又′は、Ｚ ｎ Ｏは誘電体層
の機械的及び熱的安定性並びに熱伝導性を増加させる。
それらの特性は、その月料が金属回路の２つの層の間の
誘電体層に用いられるために不可欠であり、それらの層
が超小型化されそして相互に近接して配置された金層路
を有する場合には特に不可欠である。従来技術に於て、
Ａｉ。
誘電体層に用いられるために不可欠であり、それらの層
が超小型化されそして相互に近接して配置された金層路
を有する場合には特に不可欠である。従来技術に於て、
Ａｉ。
０３又ＺｎＯを含むポリイミドを本明細書に記載の如く
用いることは何ら提案されておらず、又（Ｊ若された後
にフオ［−リソグラフィ食刻工程を施される、ポリイミ
ドの＋’＋ｉｒ駆物質及び充填利を含む、スクリーン印
刷可能な組成物を用いることも何ら提案さＡｔでいない
。本発明による構造体を形成するための方法に於ては、
金属領域上及び非金属領域」二の各々に必要とさ才しる
均一な層の厚さを得るために、誘電体層はスクリーン印
刷によって付着されねばならない。均・な層の厚さは、
誘電体層中のピン・ホール？！：除くために必要である
。しかしながら、Ｊ′１通孔が小さな・ｊ′法を有して
いるので、それらをスクリーン印刷方法に於て形成する
ことは極めてＸ（、シい、従−）で、貫通孔は食刻方法
により形成されねばならない。しかしながら、ここで問
題が生じる。組成物がスクリーン印刷可能であるために
は、その組成物は、り＃ｚ燥されなけれは後の処理が困
ガ（である様な粘稠度を有していなければならないが、
その弓！２ガに工程に於ては、スクリーン印刷可能な、
ｔｉｉ成物生物中まれているポリアミドカルポル酸のイ
ミ１く化が進行しがちであり、そのイミド化が進行しす
ぎた場合には、その組成物の食刻が不可能になる。しか
しながら、本発明に於ては、Ａ」２０３及びＺ【１０が
イミド化を抑制するので、その様な問題は生じない。そ
れは、層＋！旧の食刻可能性を維持するだけでなく、）
第１・リソグラフィ食刻工程に於て本来的に実現される
周知の小さな１１′１容範囲内の再現性とともに２，７
５板全体に亘る均一・な食刻速度を保証する。この均一
な食刻速度は、均一な貫通孔の寸法を得るために必要な
方のＩ）θ捉条件である。他方の前提条件は、ｉ）′
ｌＪ述の如く、スクリーン印刷により実現される層の厚
さの均・さである。従って、スクリーン印刷方法と、ポ
リイミドの硬化の程度に本質的な影￥ｙτをＩｊえない
・：吃燥方法と、フ牙トリソグラフィ食刻力法とのユニ
ークな組合せのみが、相互に近接しＣ配置された小さな
貫通孔のパターンの再現可能な形成を保証する。この様
な組合せは、従来技術に於て提案されていない。
用いることは何ら提案されておらず、又（Ｊ若された後
にフオ［−リソグラフィ食刻工程を施される、ポリイミ
ドの＋’＋ｉｒ駆物質及び充填利を含む、スクリーン印
刷可能な組成物を用いることも何ら提案さＡｔでいない
。本発明による構造体を形成するための方法に於ては、
金属領域上及び非金属領域」二の各々に必要とさ才しる
均一な層の厚さを得るために、誘電体層はスクリーン印
刷によって付着されねばならない。均・な層の厚さは、
誘電体層中のピン・ホール？！：除くために必要である
。しかしながら、Ｊ′１通孔が小さな・ｊ′法を有して
いるので、それらをスクリーン印刷方法に於て形成する
ことは極めてＸ（、シい、従−）で、貫通孔は食刻方法
により形成されねばならない。しかしながら、ここで問
題が生じる。組成物がスクリーン印刷可能であるために
は、その組成物は、り＃ｚ燥されなけれは後の処理が困
ガ（である様な粘稠度を有していなければならないが、
その弓！２ガに工程に於ては、スクリーン印刷可能な、
ｔｉｉ成物生物中まれているポリアミドカルポル酸のイ
ミ１く化が進行しがちであり、そのイミド化が進行しす
ぎた場合には、その組成物の食刻が不可能になる。しか
しながら、本発明に於ては、Ａ」２０３及びＺ【１０が
イミド化を抑制するので、その様な問題は生じない。そ
れは、層＋！旧の食刻可能性を維持するだけでなく、）
第１・リソグラフィ食刻工程に於て本来的に実現される
周知の小さな１１′１容範囲内の再現性とともに２，７
５板全体に亘る均一・な食刻速度を保証する。この均一
な食刻速度は、均一な貫通孔の寸法を得るために必要な
方のＩ）θ捉条件である。他方の前提条件は、ｉ）′
ｌＪ述の如く、スクリーン印刷により実現される層の厚
さの均・さである。従って、スクリーン印刷方法と、ポ
リイミドの硬化の程度に本質的な影￥ｙτをＩｊえない
・：吃燥方法と、フ牙トリソグラフィ食刻力法とのユニ
ークな組合せのみが、相互に近接しＣ配置された小さな
貫通孔のパターンの再現可能な形成を保証する。この様
な組合せは、従来技術に於て提案されていない。
本発明による構造体は、例えばセラミック又は半導体材
料より成る基板上に設番ブられる。以ドに於ては、セラ
ミック基板上に設けられた構造体に関して説明が行われ
ているが、上記基板材料に限定されることはなく、本発
明による構造体は例えば半導体チップ１−に形成されて
もよい。
料より成る基板上に設番ブられる。以ドに於ては、セラ
ミック基板上に設けられた構造体に関して説明が行われ
ているが、上記基板材料に限定されることはなく、本発
明による構造体は例えば半導体チップ１−に形成されて
もよい。
Ｊ、！、板は、 ・辺の長さが好ましくは２４乃至３６
ＩＩＩ Ｉｌｌてｉ！Ｉる。正方形のセラミツタ・プレ
ー１−より成る。このプレー１〜」二に、好ましくは、
例えば厚さ８０旧口程度のクロムの１；層と、厚さ４μ
ｍ程度の銅の中間ノ・カと、厚さ８０旧＋１程度のクロ
ムの上層とより成る金属回路が形成される。金属回路及
び該金層回路の金属路間に露出されている基板の領域が
、誘電体た１１で被ＩＫＩされる。」二記金属路間の領
域に於ける」二記誘電体層の厚さは、約２．５４μｍ乃
至約２５／１μ川であり、好ましくは約１２．７μ■で
ある。金属回路と誘電体層との厚さの比が１＝２を超え
なげコしは、誘電体層の表面は完全に平坦である。誘電
体層は、硬化されたポリイミドと、Ａ］２０３又は７．
ｎＯ我はそれらの混合物の充填材とを含む組成物より成
る。１つの典型的なポリイミドは次の一般式を有し、 上記式に於て、ｎは少なくとも５の整数である。
ＩＩＩ Ｉｌｌてｉ！Ｉる。正方形のセラミツタ・プレ
ー１−より成る。このプレー１〜」二に、好ましくは、
例えば厚さ８０旧口程度のクロムの１；層と、厚さ４μ
ｍ程度の銅の中間ノ・カと、厚さ８０旧＋１程度のクロ
ムの上層とより成る金属回路が形成される。金属回路及
び該金層回路の金属路間に露出されている基板の領域が
、誘電体た１１で被ＩＫＩされる。」二記金属路間の領
域に於ける」二記誘電体層の厚さは、約２．５４μｍ乃
至約２５／１μ川であり、好ましくは約１２．７μ■で
ある。金属回路と誘電体層との厚さの比が１＝２を超え
なげコしは、誘電体層の表面は完全に平坦である。誘電
体層は、硬化されたポリイミドと、Ａ］２０３又は７．
ｎＯ我はそれらの混合物の充填材とを含む組成物より成
る。１つの典型的なポリイミドは次の一般式を有し、 上記式に於て、ｎは少なくとも５の整数である。
粒子状の上記充填材が上記ポリイミドと均質に混和され
る。上記充填の粒子の寸法は、０．５ノリ至約１０μｍ
の範囲に亘り得るが、好ましくは０゜５μ川である。ポ
リイミドと充填材との比は、４：６乃至６：４であり、
最適には１：１である。充填材の量が増加するとともに
、誘電体特性は劣化し、熱伝導性は増加する。充填月の
量の、栽少は、これと反対の効果を生しる。充埴月とボ
リイミ１−との重量比が１＝１であるとき、その層のｄ
＝＝体の質は未だ極めて良好であり、その熱伝篤・、性
も、本発明による構造体の温度か動作条件のドて低いレ
ベルに維持される様に該構造体から熱が充分に転送され
る程、充分に大きい。上記誘電体層は、貫通孔のパター
ンを含む。それらの貫通孔は、好ましくは、それらの下
方端部に於て、約２５乃至５０μ口１の直径を有し、そ
れらの上方端部に於て、最大１００μ川の直径を有する
。それらの貫通孔の壁の最適な傾斜は約４５°である。
る。上記充填の粒子の寸法は、０．５ノリ至約１０μｍ
の範囲に亘り得るが、好ましくは０゜５μ川である。ポ
リイミドと充填材との比は、４：６乃至６：４であり、
最適には１：１である。充填材の量が増加するとともに
、誘電体特性は劣化し、熱伝導性は増加する。充填月の
量の、栽少は、これと反対の効果を生しる。充埴月とボ
リイミ１−との重量比が１＝１であるとき、その層のｄ
＝＝体の質は未だ極めて良好であり、その熱伝篤・、性
も、本発明による構造体の温度か動作条件のドて低いレ
ベルに維持される様に該構造体から熱が充分に転送され
る程、充分に大きい。上記誘電体層は、貫通孔のパター
ンを含む。それらの貫通孔は、好ましくは、それらの下
方端部に於て、約２５乃至５０μ口１の直径を有し、そ
れらの上方端部に於て、最大１００μ川の直径を有する
。それらの貫通孔の壁の最適な傾斜は約４５°である。
それらの貫通孔は均一な・」法を有している。上記誘電
体層上に、りＩましくは、上記基板上に付着された上記
金属回路の層と同一の材料より成りそして同一の層の厚
さを有している、金ＢＬ回路の第２層が付着される。そ
′Ｉｔらの金属回路の２つの層は、上記貫通孔を径で（
２目互接続される。この様にしてｔｑられだ構造体は、
例えば、スパッタリングされた石英、重合体、又は誘電
体層と同じ材料、即ち充填されたポリイミドより成る、
表面安定化層で被覆されてもよい。しかしながら、各々
隣接する金属回路の層と相互接続される金属回路の第３
Ｍ、第４層及びそｉシ以上の層、並びにそれらの金属回
路の層の間に必要な、前述の誘電体層と基本的に同一で
ある誘電体層を、上記構造体上に付着することも可能で
ある。多層回路を有する構造体は、知、銘、又は現場に
於て初期故障を生せしめる短絡しかかった部分を生じが
ちである。この問題は、多ｊ・１“＋’＋’ ４１′１
：進体の表面を平坦に維持することが雉がしいことによ
るものであり、金属層の数が増加するとともに益々重大
となる。本発明による構造体に於ては、各誘電体層が、
下の構造体と関係なく、平坦な表面を有するので、上記
問題は生じない。
体層上に、りＩましくは、上記基板上に付着された上記
金属回路の層と同一の材料より成りそして同一の層の厚
さを有している、金ＢＬ回路の第２層が付着される。そ
′Ｉｔらの金属回路の２つの層は、上記貫通孔を径で（
２目互接続される。この様にしてｔｑられだ構造体は、
例えば、スパッタリングされた石英、重合体、又は誘電
体層と同じ材料、即ち充填されたポリイミドより成る、
表面安定化層で被覆されてもよい。しかしながら、各々
隣接する金属回路の層と相互接続される金属回路の第３
Ｍ、第４層及びそｉシ以上の層、並びにそれらの金属回
路の層の間に必要な、前述の誘電体層と基本的に同一で
ある誘電体層を、上記構造体上に付着することも可能で
ある。多層回路を有する構造体は、知、銘、又は現場に
於て初期故障を生せしめる短絡しかかった部分を生じが
ちである。この問題は、多ｊ・１“＋’＋’ ４１′１
：進体の表面を平坦に維持することが雉がしいことによ
るものであり、金属層の数が増加するとともに益々重大
となる。本発明による構造体に於ては、各誘電体層が、
下の構造体と関係なく、平坦な表面を有するので、上記
問題は生じない。
本発明による構造体は、大きな熱伝導性並びに優れた物
理的及び化学的安定性を有し、例えば）・Ｎの厚さ及び
貫通孔に関する所定の寸法に小さな許容範囲で対応し、
誘電体層と該誘電体層に隣接する金属回路の層との間に
優れたイ・］着性を有する。
理的及び化学的安定性を有し、例えば）・Ｎの厚さ及び
貫通孔に関する所定の寸法に小さな許容範囲で対応し、
誘電体層と該誘電体層に隣接する金属回路の層との間に
優れたイ・］着性を有する。
特に本発明による構造体を形成するために用いられるス
クリーン印刷可能な組成物は、液状組成物である層形成
重合体部分、粘着性低１て剤及び固体の充填材を含む。
クリーン印刷可能な組成物は、液状組成物である層形成
重合体部分、粘着性低１て剤及び固体の充填材を含む。
組成物の層形成重合体部分は、ポリイミド／アミド重合
体を含む。組成物の上記重合体部分は、液状組成物でな
ければならない。従って、上記重合体部分は、非反応性
弄釈剤中に於けるポリイミド／アミドの溶液又は分散液
である。
体を含む。組成物の上記重合体部分は、液状組成物でな
ければならない。従って、上記重合体部分は、非反応性
弄釈剤中に於けるポリイミド／アミドの溶液又は分散液
である。
本発明に於て用いられるポリイミド／アミド重合体は周
り１ｊであり、一般に入手可能である。そのような重合
体は、文献に於てしばしばポリアミド又はポリアミド酸
として言及されており、重合体の鎖に沿って異なる量の
アミド及びイミドの基を含む、実際には完全には硬化さ
れていない重合体である。イミド基は、重合体の鎖の酸
基とのアミドの形の縮合によって得られる。その様な重
合体は一般的には、少くとも１つのジアミンを、少くと
も１つのポリカルボン酸及び／若しくはその無水物及び
／若しくはそのエステルと反応させることによって形成
される。種々のポリイミド／アミドが、米国特許第２７
１０８５３号、第２７１２５４３号、第２７３１／ｌ／
１７号、第２８８０２３０号、第３０３７９６６し、第
３０７３７８４号、第３０７３７８５号、第３］７９６
３１号、第３１、７９６３２号、第３１．７９６３３号
、第３１７９６３４号、第３１７９６３５号、及び第３
１９０８５６号の明細書等に於て提案されて５’ｔと、
１．イ・発明に於いて用いられる好ましいポリイミド／
アミド重合体は、芳香族ジアミンを芳香ｉＭテｌ−ラカ
ルボン酸ジアンヒドリドと反応させて９１ｉられたもの
である。
り１ｊであり、一般に入手可能である。そのような重合
体は、文献に於てしばしばポリアミド又はポリアミド酸
として言及されており、重合体の鎖に沿って異なる量の
アミド及びイミドの基を含む、実際には完全には硬化さ
れていない重合体である。イミド基は、重合体の鎖の酸
基とのアミドの形の縮合によって得られる。その様な重
合体は一般的には、少くとも１つのジアミンを、少くと
も１つのポリカルボン酸及び／若しくはその無水物及び
／若しくはそのエステルと反応させることによって形成
される。種々のポリイミド／アミドが、米国特許第２７
１０８５３号、第２７１２５４３号、第２７３１／ｌ／
１７号、第２８８０２３０号、第３０３７９６６し、第
３０７３７８４号、第３０７３７８５号、第３］７９６
３１号、第３１、７９６３２号、第３１．７９６３３号
、第３１７９６３４号、第３１７９６３５号、及び第３
１９０８５６号の明細書等に於て提案されて５’ｔと、
１．イ・発明に於いて用いられる好ましいポリイミド／
アミド重合体は、芳香族ジアミンを芳香ｉＭテｌ−ラカ
ルボン酸ジアンヒドリドと反応させて９１ｉられたもの
である。
上記ポリイミド／アミドを形成するために用ｕ１られる
無水物には、例えば、ビロメリ１−１俊ジン′ンヒドリ
ド；無水メリト酸；無水１〜リメリ１−ｆｌ；２．３．
４．６．７、−ナフタリンテ１−ラカルホン１着ジアン
ヒドリド；１．２．５．６−ナフタリンテトラカルボン
酸ジアンヒドリド；３．３’、ｌｌ、４′−ジフェニル
テトラカルボン酸ジアンヒドリド；２．２′、３．３′
−ジフェニルテＩへ９カルボン酸ジアンヒドリド；３．
３’、４、・ビーンフェニルメタンテトラカルボン酸ジ
アンヒ１−リド；ビス（３，４−カルボキシフェニル）
エーテルジアンビドリド；ビス（２，３−ジカルボ：Ｖ
ンノコーニル）スルホンジアンヒドリド；：３．３′
１１、ｌビーベンゾフエノンテ１−ラカルポン酸ジアン
ヒ１−リド；３．３′、４．４′−スチルペンテ１〜ラ
カルボン酸ジアンヒドリド；２．３．６．７．−アン１
〜ラセンテ１〜ラカルボン酸ジアンヒドリド；１．２．
７、Ｊ３−ンエナントレンチ１−ラカルボン酸ジアンヒ
ドリ罷；２．３，６．７−ナツタセンチ１〜ラカルボン
酸シアンヒドリド；２．３．８．９−クリセンテＩ・ラ
カルボン酸ジアンヒドリド；２．３．６．７−１〜リフ
エニレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド；ピレン−４
，５，９，１０−テ１−ラカルポン醋ジアンヒドリド；
ペリレン−３，４，９，１０−テ１−ラカルボン酸ジア
ンヒドリド；及びコロネン−１，２，７，８−テｌ〜ラ
カルボン酸ジアンヒドリド等がある。
無水物には、例えば、ビロメリ１−１俊ジン′ンヒドリ
ド；無水メリト酸；無水１〜リメリ１−ｆｌ；２．３．
４．６．７、−ナフタリンテ１−ラカルホン１着ジアン
ヒドリド；１．２．５．６−ナフタリンテトラカルボン
酸ジアンヒドリド；３．３’、ｌｌ、４′−ジフェニル
テトラカルボン酸ジアンヒドリド；２．２′、３．３′
−ジフェニルテＩへ９カルボン酸ジアンヒドリド；３．
３’、４、・ビーンフェニルメタンテトラカルボン酸ジ
アンヒ１−リド；ビス（３，４−カルボキシフェニル）
エーテルジアンビドリド；ビス（２，３−ジカルボ：Ｖ
ンノコーニル）スルホンジアンヒドリド；：３．３′
１１、ｌビーベンゾフエノンテ１−ラカルポン酸ジアン
ヒ１−リド；３．３′、４．４′−スチルペンテ１〜ラ
カルボン酸ジアンヒドリド；２．３．６．７．−アン１
〜ラセンテ１〜ラカルボン酸ジアンヒドリド；１．２．
７、Ｊ３−ンエナントレンチ１−ラカルボン酸ジアンヒ
ドリ罷；２．３，６．７−ナツタセンチ１〜ラカルボン
酸シアンヒドリド；２．３．８．９−クリセンテＩ・ラ
カルボン酸ジアンヒドリド；２．３．６．７−１〜リフ
エニレンテトラカルボン酸ジアンヒドリド；ピレン−４
，５，９，１０−テ１−ラカルポン醋ジアンヒドリド；
ペリレン−３，４，９，１０−テ１−ラカルボン酸ジア
ンヒドリド；及びコロネン−１，２，７，８−テｌ〜ラ
カルボン酸ジアンヒドリド等がある。
脂肪／１′）：有機ジアミンには、例えば、エチレンジ
アミン；ｒ〈−メチルエチレンジアミン；１−リメノチ
レンジアミン；テｌ〜ラメチレンジアミン；１．５−ジ
アミノペンタン；ヘキサメチレンジアミン；１．４−ジ
アミノシクロペンタン；１．３−ジアミノシクロペンタ
ン；１．３−ジアミノ−２−メチルプロパン；１．６−
ジアミツー４−メチルヘキサン；１．４−ジアミノ−２
−メチルブタン；１−（Ｎ−プロピルアミノ）−６−ア
ミノヘキサン；及びＩ、３−ジアミノ−２−フェニルプ
ロパン等がある。
アミン；ｒ〈−メチルエチレンジアミン；１−リメノチ
レンジアミン；テｌ〜ラメチレンジアミン；１．５−ジ
アミノペンタン；ヘキサメチレンジアミン；１．４−ジ
アミノシクロペンタン；１．３−ジアミノシクロペンタ
ン；１．３−ジアミノ−２−メチルプロパン；１．６−
ジアミツー４−メチルヘキサン；１．４−ジアミノ−２
−メチルブタン；１−（Ｎ−プロピルアミノ）−６−ア
ミノヘキサン；及びＩ、３−ジアミノ−２−フェニルプ
ロパン等がある。
芳香ｈ’Ａ−脂肪ジアミンには、例えは、バつ−）′ミ
ノフェニルメチルアミン及びメターアミノノエニルメチ
ルアミン等がある。芳香ｈ）、有機ジアミンには、例え
ば、２．２−ジー（４−アミノフェニル）プロパン；４
．４′−ジアミノジフェニルメタン；ベンジジン；モノ
−Ｎ−メチルベンジジン；３．３−ジクロルベンジジン
；４．４′−ジアミノジノエニルスルフイド；３．３′
−ジアミノノフェニルスルホン；４．４．’−ジアミノ
ジフェニルスルホン；４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル；１．５−ジアミノナフタリン：メターフ、ｒ−
＝レンジアミン；パラ−フェニレンジアミン；３、：３
′−シフ１チル−４，４′−ビンエニルジアミン；３．
：Ｊ′−ヅメ１−キシベンジジン；１−イソプロピル
−２，１１フェニレンジアミン；３．５−ジアミノオル
１〜キシレン；３．５−ジアミノジフェニル；１．３−
ノアミノナフタリン；２．６−ジアミツアントシセン；
及び４．４′−ジアミノスチルへン等がある１゜最もり
」′ましい芳香族ジアミンは、４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル；４．４−′−ジアミノジフェニルメタ
ン、およびバラ−フェニレンジアミンである。
ノフェニルメチルアミン及びメターアミノノエニルメチ
ルアミン等がある。芳香ｈ）、有機ジアミンには、例え
ば、２．２−ジー（４−アミノフェニル）プロパン；４
．４′−ジアミノジフェニルメタン；ベンジジン；モノ
−Ｎ−メチルベンジジン；３．３−ジクロルベンジジン
；４．４′−ジアミノジノエニルスルフイド；３．３′
−ジアミノノフェニルスルホン；４．４．’−ジアミノ
ジフェニルスルホン；４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテル；１．５−ジアミノナフタリン：メターフ、ｒ−
＝レンジアミン；パラ−フェニレンジアミン；３、：３
′−シフ１チル−４，４′−ビンエニルジアミン；３．
：Ｊ′−ヅメ１−キシベンジジン；１−イソプロピル
−２，１１フェニレンジアミン；３．５−ジアミノオル
１〜キシレン；３．５−ジアミノジフェニル；１．３−
ノアミノナフタリン；２．６−ジアミツアントシセン；
及び４．４′−ジアミノスチルへン等がある１゜最もり
」′ましい芳香族ジアミンは、４．４′−ジアミノジフ
ェニルエーテル；４．４−′−ジアミノジフェニルメタ
ン、およびバラ−フェニレンジアミンである。
不発明に於て用いられるポリイミド／アミドは、一般的
に約５００乃至２５００の分子量を有し、希釈剤と組合
わされたとぎ、通常の室温（例えば、約２５’Ｃ）に於
て約２５乃至１５０センチポアズの粘度を右すること力
徹了ましい。それらのポリイミド／アミドは、固体の重
合体材料であり、従って不活性イ釈剤と混和される。上
記ポリイミド／アミ１−を形成するために用いられるジ
アミン又はジアンヒドリ１くと反応しない又は生成物と
反応しない不活性希釈剤には、例えば、前駆物質（例え
ば、ジアミン又はジアンヒドリド）と反応しない官能基
を有している、双極子モーメン１−を有する有機極性溶
媒等がある。適当な有機極性溶媒には、例えば、ｒ（、
Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ１−
アミド；Ｎ−メチル−２−ピロリドン；Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルポル１１アミド；Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド；Ｎ
−Ｎ−ジメチルメ（−キシン′セトアミド；ジメトキシ
スルホキシ１−；ジエチルスルホキシド；ピリジン；ジ
メチルスルホン；ジエチルスルホン；ジプロピルスルホ
ン；・＼ギリ″メチル燐アミド；テトラメチレンスルボ
ン；ジメチルテトラメチレンスルホン；及びヅメ１−キ
シテトラメチレンスルホン等がある。所望ならは、イ６
釈剤の混合物も用いられる。
に約５００乃至２５００の分子量を有し、希釈剤と組合
わされたとぎ、通常の室温（例えば、約２５’Ｃ）に於
て約２５乃至１５０センチポアズの粘度を右すること力
徹了ましい。それらのポリイミド／アミドは、固体の重
合体材料であり、従って不活性イ釈剤と混和される。上
記ポリイミド／アミ１−を形成するために用いられるジ
アミン又はジアンヒドリ１くと反応しない又は生成物と
反応しない不活性希釈剤には、例えば、前駆物質（例え
ば、ジアミン又はジアンヒドリド）と反応しない官能基
を有している、双極子モーメン１−を有する有機極性溶
媒等がある。適当な有機極性溶媒には、例えば、ｒ（、
Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ１−
アミド；Ｎ−メチル−２−ピロリドン；Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルポル１１アミド；Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド；Ｎ
−Ｎ−ジメチルメ（−キシン′セトアミド；ジメトキシ
スルホキシ１−；ジエチルスルホキシド；ピリジン；ジ
メチルスルホン；ジエチルスルホン；ジプロピルスルホ
ン；・＼ギリ″メチル燐アミド；テトラメチレンスルボ
ン；ジメチルテトラメチレンスルホン；及びヅメ１−キ
シテトラメチレンスルホン等がある。所望ならは、イ６
釈剤の混合物も用いられる。
本発明を用いたスクリーン印刷及び刺部の１り能なろう
付は用マスク組成物も、ポリイミドの４．１・ＩＪＪ。
付は用マスク組成物も、ポリイミドの４．１・ＩＪＪ。
の幾つか、例えばその熱伝導性、その機械的及び熱的安
定性２、その付着性及び硬化性等を修正する、固体の充
填材を含む。適当な固体の充ｊ芭利には。
定性２、その付着性及び硬化性等を修正する、固体の充
填材を含む。適当な固体の充ｊ芭利には。
例えば、酸化亜鉛及びアルミナ等がある。。
用いられる充填材は、一般的には約０．２５乃至約１０
μｍ、好ましくは約０．５１１１「１の粒度を有する。
μｍ、好ましくは約０．５１１１「１の粒度を有する。
本発明に於て用いられる組合物は又、該組成′臣の重合
体部分と適合する、粘着性低１ぐ剤としＣ動く構成成分
を含む。その粘着性低下剤は、Ｊ１！、板の所定部分に
上記組成物をイ・］着するために用いられるスクリーン
印刷方法を容易にし且つ効果的にするために、該組成物
の粘着性を低下させる。スクリーンが益々微細化するに
従って、粘着性及び粘度の制御が更に重要となるので、
上記粘着性の低下は特に重要である。
体部分と適合する、粘着性低１ぐ剤としＣ動く構成成分
を含む。その粘着性低下剤は、Ｊ１！、板の所定部分に
上記組成物をイ・］着するために用いられるスクリーン
印刷方法を容易にし且つ効果的にするために、該組成物
の粘着性を低下させる。スクリーンが益々微細化するに
従って、粘着性及び粘度の制御が更に重要となるので、
上記粘着性の低下は特に重要である。
−１−記の粘着性低下剤は又、スクリーン印刷に適した
粘度を」１記組成物にＩｙ、え、そして金属回路の層の
間に誘電体層を形成する本発明の目的に特に適した、ス
クリーン印刷可能な組成物にするための粘度調整剤とし
ても向く。
粘度を」１記組成物にＩｙ、え、そして金属回路の層の
間に誘電体層を形成する本発明の目的に特に適した、ス
クリーン印刷可能な組成物にするための粘度調整剤とし
ても向く。
上δ己粘着性低下剤は、実際に於て、乾燥及び硬化中に
、分解及び蒸発等により除去される。」二記粘箔性低ド
剤は、望ましくない程度迄炭化すべきでなく、又後の清
浄化及び除去工程に除去され難い残渣を基板上に残すべ
きてはない。
、分解及び蒸発等により除去される。」二記粘箔性低ド
剤は、望ましくない程度迄炭化すべきでなく、又後の清
浄化及び除去工程に除去され難い残渣を基板上に残すべ
きてはない。
本発明に於て、層形成重合体部分の重合体がボリイミｌ
’ ／ポリアミドであるとき、粘着性低下剤には液状シ
リコーン油、乾燥油、テルペン又はテルピネぢ−ルが用
いられることが解った。所望であれば、それらの特定の
粘着性紙１・剤の１１コ合物か、それらが相互に適合す
る限りに於て、用いら４ＢＨ；る。
’ ／ポリアミドであるとき、粘着性低下剤には液状シ
リコーン油、乾燥油、テルペン又はテルピネぢ−ルが用
いられることが解った。所望であれば、それらの特定の
粘着性紙１・剤の１１コ合物か、それらが相互に適合す
る限りに於て、用いら４ＢＨ；る。
本発明に於ける粘着性紙１て剤は、層形成重合体部分の
重合体がポリイミド／アミドであるとこ、好ましくはテ
ルペンチン（シｅ、千ｃｎＬｊ旧］）の！１１１きデル
ペンを含む。最も好ましくは、粘着性紙＋ｊ”＋’ｉ
ｉＪ、α−テルピネオールの如きテルピネオールの１−
ノである。
重合体がポリイミド／アミドであるとこ、好ましくはテ
ルペンチン（シｅ、千ｃｎＬｊ旧］）の！１１１きデル
ペンを含む。最も好ましくは、粘着性紙＋ｊ”＋’ｉ
ｉＪ、α−テルピネオールの如きテルピネオールの１−
ノである。
スクリーン印刷可能な組合物の形成に於て、ポリイミド
／アミドは、組合物の他の栴成部分どｆ昆和される前に
、不活性６釈剤とｄａ和さオしる。
／アミドは、組合物の他の栴成部分どｆ昆和される前に
、不活性６釈剤とｄａ和さオしる。
本発明に於て用いられる組成物は、 ・般的には、２５
°Ｃに於て約７００乃至約５００００ぜンチボアズの粘
度を有する。該組成物の好まし、い粘度は、２５℃に於
て、約１０００乃至約１３０００センチポアズであり、
最もり了ましくはｌ、り７０００乃牟１２５００センチ
ポアズである。
°Ｃに於て約７００乃至約５００００ぜンチボアズの粘
度を有する。該組成物の好まし、い粘度は、２５℃に於
て、約１０００乃至約１３０００センチポアズであり、
最もり了ましくはｌ、り７０００乃牟１２５００センチ
ポアズである。
スクリーン印刷可能な組合物に於ける’ＩＪＪ若、ｔ′
１．低下剤の呈は、約１乃至約５重に一％てあり、好」
、しくは４．１重量％である。
１．低下剤の呈は、約１乃至約５重に一％てあり、好」
、しくは４．１重量％である。
；ｆｌ成物に於（プる層形成重合体部分の重合体の量に
対して用いられる充填材の重量は約４二〇名乃至６：・
１てあり、りＹましくは約１＝１である。
対して用いられる充填材の重量は約４二〇名乃至６：・
１てあり、りＹましくは約１＝１である。
本発明に於て用いられるスクリーン印刷ｎｆ能な組成物
を用いる前影的方法は、金属回路の層がイ」着されるセ
ラミック基板の！１１＋き基板に３６０乃至４００メツ
シユのスクリーンを通して該組成物を伺箔することを含
む。セラミックは、土類の原料に熟を作用させることに
より製造された月料の製品である。りｆ′ｆニジいセラ
ミック基板は、珪酸アルミニラｌ＼及び酸化アルミニラ
１１の如き、酸化／シリコン及び珪酸塩等である。金属
回路は、例えは、厚さ約８（’、ｌ ｎｍのクロ１１の
１へ層と、厚さ約４μＩＩＩの銅の中間層と、厚さ約８
０旧１１のクロ１１の上層とより成る。
を用いる前影的方法は、金属回路の層がイ」着されるセ
ラミック基板の！１１＋き基板に３６０乃至４００メツ
シユのスクリーンを通して該組成物を伺箔することを含
む。セラミックは、土類の原料に熟を作用させることに
より製造された月料の製品である。りｆ′ｆニジいセラ
ミック基板は、珪酸アルミニラｌ＼及び酸化アルミニラ
１１の如き、酸化／シリコン及び珪酸塩等である。金属
回路は、例えは、厚さ約８（’、ｌ ｎｍのクロ１１の
１へ層と、厚さ約４μＩＩＩの銅の中間層と、厚さ約８
０旧１１のクロ１１の上層とより成る。
」−記７ｊｆｆ成物の層は、基板上に、一般的には約２
゜５乃至約２５０μ川の厚さに、最も好ましくは約２５
μｍ１１の厚さに（Ｊ’ ！される。これは、スクリー
ン印刷によって容易に実際され、この方法は種々の所定
の層の厚さを小さな許容範ｆｊｊＪ、て／１４ることを
可能にする。
゜５乃至約２５０μ川の厚さに、最も好ましくは約２５
μｍ１１の厚さに（Ｊ’ ！される。これは、スクリー
ン印刷によって容易に実際され、この方法は種々の所定
の層の厚さを小さな許容範ｆｊｊＪ、て／１４ることを
可能にする。
次に、付着さ４した層組成物を硬（ＩＩさぜるために、
その層で被覆された基板が乾燥さＡ１．る４、こＪしは
、被覆された基板を取扱うために必要である。１そＱ″
ノ乾燥、誘電体層の表面が粒子て馬乗がれない：：ｆ？
に該表面の粘着性を除く。その・：・２ガ・ｋは又、ポ
リイミドからの残留溶媒と、フ第１・シラス１〜中に１
１１部れる溶媒との間の相互作用を最小限に一４ン、・
。（σノ乾燥は、一般的には約７５乃至約１２０°（゛
で約５乃至約１６分間、好ましくは約９０°（“て約Ｉ
Ｆ分間イゴわれる。この工程は又１．．”Ｕ１成物の枯
１コ性低１・剤成分の分解及び蒸発の全♀′でｉＪい暢
・ぞ１．／）・部を生せしめる。不活性の充放イ」が、
・；・２ハ１１匹理中に早くイミド化が生じることを防
く１、 上記の（＝Ｊ着された層上に、所望のヱ′ｊ通Ｊ’Ｌの
パターンに対応する開孔パターンを有する）第１−シン
スト・マスクが、従来のフ第１〜リソクフノイ４２ ｊ
Ｉ：’Ｉ’を用いて形成される。例えば、Ｗ ：」ｙ
ｃすｄ（、社製”ｉ’ｈ ｉ ｎＦ 」、１．ｍ Ｒｅ
ｓ ｉ ｓＬ、” （商品名）又はＫｏｄ；＋ｃＪＪ
製にＴ Ｆ ｉ＜（商品名）の！Ｉｉ１きネガティブ型
しジス１−及びＳｈｊ、ｐｌｃｙ社製５ｈｉｐ］ｅｙ
］ ］ ＯＯ（商品名）の如きポジティブ型しンストが
用いられる。上記フ第１−レジス１−・マスクを食刻マ
スクとして、水酸化カリウム／８液を用いて、ｔ′５通
孔が上記の１」着された層中に食刻さ、ｈる。好ましく
は、０．２モルの水酸化カリウム溶液か用いられる。露
出さＡした領域に於ける充填されたポリイミドの材料の
厚さが均一であり、充填層の反応抑止効果によりポリイ
ミドのにｊが化；！的にも均質であるので、食刻された
貫通孔は均一であり、全七同じ形状」法を有する。
その層で被覆された基板が乾燥さＡ１．る４、こＪしは
、被覆された基板を取扱うために必要である。１そＱ″
ノ乾燥、誘電体層の表面が粒子て馬乗がれない：：ｆ？
に該表面の粘着性を除く。その・：・２ガ・ｋは又、ポ
リイミドからの残留溶媒と、フ第１・シラス１〜中に１
１１部れる溶媒との間の相互作用を最小限に一４ン、・
。（σノ乾燥は、一般的には約７５乃至約１２０°（゛
で約５乃至約１６分間、好ましくは約９０°（“て約Ｉ
Ｆ分間イゴわれる。この工程は又１．．”Ｕ１成物の枯
１コ性低１・剤成分の分解及び蒸発の全♀′でｉＪい暢
・ぞ１．／）・部を生せしめる。不活性の充放イ」が、
・；・２ハ１１匹理中に早くイミド化が生じることを防
く１、 上記の（＝Ｊ着された層上に、所望のヱ′ｊ通Ｊ’Ｌの
パターンに対応する開孔パターンを有する）第１−シン
スト・マスクが、従来のフ第１〜リソクフノイ４２ ｊ
Ｉ：’Ｉ’を用いて形成される。例えば、Ｗ ：」ｙ
ｃすｄ（、社製”ｉ’ｈ ｉ ｎＦ 」、１．ｍ Ｒｅ
ｓ ｉ ｓＬ、” （商品名）又はＫｏｄ；＋ｃＪＪ
製にＴ Ｆ ｉ＜（商品名）の！Ｉｉ１きネガティブ型
しジス１−及びＳｈｊ、ｐｌｃｙ社製５ｈｉｐ］ｅｙ
］ ］ ＯＯ（商品名）の如きポジティブ型しンストが
用いられる。上記フ第１−レジス１−・マスクを食刻マ
スクとして、水酸化カリウム／８液を用いて、ｔ′５通
孔が上記の１」着された層中に食刻さ、ｈる。好ましく
は、０．２モルの水酸化カリウム溶液か用いられる。露
出さＡした領域に於ける充填されたポリイミドの材料の
厚さが均一であり、充填層の反応抑止効果によりポリイ
ミドのにｊが化；！的にも均質であるので、食刻された
貫通孔は均一であり、全七同じ形状」法を有する。
好ましくは、貫通孔は、ぞれらの下方端部に於て約２５
乃至約５０μ川の直径を有し、それらの上方端部に於て
）吸入約］、 ＯＯμｍｎの直径を有する。
乃至約５０μ川の直径を有し、それらの上方端部に於て
）吸入約］、 ＯＯμｍｎの直径を有する。
貫通孔の壁の傾斜は約４５°であることが最も好ましい
。
。
フ第１−レジス１〜の右１離中に、充填されたポリイミ
ドの層がその安定性を保つ様に、フ第１・レジス１〜が
子ｉｌ潴りされる１狛に、ｋ ｉ？ｔ！層が２１０℃で
糸り１０乃至１８０分間、好ましくは１０分間ベーキン
グされる。それから、フ第１〜レジストが一１＃’ｌ
＋４ｆＬさＪし、充填されたポリイミドの層が約３００
乃を約・１００℃の温度で１５分間乃至５ｔ１、冒７ｉ
ｊの１１１１ タｒましくは約３６０℃で３０分間硬
化さ九る。
ドの層がその安定性を保つ様に、フ第１・レジス１〜が
子ｉｌ潴りされる１狛に、ｋ ｉ？ｔ！層が２１０℃で
糸り１０乃至１８０分間、好ましくは１０分間ベーキン
グされる。それから、フ第１〜レジストが一１＃’ｌ
＋４ｆＬさＪし、充填されたポリイミドの層が約３００
乃を約・１００℃の温度で１５分間乃至５ｔ１、冒７ｉ
ｊの１１１１ タｒましくは約３６０℃で３０分間硬
化さ九る。
上記の充填されたポリイミドの層は、ｉ′ノ２．５乃至
約２５０μｍ、好ましくは約２３μｉｌ＋の厚さにされ
る。貫通孔の外側に於けるその表面は、全Ｊｉ二回路の
層と充填されたポリイミ１−の層との厚さの比が本質的
に１＝２を超えない限り、木質的に・ド坦である。基板
上及び金属回路の層］−に於てｊ：Ｉ：の厚さが均一で
あることにより、従来の方法を用いた場合により生じた
ビン・ホールの問題が除が、ｊシる。硬化された充填さ
れたポリイミドの層は、良好な熱伝導性及び良好な誘電
体特性を有する。。
約２５０μｍ、好ましくは約２３μｉｌ＋の厚さにされ
る。貫通孔の外側に於けるその表面は、全Ｊｉ二回路の
層と充填されたポリイミ１−の層との厚さの比が本質的
に１＝２を超えない限り、木質的に・ド坦である。基板
上及び金属回路の層］−に於てｊ：Ｉ：の厚さが均一で
あることにより、従来の方法を用いた場合により生じた
ビン・ホールの問題が除が、ｊシる。硬化された充填さ
れたポリイミドの層は、良好な熱伝導性及び良好な誘電
体特性を有する。。
本発明による構造体を形成するための方法がビン・ホー
ルのない誘電体層を形成することを；Ｉ＜ ”’ｊため
に、１つの試料が、貫通孔を形成さ、Ｉ（、ないこと以
外は前述の場合と同様にして処理さ、Ｉ＋、た３、１・
記基板の１角に於て、充填されたポリイミドのｗ８゛が
、金属回路の層ｌ−電気接点を形成するために除去ごイ
した。 久に、 」−１，尼ｉへイ斗力＼゛屯）償゛改
甲に授禎ぎわ、該試才」が１１２極として働く様に直流
電圧が」１記電解液に加えＩＦ＋れだ。充填されたポリ
イミドの層がビン・ホールを右している場合には、こオ
シらの条件の下で、ｌｊζＸ−３の気泡が炎生じ、それ
らは顕微鏡て観ぢ°ミさＡしる。ぞの様な気泡は、本発
明に於ける層に於ては光勺、シなかった。
ルのない誘電体層を形成することを；Ｉ＜ ”’ｊため
に、１つの試料が、貫通孔を形成さ、Ｉ（、ないこと以
外は前述の場合と同様にして処理さ、Ｉ＋、た３、１・
記基板の１角に於て、充填されたポリイミドのｗ８゛が
、金属回路の層ｌ−電気接点を形成するために除去ごイ
した。 久に、 」−１，尼ｉへイ斗力＼゛屯）償゛改
甲に授禎ぎわ、該試才」が１１２極として働く様に直流
電圧が」１記電解液に加えＩＦ＋れだ。充填されたポリ
イミドの層がビン・ホールを右している場合には、こオ
シらの条件の下で、ｌｊζＸ−３の気泡が炎生じ、それ
らは顕微鏡て観ぢ°ミさＡしる。ぞの様な気泡は、本発
明に於ける層に於ては光勺、シなかった。
熱体ンｊ′邦′Ｕ遣よ、硬化された充填されたポリイミ
ドの層−１−にリーモ・チップ、即ち熱電対を設けられ
たチ・ノブｋ ；’ｉｕ ｉｉ′５．することによって
テストされる。
ドの層−１−にリーモ・チップ、即ち熱電対を設けられ
たチ・ノブｋ ；’ｉｕ ｉｉ′５．することによって
テストされる。
ボリイミ！−の夙：′Ｃ被覆された金属回路の層を径で
電流か流ｉｔたｆ、；合にＪ６己熱電対で測定された温
度Ｑ」、昇力゛：、上記層の、’；Ａ伝底性の測定値で
ある。
電流か流ｉｔたｆ、；合にＪ６己熱電対で測定された温
度Ｑ」、昇力゛：、上記層の、’；Ａ伝底性の測定値で
ある。
硬化さ、ｊシた充填されたポリイミドの層上に、基板−
１−に（４ｉ′：＋さ、１シた金属回路の層と同一の月
料より成りそして同 の層のノブさを有することが好ま
しい、金／ｌ’１．’ｌ ｉｊＪ ７．’：の第２層か
形成される。マスク又はノオ；ヘリソゾうフィを用いた
蒸着による従来の方法乃て用いられ、全面的金属層が）
第１〜レジス１〜・マスク１−にＩ：’Ｓ 、ｉ：ｉさ
れてからリフ１〜・オフ上程が施され、又は充填された
ポ′す・ｒミ１−のノ・ハ・（に直ｊ、・５．・・、。
１−に（４ｉ′：＋さ、１シた金属回路の層と同一の月
料より成りそして同 の層のノブさを有することが好ま
しい、金／ｌ’１．’ｌ ｉｊＪ ７．’：の第２層か
形成される。マスク又はノオ；ヘリソゾうフィを用いた
蒸着による従来の方法乃て用いられ、全面的金属層が）
第１〜レジス１〜・マスク１−にＩ：’Ｓ 、ｉ：ｉさ
れてからリフ１〜・オフ上程が施され、又は充填された
ポ′す・ｒミ１−のノ・ハ・（に直ｊ、・５．・・、。
着されてから）第１−リングラフィｊτ刻処几か施ゴれ
る。
る。
多数の金属回路の層を有する４、（５進休を形に（３？
Ｃにはスクリーン印刷可能な７組成物を基板１−１にイ
・１首する工程で始まる上記処理−１−程か更にもう１
度又は数回反復される。
Ｃにはスクリーン印刷可能な７組成物を基板１−１にイ
・１首する工程で始まる上記処理−１−程か更にもう１
度又は数回反復される。
金属回路の最」二層が形成さオシた後、その構造体は、
スパッタリングされた石英、ブシスチツタ、又は金属回
路の層の間の誘電体層の充填さ２した７」Ｃリイミドよ
り成る表面安定化層て彼芭さ４しる。
スパッタリングされた石英、ブシスチツタ、又は金属回
路の層の間の誘電体層の充填さ２した７」Ｃリイミドよ
り成る表面安定化層て彼芭さ４しる。
次に、本発明の好ましい例を示すが、４允１す」かそれ
らに限定されることはない。
らに限定されることはない。
板上
スクリーン印刷可能な組な組成物が、８／ｌしのＮ−メ
チル−２−ピロリドン（１）ｕＰｏ＋＋Ｌ、社製Ｐ ｌ
：：ｌ 、ｉ４〇−商品名）中に溶解された１、〔；
シのポリアミ１〜カルボン酸の溶液中に、予めボール・
ミリンンによりＲ時間の１７１１混和されている、０
’、 ５ ｉｔ ｍ程度の粒度を有する１６ｇのＡｌ、
ＯＪ粒」′〜と５ Ｌの、χ、テルビネオールとを加え
ることによって形成された。
チル−２−ピロリドン（１）ｕＰｏ＋＋Ｌ、社製Ｐ ｌ
：：ｌ 、ｉ４〇−商品名）中に溶解された１、〔；
シのポリアミ１〜カルボン酸の溶液中に、予めボール・
ミリンンによりＲ時間の１７１１混和されている、０
’、 ５ ｉｔ ｍ程度の粒度を有する１６ｇのＡｌ、
ＯＪ粒」′〜と５ Ｌの、χ、テルビネオールとを加え
ることによって形成された。
更（−１，ｉ４１成物全体が均一・になる迄数時間ホー
ル・ミリングさ扛だ。
ル・ミリングさ扛だ。
１記組）戊１チクか、金層回ｋ“（１の層を句右さＡし
ている、１辺の」ｋさが２・ｌ、２８及び３６１１団１
である、幾つかの止ＪＪ形のビラミンク、！、（板上に
、／１００メツシュのスクリーンを通してスクリーン印
刷された。
ている、１辺の」ｋさが２・ｌ、２８及び３６１１団１
である、幾つかの止ＪＪ形のビラミンク、！、（板上に
、／１００メツシュのスクリーンを通してスクリーン印
刷された。
」二記金属回銘の層は、８０ ｎ＋ｕのクロ１１の下層
と、約４μＩｌｌのＪＲの中間層と、行８０μＩｌｌの
クロムの上層とより成−〕だ。スタリーン印刷された層
の厚さは、約２５．・１μＩｌｌであった。それから、
９０℃で１５分子ＨＨ： 、：・λＬ・（１−程が施さ
れた。次に、貫通孔の所望のバター ）に苅応する開孔
パターンを有するフ第１〜レジ゛ス１へ・マスクが、従
来のフォトリングラフ−１’ 、Ｊ−程により、Ｓ＋＋
ｉｐＪ、ｅｙ １１００のレジス１−から形成された。
と、約４μＩｌｌのＪＲの中間層と、行８０μＩｌｌの
クロムの上層とより成−〕だ。スタリーン印刷された層
の厚さは、約２５．・１μＩｌｌであった。それから、
９０℃で１５分子ＨＨ： 、：・λＬ・（１−程が施さ
れた。次に、貫通孔の所望のバター ）に苅応する開孔
パターンを有するフ第１〜レジ゛ス１へ・マスクが、従
来のフォトリングラフ−１’ 、Ｊ−程により、Ｓ＋＋
ｉｐＪ、ｅｙ １１００のレジス１−から形成された。
テストのために２つの試料を残しておいて、池の試料が
０．２モルの水酸化カリウ１１溶液中で」１刻されて、
マスク開孔中の露出領域に於ける充填さ汎だポリイミド
が除去された。
０．２モルの水酸化カリウ１１溶液中で」１刻されて、
マスク開孔中の露出領域に於ける充填さ汎だポリイミド
が除去された。
それから、全ての試料が２１０°Ｃで１０分間処理され
、フ第１〜レジス１〜・マスクか全ての試Ａパトから剥
離されてから、最終的に３８０°（：て、５０分間硬化
された。
、フ第１〜レジス１〜・マスクか全ての試Ａパトから剥
離されてから、最終的に３８０°（：て、５０分間硬化
された。
スクリーン印刷された層の表１１′１目」、貫通孔饋戦
の外側に於て平坦であり、全ての貫通孔（Ｊ均°て同一
の形状寸法を有した。ぞＡしらの１・万端コ１１（の直
径は約３８μ夏１１であり、上方端部の直径は約７０μ
Ｉｌ＋であった。上記の貫通孔のパターンを（ｉしＣい
ない２つの試料を用いて、スクリーン印刷された層の熱
伝導性及びビン・ホールのテス１−か行われた。そＪし
らのテス１〜は、」二記層が良好な：第１伝Ｊユ性を有
し、ビン・ホールを何ら有していないことを示した。そ
の構造体」二に、全６屈回バ１の第１層と同様な第２層
が従来の方法を用いて形成さＡした。
の外側に於て平坦であり、全ての貫通孔（Ｊ均°て同一
の形状寸法を有した。ぞＡしらの１・万端コ１１（の直
径は約３８μ夏１１であり、上方端部の直径は約７０μ
Ｉｌ＋であった。上記の貫通孔のパターンを（ｉしＣい
ない２つの試料を用いて、スクリーン印刷された層の熱
伝導性及びビン・ホールのテス１−か行われた。そＪし
らのテス１〜は、」二記層が良好な：第１伝Ｊユ性を有
し、ビン・ホールを何ら有していないことを示した。そ
の構造体」二に、全６屈回バ１の第１層と同様な第２層
が従来の方法を用いて形成さＡした。
上記のスクリーン印刷さ汎た層は、粘着デーブによるテ
ストに於て、金属回路の２勺のＲ１に多・］する優れた
旧著性を示した。更に、最終的（１”’；造休体、その
スクリーン印刷された層が、ポリイミドだ１づから形成
された層と同一・の好ましい物理的及び化学的特性を有
することを示した。
ストに於て、金属回路の２勺のＲ１に多・］する優れた
旧著性を示した。更に、最終的（１”’；造休体、その
スクリーン印刷された層が、ポリイミドだ１づから形成
された層と同一・の好ましい物理的及び化学的特性を有
することを示した。
倒」−
この例に於て用いられたスクリーン印刷ｕＩｊｊ’Ｑ
６組成物は、充填材としてＡｌ、０３でなく７．＋１０
を含んだ。構成成分の量、充填月の粒度、及び処理ツク
゛ラメータの勿１き他の全ての要素は、例１の場合と同
一・であった。
６組成物は、充填材としてＡｌ、０３でなく７．＋１０
を含んだ。構成成分の量、充填月の粒度、及び処理ツク
゛ラメータの勿１き他の全ての要素は、例１の場合と同
一・であった。
この例に於て形成された構造体も、（９Ｊ ＩにＭ、
−（形成さ、ｈた構造体の場合と同様にり」′ましＵ・
持・；１．を右した。
−（形成さ、ｈた構造体の場合と同様にり」′ましＵ・
持・；１．を右した。
出願人 インターナショカル・ビン？−人・マシーンズ
・ローボレーノヨン 復代理人 弁理上 合 １．Ｉｉ ｆ第
１頁の続き ０発 明 者 ジョセフ・フユナリ アメリカ合衆国ニューヨーク州 ベスタル・ミーカー・ロード１４ ９番地
・ローボレーノヨン 復代理人 弁理上 合 １．Ｉｉ ｆ第
１頁の続き ０発 明 者 ジョセフ・フユナリ アメリカ合衆国ニューヨーク州 ベスタル・ミーカー・ロード１４ ９番地
Claims (1)
- ポリイミドど、酸化アルミニウム又は酸化亜鉛我はそＡ
しらの混合物とを含む組成物より成る誘電体層を相互間
に有している金属回路の複数の層より成る、基板上に設
けられた金属回路構造体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US48987883A | 1983-04-29 | 1983-04-29 | |
| US489878 | 1983-04-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204295A true JPS59204295A (ja) | 1984-11-19 |
| JPH032355B2 JPH032355B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=23945649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP144684A Granted JPS59204295A (ja) | 1983-04-29 | 1984-01-10 | 金属回路構造体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0123954B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59204295A (ja) |
| DE (1) | DE3479284D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183222A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Matsushita Electric Works Ltd | ポリフエニレンオキサイド系固化物の改質法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999062841A1 (en) | 1998-05-29 | 1999-12-09 | Nokia Mobile Phones Limited | Composite injection mouldable material |
| GB2337756B (en) * | 1998-05-29 | 2002-08-28 | Nokia Mobile Phones Ltd | Composite injection mouldable material |
| RU2654963C1 (ru) * | 2017-03-06 | 2018-05-23 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Способ металлизации диэлектрического материала компонента электронной техники СВЧ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443576A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing printed board |
| JPS54115770A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Fujitsu Ltd | Multiilayer interconnection pattern formation method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
| CA989151A (en) * | 1971-03-01 | 1976-05-18 | Harold E. Bellis | Process for the manufacture of conductive metal laminates |
| US4246147A (en) * | 1979-06-04 | 1981-01-20 | International Business Machines Corporation | Screenable and strippable solder mask and use thereof |
| JPS5688204A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-17 | Ibm | Insulating coating |
-
1984
- 1984-01-10 JP JP144684A patent/JPS59204295A/ja active Granted
- 1984-04-05 DE DE8484103716T patent/DE3479284D1/de not_active Expired
- 1984-04-05 EP EP84103716A patent/EP0123954B1/en not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5443576A (en) * | 1977-09-12 | 1979-04-06 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing printed board |
| JPS54115770A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-08 | Fujitsu Ltd | Multiilayer interconnection pattern formation method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183222A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Matsushita Electric Works Ltd | ポリフエニレンオキサイド系固化物の改質法 |
| JPH0116409B2 (ja) * | 1984-09-29 | 1989-03-24 | Matsushita Electric Works Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0123954A2 (en) | 1984-11-07 |
| DE3479284D1 (en) | 1989-09-07 |
| EP0123954B1 (en) | 1989-08-02 |
| JPH032355B2 (ja) | 1991-01-14 |
| EP0123954A3 (en) | 1985-11-27 |
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