JPS59200238A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS59200238A JPS59200238A JP58074650A JP7465083A JPS59200238A JP S59200238 A JPS59200238 A JP S59200238A JP 58074650 A JP58074650 A JP 58074650A JP 7465083 A JP7465083 A JP 7465083A JP S59200238 A JPS59200238 A JP S59200238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask pattern
- base plate
- photomask
- quartz glass
- glass base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はフォトマスクの製造方法に係り、特に１枚のフ
ォトマスク基板を何度も繰り返しフォトマスクとして使
用できる方法に関する。
ォトマスク基板を何度も繰り返しフォトマスクとして使
用できる方法に関する。
（２）技術の背景
半導体の集積回路がＬＳＩから超ＬＳＩと集積度も集積
密度も大きくなるにつれ、集積されるデバイスの寸法は
ますます微細化される方向にある。
密度も大きくなるにつれ、集積されるデバイスの寸法は
ますます微細化される方向にある。
そして当然のこととして、パターンを転写するフォトマ
スクに高精度且つ高品質なものが要求されている。
スクに高精度且つ高品質なものが要求されている。
（３）従来技術と問題点
従来フォトマスク基板の材料としては、ソーダガラスが
主に使われてきた。しかしながら、前述した如く最近は
マスクパターンに微細で且つ高精度々ものが要求されて
おり、ソーダガラスよシも熱膨張の低い石英、アルミナ
、ボロンシリケート等が使われ始めている。これらのガ
ラス基板はソーダガラス基板と比較して非常に高価であ
る為、フォトマスク基板表面に一度だけマスクパターン
を形成しただけでフォトマスク基板を捨てることは損失
につ々が９、又製品の価格の上昇を招くという問題があ
る。
主に使われてきた。しかしながら、前述した如く最近は
マスクパターンに微細で且つ高精度々ものが要求されて
おり、ソーダガラスよシも熱膨張の低い石英、アルミナ
、ボロンシリケート等が使われ始めている。これらのガ
ラス基板はソーダガラス基板と比較して非常に高価であ
る為、フォトマスク基板表面に一度だけマスクパターン
を形成しただけでフォトマスク基板を捨てることは損失
につ々が９、又製品の価格の上昇を招くという問題があ
る。
（４）発明の目的
本発明は上記問題点を解決し、１枚のフォトマスク基板
表面に繰シ返しマスクパターンを形成しフォトマスク基
板の使い捨てによる損失を低減するフォトマスク基板の
処理方法を提供するにある。
表面に繰シ返しマスクパターンを形成しフォトマスク基
板の使い捨てによる損失を低減するフォトマスク基板の
処理方法を提供するにある。
（５）発明の構成
本発明の目的は、表面にマスクパターンが形成されだフ
ォトマスク基板の該マスクパターンを除去した後、該フ
ォトマスク基板表面を研摩し、該研１騎したフォトマス
ク基板表面に新らたにマスクパターン老形成することに
より達成される。
ォトマスク基板の該マスクパターンを除去した後、該フ
ォトマスク基板表面を研摩し、該研１騎したフォトマス
ク基板表面に新らたにマスクパターン老形成することに
より達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明を実施例に基づき説明する。
今表面にあるマスクパターンが形成された厚さ約２．３
［ｍｙ＋）の石英ガラス基板をフォトマスクとして該パ
ターンを被処理基板に転写し終ったとする。石英ガラス
基板表面に形成されたマスクパターンは石英ガラス表面
にスパッタにより厚さ６００〔Ａ〕のクロムを堆稍し、
該クロム層をパターニングすることにより形成されたも
のである。
［ｍｙ＋）の石英ガラス基板をフォトマスクとして該パ
ターンを被処理基板に転写し終ったとする。石英ガラス
基板表面に形成されたマスクパターンは石英ガラス表面
にスパッタにより厚さ６００〔Ａ〕のクロムを堆稍し、
該クロム層をパターニングすることにより形成されたも
のである。
従来ならば露光処理が終ったフォトマスク基板は使用済
みということで捨てられていだが、本発明では該使用済
みのフォトマスク基板表面に新らたなマスクパターンを
形成して再びフォトマスクとして使用しようというもの
である。
みということで捨てられていだが、本発明では該使用済
みのフォトマスク基板表面に新らたなマスクパターンを
形成して再びフォトマスクとして使用しようというもの
である。
最初にマスクパターンが形成された石英ガラス基板を硝
酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液
に１分間浸してクロム層を工、チング除去する。との時
本実施例にあっては混合水溶液は水１〔ｌ〕に対して硝
酸第二セリウムアンモニウムが２００（ｐｌｚ塩Ｗ（ｊ
−１１２が５０［ｃｃ：］溶解されている。
酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合水溶液
に１分間浸してクロム層を工、チング除去する。との時
本実施例にあっては混合水溶液は水１〔ｌ〕に対して硝
酸第二セリウムアンモニウムが２００（ｐｌｚ塩Ｗ（ｊ
−１１２が５０［ｃｃ：］溶解されている。
次に研摩布が貼り付けられた２枚の鉄の回転板の間に前
記クロム層が除去された石英ガラス基板を挾み込み、酸
化セリウムの粉末が水に混合された研摩剤を用いて前記
回転板を回転させ、該石英ガラス基板の両面を研摩する
。この時の研摩量は例えば片面１０〔μｍ′３程度とす
る。
記クロム層が除去された石英ガラス基板を挾み込み、酸
化セリウムの粉末が水に混合された研摩剤を用いて前記
回転板を回転させ、該石英ガラス基板の両面を研摩する
。この時の研摩量は例えば片面１０〔μｍ′３程度とす
る。
最後に石英ガラス基板表面に付着した研摩剤を洗い流し
、再び石英ガラス基板表面に通常の方法によシマスフパ
ターンを形成し、フォトマスクとして使用する。
、再び石英ガラス基板表面に通常の方法によシマスフパ
ターンを形成し、フォトマスクとして使用する。
このように本実施例にあっては上記工程を稠度も繰り返
すことにより、１枚のフォトマスク基板で細口もマスク
パターンを形成できる。
すことにより、１枚のフォトマスク基板で細口もマスク
パターンを形成できる。
尚、本実施例では、フォトマスク基板として石英ガラス
を用いたが、ソーダガラス、アルミナ。
を用いたが、ソーダガラス、アルミナ。
ボロンシリケート等の材料から成る基板に本発明を用い
てもよい。
てもよい。
（７）発明の効果
本発明によれば、１枚のフォトマスク基板表面に繰シ返
しマスクパターンを形成でき、一度使ったフォトマスク
基板の使い捨てによる損失を低減できるという効果を有
するものである。
しマスクパターンを形成でき、一度使ったフォトマスク
基板の使い捨てによる損失を低減できるという効果を有
するものである。
−２′ｌ
Claims (1)
- 表面にマスクパターンが形成されたフォトマスク基板の
該マスクパターンを除去した後、該フォトマスク基板表
面を研摩し、該研摩したフォトマスク基板表面に新たに
マスクパターンを形成することを特徴とするフォトマス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074650A JPS59200238A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58074650A JPS59200238A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200238A true JPS59200238A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13553315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58074650A Pending JPS59200238A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011227260A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Hoya Corp | 再生フォトマスク用基板の製造方法、再生フォトマスク用ブランクの製造方法、再生フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2017181733A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR20180073451A (ko) * | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 호야 가부시키가이샤 | 표시 장치 제조용 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 마스크, 및 그것들의 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246775A (en) * | 1975-10-13 | 1977-04-13 | Fujitsu Ltd | Method of forming photo mask |
-
1983
- 1983-04-27 JP JP58074650A patent/JPS59200238A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5246775A (en) * | 1975-10-13 | 1977-04-13 | Fujitsu Ltd | Method of forming photo mask |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011227260A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Hoya Corp | 再生フォトマスク用基板の製造方法、再生フォトマスク用ブランクの製造方法、再生フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
| JP2017181733A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Hoya株式会社 | 多層膜付き基板の再生方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| KR20180073451A (ko) * | 2016-12-22 | 2018-07-02 | 호야 가부시키가이샤 | 표시 장치 제조용 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 마스크, 및 그것들의 제조 방법 |
| JP2018106147A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用のマスクブランク用基板、マスクブランク及びマスク、並びにそれらの製造方法 |
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