JPS59197141A - 減圧反応装置に於ける排気処理方法 - Google Patents
減圧反応装置に於ける排気処理方法Info
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- JPS59197141A JPS59197141A JP59047651A JP4765184A JPS59197141A JP S59197141 A JPS59197141 A JP S59197141A JP 59047651 A JP59047651 A JP 59047651A JP 4765184 A JP4765184 A JP 4765184A JP S59197141 A JPS59197141 A JP S59197141A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は減圧反応袋：θ′、例えば）成用気相成長（Ｃ
ＶＤ）装置に於ける排気処理方法に関するものである。
ＶＤ）装置に於ける排気処理方法に関するものである。
背景波４ｄ：ｊとその問題点
減圧ＣＶ ｌ）工程では、爆発性のＳ ｉ ＩＩ ４等
の特殊カスを中心とした化学反応系を使用し、主として
ポリシリコン１模、５ｉ３Ｎ４１模、ＳｉＯ□膜、Ｉ）
Ｏｌ） ＯＳ １１分（不純物をドープしたポリシリ
コン）等を形成しており、この工程は最新の半導体素子
を製造する上で必至のものである。上記のような薄膜を
成長させる場合には、膜厚分°布の改善や品質の向上の
ために、減圧下で反応を行わせることが必要とされる。
の特殊カスを中心とした化学反応系を使用し、主として
ポリシリコン１模、５ｉ３Ｎ４１模、ＳｉＯ□膜、Ｉ）
Ｏｌ） ＯＳ １１分（不純物をドープしたポリシリ
コン）等を形成しており、この工程は最新の半導体素子
を製造する上で必至のものである。上記のような薄膜を
成長させる場合には、膜厚分°布の改善や品質の向上の
ために、減圧下で反応を行わせることが必要とされる。
こうした減圧反応装置には、爆発性のあるＳ ｉ １１
４等の反応ガスを供給する関係で、特にその排気系にお
いて未反応のＳ ｉ Ｈ４等による爆発危険性を皆無と
し、また有毒ガスが人体に直接に触れず、かつ維持（メ
インテナンス）が容易で、高い安全性及び公害防止の要
求を充たすことが重要とされる。
４等の反応ガスを供給する関係で、特にその排気系にお
いて未反応のＳ ｉ Ｈ４等による爆発危険性を皆無と
し、また有毒ガスが人体に直接に触れず、かつ維持（メ
インテナンス）が容易で、高い安全性及び公害防止の要
求を充たすことが重要とされる。
従来の減圧反応装置においては、第１図に示す真空排気
装置が使用されている。この装置では、ヒータ１で加熱
される減圧反応炉２内にＳｉウェハ等の半導体ウェハ３
を多数配置して、反応ガス４を送り込み、反応生成ガス
及び未反応ガスを反応炉２の後端から排出してメカニカ
ルブースターポンプ５に導き、更に油回転式ポンプ６に
よって廃ガス７を排出している。ところがこの真空排気
装置ば油回転式ポンプ６を使用しているために、次のよ
うな欠点を回避出来ない。
装置が使用されている。この装置では、ヒータ１で加熱
される減圧反応炉２内にＳｉウェハ等の半導体ウェハ３
を多数配置して、反応ガス４を送り込み、反応生成ガス
及び未反応ガスを反応炉２の後端から排出してメカニカ
ルブースターポンプ５に導き、更に油回転式ポンプ６に
よって廃ガス７を排出している。ところがこの真空排気
装置ば油回転式ポンプ６を使用しているために、次のよ
うな欠点を回避出来ない。
（１）反応炉２からのＳ ｉ Ｉｔ ｓ等によるハ１ζ
発の危険性を防止するために、Ｎ２カスをポンプ５に大
量に供給しており、ごの結果ポンプ性能か低丁する。
発の危険性を防止するために、Ｎ２カスをポンプ５に大
量に供給しており、ごの結果ポンプ性能か低丁する。
（２）反応性ガスの反応及び蓄積によってポンプ６の油
か劣化し、装置Ｉ−１（４Ｃの劣化が著しくなる。
か劣化し、装置Ｉ−１（４Ｃの劣化が著しくなる。
（３）メインテナンス頬度が多く、ポンプのダウンタイ
ムか長く、カスによる人体への影響が多大であって安全
稼働に不安がある。
ムか長く、カスによる人体への影響が多大であって安全
稼働に不安がある。
（４）未反応の５ｉｌ１４は危険であるから、必然的ζ
こ反応カス４中のＳ Ｉ Ｈ４？に度は実用的にｒｌ）
で１０％以［・となってしま）。
こ反応カス４中のＳ Ｉ Ｈ４？に度は実用的にｒｌ）
で１０％以［・となってしま）。
（５）プラント施設に草大な設爾が必要となる。
（６）常に爆発危険性と人体への損１との危険性や不安
とかつきまとう。
とかつきまとう。
発明の目的
本発明は、」−述の問題点に鑑み、残圧反応１１．ｌｉ
へ供給する反応カスの７農度を高くしても減圧反応炉か
らの排出ガスを極めて安全に処理することかできる排気
処理方法を提供することを目的としている。
へ供給する反応カスの７農度を高くしても減圧反応炉か
らの排出ガスを極めて安全に処理することかできる排気
処理方法を提供することを目的としている。
発明の概要
本発明は、酸素を含むガスを減圧反応炉からの排出カス
に４人して反応せしめ、該反応ガスを液封ポンプによっ
て吸気して、該反応ガスの成分を該液封ポンプの排ガス
と排液とに分離して処理することを特徴とする減圧反応
装置に於りる排気処理方法に係るものである。
に４人して反応せしめ、該反応ガスを液封ポンプによっ
て吸気して、該反応ガスの成分を該液封ポンプの排ガス
と排液とに分離して処理することを特徴とする減圧反応
装置に於りる排気処理方法に係るものである。
実施例
次に、本発明を減圧ＣＶＤ装置に適用した一実施例を第
２図に付き述へる。
２図に付き述へる。
本実施例においては第１図と同一部分には同一ね号を伺
して説明を省略するが、反応カス４として従来公知の如
きＳ ｉ ！ｌ ４、円Ｉ３又はＢ２１１．、等のカス
を送り込み、反応炉２内を５００〜６００°Ｃに加熱し
てウェハ３上に気相成長膜を形成する。
して説明を省略するが、反応カス４として従来公知の如
きＳ ｉ ！ｌ ４、円Ｉ３又はＢ２１１．、等のカス
を送り込み、反応炉２内を５００〜６００°Ｃに加熱し
てウェハ３上に気相成長膜を形成する。
ごの場合、まず反応炉２内を所定の真空状態、例えば１
０−３トル程度に減圧し、次いてこの反応炉２内へ反応
ガス４を送り込むと共に以下に述べる装置で所定の圧力
乙こ調整して、反応生成カス及び未反応ガスを排出する
必要かある。このために本実施例では、反応が２の排気
管８に設けた圧力ケージ９によって作業圧を測定しなが
ら、下記の３つのポンプからなる吸引系を作動させる。
０−３トル程度に減圧し、次いてこの反応炉２内へ反応
ガス４を送り込むと共に以下に述べる装置で所定の圧力
乙こ調整して、反応生成カス及び未反応ガスを排出する
必要かある。このために本実施例では、反応が２の排気
管８に設けた圧力ケージ９によって作業圧を測定しなが
ら、下記の３つのポンプからなる吸引系を作動させる。
即ち、排気管８の排気経路中にＧ：１．２つのメカニカ
ルソースクーポンプ１５及び２５と、空気エセククボン
プ１０と、水封ポンプ１１とか順次設けられている。こ
れらのポンプの（’ｌ昌−圧は全体として０．１１ル〜
１０１−ルの範囲となるように作動さ一已る。作業時に
おいてば、ポンプ１５．２５の作動前に、バルブ１２及
び流量調整弁、３０を通じてくる排出カス１４をバルブ
ｌ ３ ＆、Ｚより流量調節して、ポンプ１５の前位と
ポンプ２５の後位との圧力を予めほぼ同一にしておき、
次いてバルブ１３を閉してからポンプ１５．２５を作動
させる。
ルソースクーポンプ１５及び２５と、空気エセククボン
プ１０と、水封ポンプ１１とか順次設けられている。こ
れらのポンプの（’ｌ昌−圧は全体として０．１１ル〜
１０１−ルの範囲となるように作動さ一已る。作業時に
おいてば、ポンプ１５．２５の作動前に、バルブ１２及
び流量調整弁、３０を通じてくる排出カス１４をバルブ
ｌ ３ ＆、Ｚより流量調節して、ポンプ１５の前位と
ポンプ２５の後位との圧力を予めほぼ同一にしておき、
次いてバルブ１３を閉してからポンプ１５．２５を作動
させる。
ポンプ１５．２５ばまゆ型カム３１を有する従来公知の
ＢＪぼオイルフリーのポンプーζあって、排気容量と到
達真空度を実現するために使用される。
ＢＪぼオイルフリーのポンプーζあって、排気容量と到
達真空度を実現するために使用される。
ごれらのポンプにｌ″例えは作業圧０．４〜０．６
ｌ−ルのときに約４０００１２７ ｍｉｎの排気速度を
崩し、でいる。
ｌ−ルのときに約４０００１２７ ｍｉｎの排気速度を
崩し、でいる。
なおポンプ２５１＝ｌＪポンプ１５より小型であるか、
これによってポンプが大型化するのを防止している。
これによってポンプが大型化するのを防止している。
排出ガス１４は次いで空気エゼククポンプ１０に送り込
まれ、ここで空気流１７によって吸引されるように構成
されている。この吸引は、系が一定の真空状態（例えば
１００トル）になった時点で開始される。このポンプ１
０は従来公知のように真空到達度を向上させるために使
用されるが、本実施例では次のような反応を同時に起こ
させるものであることが極めて重要である。即ち、排出
ガス１４は吸引されたｉ際に、カス中の成分であるＳ
ｉＩＩ ｓは空気と混合されて燃焼を起こし、５ｉｔ１
４＋２０□→ＳｉＯ３＋２Ｈ□０なる反応によって、Ｓ
ｉＯ□と１１□０とに分解する。従ってこの時点で、爆
発性のある５ｉ１１４は安全なＳｉＯ□と１１゜０とに
変化するのである。
まれ、ここで空気流１７によって吸引されるように構成
されている。この吸引は、系が一定の真空状態（例えば
１００トル）になった時点で開始される。このポンプ１
０は従来公知のように真空到達度を向上させるために使
用されるが、本実施例では次のような反応を同時に起こ
させるものであることが極めて重要である。即ち、排出
ガス１４は吸引されたｉ際に、カス中の成分であるＳ
ｉＩＩ ｓは空気と混合されて燃焼を起こし、５ｉｔ１
４＋２０□→ＳｉＯ３＋２Ｈ□０なる反応によって、Ｓ
ｉＯ□と１１□０とに分解する。従ってこの時点で、爆
発性のある５ｉ１１４は安全なＳｉＯ□と１１゜０とに
変化するのである。
これらの分解生成物１８及び未反応ガスは次いで後続の
回転羽根３２イ」きの水封ポンプ１１に送り込まれる。
回転羽根３２イ」きの水封ポンプ１１に送り込まれる。
水封ポンプ１１は従来公知のように１００＋ｎ”／ｈｒ
の処理■の真空ポンプの役割を果たしつつ、工セクタ反
応物１８や未反応ガス、反応炉２内の反応物（例えばＳ
１ダスト、ＳｉＯ□扮）を水封を利用して安全に処理す
るものである。このために導管１６から給水１９を行い
、この供給された水中に上記の反応物を除去しつつポン
プＩＩ内に取り込まれる。
の処理■の真空ポンプの役割を果たしつつ、工セクタ反
応物１８や未反応ガス、反応炉２内の反応物（例えばＳ
１ダスト、ＳｉＯ□扮）を水封を利用して安全に処理す
るものである。このために導管１６から給水１９を行い
、この供給された水中に上記の反応物を除去しつつポン
プＩＩ内に取り込まれる。
水封ポンプ１１からば水相及びガス相２６が夫夫排出さ
れて、後続のタンク２０内に導入される。
れて、後続のタンク２０内に導入される。
ここでは、上記の反応物を含む水相２■から排液２９か
排出−２２から排出され、またタンク底部に溜まった５
ｉ（ｈ等の生成物２３は底部の排出管２４から排出され
る。他方、タンク２０の」一部からば排カス２７が排・
導管２８を通じて放出される。
排出−２２から排出され、またタンク底部に溜まった５
ｉ（ｈ等の生成物２３は底部の排出管２４から排出され
る。他方、タンク２０の」一部からば排カス２７が排・
導管２８を通じて放出される。
生成物２３はＳｉＯ□やＳｉからなイ）ので、このまま
廃棄しても安全−ヒ、公害七何ら問題はないと共に、反
応炉２からのガス中のＳ ｉ ＩＩ 、はエセクタボン
プ１０にて殆と分解するので、排カス２７は爆発性６コ
全くなく、非常に安全なものである。なお排液２９は適
当なフィルタ（図示セず）に通じて固形物を除去し、そ
の後に再び専管１９から給水とし９再利用することがで
きる。
廃棄しても安全−ヒ、公害七何ら問題はないと共に、反
応炉２からのガス中のＳ ｉ ＩＩ 、はエセクタボン
プ１０にて殆と分解するので、排カス２７は爆発性６コ
全くなく、非常に安全なものである。なお排液２９は適
当なフィルタ（図示セず）に通じて固形物を除去し、そ
の後に再び専管１９から給水とし９再利用することがで
きる。
以上説明したことから明らかなように、本実施例による
減圧ＣＶＤ反応装置は次のような優れた利点を有してい
る。
減圧ＣＶＤ反応装置は次のような優れた利点を有してい
る。
（１） ５ｉｌ１４をエセクタポンプ１０で完全に分解
できるので、反応ガス４中の５ｉｔ（４濃度を２０％に
まで上げることができ、場合によって１００％の５ｉｌ
１４を供給することも可能となる。
できるので、反応ガス４中の５ｉｔ（４濃度を２０％に
まで上げることができ、場合によって１００％の５ｉｌ
１４を供給することも可能となる。
（２）従来装置に比べ、５ｉｆｌａ／Ｈｅ流里を油回転
式ポンプの危険限界（但し、ポンプへの希釈用Ｎ２の供
給なし）の数１０倍〜１００倍稈度に上げることが可能
であり、作業性を著しく向上させ、応用範囲を拡大する
ことができる。
式ポンプの危険限界（但し、ポンプへの希釈用Ｎ２の供
給なし）の数１０倍〜１００倍稈度に上げることが可能
であり、作業性を著しく向上させ、応用範囲を拡大する
ことができる。
（３）メインテナンス時の人体への危険性は皆無にでき
、またメインテナンスの肋度を従来の１／１００程度に
抑えることができる。
、またメインテナンスの肋度を従来の１／１００程度に
抑えることができる。
（４）排気容量及び到達真空度６才従来装置と同等又は
それ以上となり、ポンプ性能をフルに利用できる。
それ以上となり、ポンプ性能をフルに利用できる。
（５）爆発性、有毒性ガスに対して単能型スクラ・ヅハ
ー（即らポンプ１０．１］）を具（Ｉｉｉｆ ｆｙでい
るので、作業を極めて安全に行なえる−１−に、どのよ
うな処理段（＋ｉｉＩにも利用でき、上場的施設の省力
化を図れる。
ー（即らポンプ１０．１］）を具（Ｉｉｉｆ ｆｙでい
るので、作業を極めて安全に行なえる−１−に、どのよ
うな処理段（＋ｉｉＩにも利用でき、上場的施設の省力
化を図れる。
（６）通常の化学プラン１〜に比べ、配管等を工夫し、
半導体用の装置として小型にまとめることがてさ、スペ
ース利得が大きくなる。
半導体用の装置として小型にまとめることがてさ、スペ
ース利得が大きくなる。
応用例
以」二、本発明を一実施例に基ついて説明したか、この
実施例は本発明の技術的思想にノ♂づいて更に変形可能
である。
実施例は本発明の技術的思想にノ♂づいて更に変形可能
である。
例えは、エセクタボンプ１０にば空気以外にも、０□を
含む他の反応性ガスを供給することも可能である。エセ
クタポンプＪＯに送り込まれる排出ガスの反応をコント
し２−ルするために、エゼククポンプｊＯに供給される
０□にＮ２等の不活性ガスを混合することもできる。ま
たポンプ１１には水以外の他の液体を供給してよい場合
もある。本発明は、Ｓｉり一一トを有する半導体装置や
ＣＣＩ）等に用いられるポリシリコン膜の形成装置や、
１−ライアノシャー・イオンインブランク−等にも応用
し、爆発性及び可燃性ガスをはじめ腐食性ガスや毒性ガ
スが排出されるあらゆる減圧反応装置に適用でき、応用
範囲を広くすることができる。
含む他の反応性ガスを供給することも可能である。エセ
クタポンプＪＯに送り込まれる排出ガスの反応をコント
し２−ルするために、エゼククポンプｊＯに供給される
０□にＮ２等の不活性ガスを混合することもできる。ま
たポンプ１１には水以外の他の液体を供給してよい場合
もある。本発明は、Ｓｉり一一トを有する半導体装置や
ＣＣＩ）等に用いられるポリシリコン膜の形成装置や、
１−ライアノシャー・イオンインブランク−等にも応用
し、爆発性及び可燃性ガスをはじめ腐食性ガスや毒性ガ
スが排出されるあらゆる減圧反応装置に適用でき、応用
範囲を広くすることができる。
発明の効果
本発明は上述の如く、酸素を含むカスと減圧反応炉から
の排出ガスとを反応せしめ、反応ガスを液封ポンプによ
って排ガスと排液とに分離して処理するようにしている
ので、安全性に極めて優れた方法を提供でき、然も反応
カスの濃度を高めることかできる。
の排出ガスとを反応せしめ、反応ガスを液封ポンプによ
って排ガスと排液とに分離して処理するようにしている
ので、安全性に極めて優れた方法を提供でき、然も反応
カスの濃度を高めることかできる。
第１図は従来の方法を適用した減圧ＣＶＤ装置の一例を
示す概略図である。 第２図は本発明による方法を適用した減圧ＣＶＤ装置の
一例を示す概略図−Ｃある。 なお図面に用いられた符号において、 ２−−−−−−−−−−−−−減圧反応炉１１−−−−
−−−−−−一水封ボンプ１４〜−−−−−−−−排出
カス １７−−−−−−−−−空気流 １８−−−−−−−分解生成物 ２７− −−排カス ２９−−−一 排液 である。 代理人 上屋 勝 當包芳男
示す概略図である。 第２図は本発明による方法を適用した減圧ＣＶＤ装置の
一例を示す概略図−Ｃある。 なお図面に用いられた符号において、 ２−−−−−−−−−−−−−減圧反応炉１１−−−−
−−−−−−一水封ボンプ１４〜−−−−−−−−排出
カス １７−−−−−−−−−空気流 １８−−−−−−−分解生成物 ２７− −−排カス ２９−−−一 排液 である。 代理人 上屋 勝 當包芳男
Claims (1)
- 酸素を含むカスを減圧反応炉からの排出ガスに尋人して
反応せしめ、該反応ガスを液１・、■ポンプによって吸
気して、該反応ガスの成分を該液封ポンプの排カスと排
液とに分μｊ１［シて処理することを特徴とする減圧反
応装置に於りる排気処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047651A JPS59197141A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 減圧反応装置に於ける排気処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047651A JPS59197141A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 減圧反応装置に於ける排気処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10732878A Division JPS5534158A (en) | 1978-09-01 | 1978-09-01 | Vacuum reaction apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59197141A true JPS59197141A (ja) | 1984-11-08 |
| JPS6322173B2 JPS6322173B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=12781155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047651A Granted JPS59197141A (ja) | 1984-03-13 | 1984-03-13 | 減圧反応装置に於ける排気処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59197141A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221616A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体デバイスの熱処理装置 |
| FR2727692A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-07 | Europ Propulsion | Dispositif d'extraction de gaz pour four d'infiltration ou depot chimique en phase vapeur dans une installation de fabrication de pieces en materiau composite |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04138376U (ja) * | 1991-06-19 | 1992-12-25 | 憲治 平 | 傘置き用ブロツク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534158A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Sony Corp | Vacuum reaction apparatus |
-
1984
- 1984-03-13 JP JP59047651A patent/JPS59197141A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5534158A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Sony Corp | Vacuum reaction apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221616A (ja) * | 1988-07-11 | 1990-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体デバイスの熱処理装置 |
| FR2727692A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-07 | Europ Propulsion | Dispositif d'extraction de gaz pour four d'infiltration ou depot chimique en phase vapeur dans une installation de fabrication de pieces en materiau composite |
| WO1996017972A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-13 | Societe Europeenne De Propulsion | Dispositif d'extraction de gaz |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322173B2 (ja) | 1988-05-11 |
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