JPS5919829A - 光学的圧力センサ - Google Patents
光学的圧力センサInfo
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- JPS5919829A JPS5919829A JP13009582A JP13009582A JPS5919829A JP S5919829 A JPS5919829 A JP S5919829A JP 13009582 A JP13009582 A JP 13009582A JP 13009582 A JP13009582 A JP 13009582A JP S5919829 A JPS5919829 A JP S5919829A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
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- G01L1/242—Measuring force or stress, in general by measuring variations of optical properties of material when it is stressed, e.g. by photoelastic stress analysis using infrared, visible light, ultraviolet the material being an optical fibre
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- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、圧力変化を光の強度変化に斐換して検出す
る光学的圧力センサに関する。
る光学的圧力センサに関する。
圧力計測には、従来から、金属製のタイヤフラムやブル
ドン管を用い1こ機械式計測装置と、各種の歪ゲージを
用い1コ9、半導体pn接合の圧力変化特性を利用し1
コ電気的計測装置とが多く使用されている。ところが、
機械式の圧力計測装置にはヒステリシスがあって、精度
の高い測定ができないという欠点がある。電気的計測で
は、シリコンの”l 結晶に異方性エツチングによって
ダイヤフラムを形式し、このダイヤフラム上に拡散によ
り歪ゲージを作っ1こ圧力センサが精度の良い、ヒステ
リシスのないセンサとしてよく使われるようになってき
ている。しかしながらこの半導体センサは、電磁雑音が
存在する環境では計測精度が低下する、電気スパークに
よる火災まTコは爆発のおそれがある、雰囲気に誹って
は金属導電体が腐蝕しゃすいなどの問題がある。そこで
、これらの諸問題を解消する計測装置として光学的に圧
力変化を測定するものが脚光をあびてきた。光を用い1
こ圧力センサとしては、タイヤフラムを形成したシリコ
ン・チップと光ファイバ3とを対向配置し、圧力変化を
シリコン・ダイヤフラムの変位に変換し、さらにこの変
位量を光ファイバから出射される光の反射量の変化に変
換して再びファイバ中を逆方向に伝搬させるという方式
のものが知られている。しかしながら、この光学的圧力
センサではシリコン・チップと光ファイバとの相対的な
位置関係を一定にかつ高精度に保つ必要があり、組立が
きわめて難しく、まrコ圧力変化に対する光量の変化が
小さいという欠点がある。
ドン管を用い1こ機械式計測装置と、各種の歪ゲージを
用い1コ9、半導体pn接合の圧力変化特性を利用し1
コ電気的計測装置とが多く使用されている。ところが、
機械式の圧力計測装置にはヒステリシスがあって、精度
の高い測定ができないという欠点がある。電気的計測で
は、シリコンの”l 結晶に異方性エツチングによって
ダイヤフラムを形式し、このダイヤフラム上に拡散によ
り歪ゲージを作っ1こ圧力センサが精度の良い、ヒステ
リシスのないセンサとしてよく使われるようになってき
ている。しかしながらこの半導体センサは、電磁雑音が
存在する環境では計測精度が低下する、電気スパークに
よる火災まTコは爆発のおそれがある、雰囲気に誹って
は金属導電体が腐蝕しゃすいなどの問題がある。そこで
、これらの諸問題を解消する計測装置として光学的に圧
力変化を測定するものが脚光をあびてきた。光を用い1
こ圧力センサとしては、タイヤフラムを形成したシリコ
ン・チップと光ファイバ3とを対向配置し、圧力変化を
シリコン・ダイヤフラムの変位に変換し、さらにこの変
位量を光ファイバから出射される光の反射量の変化に変
換して再びファイバ中を逆方向に伝搬させるという方式
のものが知られている。しかしながら、この光学的圧力
センサではシリコン・チップと光ファイバとの相対的な
位置関係を一定にかつ高精度に保つ必要があり、組立が
きわめて難しく、まrコ圧力変化に対する光量の変化が
小さいという欠点がある。
この発明は、わすかな圧力変化に対しても大きな光量変
化か得られ高精度の圧力測定が可能であるとともに、構
成が簡単で製造が容易な光学的圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
化か得られ高精度の圧力測定が可能であるとともに、構
成が簡単で製造が容易な光学的圧力センサを提供するこ
とを目的とする。
この発明による光学的圧力センサは、少なくとも1つの
入出力用単一モート光導波路と、この入出力用光害波路
の一端に結合され1コ1対の圧力検出用単一モート光導
波路とを有する基板、圧力検出用光導波路の光波を反射
させる手段、および1対の圧力検出用光導波路の一方の
上に被検出圧力を加える手段からなることを特徴とする
。被検出圧力が一方の圧力演出用先導波路に加わること
によシその先導波路の位相定数が変化する。入出力用光
害波路に入力しfコ光彼は、1対の圧力検出用光導波路
lこ分岐して伝搬し、反射手段lこまって反射されて反
対方向に伝搬し再び入出力用先導波路に入って本ね合わ
される。一方の圧力検出用先導波路の位相定数が被検出
圧力によって変化するから、1対の圧力検出用光導波路
を伝搬する光波には位相差が生じる。入出力用先導波路
から出射される光の強度はこの位相差に誹って変化する
から、出射光の強度を測定することによシ、被検出圧力
を知ることができる。
入出力用単一モート光導波路と、この入出力用光害波路
の一端に結合され1コ1対の圧力検出用単一モート光導
波路とを有する基板、圧力検出用光導波路の光波を反射
させる手段、および1対の圧力検出用光導波路の一方の
上に被検出圧力を加える手段からなることを特徴とする
。被検出圧力が一方の圧力演出用先導波路に加わること
によシその先導波路の位相定数が変化する。入出力用光
害波路に入力しfコ光彼は、1対の圧力検出用光導波路
lこ分岐して伝搬し、反射手段lこまって反射されて反
対方向に伝搬し再び入出力用先導波路に入って本ね合わ
される。一方の圧力検出用先導波路の位相定数が被検出
圧力によって変化するから、1対の圧力検出用光導波路
を伝搬する光波には位相差が生じる。入出力用先導波路
から出射される光の強度はこの位相差に誹って変化する
から、出射光の強度を測定することによシ、被検出圧力
を知ることができる。
この発明においては、光導波路の圧力による位相定数の
変化を利用しているから、圧力を精度まく検出すること
ができる。しかも基板上に形成されTコ光導波路構造、
その一部を加圧するfコめの手段および反射手段という
簡単な構成であシ、製作が容易となる。
変化を利用しているから、圧力を精度まく検出すること
ができる。しかも基板上に形成されTコ光導波路構造、
その一部を加圧するfコめの手段および反射手段という
簡単な構成であシ、製作が容易となる。
この発明の詳細な説明に先だち、その実施例で利用され
る特殊な先導波路構造について説明しておく。
る特殊な先導波路構造について説明しておく。
第1図において、1対の単一モード光害1!l路(1)
と(2)がその一端において微小角度θ1で交差してい
る。これらの先導波路(1)と(2)とは等しい巾Wl
。
と(2)がその一端において微小角度θ1で交差してい
る。これらの先導波路(1)と(2)とは等しい巾Wl
。
W2を有しており、シ1コがって位相定数が等しく設定
されている。もう1対の単一モード先導波路(3)と(
4)とがあシ、これらの光導波路(3)と(4)もまf
こ一端にて微小角度θ2で交差している。光導波路(3
)と(4)の巾W8とW4とは異なシ、光導波路(4)
の11」〜14は光導波路(3)の巾W3よシも狭くな
っている。し1こがって、先導波路(3)と(4)の位
相定数は異なり、先導波路(3)の方が大きい。このよ
うな先導波路(1) (2)と光導波路(3) (4)
とは、これらの光導波路がほぼ直線状になるように、そ
れぞれの交差部で結合されている。この結合部を杓号(
5)で示す。説明の便宜の1こめに、先導波路(1)
(2)から先導波路(3)(4)に向う方向をZ軸、紙
面に垂直な方向をX軸として、XYZ座標軸をとる。ま
た、光導波路(]) (2)益 を対称側、先導波路(3) (1)を非対象側と呼ぶ。
されている。もう1対の単一モード先導波路(3)と(
4)とがあシ、これらの光導波路(3)と(4)もまf
こ一端にて微小角度θ2で交差している。光導波路(3
)と(4)の巾W8とW4とは異なシ、光導波路(4)
の11」〜14は光導波路(3)の巾W3よシも狭くな
っている。し1こがって、先導波路(3)と(4)の位
相定数は異なり、先導波路(3)の方が大きい。このよ
うな先導波路(1) (2)と光導波路(3) (4)
とは、これらの光導波路がほぼ直線状になるように、そ
れぞれの交差部で結合されている。この結合部を杓号(
5)で示す。説明の便宜の1こめに、先導波路(1)
(2)から先導波路(3)(4)に向う方向をZ軸、紙
面に垂直な方向をX軸として、XYZ座標軸をとる。ま
た、光導波路(]) (2)益 を対称側、先導波路(3) (1)を非対象側と呼ぶ。
簡単の1こめに、X方向には変化のない2次元構造を考
える。また、2つの交差角θ1.θ2はいずれも十分に
小さく、光波はほぼZ方向に進行し、Z方向の微小変化
に対して先導l支路(1)と(2)の間隔、および先導
波路(3)と(4)の間隔の変化は無視できるものとす
る。すなわち、結合部(5)を除いて、微小区間を考え
れば、2本の平行な光導波路があシ、Y方向に一様な5
層構造が形成されている、とみなすことができるものと
する。このような場合には、ローカル・ノーマル・モー
ド(Local Nonnal MJde)による解析
法が適用できる。
える。また、2つの交差角θ1.θ2はいずれも十分に
小さく、光波はほぼZ方向に進行し、Z方向の微小変化
に対して先導l支路(1)と(2)の間隔、および先導
波路(3)と(4)の間隔の変化は無視できるものとす
る。すなわち、結合部(5)を除いて、微小区間を考え
れば、2本の平行な光導波路があシ、Y方向に一様な5
層構造が形成されている、とみなすことができるものと
する。このような場合には、ローカル・ノーマル・モー
ド(Local Nonnal MJde)による解析
法が適用できる。
よく知られているように、2つの単一モード光導波路か
らなる5層先導波路の固有モードには、偶モードと奇モ
ードの2種類がある。第2図(a)。
らなる5層先導波路の固有モードには、偶モードと奇モ
ードの2種類がある。第2図(a)。
(1〕)には、この5層先導波路構造における偶モード
と奇モードの伝搬状態がそれぞれ示されている。
と奇モードの伝搬状態がそれぞれ示されている。
第2図(c)には、この5層光導波路構造の偶、奇両モ
ードの位相定数の変化の様子が示されている。
ードの位相定数の変化の様子が示されている。
光導波路(1) (2)からなる対称側において、結合
部(5)から十分に遠く、先導波路(1)と(2)の間
隔が広い位置では、光導波路(1)と(2)の間の結合
が無視できるfコめ2つの固有モードは縮退し、両モー
ドの位相定数は等しい。結合部(5)に近づくにつれて
縮退がとけて両モードの位相定数の差が大きくなる。結
合部(5)では、2つの先導波路が1つになシ、3層先
導波路構造となるfコめ、偶モードは8 Ivj光導波
路の基本モード(位相定数の大きい方)に、奇モードは
1次モード(位相定数の小さい方)にそれぞれ移行する
。結合部(5)を過ぎて、光導波路(3)と(4)から
なる非対称側にはいると、光導波路(3)と(4)の間
隔が再び拡大する1こめ両モードの位相定数の差は減少
するが、光導波路(3)と(4)の位相定数が異なるの
で偶、奇モードの位相定数はそれぞれ異なる値に漸近す
る。この例では、先導波路(3)の幅が先導波路(4)
の幅よシ広くなっているから、位相定数は先導波路(3
)のほうで大きい。し1こかって、偶モードの光波パワ
ーは光導波路(3)に、奇モードの光波パワー!;を光
導波路(4)にそれぞれ集中する。
部(5)から十分に遠く、先導波路(1)と(2)の間
隔が広い位置では、光導波路(1)と(2)の間の結合
が無視できるfコめ2つの固有モードは縮退し、両モー
ドの位相定数は等しい。結合部(5)に近づくにつれて
縮退がとけて両モードの位相定数の差が大きくなる。結
合部(5)では、2つの先導波路が1つになシ、3層先
導波路構造となるfコめ、偶モードは8 Ivj光導波
路の基本モード(位相定数の大きい方)に、奇モードは
1次モード(位相定数の小さい方)にそれぞれ移行する
。結合部(5)を過ぎて、光導波路(3)と(4)から
なる非対称側にはいると、光導波路(3)と(4)の間
隔が再び拡大する1こめ両モードの位相定数の差は減少
するが、光導波路(3)と(4)の位相定数が異なるの
で偶、奇モードの位相定数はそれぞれ異なる値に漸近す
る。この例では、先導波路(3)の幅が先導波路(4)
の幅よシ広くなっているから、位相定数は先導波路(3
)のほうで大きい。し1こかって、偶モードの光波パワ
ーは光導波路(3)に、奇モードの光波パワー!;を光
導波路(4)にそれぞれ集中する。
上述の説明は、光が対称側から非対称側に伝搬する場合
のものであるが、非対称側から対称側に光が進む場合に
は、に述の説明を逆にTコどればよい。
のものであるが、非対称側から対称側に光が進む場合に
は、に述の説明を逆にTコどればよい。
第3図は、上述の先導波路に対称側から種々の光、皮を
入力し1こときに得られる光波出力を示している。、第
3図(a)は、対称側の2つの光導波路(]、) (2
)に同相の光)皮が入力しrコ場合である。対称側では
偶モードが励振されて伝搬し、結合部(5)では基本モ
ードに、非対称側では再び偶モードにそれぞれ変化する
。非対称側における偶モードの光波パワーは光導波路(
3)に集中している1こめ、出力光波は光導l支路(3
)から得られる。第3図(1〕)は、互いに逆相の光波
を対称側の2つの光導波IM (+) (2)に入力し
fコ場合である。対19<側では奇モードが励振されて
伝搬し、結合部(5)では1次モードに、非対称側では
再び奇モードにそれぞれ変化する。非対称側における奇
モードの光波パワーは先導波路(4)に集中しているT
コめ、出力光波は先導波路(4)から得られる。第3図
(e)は、光波が光導波路(1)にのみ入力し1こ場合
である。この場合には、対称側で偶モードと奇モードと
が等しいパワーで励振されfコと考えられるから、第3
図(a)と(b)の血ね合わせとなシ、先導波路(3)
と(4)に等しいパワーの光波が出力される。
入力し1こときに得られる光波出力を示している。、第
3図(a)は、対称側の2つの光導波路(]、) (2
)に同相の光)皮が入力しrコ場合である。対称側では
偶モードが励振されて伝搬し、結合部(5)では基本モ
ードに、非対称側では再び偶モードにそれぞれ変化する
。非対称側における偶モードの光波パワーは光導波路(
3)に集中している1こめ、出力光波は光導l支路(3
)から得られる。第3図(1〕)は、互いに逆相の光波
を対称側の2つの光導波IM (+) (2)に入力し
fコ場合である。対19<側では奇モードが励振されて
伝搬し、結合部(5)では1次モードに、非対称側では
再び奇モードにそれぞれ変化する。非対称側における奇
モードの光波パワーは先導波路(4)に集中しているT
コめ、出力光波は先導波路(4)から得られる。第3図
(e)は、光波が光導波路(1)にのみ入力し1こ場合
である。この場合には、対称側で偶モードと奇モードと
が等しいパワーで励振されfコと考えられるから、第3
図(a)と(b)の血ね合わせとなシ、先導波路(3)
と(4)に等しいパワーの光波が出力される。
光波を非対称側から入力することもでき、この場合には
上述した逆の過程を1ことる。1ことえば、光導波路(
3)に光波が入力し1こ場合には、対称側の両光導波路
(1)と(2)とから同相の光波が出力される(第3図
(a)に破線の矢印で示す、)。他についても同じまう
に考えることができる。以上の考察から、この先導波路
構造が通常の光ヒーム・スプリッタ(fことえばハーフ
・ミラー)と等価な機能を有す第4図は実施例を示して
いる。Zカットの餅跡03 結晶基板(11の一面上
に、Tiを熱拡散することにより、第1図に示すような
光導波路(1)と(2)の対、先導波路(3)と(4)
の対およびこれらの交差部の結合部(5)が形成されて
いる。これらの光導波路(1)〜(4)の結合部(5)
と反対側端部には、平行な先導波路(11)(2)03
04)がそれぞれ連続している。先導波m (3)θ葎
が入力用、光導波路(4) 044が出力用、光導波路
(1) (2) (Iυ0功が圧力検出用である。この
ような使い方は、第飾 3図(a)に破線で示すように、光波を非対米側から入
力するものと同じである。先導波路(1)と(2)の交
差角、光導波路(3)と(4)の交差角θ1.θ2はい
ずれも12°以下の小さい値にとられている。基板(I
Iの光導波路θυQ功側の端面にはAlを蒸着すること
により反射膜(8)が形成されている。ま1こ、先導波
路0υα2上には、同じ長さの5iOJ&膜(6) (
7)がこれらを覆うようにそれぞれ形成されている。そ
して、一方のSiO□膜(6)上にはロッド(9)によ
って被検出圧力が印加されるようになっている。被検出
圧力が機械的な機構によって発生される場合にはとのロ
ッド(9)がその機構に直接にまrコは間接に連結され
る。被検出圧力が流体圧の場合には、その流体が導かれ
るシリンダのピストンにこのロッド(9)が連結される
。ロッド(9)に代えてシリンダをSiO2膜(6)上
に配置し、このシリンダに被検出流体を直接に導いても
よい。
上述した逆の過程を1ことる。1ことえば、光導波路(
3)に光波が入力し1こ場合には、対称側の両光導波路
(1)と(2)とから同相の光波が出力される(第3図
(a)に破線の矢印で示す、)。他についても同じまう
に考えることができる。以上の考察から、この先導波路
構造が通常の光ヒーム・スプリッタ(fことえばハーフ
・ミラー)と等価な機能を有す第4図は実施例を示して
いる。Zカットの餅跡03 結晶基板(11の一面上
に、Tiを熱拡散することにより、第1図に示すような
光導波路(1)と(2)の対、先導波路(3)と(4)
の対およびこれらの交差部の結合部(5)が形成されて
いる。これらの光導波路(1)〜(4)の結合部(5)
と反対側端部には、平行な先導波路(11)(2)03
04)がそれぞれ連続している。先導波m (3)θ葎
が入力用、光導波路(4) 044が出力用、光導波路
(1) (2) (Iυ0功が圧力検出用である。この
ような使い方は、第飾 3図(a)に破線で示すように、光波を非対米側から入
力するものと同じである。先導波路(1)と(2)の交
差角、光導波路(3)と(4)の交差角θ1.θ2はい
ずれも12°以下の小さい値にとられている。基板(I
Iの光導波路θυQ功側の端面にはAlを蒸着すること
により反射膜(8)が形成されている。ま1こ、先導波
路0υα2上には、同じ長さの5iOJ&膜(6) (
7)がこれらを覆うようにそれぞれ形成されている。そ
して、一方のSiO□膜(6)上にはロッド(9)によ
って被検出圧力が印加されるようになっている。被検出
圧力が機械的な機構によって発生される場合にはとのロ
ッド(9)がその機構に直接にまrコは間接に連結され
る。被検出圧力が流体圧の場合には、その流体が導かれ
るシリンダのピストンにこのロッド(9)が連結される
。ロッド(9)に代えてシリンダをSiO2膜(6)上
に配置し、このシリンダに被検出流体を直接に導いても
よい。
入力用光導波路0撞には適当な光源0図示略)から光学
系まfコは光ファイバなどを通して光が入射される。出
力用先導波路θ荀は、光学系ま1こは光ファイバを介し
て光電検出器(図示略)に結合されている。ロッド(9
)によって圧力が印加されていない場合には、先導波路
(1)θυと(2) 02との位相定数は等しい。し1
こがって光導波路α劃から入射されfコ光は両光導波路
(1) (2)に等しく分れて伝搬し、反射膜(8)で
反射しrコのち再び光導波路03に戻シ、光導波路0く
から出力光は得られない(第3図(a)参照)。
系まfコは光ファイバなどを通して光が入射される。出
力用先導波路θ荀は、光学系ま1こは光ファイバを介し
て光電検出器(図示略)に結合されている。ロッド(9
)によって圧力が印加されていない場合には、先導波路
(1)θυと(2) 02との位相定数は等しい。し1
こがって光導波路α劃から入射されfコ光は両光導波路
(1) (2)に等しく分れて伝搬し、反射膜(8)で
反射しrコのち再び光導波路03に戻シ、光導波路0く
から出力光は得られない(第3図(a)参照)。
ロッド(9)を介して圧力が印加されると、この圧力に
よって光導波路θυの厚さが変化すること、および圧力
によって生しf、:歪みによって先導波路0υの屈折率
が変化することにょシ、光導波路0υの位相定数が変化
する。しfコがって、光導波路(1)oυと光導波11
fr、 (2) Oaとを伝搬する光波に位相差が生じ
、この位相差に応じ1こ強度の光が先導波路04)から
出射する。先導波路04)から出力する光の強度を測定
することにより、圧力を検出することができる。印加圧
力に対する先導波路Hの出力光の強度変化が第5図に示
されている。
よって光導波路θυの厚さが変化すること、および圧力
によって生しf、:歪みによって先導波路0υの屈折率
が変化することにょシ、光導波路0υの位相定数が変化
する。しfコがって、光導波路(1)oυと光導波11
fr、 (2) Oaとを伝搬する光波に位相差が生じ
、この位相差に応じ1こ強度の光が先導波路04)から
出射する。先導波路04)から出力する光の強度を測定
することにより、圧力を検出することができる。印加圧
力に対する先導波路Hの出力光の強度変化が第5図に示
されている。
第4図において、先導波路0→から光を入射させ光導波
路G;ヤから検出光を得るようにしてもよい。
路G;ヤから検出光を得るようにしてもよい。
ま1こ、SiO□膜(7)に圧力を加えるようにしても
よい。
よい。
S iO2膜+6) [7)の両方にそれぞれ異なる圧
力を印1jIJすると、これらの圧力の差を検出するこ
とができる。さらに、光導波路(1)0υ(2) 02
を入出力用、光導波路(3)θ3 (4) (+4)を
圧力検出用とすることも可能である。
力を印1jIJすると、これらの圧力の差を検出するこ
とができる。さらに、光導波路(1)0υ(2) 02
を入出力用、光導波路(3)θ3 (4) (+4)を
圧力検出用とすることも可能である。
ま1こ、光導波路θυとθ功における光の反射位置を光
の波長をλとして、λ/4だけ異ならせておけば、圧力
を印加しない場合に先導波路0ぐから最大強度の出力光
が得られる。光の反射手段は基板αQに形成せずに、基
板OCJの外部に設けてもよい。そして、反射手段とし
ては反射鏡以外にTことえば光ファイバの端面を利用し
てもよい。
の波長をλとして、λ/4だけ異ならせておけば、圧力
を印加しない場合に先導波路0ぐから最大強度の出力光
が得られる。光の反射手段は基板αQに形成せずに、基
板OCJの外部に設けてもよい。そして、反射手段とし
ては反射鏡以外にTことえば光ファイバの端面を利用し
てもよい。
第6図はこの発明の他の実施例を示している。
ガラス基板勾玉に銀イオンを電界拡散させることによシ
、入出力用単一モード光導波路(財)、この光、導波路
(ハ)のY字形光分岐路(ハ)、およびとのY字形光分
岐路に)にそれぞれつながる1対の平行な圧力検出用単
一モード光導波路(ハ)(イ)が形成され、基板(イ)
の光導波路(21)(イ)側端面にA6を蒸着すること
によシ反射膜(ハ)が形成されている。1対の光導波路
121)(イ)のうちの−万〇〇に被検出圧力を印加す
るfコめのロッド(9)が配置されている。光は光導波
II E4から入射される。圧力が印加されてい々い場
合には、1対の光導波1fs−+ 07])(イ)を伝
搬゛する光波間には位相差は生じないから、先導波路(
ハ)から出射される訓導波路l2I)@の光波の重ね合
わされた光は最大値を示す。ロッド(9)によって先導
波路Qυに圧力が印加されると、先導波路(2])の位
相定数が変化するので、先導波路(ハ)から出力される
光は圧力によって強度変調される。
、入出力用単一モード光導波路(財)、この光、導波路
(ハ)のY字形光分岐路(ハ)、およびとのY字形光分
岐路に)にそれぞれつながる1対の平行な圧力検出用単
一モード光導波路(ハ)(イ)が形成され、基板(イ)
の光導波路(21)(イ)側端面にA6を蒸着すること
によシ反射膜(ハ)が形成されている。1対の光導波路
121)(イ)のうちの−万〇〇に被検出圧力を印加す
るfコめのロッド(9)が配置されている。光は光導波
II E4から入射される。圧力が印加されてい々い場
合には、1対の光導波1fs−+ 07])(イ)を伝
搬゛する光波間には位相差は生じないから、先導波路(
ハ)から出射される訓導波路l2I)@の光波の重ね合
わされた光は最大値を示す。ロッド(9)によって先導
波路Qυに圧力が印加されると、先導波路(2])の位
相定数が変化するので、先導波路(ハ)から出力される
光は圧力によって強度変調される。
第1図は、導波形光ビーム・スプリッタの動作原理を示
す禍成図、第2図(a)、ら)は、このビーム・スプリ
ッタにおける固有モードの伝搬の様子を示す図、第2図
(e)は位相定数の変化を示すクラン、第3図は、との
ビーム・スプリッタへの光波の入力と出力との種々の関
係を示す図、第4図は、この発明の実施例を示す斜視図
、第5図は、出力光の強度の圧力による変化を示すクラ
ン、第6図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である
。 (1) (2) Qυaノ0I)(2)・・・圧力検出
用単一モード先導波路、(3) (4) (+304)
H−・・入出力用単一モード先導波路、(10に)・
・・基板、(8)(ハ)・・・反射膜、(9)・・・被
検出圧力印加用ロッ ド 以 上 特許出願人 井 筒雅 之 同 末1)正 同 立石電機株式会社 第2図 (a) □2 第3図 第4図 第5図 一會fP7IIll圧巾 第6図 手続補正書I]■ 昭和57年1り月/、7日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事f′1の大小 昭和57年持、v1願第130
095号2 発明の名称 光学的圧力センサ 3、補正をする者 事件との関係 特r「出願人 4、代 理 人 外4名 5 補正命令の日付 昭和57年10月2611以
上
す禍成図、第2図(a)、ら)は、このビーム・スプリ
ッタにおける固有モードの伝搬の様子を示す図、第2図
(e)は位相定数の変化を示すクラン、第3図は、との
ビーム・スプリッタへの光波の入力と出力との種々の関
係を示す図、第4図は、この発明の実施例を示す斜視図
、第5図は、出力光の強度の圧力による変化を示すクラ
ン、第6図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である
。 (1) (2) Qυaノ0I)(2)・・・圧力検出
用単一モード先導波路、(3) (4) (+304)
H−・・入出力用単一モード先導波路、(10に)・
・・基板、(8)(ハ)・・・反射膜、(9)・・・被
検出圧力印加用ロッ ド 以 上 特許出願人 井 筒雅 之 同 末1)正 同 立石電機株式会社 第2図 (a) □2 第3図 第4図 第5図 一會fP7IIll圧巾 第6図 手続補正書I]■ 昭和57年1り月/、7日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 1、事f′1の大小 昭和57年持、v1願第130
095号2 発明の名称 光学的圧力センサ 3、補正をする者 事件との関係 特r「出願人 4、代 理 人 外4名 5 補正命令の日付 昭和57年10月2611以
上
Claims (2)
- (1)少なくとも1つの入出力用単一モード先導波路と
、この入出力用先導波路の一端に結合されrコ1対の圧
力検出用単一モード光導波路とを有する基板、 圧力検出用先導波路の光波を反射させる手段、および 圧力検出用先導波路上に被検出圧力を加える手肌 を備えている光学的圧力センサ。 - (2)入出力用光導波路に光波を入射させる手段、度 おまひ入出力用光導波路から出射する光の強Xを検出す
る手段を備えている、特許請求の範囲第(1)項記載の
光学的圧力センサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13009582A JPS5919829A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 光学的圧力センサ |
US06/816,974 US4674827A (en) | 1982-05-20 | 1986-01-06 | Slab-type optical device |
US07/000,865 US4850666A (en) | 1982-05-20 | 1987-01-06 | Slab-type optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13009582A JPS5919829A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 光学的圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5919829A true JPS5919829A (ja) | 1984-02-01 |
JPH0319937B2 JPH0319937B2 (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=15025834
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13009582A Granted JPS5919829A (ja) | 1982-05-20 | 1982-07-26 | 光学的圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5919829A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113581A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Tokyo Electric Co Ltd | リボン送り装置 |
WO2005003713A3 (en) * | 2003-06-24 | 2005-05-06 | Cidra Corp | Contact-based transducers for characterizing unsteady pressures in pipes |
JP2021032648A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 古河電気工業株式会社 | 外力検出装置および光ファイバセンサ |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5649932A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Pressure-detecting device |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP13009582A patent/JPS5919829A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5649932A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Matsushita Electric Works Ltd | Pressure-detecting device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113581A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Tokyo Electric Co Ltd | リボン送り装置 |
JPH0443518B2 (ja) * | 1985-11-13 | 1992-07-16 | Tokyo Electric Co Ltd | |
WO2005003713A3 (en) * | 2003-06-24 | 2005-05-06 | Cidra Corp | Contact-based transducers for characterizing unsteady pressures in pipes |
JP2021032648A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 古河電気工業株式会社 | 外力検出装置および光ファイバセンサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0319937B2 (ja) | 1991-03-18 |
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