JPS59198546A - 光デイスク用アルミニウム基板およびその製造方法 - Google Patents
光デイスク用アルミニウム基板およびその製造方法Info
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- JPS59198546A JPS59198546A JP58072977A JP7297783A JPS59198546A JP S59198546 A JPS59198546 A JP S59198546A JP 58072977 A JP58072977 A JP 58072977A JP 7297783 A JP7297783 A JP 7297783A JP S59198546 A JPS59198546 A JP S59198546A
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- Japan
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- plate
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、光デイスク用アルミニウム基板およびその製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
（背景技術）
従来、光ディスクは、グラスチックあるいはガラス板に
よる基板を有し、その基板上に記録層を形成させる方式
を採っていた。その場合に、１８００ｒｐｍ程度の回転
速度で使用する場合には問題とならなかったディスク上
の乱流形成が、３０００ ｒｐｍ以上の回転速度では大
きな障害となり、例えば、グラスチックの場合には、盤
面がうねる、いわゆるフラッタリング現象を起こすこと
に起因して面ぶれが異常に大きくなり、光ヘッドが正常
に追随し得なくなる現象が生ずる。
よる基板を有し、その基板上に記録層を形成させる方式
を採っていた。その場合に、１８００ｒｐｍ程度の回転
速度で使用する場合には問題とならなかったディスク上
の乱流形成が、３０００ ｒｐｍ以上の回転速度では大
きな障害となり、例えば、グラスチックの場合には、盤
面がうねる、いわゆるフラッタリング現象を起こすこと
に起因して面ぶれが異常に大きくなり、光ヘッドが正常
に追随し得なくなる現象が生ずる。
また、ガラス板は本質的に割れ易いという欠点を持って
おり、かつ比重が大きいこともあり、 ３０００ｒｐｍ
程度の高速回転時に割れを生じた場合には、その運動エ
ネルギーが大きいが由にガラス片が飛散し、危険である
ばかりか、装置そのものをも破壊してしまう危険性を持
っている。
おり、かつ比重が大きいこともあり、 ３０００ｒｐｍ
程度の高速回転時に割れを生じた場合には、その運動エ
ネルギーが大きいが由にガラス片が飛散し、危険である
ばかりか、装置そのものをも破壊してしまう危険性を持
っている。
このような視点から、割れにくい基板として金属基板が
必要であると考えられ、特に、磁気ディスクとしての実
績を有するアルミニウム基板を用いることができるので
あれば、その精度および加工法のいずれについても既存
の技術を使用できることになり、極めて容易である。
必要であると考えられ、特に、磁気ディスクとしての実
績を有するアルミニウム基板を用いることができるので
あれば、その精度および加工法のいずれについても既存
の技術を使用できることになり、極めて容易である。
しかしながら、アルミニウムの表面は、反射率が高く、
また、少しの傷あるいは傾斜により反射むらを起こし易
い欠点があった。
また、少しの傷あるいは傾斜により反射むらを起こし易
い欠点があった。
アルミニウム基板を用いることは面ぶれの低減に役立つ
が、アルミニウム表面からの反射率が高いばかりでなく
、反射率分布が非常に大きいことが問題となる。反射率
分布を下げるためには、反射率分布それ自体を低減化す
ることも考えられるが、非常に厳しい面精度を要求する
ことになり、実際上は不可能である。従って反射率その
ものを低下させることがより適切な方法である。
が、アルミニウム表面からの反射率が高いばかりでなく
、反射率分布が非常に大きいことが問題となる。反射率
分布を下げるためには、反射率分布それ自体を低減化す
ることも考えられるが、非常に厳しい面精度を要求する
ことになり、実際上は不可能である。従って反射率その
ものを低下させることがより適切な方法である。
（目的）
そこで、本発明の目的は、上述の点に鑑みて、アルミニ
ウム基板の長所を生かすと共に、その上述した欠点を除
去し、表面での反射率が低く、しかも反射むらの少ない
光ディスク用アルミニクム基板を提供することにある。
ウム基板の長所を生かすと共に、その上述した欠点を除
去し、表面での反射率が低く、しかも反射むらの少ない
光ディスク用アルミニクム基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、かかる光デイスク用アルミニウム
基板を簡単な工程で形成することのできる光デイスク用
アルミニウム基板の製造方法を提供することにある。
基板を簡単な工程で形成することのできる光デイスク用
アルミニウム基板の製造方法を提供することにある。
（発明の構成）
かかる目的を達成するために、本発明では、アルミニウ
ム板の表面に低反射層を形成する。
ム板の表面に低反射層を形成する。
本発明製造方法では、スピンコード、バーコード、ディ
ッピング法および静電塗布法のいずれかを用いて黒色系
塗料をアルミニウム板の表面に被着させることにより光
吸収層をそのアルミニウム板の表面に形成する。
ッピング法および静電塗布法のいずれかを用いて黒色系
塗料をアルミニウム板の表面に被着させることにより光
吸収層をそのアルミニウム板の表面に形成する。
（実施例）
以下に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
＄１図は本発明光デイスク用アルミニウム基板を用いて
構成した光デイスク媒体の一実施例を示し、ここで１は
下地アルミニウム板、２はこのアルミニウム板１上に形
成した反射防止用の光吸収層、６はこの光吸収層２上に
形成した案内溝形成層、４はこの案内溝形成層６上に形
成した記録層である。
構成した光デイスク媒体の一実施例を示し、ここで１は
下地アルミニウム板、２はこのアルミニウム板１上に形
成した反射防止用の光吸収層、６はこの光吸収層２上に
形成した案内溝形成層、４はこの案内溝形成層６上に形
成した記録層である。
光吸収層２としては、例えばエナメル系黒色塗料を用い
ることかでさ、この黒色塗料を厚さ約１０μｍで塗布し
たところ、吸収層２の反射率は１０％とな輸、この構成
での反射率分布は１％以内となった。
ることかでさ、この黒色塗料を厚さ約１０μｍで塗布し
たところ、吸収層２の反射率は１０％とな輸、この構成
での反射率分布は１％以内となった。
これに対して、かかる光吸収層２かない従来の場合には
、見かけ上の反射率分布は約２０％となった。この場合
には、記録層表面からの反射が約３０％あるため、アル
ミニウム板からの反射率の平均値が約７％であるから、
アルミニウム表面での反射率分布は３００％にも及ぶこ
とになる。
、見かけ上の反射率分布は約２０％となった。この場合
には、記録層表面からの反射が約３０％あるため、アル
ミニウム板からの反射率の平均値が約７％であるから、
アルミニウム表面での反射率分布は３００％にも及ぶこ
とになる。
なお、ここで、反射率Ｒに対してΔＲ／Ｒを反射率分布
と定義する。
と定義する。
この場合のＳ／Ｎは、１５ｄＢ程度であって、実際に画
像用とするためには、少なくとも４０ ｄＢを越えてい
る必要があることから、実効的な反射率分布は１％以下
としなければならない。
像用とするためには、少なくとも４０ ｄＢを越えてい
る必要があることから、実効的な反射率分布は１％以下
としなければならない。
そのためには、光吸収層からの反射は、少なくとも２０
％以下とする必要がある。
％以下とする必要がある。
光吸収層２の材料としては、黒色塗料として市販されて
いる、アセチレンブラックを代表とする無定形炭素粉末
あるいは微粒化したグラファイトを顔料とする塗料であ
れば、すべて使用可能であり、スピンコード法、バーコ
ード法、ふきつけ法。
いる、アセチレンブラックを代表とする無定形炭素粉末
あるいは微粒化したグラファイトを顔料とする塗料であ
れば、すべて使用可能であり、スピンコード法、バーコ
ード法、ふきつけ法。
電気泳動法等を用いてアルミニウム板１上に光吸収層２
として簡単な工程で形成することができる。
として簡単な工程で形成することができる。
この場合、反射率を２０％以下とするためには、光吸収
層２の厚みを少なくとも０．５μｍ以上にするのが好適
である。その場合に、形成された光デイスク媒体は、い
ずれも、反射率分布を１％以内に収めることができた。
層２の厚みを少なくとも０．５μｍ以上にするのが好適
である。その場合に、形成された光デイスク媒体は、い
ずれも、反射率分布を１％以内に収めることができた。
また、光吸収面用の材料としては、Ｆｅ 、 Ｎｉ ｒ
Ｃｏ ＋Ｐｄ 、 ｋｌ 、 Ａｕ 、 Ａｇ 、
Ｃｄ 、 Ｚｎ 、 Ｃｕ等の金属微粒子したものを用
いることもできる。かかる塗料をアルミニウム板１上に
塗布することによって、約０．３μｍ厚の光吸収層２を
形成したときにも、反射率変化を１％以内にすることが
できた。
Ｃｏ ＋Ｐｄ 、 ｋｌ 、 Ａｕ 、 Ａｇ 、
Ｃｄ 、 Ｚｎ 、 Ｃｕ等の金属微粒子したものを用
いることもできる。かかる塗料をアルミニウム板１上に
塗布することによって、約０．３μｍ厚の光吸収層２を
形成したときにも、反射率変化を１％以内にすることが
できた。
（効果）
以上説明したように、本発明によれば、黒色塗料あるい
は金属微粒子の分散剤を用いて反射を防止する光吸収層
をアルミニウム表面に形成し、かかる吸収層からの反射
率を２０％以下に低下させることにより、見かけ上の反
射率分布を１％以下とすることができ、以て高Ｓ／Ｎ比
を実現できる利点がある。
は金属微粒子の分散剤を用いて反射を防止する光吸収層
をアルミニウム表面に形成し、かかる吸収層からの反射
率を２０％以下に低下させることにより、見かけ上の反
射率分布を１％以下とすることができ、以て高Ｓ／Ｎ比
を実現できる利点がある。
また、本発明によれば、かかる光デイスク用アルミニウ
ム基板を簡単な工程で製造することができる。
ム基板を簡単な工程で製造することができる。
第１図は本発明光デイスク用アルミニウム基板を用いた
光デイスク媒体の構成の一例を示す断面図である。 １・・・・・・Ａｌ基板、 ２・・・・・・光吸収層、 ６・・・・・・溝形成層、 ４・・・・・・記録層。 ３０３−
光デイスク媒体の構成の一例を示す断面図である。 １・・・・・・Ａｌ基板、 ２・・・・・・光吸収層、 ６・・・・・・溝形成層、 ４・・・・・・記録層。 ３０３−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）アルミニウム板を有し、酸アルミニウム板の表面に
反射防止層を形成して、前記表面からの反射光を減少さ
せるようにしたことを特徴とする光デイスク用アルミニ
ウム基板。 ２）黒色系塗料あるいは金属微粒子の分散剤をアルミニ
ウム板の表面に被着させることにより光吸収層を前記ア
ルミニウム板の表面に形成することを特徴とする光デイ
スク用アルミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072977A JPS59198546A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 光デイスク用アルミニウム基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58072977A JPS59198546A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 光デイスク用アルミニウム基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198546A true JPS59198546A (ja) | 1984-11-10 |
Family
ID=13504953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58072977A Pending JPS59198546A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | 光デイスク用アルミニウム基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198546A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0229650A2 (de) * | 1986-01-15 | 1987-07-22 | BASF Aktiengesellschaft | Optisches Aufzeichnungsmedium, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung als Read Only Memory-Informationsträger |
| EP0431489A2 (en) * | 1989-12-06 | 1991-06-12 | Hitachi, Ltd. | Information processing device and optical disk memory used therefor |
| US5371730A (en) * | 1989-11-29 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Optical memory and information processing apparatus |
-
1983
- 1983-04-27 JP JP58072977A patent/JPS59198546A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0229650A2 (de) * | 1986-01-15 | 1987-07-22 | BASF Aktiengesellschaft | Optisches Aufzeichnungsmedium, ein Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung als Read Only Memory-Informationsträger |
| US5371730A (en) * | 1989-11-29 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Optical memory and information processing apparatus |
| EP0431489A2 (en) * | 1989-12-06 | 1991-06-12 | Hitachi, Ltd. | Information processing device and optical disk memory used therefor |
| US5583840A (en) * | 1989-12-06 | 1996-12-10 | Hitachi, Ltd. | ROM type optical recording medium with a high reflectivity and an optical head operable on ROM, write-one and rewritable disk |
| EP0802530A2 (en) * | 1989-12-06 | 1997-10-22 | Hitachi, Ltd. | Optical ROM type memory disk |
| EP0802530A3 (en) * | 1989-12-06 | 1998-03-11 | Hitachi, Ltd. | Optical ROM type memory disk |
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