JPS59196446A - 不良認識装置 - Google Patents
不良認識装置Info
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- JPS59196446A JPS59196446A JP7098283A JP7098283A JPS59196446A JP S59196446 A JPS59196446 A JP S59196446A JP 7098283 A JP7098283 A JP 7098283A JP 7098283 A JP7098283 A JP 7098283A JP S59196446 A JPS59196446 A JP S59196446A
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- JP
- Japan
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- pattern
- circuit
- image pattern
- image
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は１例えば半導体ペレット表面に生じた傷等の不
良を自動認識する不良認識装置の改良に関する。
良を自動認識する不良認識装置の改良に関する。
従来、この種の装置として、例えば対象物表面の光学像
を撮像してこの撮像画像を予め用意しておいた参照パタ
ーンと比較することにより、対象物表面の傷を認識する
よう？ニしたものが多−＜使用されている、この種の装
置は、例えば、先ず対象物表面に対しレーザ光等の高強
度の光を斜め上方より照明し、傷や異物による散乱光を
対象物表面の垂直上方で工業用テレビジョンカメラ（Ｉ
ＴＶカメラ）等の撮像装置で受像する。そして、この撮
像装置で得られた画像情報を二値化してこの二値化ｍｌ
（ｊＵパターンを、このパターンと同じ大きさのト照
パターンと画素比較し、その比較結果から前記ヌ」象物
の傷等を認識１−るように構Ｉ戊されている。
を撮像してこの撮像画像を予め用意しておいた参照パタ
ーンと比較することにより、対象物表面の傷を認識する
よう？ニしたものが多−＜使用されている、この種の装
置は、例えば、先ず対象物表面に対しレーザ光等の高強
度の光を斜め上方より照明し、傷や異物による散乱光を
対象物表面の垂直上方で工業用テレビジョンカメラ（Ｉ
ＴＶカメラ）等の撮像装置で受像する。そして、この撮
像装置で得られた画像情報を二値化してこの二値化ｍｌ
（ｊＵパターンを、このパターンと同じ大きさのト照
パターンと画素比較し、その比較結果から前記ヌ」象物
の傷等を認識１−るように構Ｉ戊されている。
ところが、このような従来の装置は、撮像した二値化Ｉ
ｆ！ＩＩ ４’ｌパターンをそのままの大きさで参照パ
ターンと比較しているため、Ｉｌ／１１えは参照パター
ンとの不一致ｌ、！！Ｉ素の数から不良を認識しようと
すると、阿１募特竹のノイズの、ジ盤により不一致画素
数が大きく変化し、不良でもないのに不良と認識するこ
とが多く認識精度が者しく低かった。
ｆ！ＩＩ ４’ｌパターンをそのままの大きさで参照パ
ターンと比較しているため、Ｉｌ／１１えは参照パター
ンとの不一致ｌ、！！Ｉ素の数から不良を認識しようと
すると、阿１募特竹のノイズの、ジ盤により不一致画素
数が大きく変化し、不良でもないのに不良と認識するこ
とが多く認識精度が者しく低かった。
一方、不良認識をする別の装置として、印刷配線板等の
パターン上の湯を認識するために用いられるものがある
。この装置は、例えば印刷配線板のパターン形成面なう
数個して二値化し、この二値化画像の白画素もしくは黒
画素領域を拡大あるいは縮少することによりパターンｔ
に形成された微少な傷を消去して擬似的に傷の無いパタ
ーンを作成する。そして、このパターンと撮像画像パタ
ーンとを比較することにより傷を言忍識するようにして
いる。しかしながら、このような装置は、画像の拡大あ
るいは縮少により傷パターンを消去するものであるため
、傷の大きさがプリントパターン幅に近い場合には消去
しきれず、この傷を正規のパターンと判断してしまう不
具合がある。このため、前記従来例同様、高い認識精度
を得ることができない。
パターン上の湯を認識するために用いられるものがある
。この装置は、例えば印刷配線板のパターン形成面なう
数個して二値化し、この二値化画像の白画素もしくは黒
画素領域を拡大あるいは縮少することによりパターンｔ
に形成された微少な傷を消去して擬似的に傷の無いパタ
ーンを作成する。そして、このパターンと撮像画像パタ
ーンとを比較することにより傷を言忍識するようにして
いる。しかしながら、このような装置は、画像の拡大あ
るいは縮少により傷パターンを消去するものであるため
、傷の大きさがプリントパターン幅に近い場合には消去
しきれず、この傷を正規のパターンと判断してしまう不
具合がある。このため、前記従来例同様、高い認識精度
を得ることができない。
また、認識精度を高めるために、撮像画像パターンとの
比較に用いる参照パターンに前記したような擬似パター
ンではなく、設計データより構成したパターンを用いる
手法も考えられる。
比較に用いる参照パターンに前記したような擬似パター
ンではなく、設計データより構成したパターンを用いる
手法も考えられる。
しかる（二、このような手法では、撮像画像パターンと
設計パターンとの比較に際し、両パターンを例えば１μ
ｍ以下の精度で位置合わせしなければならず、位置合わ
せに時間がかかって能率の良い認識を行なえな−いとい
う欠点があった。
設計パターンとの比較に際し、両パターンを例えば１μ
ｍ以下の精度で位置合わせしなければならず、位置合わ
せに時間がかかって能率の良い認識を行なえな−いとい
う欠点があった。
（発明の目的〕
本発明は、ノイズの影抄をそれほど受けずにしかも如何
なる形態の不良であっても安定に短時間で認識できるよ
うにし、認識精度が高く高能率で認識を行ない得る不良
認識装置を提供することを目的とする。
なる形態の不良であっても安定に短時間で認識できるよ
うにし、認識精度が高く高能率で認識を行ない得る不良
認識装置を提供することを目的とする。
本発明は、を記目的を達成するために、撮像画像情報を
二値化して第１の記憶回路に記憶し、この第１の記憶回
路に記憶した二ｆｉｉｌ １ヒ画係パターンを、限定し
た所定の大きさ分すつ読み出し位置を一定の画素すつシ
フトしなから広択的（−読み吊し、この読み出された部
分！甲」塚パターンを予め第２の記憶回路に記憶してお
いた参照パターンと画素毎に比較してこの比較の結果不
一致となった画素数を計数し、この削数結果より不良を
認識するようにしたものである。
二値化して第１の記憶回路に記憶し、この第１の記憶回
路に記憶した二ｆｉｉｌ １ヒ画係パターンを、限定し
た所定の大きさ分すつ読み出し位置を一定の画素すつシ
フトしなから広択的（−読み吊し、この読み出された部
分！甲」塚パターンを予め第２の記憶回路に記憶してお
いた参照パターンと画素毎に比較してこの比較の結果不
一致となった画素数を計数し、この削数結果より不良を
認識するようにしたものである。
第１図は、不発明の一実施例における不良認識装置のブ
ロック構成図である、この装置は。
ロック構成図である、この装置は。
認識対象物である半導体ペレットＩを載置した載置台２
と、この載置台２の斜め１方に配設されたレーザハロゲ
ンランプなどの照明装置３と、載置台２の垂直を方に配
設された工業用テレビジョン（ＩＴＶ）カメラ４とから
なる撮像系を有している。そして、上記照明装置３の照
明により生じた半導体ペレット１表面の光学像をＩＴＶ
カメラ４で撮像し、その撮像画像信号を二値化回路５で
二値化して画像メモリ６に記憶している。また不良認識
装置は、参照画像パターンを記憶した参照パターンメモ
リ７を有している。ここで１記参照画像パターンは、半
導体ペレット１表面の理想画像パターンからなるもので
、その大きさは前記ＩＴＶカメラ４（−より得られた撮
像画像パターンよりも小さな任意の大きさに定めである
。そして、不良認識装置は。
と、この載置台２の斜め１方に配設されたレーザハロゲ
ンランプなどの照明装置３と、載置台２の垂直を方に配
設された工業用テレビジョン（ＩＴＶ）カメラ４とから
なる撮像系を有している。そして、上記照明装置３の照
明により生じた半導体ペレット１表面の光学像をＩＴＶ
カメラ４で撮像し、その撮像画像信号を二値化回路５で
二値化して画像メモリ６に記憶している。また不良認識
装置は、参照画像パターンを記憶した参照パターンメモ
リ７を有している。ここで１記参照画像パターンは、半
導体ペレット１表面の理想画像パターンからなるもので
、その大きさは前記ＩＴＶカメラ４（−より得られた撮
像画像パターンよりも小さな任意の大きさに定めである
。そして、不良認識装置は。
マイクロプロセッサを王制割部とした制御回路８からの
指示に従って、前記画像メモリ６および参照パターンメ
モリ７よりそれぞれ二値化画像パターンおよび参照画像
パターンを読み出し。
指示に従って、前記画像メモリ６および参照パターンメ
モリ７よりそれぞれ二値化画像パターンおよび参照画像
パターンを読み出し。
これらの各画像パターンを相関回路９で対応する画素毎
にレベル比較している。そして、この比較の結果レベル
が一致した画素の数を計数回路１０で計数し、この計数
値を認識回路１１で判定することにより、半導体ペレッ
ト１の不良認識を行なっている。
にレベル比較している。そして、この比較の結果レベル
が一致した画素の数を計数回路１０で計数し、この計数
値を認識回路１１で判定することにより、半導体ペレッ
ト１の不良認識を行なっている。
次（′″−１す、七のように構成された装置の作用を説
明する。先ず、参照画像パターンと１．て、全画素を″
Ｈ″レベルとし、かつ大きさを８×８画素とした画像パ
ターンを用意し、これ′２−参照パターンメモリ７に予
め記憶しておく。
明する。先ず、参照画像パターンと１．て、全画素を″
Ｈ″レベルとし、かつ大きさを８×８画素とした画像パ
ターンを用意し、これ′２−参照パターンメモリ７に予
め記憶しておく。
この状態で、半導体ペレット１を截置台２―セットし、
制御回路８から起仰信号を発すると。
制御回路８から起仰信号を発すると。
照明装置３により半導体ペレット１の表面が照明される
、このときベレット１表面に傷や異物等があると、この
部分で光の散乱が発生してこの散乱光がＩ’ｌ’Ｖカメ
ラ４で受像される。つまり、ＩＴＶカメラ４では傷部分
のみが明るく光る光学像が撮像される。そして、このＩ
ＴＶカメラ４で得られた撮像画像信号は、二値化回路５
で二値化され、二値化画像パターンとして画像メモリ６
に記憶される。このとき、旧記二値化画像パターンの大
きさは、例えば第２Ｌｆｆｉ（ａ）に示す如＜５１１Ｘ
５１１画素よりなる。
、このときベレット１表面に傷や異物等があると、この
部分で光の散乱が発生してこの散乱光がＩ’ｌ’Ｖカメ
ラ４で受像される。つまり、ＩＴＶカメラ４では傷部分
のみが明るく光る光学像が撮像される。そして、このＩ
ＴＶカメラ４で得られた撮像画像信号は、二値化回路５
で二値化され、二値化画像パターンとして画像メモリ６
に記憶される。このとき、旧記二値化画像パターンの大
きさは、例えば第２Ｌｆｆｉ（ａ）に示す如＜５１１Ｘ
５１１画素よりなる。
さて、こうして二値化画像パターンの紀・億がなされる
と、制御回路８から画像メモリ６および参照パターンメ
モリ７にそれぞれ続出アドレスの指定と読み出し指示が
なされ、画像パターンの読出しが行なわれる。
と、制御回路８から画像メモリ６および参照パターンメ
モリ７にそれぞれ続出アドレスの指定と読み出し指示が
なされ、画像パターンの読出しが行なわれる。
例えば、１曲像メモリ６からは先ず第２因（ｂ）の斜線
部分に示すよう（二画面の左上角に位置する８×８画素
の部分画像パターンが読出される。
部分に示すよう（二画面の左上角に位置する８×８画素
の部分画像パターンが読出される。
そして、この部分画像パターンは、同時に参照パターン
メモリ７から読出された参照画像パターンと、相関回路
９で対応する画素毎に比較される。この比較の結果、レ
ベルが一致した画素の数は計数回路１０で計数され、認
識回路１１による不良認識処理に供される。
１そうして画面の左上角の部分画１求パタ
ーンの比較および認識を終了すると、次に、第２図（Ｃ
）に示す如く読出し位置を水平方向に１画素分シフトし
、この位置における部分画像パターンを読み出す。そし
て、この部分画像パターンを、前記第２図（Ｉ））の場
合と同様に相関回路９に供給して参照画像パターンと比
較し、その−数置素数を計数回路ＩＯで計数して認識回
路１１へ導びく。この認識を終了すると、部分画像パタ
ーンの続出し位置を第２図（ｄ）のようにさら（＝水平
方向へ１１１！！ｌ素シフトして参照画像パターンとの
比較およびその一致画素数による不良認識を行ない、以
下同様（二続出し位置を水平方向に１画素ずつシフトす
る毎に部分画像パターンを読出して前記比較および不良
認識を行なう。
メモリ７から読出された参照画像パターンと、相関回路
９で対応する画素毎に比較される。この比較の結果、レ
ベルが一致した画素の数は計数回路１０で計数され、認
識回路１１による不良認識処理に供される。
１そうして画面の左上角の部分画１求パタ
ーンの比較および認識を終了すると、次に、第２図（Ｃ
）に示す如く読出し位置を水平方向に１画素分シフトし
、この位置における部分画像パターンを読み出す。そし
て、この部分画像パターンを、前記第２図（Ｉ））の場
合と同様に相関回路９に供給して参照画像パターンと比
較し、その−数置素数を計数回路ＩＯで計数して認識回
路１１へ導びく。この認識を終了すると、部分画像パタ
ーンの続出し位置を第２図（ｄ）のようにさら（＝水平
方向へ１１１！！ｌ素シフトして参照画像パターンとの
比較およびその一致画素数による不良認識を行ない、以
下同様（二続出し位置を水平方向に１画素ずつシフトす
る毎に部分画像パターンを読出して前記比較および不良
認識を行なう。
そうして、最右端の部分画像パターン（第２図（ｅ）
） ｌ二ついての処理を終了すると、次（二読出し位置
を第２Ｌｆｆｉのように垂直方向に１画素分シフトして
部分画像パターンを読出しｊ２Ｌ下同様に読出し位置を
水平方向および垂直方向へ順次シフト移動させることに
より全画面について部分画像パターンを読み出し、比較
および不良認識処理を行なう。
） ｌ二ついての処理を終了すると、次（二読出し位置
を第２Ｌｆｆｉのように垂直方向に１画素分シフトして
部分画像パターンを読出しｊ２Ｌ下同様に読出し位置を
水平方向および垂直方向へ順次シフト移動させることに
より全画面について部分画像パターンを読み出し、比較
および不良認識処理を行なう。
、この結果１例えば第３図■に示すような傷（二よる像
があった場合、この像は読出し位置Ｊのときに第４図（
ａ）に示す如く抽出され、参照画像パターン（第５図）
と比較される。そして、この場合−数置素数が“１６”
と検出され、認識回路１１へ供給される。一方、ノイズ
【二よる像しか存在しない部分画像パターン（読出し位
置Ｋ）は、例えば第４図（ｂ）のように−数置素数は、
多くとも数１１！！ｌＡと著しく少ない。したがって、
認識回路１１において、良否の判定レベルを例えば１０
”画素と設定し、この１０”画素を越えた場合のみ不良
と判定されば、極めて正確な認識を行なえる。
があった場合、この像は読出し位置Ｊのときに第４図（
ａ）に示す如く抽出され、参照画像パターン（第５図）
と比較される。そして、この場合−数置素数が“１６”
と検出され、認識回路１１へ供給される。一方、ノイズ
【二よる像しか存在しない部分画像パターン（読出し位
置Ｋ）は、例えば第４図（ｂ）のように−数置素数は、
多くとも数１１！！ｌＡと著しく少ない。したがって、
認識回路１１において、良否の判定レベルを例えば１０
”画素と設定し、この１０”画素を越えた場合のみ不良
と判定されば、極めて正確な認識を行なえる。
このように本実施例は、傷や異物等による真の不良画素
は一部分に集中することに着目し、参照画像パターンと
の比較に供するパターンの大きさを小さく設定している
ので、錫等の不良をノイズ等と区別して正側に認識する
ことができる。ちなみに、撮像画面全面をそのまま参照
画像パターンと比較する従来の装置では、例えば第６図
（二示す如くノイズや不良とはならない微小な傷が比較
的多いと、計数回路１θＣ二おけるｔｔ数値が大さくな
って、その数（−よっては不良ど判定してしまうことに
なり、認識端間が低い。また、本実施例であれば、比較
に供する画像パターンを小さく設定したことにより良否
の判定ラインを精密に設定できるので、小さな傷から大
きな傷まで傷の形態に拘らずに認識できる利点がある。
は一部分に集中することに着目し、参照画像パターンと
の比較に供するパターンの大きさを小さく設定している
ので、錫等の不良をノイズ等と区別して正側に認識する
ことができる。ちなみに、撮像画面全面をそのまま参照
画像パターンと比較する従来の装置では、例えば第６図
（二示す如くノイズや不良とはならない微小な傷が比較
的多いと、計数回路１θＣ二おけるｔｔ数値が大さくな
って、その数（−よっては不良ど判定してしまうことに
なり、認識端間が低い。また、本実施例であれば、比較
に供する画像パターンを小さく設定したことにより良否
の判定ラインを精密に設定できるので、小さな傷から大
きな傷まで傷の形態に拘らずに認識できる利点がある。
さらに、比較な行なう際に精密な位置合わせか不要なた
め、高速（−認識することができる。
め、高速（−認識することができる。
なお、本発明は１記実施例に両足されるものではない。
例えば、前記実施例では、制御回路をマイクロプロセッ
サを用いて（苛成し、これによりｌ”ｌｌ ｆｉメモリ
の読出し制御を行なったが、画数メそりを第７図に示す
如く複・奴のシフトレジスタ１２ａ〜１２ｎを直列に接
続、これらのシフトレジスタ１２ａ〜１２ｎにシフト入
力した二値化画像パターンのうち所望の部分画像パダー
ンをパラレル（−取り出して比較に供するように構成し
てもよい。また、相関回路、計数回路および認識回路の
動作を制イ＋ｌｌ］回路のマイクロプロセッサにより行
なうようにしてもよい。また参照画像パターンの大きさ
を検査対象物に応じて斐えるようにしてもよい。このよ
う（ニすれば、不良判定規準を種々変化させることがで
きる。
サを用いて（苛成し、これによりｌ”ｌｌ ｆｉメモリ
の読出し制御を行なったが、画数メそりを第７図に示す
如く複・奴のシフトレジスタ１２ａ〜１２ｎを直列に接
続、これらのシフトレジスタ１２ａ〜１２ｎにシフト入
力した二値化画像パターンのうち所望の部分画像パダー
ンをパラレル（−取り出して比較に供するように構成し
てもよい。また、相関回路、計数回路および認識回路の
動作を制イ＋ｌｌ］回路のマイクロプロセッサにより行
なうようにしてもよい。また参照画像パターンの大きさ
を検査対象物に応じて斐えるようにしてもよい。このよ
う（ニすれば、不良判定規準を種々変化させることがで
きる。
例えば、参照画像パターンを大きくすれば、画面内のＨ
”の数に重点をおいた判定を行なうことができ、通に小
さく設定すれば不良画素（”）−１” ）の面積に重点
をおいた判定を行なうことができる。さらに、参照画像
パターンとして、第８図（ａ） 、 （１））に示す如
く縦線あるいは横線各パターンが挿入されたものを用い
てもよく、このようにすれば縦線あるいは横線パターン
を含む画像パターンの不良を認識できる。またこの場合
には、縦線パターン等の特定パターンのパターン認識も
同時に行なうことができる。また、認識回路では、良否
の判定ばかりでなく、不良の形状や大きさ、あるいは位
置等を認識して原因究明に役立てるようにしてもよい。
”の数に重点をおいた判定を行なうことができ、通に小
さく設定すれば不良画素（”）−１” ）の面積に重点
をおいた判定を行なうことができる。さらに、参照画像
パターンとして、第８図（ａ） 、 （１））に示す如
く縦線あるいは横線各パターンが挿入されたものを用い
てもよく、このようにすれば縦線あるいは横線パターン
を含む画像パターンの不良を認識できる。またこの場合
には、縦線パターン等の特定パターンのパターン認識も
同時に行なうことができる。また、認識回路では、良否
の判定ばかりでなく、不良の形状や大きさ、あるいは位
置等を認識して原因究明に役立てるようにしてもよい。
その他、撮像部や照明装置の構成、対象物の種類、部分
画像パターンの大きさ等についても、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施できる。
画像パターンの大きさ等についても、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々変形して実施できる。
以上詳述したようＣ二本発明（−よれは、二値化画像パ
ターンを、それよりも小さい所定の大きさ分ずつ読出し
位置を一定画素ずつシフトしながら読み出して参照画像
パターンと比較し、この比較の結果一致もしくは不一致
となった画素の数を１１数してその計数値から不良認識
を行なうようにしたもので、ノイズの影像・を受は難く
しかも如何なる形態の不良であっても安定（＝短時間で
認識することができ、認識精１ｙが冒く高能率で認識を
行ない得る不良認識装置を提供することができる。
ターンを、それよりも小さい所定の大きさ分ずつ読出し
位置を一定画素ずつシフトしながら読み出して参照画像
パターンと比較し、この比較の結果一致もしくは不一致
となった画素の数を１１数してその計数値から不良認識
を行なうようにしたもので、ノイズの影像・を受は難く
しかも如何なる形態の不良であっても安定（＝短時間で
認識することができ、認識精１ｙが冒く高能率で認識を
行ない得る不良認識装置を提供することができる。
第１図〜第６図は本発明の一実施例を説明するためのも
ので、第１図は不良認識装置の概略構成を示すブロック
因、第２図（ａｌ〜（ｆ）は画像パターンの読出し位置
を説明するための模式図、第３図は撮散画隊パターンの
一例を示す図、第４図（ａ）、（ｂ）は部分画１象パタ
ーンの一例な示す模式図、第５図は参照画像パターンの
一例を示す模式図、第６図は撮像画像パターンの別の一
例を示す肉、第７図および第８図（ａ） 、 （ｂ）は
それぞれ他の異なる実施例を示すもので、第７図は画像
メモリの構成？示す図、Ｎ３８図（ａ） 、 （ｂ）は
参照画像パターンを示す、模式図である。 Ｉ・・・半導体ペレット、２甲装置台、３・・・Ｌ／
−ザ照明装置、４・・・ＩＴＶカメラ、５・・・二値化
回路、６・・・画像メモリ、７・・・参照パターンメモ
リ。 ８・・・制御回路、９・・・相関回路、１ｏ・・・−十
数回路、１１・・・認識回路。 出１如人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２
図 （Ｃ） （ｄ） （ｅ） （ｆ） 第３図 第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 第６図 第７図 ５ 第８図
ので、第１図は不良認識装置の概略構成を示すブロック
因、第２図（ａｌ〜（ｆ）は画像パターンの読出し位置
を説明するための模式図、第３図は撮散画隊パターンの
一例を示す図、第４図（ａ）、（ｂ）は部分画１象パタ
ーンの一例な示す模式図、第５図は参照画像パターンの
一例を示す模式図、第６図は撮像画像パターンの別の一
例を示す肉、第７図および第８図（ａ） 、 （ｂ）は
それぞれ他の異なる実施例を示すもので、第７図は画像
メモリの構成？示す図、Ｎ３８図（ａ） 、 （ｂ）は
参照画像パターンを示す、模式図である。 Ｉ・・・半導体ペレット、２甲装置台、３・・・Ｌ／
−ザ照明装置、４・・・ＩＴＶカメラ、５・・・二値化
回路、６・・・画像メモリ、７・・・参照パターンメモ
リ。 ８・・・制御回路、９・・・相関回路、１ｏ・・・−十
数回路、１１・・・認識回路。 出１如人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２
図 （Ｃ） （ｄ） （ｅ） （ｆ） 第３図 第４図 （ａ） （ｂ） 第５図 第６図 第７図 ５ 第８図
Claims (2)
- （１） 対象物の光学像を撮像する撮像部と、この撮
像部により得られた撮像画像情報を二値化する二値化回
路と、この二値化回路で得られた二値化画像パターンを
記憶する第１の記憶回路と、上記二値化画像パターンよ
りも小さい所定の大きさの参照画像パターンを記憶する
第２の記憶回路と、前記第１の記憶回路に記憶した二値
化画像パターンを前記参照１１！！１像パターンと同じ
大きさ分ずつ読出し位置を一定画像ずつシフトしながら
読み出す続出回路と、この続出回路により読み出された
各部分画像パターンを前記第２の記憶回路に記憶した参
照画像パターンと位置的Ｃ二対応する画累毎にレベル比
較する比較回路と、この比較回路により一致または不一
致と判定された画素数を計数する計数回路と、この８−
１数回路の引数結果より前記対象物の不良を認識する認
識回路とを具備したことを特徴とする不良認識装置。 - （２）第２の記憶回路に記憶する参照画像パターンの大
きさを可変設定可能としたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の不良認識装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7098283A JPS59196446A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 不良認識装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7098283A JPS59196446A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 不良認識装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196446A true JPS59196446A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13447237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7098283A Pending JPS59196446A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 不良認識装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196446A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024543A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
| JPS63121756A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 画像信号処理装置 |
| JPH03162188A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-12 | Toko Denki Kk | 監視装置 |
| WO2000031519A1 (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a cathode ray tube, in which a display screen is inspected |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5594147A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Kobe Steel Ltd | Method of discriminating surface flaw of high temperature material to be detected |
| JPS56118647A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-17 | Hitachi Ltd | Flaw inspecting apparatus |
| JPS5744838A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-13 | Kobe Steel Ltd | Method for discriminating defect on surface of high temperature material |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP7098283A patent/JPS59196446A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5594147A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-17 | Kobe Steel Ltd | Method of discriminating surface flaw of high temperature material to be detected |
| JPS56118647A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-17 | Hitachi Ltd | Flaw inspecting apparatus |
| JPS5744838A (en) * | 1980-08-30 | 1982-03-13 | Kobe Steel Ltd | Method for discriminating defect on surface of high temperature material |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024543A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性シリコ−ン樹脂組成物 |
| JPS63121756A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | テクトロニックス・インコーポレイテッド | 画像信号処理装置 |
| JPH03162188A (ja) * | 1989-11-21 | 1991-07-12 | Toko Denki Kk | 監視装置 |
| WO2000031519A1 (en) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a cathode ray tube, in which a display screen is inspected |
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