JPS59199036A - 薄膜生成方法 - Google Patents
薄膜生成方法Info
- Publication number
- JPS59199036A JPS59199036A JP7342883A JP7342883A JPS59199036A JP S59199036 A JPS59199036 A JP S59199036A JP 7342883 A JP7342883 A JP 7342883A JP 7342883 A JP7342883 A JP 7342883A JP S59199036 A JPS59199036 A JP S59199036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- reaction chamber
- heat source
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野）
本発明は所定の温度に保持された基板表面に、例えばプ
ラズマＯＶＤにより薄膜を生成する方法に関する。
ラズマＯＶＤにより薄膜を生成する方法に関する。
（従来技術とその問題点）
薄膜生成装置内で薄膜生成用基板上に非晶質膜、多結晶
膜および単結晶を形成する場合、該基板を所定の温度に
加熱することが必要とされる。従来このような場合、抵
抗加熱器内蔵の熱源を薄膜生成用基板と相対向して該基
板の近接位置に配置するかまたは熱源としてハロゲンラ
ンプなどを用いる赤外輻射加熱によっていた。このよう
な加熱方法において薄膜生成用元板内の温度分布が悪く
なり、その結果薄膜生成用基板上の膜厚あるいは膜質の
一様°性が悪くなるなどの問題が生じた。特に大形の薄
膜生成用基板上に薄膜を形成する場合は該基板上の温度
分布はさらに悪くなる。
膜および単結晶を形成する場合、該基板を所定の温度に
加熱することが必要とされる。従来このような場合、抵
抗加熱器内蔵の熱源を薄膜生成用基板と相対向して該基
板の近接位置に配置するかまたは熱源としてハロゲンラ
ンプなどを用いる赤外輻射加熱によっていた。このよう
な加熱方法において薄膜生成用元板内の温度分布が悪く
なり、その結果薄膜生成用基板上の膜厚あるいは膜質の
一様°性が悪くなるなどの問題が生じた。特に大形の薄
膜生成用基板上に薄膜を形成する場合は該基板上の温度
分布はさらに悪くなる。
（発明の目的）
本発明はこのような問題を解決し、薄膜を生成すべき基
板の温度分布の均一性を向上させて均一な膜厚および膜
質を有する薄膜の生成方法を提供することを目的とする
。
板の温度分布の均一性を向上させて均一な膜厚および膜
質を有する薄膜の生成方法を提供することを目的とする
。
（発明の要点）
本発明は、反応室内で所定の温度に保持して表面に薄膜
を生成すべき基板を、反応室へ導入する前に予備加熱室
で加熱する場合に、予備加熱室内に対向配置された基板
と加熱源とを相対的に移動させながら加熱することによ
り、反応室へ導入される基板の温度分布を均一にして上
記の目的を達成するものである。
を生成すべき基板を、反応室へ導入する前に予備加熱室
で加熱する場合に、予備加熱室内に対向配置された基板
と加熱源とを相対的に移動させながら加熱することによ
り、反応室へ導入される基板の温度分布を均一にして上
記の目的を達成するものである。
（発明の実施例）
第１図において、例えばプラズマＯＶＤを行う反応室１
に隣接して予備加熱室２が設けられている。このような
予備加熱室２は基板の加熱工程ならびに薄膜生成工程時
間がかかる場合に作業能率を高めるために設けられるも
ので、それぞれに基板を加熱するための熱源３１．３２
と基板を支持ならびに搬送する搬送機構４１．４２を有
し、画室の中間の壁および反対側の壁に仕切バルブ５１
．５２が備えられる。次にこの装置を用いての作業につ
いて説明する。先ず仕切バルブ５１を開き、搬送機構４
２を駆動して薄膜生成用基板６を芋′備加熱室ｚ内の熱
源３２と相対向して配置する。次に熱源３ｚに通電して
基板６を加熱すると同時に、第２図に示す室外の電動機
７１により搬送機構４２を駆動して基板６を熱源３２に
対向する領域内で矢印８に示すように往復運動させる。
に隣接して予備加熱室２が設けられている。このような
予備加熱室２は基板の加熱工程ならびに薄膜生成工程時
間がかかる場合に作業能率を高めるために設けられるも
ので、それぞれに基板を加熱するための熱源３１．３２
と基板を支持ならびに搬送する搬送機構４１．４２を有
し、画室の中間の壁および反対側の壁に仕切バルブ５１
．５２が備えられる。次にこの装置を用いての作業につ
いて説明する。先ず仕切バルブ５１を開き、搬送機構４
２を駆動して薄膜生成用基板６を芋′備加熱室ｚ内の熱
源３２と相対向して配置する。次に熱源３ｚに通電して
基板６を加熱すると同時に、第２図に示す室外の電動機
７１により搬送機構４２を駆動して基板６を熱源３２に
対向する領域内で矢印８に示すように往復運動させる。
このように基板６と熱源３２との相対位置を変化させる
ことにより基板の熱分布の均一性が向上する。さらに均
一性をよくするために第２図に示すように熱源３２を矢
印８の方向と垂直の矢印９の方向に往復連動させるか、
あるいは電動機７２により矢印１０のように回転運動さ
せることも有効である。あるいは基板６を静止させ熱源
３２だけを往復または回転運動させてもよい。このよう
にして薄膜生成に必要な温度まで均一に加熱された基板
６を仕切バルブ５１を、開き、搬送機構４２および４１
を用いて反応室ｌ内へ移送する。反応室内１では熱源３
１により失われる熱を補給して基板６を所定の温度に保
ちながら薄膜をその上に生成する。
ことにより基板の熱分布の均一性が向上する。さらに均
一性をよくするために第２図に示すように熱源３２を矢
印８の方向と垂直の矢印９の方向に往復連動させるか、
あるいは電動機７２により矢印１０のように回転運動さ
せることも有効である。あるいは基板６を静止させ熱源
３２だけを往復または回転運動させてもよい。このよう
にして薄膜生成に必要な温度まで均一に加熱された基板
６を仕切バルブ５１を、開き、搬送機構４２および４１
を用いて反応室ｌ内へ移送する。反応室内１では熱源３
１により失われる熱を補給して基板６を所定の温度に保
ちながら薄膜をその上に生成する。
本発明は基板と熱源の相対移動により基板温度の均一性
を得るものであるが、これを反応室で行わず予備加熱室
で行うのは、反応室内で基板と熱源の相対位置を変えた
場合、例えばグロー放電形成のための電界の変動あるい
は反応ガスの乱流の発生などにより生成された薄膜の膜
質が影響されるおそれがあるからである。従って本発明
では予備加熱室で所定の温度に均熱したのち基板を反応
室内に移送し、反応室内の熱源からの熱は補給程度にと
どめて安定した状態で薄膜を生成する。
を得るものであるが、これを反応室で行わず予備加熱室
で行うのは、反応室内で基板と熱源の相対位置を変えた
場合、例えばグロー放電形成のための電界の変動あるい
は反応ガスの乱流の発生などにより生成された薄膜の膜
質が影響されるおそれがあるからである。従って本発明
では予備加熱室で所定の温度に均熱したのち基板を反応
室内に移送し、反応室内の熱源からの熱は補給程度にと
どめて安定した状態で薄膜を生成する。
（発明の効果）
本発明は、薄膜を生成すべき基板を予備−加熱室で加熱
する際基板と熱源とを相対運動させることにより基板の
温度分布が一様になるように均一番こ加熱し、次いでそ
の基板反応室内に送り込んで薄膜を生成するものであり
、これにより生成された薄膜の膜厚、膜質は均一になる
ので、例えばアモルファスシリコン膜を備えた太＠電池
の量産などに極めて有効に適用できる。
する際基板と熱源とを相対運動させることにより基板の
温度分布が一様になるように均一番こ加熱し、次いでそ
の基板反応室内に送り込んで薄膜を生成するものであり
、これにより生成された薄膜の膜厚、膜質は均一になる
ので、例えばアモルファスシリコン膜を備えた太＠電池
の量産などに極めて有効に適用できる。
第１図は本発明の一実施例を示す薄膜生成装置の部分縦
断面図、第２図はその予備加熱室の横断面図である。 １；反応室、２−予備加熱室、３１．３２ ：熱源、４
１、４２ ：搬送機構、６：薄膜生成基板。
断面図、第２図はその予備加熱室の横断面図である。 １；反応室、２−予備加熱室、３１．３２ ：熱源、４
１、４２ ：搬送機構、６：薄膜生成基板。
Claims (1)
- ｌ）反応室内において所定の温度に保持して表面に薄膜
を形成すべき基板を反応室へ導入する前に予備加熱室で
加熱する際に、予備加熱室内に対向配置された基板と加
熱源とを相対的に移動させながら加熱することを特徴と
する薄膜生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342883A JPS59199036A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 薄膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7342883A JPS59199036A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 薄膜生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59199036A true JPS59199036A (ja) | 1984-11-12 |
Family
ID=13517959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7342883A Pending JPS59199036A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 薄膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59199036A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62131521A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
| WO2011086868A1 (ja) | 2010-01-15 | 2011-07-21 | シャープ株式会社 | 薄膜形成装置システムおよび薄膜形成方法 |
| JP2012177151A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置、及び成膜基板製造方法 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP7342883A patent/JPS59199036A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62131521A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Ｃｖｄ薄膜形成装置 |
| WO2011086868A1 (ja) | 2010-01-15 | 2011-07-21 | シャープ株式会社 | 薄膜形成装置システムおよび薄膜形成方法 |
| EP2524975A1 (en) * | 2010-01-15 | 2012-11-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | System of thin film forming apparatus, and thin film forming method |
| EP2524975A4 (en) * | 2010-01-15 | 2014-03-19 | Sharp Kk | SYSTEM FOR THIN LAYERING DEVICE AND THIN LAYERING METHOD |
| JP2012177151A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置、及び成膜基板製造方法 |
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