JPS59195827A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS59195827A JPS59195827A JP6918883A JP6918883A JPS59195827A JP S59195827 A JPS59195827 A JP S59195827A JP 6918883 A JP6918883 A JP 6918883A JP 6918883 A JP6918883 A JP 6918883A JP S59195827 A JPS59195827 A JP S59195827A
- Authority
- JP
- Japan
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- substrate
- resist
- vacuum chuck
- rear side
- chuck plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の属する技術分野〉
この発明は、レジストを塗布するだめのスピナーを改良
したレジスト塗布装置（−関する。
したレジスト塗布装置（−関する。
〈従来技術とその問題点〉
近年、電子ビーム描画技術を用いて、サブミクロンの寸
法をもつＬＳＩの製造が行なわれるよう（二なった。
法をもつＬＳＩの製造が行なわれるよう（二なった。
′磁子ビームは焦点深度が深いと言われ、下地基板の平
坦度（二ついてはさほど関心が払われていなかった。
坦度（二ついてはさほど関心が払われていなかった。
発明者らば、電子ビーム（二よる描画では加速電圧を従
来の２０ ｋＶから５０１ｃＶまで高圧化した方が有利
であることをみいだした。ところが、加速電圧をあげる
と共（二焦点派度が浅くなることが判明した。これは、
空間電荷効果の減少（−伴い、電子ビームのボケが小さ
くなるためと考えられる。焦点深度りの測定を行なった
ところ、近似的（二次の式が成立することが判明した。
来の２０ ｋＶから５０１ｃＶまで高圧化した方が有利
であることをみいだした。ところが、加速電圧をあげる
と共（二焦点派度が浅くなることが判明した。これは、
空間電荷効果の減少（−伴い、電子ビームのボケが小さ
くなるためと考えられる。焦点深度りの測定を行なった
ところ、近似的（二次の式が成立することが判明した。
Ｄ＝に：ｄ／α
ここでαは最終段レンズの収束半値角、ｄはビームの直
径、Ｋは加速電圧等（＝依存する比例定数で、加速電圧
５０ ｋＶ時）二おける値は２００ （ｍ ｒａｄ ）
である。
径、Ｋは加速電圧等（＝依存する比例定数で、加速電圧
５０ ｋＶ時）二おける値は２００ （ｍ ｒａｄ ）
である。
ビームの直径０．１μｍ、収束半値角１０ｍｒａｄでは
焦点深度は２．５μｍ程匿となる。
焦点深度は２．５μｍ程匿となる。
ＬＳＩの製造プロセスを通ったクエーー１は、関μｍ以
上の凹凸がある。これを平坦化するため（−静心気力を
用いる静電チャッキング技術が開発されている。第１図
は従来用いられている静電チャック装置である。導電性
基板１０１上（二り肥縁誘屯層１０２を被看してなる本
俸１０３、及びこの静電チャック本体１０３上に載置さ
れるウェー−〜基板１０４と導電性基板１０１との間に
＾磁圧を印加する慰源１０５から４成され、上記導電性
基板１０１とウェーハ基板１０４とが電極として作用３
−るものとなっている。
上の凹凸がある。これを平坦化するため（−静心気力を
用いる静電チャッキング技術が開発されている。第１図
は従来用いられている静電チャック装置である。導電性
基板１０１上（二り肥縁誘屯層１０２を被看してなる本
俸１０３、及びこの静電チャック本体１０３上に載置さ
れるウェー−〜基板１０４と導電性基板１０１との間に
＾磁圧を印加する慰源１０５から４成され、上記導電性
基板１０１とウェーハ基板１０４とが電極として作用３
−るものとなっている。
ところが、実際に静電チャックを用いると、期待される
ような平坦さば得られなかった。この１つの要因はスピ
ナーでレジストを塗布する際に、レジストがウェーハ基
板（二まわりこむことであることをつきとめた。第２図
（−おいて２０１はウェーハ基板、２０２はウェー−〜
上面（二塗布されたレジスト、２０３はウェー−・裏面
（二まわ９こんだレジストである。
ような平坦さば得られなかった。この１つの要因はスピ
ナーでレジストを塗布する際に、レジストがウェーハ基
板（二まわりこむことであることをつきとめた。第２図
（−おいて２０１はウェーハ基板、２０２はウェー−〜
上面（二塗布されたレジスト、２０３はウェー−・裏面
（二まわ９こんだレジストである。
第３図は、従来のレジスト塗布装置：である。
３０１は、Ａ空チャック板、３０２はＮ ｉｔｉ ＃ｇ
、３０３はウェー−〜である。この様な方法でレジスト
をウェー−〜上（−塗布すると、基板裏面（−レジスト
〃；廻９込んでしまう。
、３０３はウェー−〜である。この様な方法でレジスト
をウェー−〜上（−塗布すると、基板裏面（−レジスト
〃；廻９込んでしまう。
このようなレジストのまわジこみｔま、光露ブ乙技術の
分野でも問題とされ、スピナーを最後（−超茜速回転す
ることでと９除いていた。電子ビーム描画技術の場合は
、レジストの分子型が光レジストよりはるか口大きく、
粘度が高い。それゆえスピナーを最後（１高速回転させ
ても、レジストのまわ９こみは防げなかった。このよう
な方法でレジスト塗布した場曾のまわ９こみレジストの
厚さｈ （第２図）は１〜７μｍもあった。このため第
１図（１示ずウェーハ基板１０４が斜め（１傾いて載置
された。
分野でも問題とされ、スピナーを最後（−超茜速回転す
ることでと９除いていた。電子ビーム描画技術の場合は
、レジストの分子型が光レジストよりはるか口大きく、
粘度が高い。それゆえスピナーを最後（１高速回転させ
ても、レジストのまわ９こみは防げなかった。このよう
な方法でレジスト塗布した場曾のまわ９こみレジストの
厚さｈ （第２図）は１〜７μｍもあった。このため第
１図（１示ずウェーハ基板１０４が斜め（１傾いて載置
された。
〈発明の目的〉
本発明は′也子ビームレジヌトの基板塗布時（二、該レ
ジストが基板裏面（二まわシこまないようなレジスト塗
布装置を虎供することてめる。
ジストが基板裏面（二まわシこまないようなレジスト塗
布装置を虎供することてめる。
〈発明のｇ璧〉
本発明の骨子は基板塗布装置の真空チャック板の裏（二
羽根を取υ付け、回転させること（二よシ、清が空気を
吹き出し、該レジストが基板裏面（二廻シ込１ない様に
した装置である。
羽根を取υ付け、回転させること（二よシ、清が空気を
吹き出し、該レジストが基板裏面（二廻シ込１ない様に
した装置である。
〈発明の効果２
基板表面に廻り込もうとしたレジストを除去すること（
二より１μｍ以下のフラットネスが得られた。
二より１μｍ以下のフラットネスが得られた。
く発明の実施例〉
第４図はレジストが基板表面（二廻り込壕ないようにし
た本発明（二よる装置の一央廁−ｔ／ｌｌ金示している
。４０１は真空チャック板、４０２は吸着溝、４０３は
ウェーハ、４０４は訛し１（供給用パイプ、４０５は回
転羽根、４０６は１ｉｌｉｊ隙である。４２０は回転羽
根４０５の収納の尚の外ｄ器である。この様な方法で、
真免チャック板４０１の上（−、ウェーノー４０３ｔ−
のせ、収盾させ、回転させる。その時真空チャック板４
０１の！Ａ−二取二対９付回転羽根４０５が同時（二回
転し、流体供給用パイプ４０４から送り７した７１ｔ＃
空気を回転羽根により、間隙から吹き出る。
た本発明（二よる装置の一央廁−ｔ／ｌｌ金示している
。４０１は真空チャック板、４０２は吸着溝、４０３は
ウェーハ、４０４は訛し１（供給用パイプ、４０５は回
転羽根、４０６は１ｉｌｉｊ隙である。４２０は回転羽
根４０５の収納の尚の外ｄ器である。この様な方法で、
真免チャック板４０１の上（−、ウェーノー４０３ｔ−
のせ、収盾させ、回転させる。その時真空チャック板４
０１の！Ａ−二取二対９付回転羽根４０５が同時（二回
転し、流体供給用パイプ４０４から送り７した７１ｔ＃
空気を回転羽根により、間隙から吹き出る。
ｌｌ１１１１隙の位置は、ウェー／’％よシ多少内１則
（二設け、＋ｉａｌ隙の角度はややなめらか（二してお
くこと（二より第２図（＝示すｈが１μｍ以下（二なっ
た。
（二設け、＋ｉａｌ隙の角度はややなめらか（二してお
くこと（二より第２図（＝示すｈが１μｍ以下（二なっ
た。
この様な方法（二より、ウェー−・の裏面（−廻シ込も
うとしたレジストを除去することが出来た。尚流体とし
て溶媒を用い流体供給用ノくイブ４０４よシ外囲器４２
０内（＝第４図（ｂ）で破線で示すよう（二冷媒を供給
して間隙４０６よシ吹き出すよう（ニしても同様な効果
が得られる。
うとしたレジストを除去することが出来た。尚流体とし
て溶媒を用い流体供給用ノくイブ４０４よシ外囲器４２
０内（＝第４図（ｂ）で破線で示すよう（二冷媒を供給
して間隙４０６よシ吹き出すよう（ニしても同様な効果
が得られる。
第１図は従来の静電チャック装置を示す祷成図、第２図
゛は従来のレジストを塗布したウェーノ〜の状態を示ず
説明図、第３図；＋１．（ｂｌは従来のレジスト匝亜装
置の構成を示す谷々平面図及び断面図、第４図；ａ）〜
ｔｅｌは本発明の一美施例を示す谷々平面図。 Ｍｉ面図及び要部平面図である。 ４０１・・・Ａ：仝チャック板、 ４０３・・・ウ
ェーノー、４０５・・・回転羽根。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 Ｊ Ｒｉ （
ＰＩ力λ１名）第 １ 図 第２図 υ３ 第 ８ 図
゛は従来のレジストを塗布したウェーノ〜の状態を示ず
説明図、第３図；＋１．（ｂｌは従来のレジスト匝亜装
置の構成を示す谷々平面図及び断面図、第４図；ａ）〜
ｔｅｌは本発明の一美施例を示す谷々平面図。 Ｍｉ面図及び要部平面図である。 ４０１・・・Ａ：仝チャック板、 ４０３・・・ウ
ェーノー、４０５・・・回転羽根。 （７３１７）代理人 弁理士 則 近 Ｊ Ｒｉ （
ＰＩ力λ１名）第 １ 図 第２図 υ３ 第 ８ 図
Claims (1)
- 基板上にレジストを塗布するスピンナ（−おいて、前記
基板を固定する真空チャック板の裏側）一回転羽根を取
ｐ付け、前記真空チャック板の回転（−よシ駆動される
回転羽根から得られる風圧（二より清浄空気供給源パイ
プから送られる清浄空気を、前記基板の裏から前記基板
の縁へ吹き出すこと（二よシ、前記基板裏面にレジスト
がまわ９こまないようにしたことを特徴とするレジスト
塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6918883A JPS59195827A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6918883A JPS59195827A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195827A true JPS59195827A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13395498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6918883A Pending JPS59195827A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4790262A (en) * | 1985-10-07 | 1988-12-13 | Tokyo Denshi Kagaku Co., Ltd. | Thin-film coating apparatus |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP6918883A patent/JPS59195827A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4790262A (en) * | 1985-10-07 | 1988-12-13 | Tokyo Denshi Kagaku Co., Ltd. | Thin-film coating apparatus |
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