JPS59195575A - セラミツク原料粉末の製造方法 - Google Patents
セラミツク原料粉末の製造方法Info
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- JPS59195575A JPS59195575A JP58071017A JP7101783A JPS59195575A JP S59195575 A JPS59195575 A JP S59195575A JP 58071017 A JP58071017 A JP 58071017A JP 7101783 A JP7101783 A JP 7101783A JP S59195575 A JPS59195575 A JP S59195575A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は微細な結晶゛粒径を有するセラミック原料粉
末の製放方法に関するものである。
末の製放方法に関するものである。
従来、セラミック原料粉末、たとえばBaTiφ3・C
aTiO3,5rTiO,などを合成する方法としては
同相反応法がある。しかしながら、この方法によれば、
高温逃理を経なければならないため粒径が1μm以上と
大きくな9、しかも不均一になるという欠点が見られた
。
aTiO3,5rTiO,などを合成する方法としては
同相反応法がある。しかしながら、この方法によれば、
高温逃理を経なければならないため粒径が1μm以上と
大きくな9、しかも不均一になるという欠点が見られた
。
この池、溶液中での化学反応によりセラミック原料を合
成する方法がある。この溶液反応による製造方法としC
は、たとえばTiイオンと、Baなどのmsイオンとを
、$[&によシ修改チタニルバリウム(B九TiO(C
204) ・4H20)とし−C’沈澱させ、この沈
澱吻を700 c、i″、J、上の温度で加熱分解させ
゛(EaTiQ3全合成するという方法(瘍竣去)があ
る。この修飛法では、0.5μm程度の故泣子を得るこ
とができるが、この、方法によれば次のような欠点が見
られる。つまシ、BaとT1につい゛Cv′i同時に沈
澱させるととができるが、その・池の元素を沈澱させる
ことができず、B a T i O、Jのその他の系、
およびBaTiO3とその他の系の腹合系のセラミック
原料を得る方法としては不#aである。
成する方法がある。この溶液反応による製造方法としC
は、たとえばTiイオンと、Baなどのmsイオンとを
、$[&によシ修改チタニルバリウム(B九TiO(C
204) ・4H20)とし−C’沈澱させ、この沈
澱吻を700 c、i″、J、上の温度で加熱分解させ
゛(EaTiQ3全合成するという方法(瘍竣去)があ
る。この修飛法では、0.5μm程度の故泣子を得るこ
とができるが、この、方法によれば次のような欠点が見
られる。つまシ、BaとT1につい゛Cv′i同時に沈
澱させるととができるが、その・池の元素を沈澱させる
ことができず、B a T i O、Jのその他の系、
およびBaTiO3とその他の系の腹合系のセラミック
原料を得る方法としては不#aである。
また修酸塩は高価なものでうり、工業的な利用面におい
て不利であるなどの欠点がある。
て不利であるなどの欠点がある。
そのほか、Ba、 Sr、 Ca、 Ti、 Zr、
Sn などの金属アルコヤシドのアルコール溶液を作り
、各々所定数を混合したのち水中に加え’c nu水分
解し、各金属の水改(ヒ物とし゛C沈澱させ、一過し°
C合成粉末を得る方1去がある。もつともこの場合にお
いては、Bh、Sr、(:aな1どを水酸化物または塩
類の水溶液とし′C加え°〔も同じイ吉果が得ら九るこ
とを付記しC>く、つじか1〜ながら、この方法では生
成したBa(、+xi)2,5r(01()2.Ca(
01()、 などはほとんどまたIはその一部が水に溶
解するので、共沈澱物とはなシ得ず、蒸発乾燥し°C合
成するほかない。また湯られ、icこれらの析出結晶も
池の金属水線・1と勿と同等の粒径まで粉砕される保証
がないなどの欠点がある。
Sn などの金属アルコヤシドのアルコール溶液を作り
、各々所定数を混合したのち水中に加え’c nu水分
解し、各金属の水改(ヒ物とし゛C沈澱させ、一過し°
C合成粉末を得る方1去がある。もつともこの場合にお
いては、Bh、Sr、(:aな1どを水酸化物または塩
類の水溶液とし′C加え°〔も同じイ吉果が得ら九るこ
とを付記しC>く、つじか1〜ながら、この方法では生
成したBa(、+xi)2,5r(01()2.Ca(
01()、 などはほとんどまたIはその一部が水に溶
解するので、共沈澱物とはなシ得ず、蒸発乾燥し°C合
成するほかない。また湯られ、icこれらの析出結晶も
池の金属水線・1と勿と同等の粒径まで粉砕される保証
がないなどの欠点がある。
この発明は上記し之d米しUの欠点を屏消し、微粉末の
セラミック原料を生成することができ6方法を提供しよ
うと9するものである。
セラミック原料を生成することができ6方法を提供しよ
うと9するものである。
j−なOち、とり、Q明の要旨とするところ(d、・、
1)構成元素とし゛〔少なぐともBa、 Sr、 Ca
、 M9の1種と構成元素としC少なくともTi、 Z
r、 Sn。
1)構成元素とし゛〔少なぐともBa、 Sr、 Ca
、 M9の1種と構成元素としC少なくともTi、 Z
r、 Sn。
Pbの1種とを含む硝酸塩または塩化物の水溶液に、苛
性ソーダ、水酸化アンモニウムなどの可溶住水識化吻水
溶液を卯え゛(pI(ffi7〜10に調j姦し、少ン
ヨくともTi、 Zr、 Sn、 P b]14”71
の水誠1旧勿のみを沈滞したのち、 pgを前こ己樋
面に保らりつ炭酸ガス、または炭酸ソーブ゛1,1(故
アンモンなどの可と6性炭鷹塩水層液□k 、:)++
え、少なくとも」長りQ r 、Ca + 17Iす乞
炭、浚i鳶とし′C?尤C□段させることンハらなる第
1のエフ届と、←)第1の工程によって得しれた沈澱物
をよ−むスラリーを一過したのち水、先、4燥する第2
0工程と、 に) 1t+らnた。故末を仮焼、粉砕する第6の工、
惺と1、ノ・すiるセラミック原料粉末ζつ製造方法で
ある。
性ソーダ、水酸化アンモニウムなどの可溶住水識化吻水
溶液を卯え゛(pI(ffi7〜10に調j姦し、少ン
ヨくともTi、 Zr、 Sn、 P b]14”71
の水誠1旧勿のみを沈滞したのち、 pgを前こ己樋
面に保らりつ炭酸ガス、または炭酸ソーブ゛1,1(故
アンモンなどの可と6性炭鷹塩水層液□k 、:)++
え、少なくとも」長りQ r 、Ca + 17Iす乞
炭、浚i鳶とし′C?尤C□段させることンハらなる第
1のエフ届と、←)第1の工程によって得しれた沈澱物
をよ−むスラリーを一過したのち水、先、4燥する第2
0工程と、 に) 1t+らnた。故末を仮焼、粉砕する第6の工、
惺と1、ノ・すiるセラミック原料粉末ζつ製造方法で
ある。
上記した工程しておい゛〔、第1の工程で水酸化物とし
て沈滞させる構成元素としご、その1・よかlこBi、
kiΩ。2n、 Y、冷土項元索を含有させてもよい。
て沈滞させる構成元素としご、その1・よかlこBi、
kiΩ。2n、 Y、冷土項元索を含有させてもよい。
特に、希土項元素は結晶の粒成長を抑制することができ
る。また、M II 、 A I 、 S iをよ有さ
せ゛〔もよい。これらの元素は鉱比剤としての没jll
を来タス0また、第1の工程におい゛C1可溶性炭酸塩
水溶液を加え、少なくともBa、 Sr、ハ、むを炭酸
塩とし゛CC数取せる(祭、酸、アルカリを9口えCも
よい。
る。また、M II 、 A I 、 S iをよ有さ
せ゛〔もよい。これらの元素は鉱比剤としての没jll
を来タス0また、第1の工程におい゛C1可溶性炭酸塩
水溶液を加え、少なくともBa、 Sr、ハ、むを炭酸
塩とし゛CC数取せる(祭、酸、アルカリを9口えCも
よい。
さらに、第1の工程におい′C各原料をそれぞれ所定比
率で投入し、完全に沈澱させたスラリーを第2の工程で
一過、乾燥し、さらに第5の工程で仮焼了ることによっ
て、比率にズレのないセラミック原料を生成することが
できる。
率で投入し、完全に沈澱させたスラリーを第2の工程で
一過、乾燥し、さらに第5の工程で仮焼了ることによっ
て、比率にズレのないセラミック原料を生成することが
できる。
さらにまた、第1の工程において得られた沈澱物はその
位子匝が約IJ、01〜0.02.μmで、各粒子が一
次位子同どで1接する混合物である。そしCF遇したの
ち水洗、乾、槍することによつ゛〔、反応しゃすい活性
な原料が得られる。
位子匝が約IJ、01〜0.02.μmで、各粒子が一
次位子同どで1接する混合物である。そしCF遇したの
ち水洗、乾、槍することによつ゛〔、反応しゃすい活性
な原料が得られる。
この原料を第6の工程で反尭することによって、所定比
率のABO3型のセラミック原料が生成され同時に凝集
ざ亡ることかできる。セラミック原料を二次粒子に凝集
させ乙のは、たとえばセラミックグリーンシートを作る
ためにバインダと混練したとぎ、二次粒子の比表面積(
/71“/9r)を小さくし、バインダの圧用量が少な
く゛〔すむことになシ、また成形物を焼成したとき収縮
率を低下させることができるからである。なお、仮焼段
階で二次粒子に凝集するが、各原料粒子はあくまで微粒
子同志で混合しておシ、焼成しC得られるセラミックも
ファイングレインのものであり、二次粒子に凝集させC
もファイングレインのセラミックを得る上で同ら支障と
なるものではないっ 仮焼段階での処理温度は好ましくは700〜1000で
の範囲で選ばれる。これは700 ’c未満ではセラミ
ック原料粉末の合成が十分に行われず、1000Cを越
えると凝集が進みすぎるためである。
率のABO3型のセラミック原料が生成され同時に凝集
ざ亡ることかできる。セラミック原料を二次粒子に凝集
させ乙のは、たとえばセラミックグリーンシートを作る
ためにバインダと混練したとぎ、二次粒子の比表面積(
/71“/9r)を小さくし、バインダの圧用量が少な
く゛〔すむことになシ、また成形物を焼成したとき収縮
率を低下させることができるからである。なお、仮焼段
階で二次粒子に凝集するが、各原料粒子はあくまで微粒
子同志で混合しておシ、焼成しC得られるセラミックも
ファイングレインのものであり、二次粒子に凝集させC
もファイングレインのセラミックを得る上で同ら支障と
なるものではないっ 仮焼段階での処理温度は好ましくは700〜1000で
の範囲で選ばれる。これは700 ’c未満ではセラミ
ック原料粉末の合成が十分に行われず、1000Cを越
えると凝集が進みすぎるためである。
また、反応の際、安定剤として過酸化水素水(H2O2
)を加えCもよい。これはl@液が加水分解し゛〔沈澱
するのを抑制するためである。
)を加えCもよい。これはl@液が加水分解し゛〔沈澱
するのを抑制するためである。
以下、この発明を実施例に従って洋画に説明する。
実施例1
使用原料とし”C下表に示すものを準備しだつ槽中に、
BaCl2.TiCj+2,5nC(+2.EIiC(
4およびM n C(14< 4 H20の各水溶液を
混合し、安定剤である60%過酸化水素水15m1を加
え、これに水酸化アンモニウム(NH,OH)を加えて
pHを9〜95に調及し、Ti、an、Si、Mnを含
む水酸化物を沈澱させた。水波化物が完全に沈澱したの
ちpHを9〜95に保ち、炭酸アンモニウム((NH4
)2COj) 水溶液を加え、BaCO3として沈澱
させた次いで、混合した沈澱物のスラリーを濾過したの
ち水洗し、この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつ
づい゛〔−過、乾燥したところ、0.02μmの微粒子
状のセラミック原料粉末を得た。
BaCl2.TiCj+2,5nC(+2.EIiC(
4およびM n C(14< 4 H20の各水溶液を
混合し、安定剤である60%過酸化水素水15m1を加
え、これに水酸化アンモニウム(NH,OH)を加えて
pHを9〜95に調及し、Ti、an、Si、Mnを含
む水酸化物を沈澱させた。水波化物が完全に沈澱したの
ちpHを9〜95に保ち、炭酸アンモニウム((NH4
)2COj) 水溶液を加え、BaCO3として沈澱
させた次いで、混合した沈澱物のスラリーを濾過したの
ち水洗し、この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつ
づい゛〔−過、乾燥したところ、0.02μmの微粒子
状のセラミック原料粉末を得た。
そののち、900tの温度で1時間仮焼し、j3a(T
i、5n)O,系の仮貌粉末を得た。
i、5n)O,系の仮貌粉末を得た。
この仮焼粉末にバインダを加え゛C造粒し、圧力100
0にy/・扁2で成彩して10−ψ、1.1℃の円板と
し、これを1300′c、2時間の条件で焼成して円板
磁器を得た。この円板磁器の両面に銀ペーストを塗布し
、800’c130分間の条件で焼き付け゛C′心極を
形成し、コンデンサを得た。
0にy/・扁2で成彩して10−ψ、1.1℃の円板と
し、これを1300′c、2時間の条件で焼成して円板
磁器を得た。この円板磁器の両面に銀ペーストを塗布し
、800’c130分間の条件で焼き付け゛C′心極を
形成し、コンデンサを得た。
このコンデンサの誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)
、誘電率の温度特性(TC>、および耐電圧特注を測定
し、その結果を下表に示した。
、誘電率の温度特性(TC>、および耐電圧特注を測定
し、その結果を下表に示した。
誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)ば1Kt(z、
1Vr。
1Vr。
m、θ6の条件で測定し、また誘電率の温度特注(TC
)は+25’Cを基準にし゛ご+10C〜+85−Cの
温丈範囲で測定した値である。
)は+25’Cを基準にし゛ご+10C〜+85−Cの
温丈範囲で測定した値である。
実施例2
筺用原料とし゛〔下表に示すものを準備した。
(1中に、BELCe2 、 Sr C’12 + M
gCIV2 + Tic 14 。
gCIV2 + Tic 14 。
BnC4,、Zr0012士8H20,MnCl2−4
H20,Ce”23* Z n c g 2 の各水溶
散を混合し、これに安定剤である60チ過岐化水素水1
5m1を加え、さらに苛性ソーダ(Nao’a)を加え
CpHを9〜95にiiJM!し、Ti、Sn、Zr、
Mn、Ce、Zn を含む水駿化物を沈澱させた。さら
にpgを9〜95に保らつつ、炭酸ソーダ溶液と少量の
塩酸溶液を加え“CBa、 Sr、 MG+の炭;変塩
を沈澱させた。
H20,Ce”23* Z n c g 2 の各水溶
散を混合し、これに安定剤である60チ過岐化水素水1
5m1を加え、さらに苛性ソーダ(Nao’a)を加え
CpHを9〜95にiiJM!し、Ti、Sn、Zr、
Mn、Ce、Zn を含む水駿化物を沈澱させた。さら
にpgを9〜95に保らつつ、炭酸ソーダ溶液と少量の
塩酸溶液を加え“CBa、 Sr、 MG+の炭;変塩
を沈澱させた。
次に、混合し交沈諏物のみラリ−を7/”i/Aしたの
ち水洗し、この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつ
づき1ノ1過、乾燥したところ、0.02μmの微粒子
状のセラミック原料粉末を一得た。
ち水洗し、この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつ
づき1ノ1過、乾燥したところ、0.02μmの微粒子
状のセラミック原料粉末を一得た。
そののっ、900での温度で1時間1艮焼し、(Ba。
Sr、Mv ) (Ti、Eln、Zr)O,系の仮焼
粉末を得た。
粉末を得た。
この仮焼粉末を実施例1と同様に処理し“Cコンデンサ
を作成し、その電気特性を測定し′〔その、詰呆を下表
に示した。
を作成し、その電気特性を測定し′〔その、詰呆を下表
に示した。
fr、抄、焼成温度は1150 ′Cであったっ実施例
使用原料として下表に示すものを準備した。
槽中に−b−z’r、Ea(f’Jo、 )z 、 C
a(NOl)274H20,TiCl4. Zr0C4
,−3d20. SnC/、 、 fli(No、)3
.5H,O,Pb(No3)2 、 S、m(1’JO
3)3 +1)H2Oの各水溶液を混合し、これに安定
剤である60%過酸化水素水15mA’を加え;さらに
苛性ソーダ(NaOH)i加えCpHを7〜10に調整
し、ri、 zr、 Sn、 Bi、 pb、 Sm
を含む水酸化物を沈乙恢させた。さらに苛・;生ンーダ
i’naQH)を力IJえ゛〔pHを7〜10に保ちつ
つ炭酸ガスを吹き込み、Ea、Cao炭凌塩を沈澱させ
/こ。
a(NOl)274H20,TiCl4. Zr0C4
,−3d20. SnC/、 、 fli(No、)3
.5H,O,Pb(No3)2 、 S、m(1’JO
3)3 +1)H2Oの各水溶液を混合し、これに安定
剤である60%過酸化水素水15mA’を加え;さらに
苛性ソーダ(NaOH)i加えCpHを7〜10に調整
し、ri、 zr、 Sn、 Bi、 pb、 Sm
を含む水酸化物を沈乙恢させた。さらに苛・;生ンーダ
i’naQH)を力IJえ゛〔pHを7〜10に保ちつ
つ炭酸ガスを吹き込み、Ea、Cao炭凌塩を沈澱させ
/こ。
次に、混合した沈J・刀勿のスラリーを一過したのち水
洗した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづ
き7)、JJ!A1 乾燥したところ、・J、015μ
mの微粒子状のセラζツク原料粉末なfη7”cmその
のち、800での互変で14.f間及焼し、(B立。
洗した。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづ
き7)、JJ!A1 乾燥したところ、・J、015μ
mの微粒子状のセラζツク原料粉末なfη7”cmその
のち、800での互変で14.f間及焼し、(B立。
Ca、Pb)(Ti、Zr、Sn、Bi)03系の仮焼
原料粉末を得た。
原料粉末を得た。
この仮焼粉末を実施例1と同様に処理してコンデンサを
作成し、(゛の電気′h性をσi(1定し、でぞの結果
を下衣に示した。[a・′遺6偽たG 1)20 ’c
−t”’fi穣。
作成し、(゛の電気′h性をσi(1定し、でぞの結果
を下衣に示した。[a・′遺6偽たG 1)20 ’c
−t”’fi穣。
また、この原料を用い゛〔、償層コンデンサを1F=成
し、その「電気特性を測定した。
し、その「電気特性を測定した。
試料の作成は、仮焼原料粉末にパイング14分、1交剤
などを加えてペースト状とし、これを印刷方式で厚み2
0μm6D誘心体セラミックノーを作成し、内部電極と
しCA9:pd=7Q :60のAg−P(1系ペース
トを印刷し、これを交互に゛操り返して誘電体セラミッ
ク層の積層枚数を10枚とした。次いで、焼成温度11
20′c、焼成時、用2時間の条件で焼成し、両端面に
外部接続電極を形成し′C積層コンデ/すを得た。得ら
れた積層コンデンサの大きさば4 、ztx 37JX
O,15,osであ飢その静電容量はl]、 437
tFであった。また焼成後の誘電体セラミック層の1反
当りの)琲みは12μmであった。
などを加えてペースト状とし、これを印刷方式で厚み2
0μm6D誘心体セラミックノーを作成し、内部電極と
しCA9:pd=7Q :60のAg−P(1系ペース
トを印刷し、これを交互に゛操り返して誘電体セラミッ
ク層の積層枚数を10枚とした。次いで、焼成温度11
20′c、焼成時、用2時間の条件で焼成し、両端面に
外部接続電極を形成し′C積層コンデ/すを得た。得ら
れた積層コンデンサの大きさば4 、ztx 37JX
O,15,osであ飢その静電容量はl]、 437
tFであった。また焼成後の誘電体セラミック層の1反
当りの)琲みは12μmであった。
実施例4
使用原料とし゛C下表に示すものを準備した。
槽中において、BaCe2−2H20,Nd(471−
6H。
6H。
0.Tice4.Bi(NO3)3−5H20,Mn’
C14−5H20゜MnC/、 ・4H2,0,B1C
1,の各水溶液を混合し、安定剤である60チ過酸化水
素水10IIVを加え、こ、れに水酸化アンモニウム(
NH40H)を加え°(pHを9〜95に調整し、Nd
、 Ti、 Bi、 Mn、 Siを含む水酸化物を沈
澱させた。さらにpHを9〜95に保ちつつ、炭酸アン
モニウム〔(NH4)2CO3〕溶液を刀口え°(、B
aCO3を沈殿させjジ次に、混合した沈澱物のスラリ
ーを濾過しだのち水洗した。この水洗原料をボールミル
で混合し、ひきつづき濾過、乾燥したところ、0.01
μmの微粒子状の原料粉末を得た。
C14−5H20゜MnC/、 ・4H2,0,B1C
1,の各水溶液を混合し、安定剤である60チ過酸化水
素水10IIVを加え、こ、れに水酸化アンモニウム(
NH40H)を加え°(pHを9〜95に調整し、Nd
、 Ti、 Bi、 Mn、 Siを含む水酸化物を沈
澱させた。さらにpHを9〜95に保ちつつ、炭酸アン
モニウム〔(NH4)2CO3〕溶液を刀口え°(、B
aCO3を沈殿させjジ次に、混合した沈澱物のスラリ
ーを濾過しだのち水洗した。この水洗原料をボールミル
で混合し、ひきつづき濾過、乾燥したところ、0.01
μmの微粒子状の原料粉末を得た。
そののち、800Cの温度で1時間仮焼し、(B a。
IJd)(Ti、 Bi)O,系の仮焼粉末を得ノt0
との仮焼粉末を実施例1と同様に処理し゛Cコンデンサ
を作成し、その電気特性を測定しCその結果を下表に示
した。
との仮焼粉末を実施例1と同様に処理し゛Cコンデンサ
を作成し、その電気特性を測定しCその結果を下表に示
した。
なお、焼成温度は1100Cであった。また誘電率の温
度特注(TC)は+25υを基準にし′(−55〜+1
25での温度範囲で測定した値である。
度特注(TC)は+25υを基準にし′(−55〜+1
25での温度範囲で測定した値である。
披
実施例
使用原料とし”C下表に示すものを準備した。
槽中、てオイ’C,Ca Cl 2 、 T I Cl
4 、 N’bx CJsの6水溶液を混合し、安定
剤である60%過酸化水素水25m1を加え、これに苛
性ソーダ(NaOH)を刀UえてpHを9〜9.5KA
4し、Ti+Nbeftr水竣化物を沈澱さぜた。さら
に少量の塩、俊溶液を加えrpHを9〜95に保ちつつ
、炭酸ソーダ(N L2C○3)溶液を加え“7: C
aCO3とし′C沈澱させた。
4 、 N’bx CJsの6水溶液を混合し、安定
剤である60%過酸化水素水25m1を加え、これに苛
性ソーダ(NaOH)を刀UえてpHを9〜9.5KA
4し、Ti+Nbeftr水竣化物を沈澱さぜた。さら
に少量の塩、俊溶液を加えrpHを9〜95に保ちつつ
、炭酸ソーダ(N L2C○3)溶液を加え“7: C
aCO3とし′C沈澱させた。
次に、混合した沈澱物のスラリーを濾過したのち水洗し
た。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづきN
14、乾燥したところ、1〕、01μrnの1紋粒子状
の原料粉末を得た。
た。この水洗原料をボールミルで混合し、ひきつづきN
14、乾燥したところ、1〕、01μrnの1紋粒子状
の原料粉末を得た。
そののち、80Oυの凸1度で1侍間反醜し、・:ユ(
Ti、 Nb)cl、系の尺滉沿末を辱ノ七〇この及υ
^粉末を実施列1と同様にし′〔コンデンサを作成し、
その1こ気持・跣を測定しCその桔呆を下表に示したつ なお1,1克成温度は11DO’cでちった。また誘電
率の錯A度イ庁1生(TC)−は+25Cを基準にして
一55〜+125’cの温間範囲で測定した値である。
Ti、 Nb)cl、系の尺滉沿末を辱ノ七〇この及υ
^粉末を実施列1と同様にし′〔コンデンサを作成し、
その1こ気持・跣を測定しCその桔呆を下表に示したつ なお1,1克成温度は11DO’cでちった。また誘電
率の錯A度イ庁1生(TC)−は+25Cを基準にして
一55〜+125’cの温間範囲で測定した値である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イl) Li) 構成元素として少なくともBa、
Sr、 Ca。 Mgの1種と構成元素とし”C少なくともTi、Zr。 Sn、 Pbの1種とを含む硝酸塩または塩化物Ω水溶
液に、苛1生ソーダ、水酸化アンモニウムなどの可溶性
水酸化物水溶液を加え−(pHを7〜10に調整し、少
なくともTi、Zr、Sn、Pbの1槌の水酸化物のみ
を沈澱したのち、pHを前記範囲に保ちつつ炭酸ガス、
または炭酸ンーダ、炭酸アンモンなどの可溶性炭酸塩水
溶液を加え、少なくともBa、 Sr、 CIIL、
Mgを炭酸塩とじ−CC沈濾せることからなる第1の工
程と、 に)第1の工程によつ′C得られた沈み物を含むスラリ
ーを濾過したのち水洗、乾燥する第2のエイ呈と、 (i])得られた粉末を仮焼、粉砕する第6の工程と、 からなるセラミック原料粉末の製造方法。 +2)21の工程におい′C1少なくともTi、 Zr
、 Sn。 pbの1種のほか、構成元素とし°CさらにBi、Nb
。 Zn、 Y、希土類元素、Mn、 kl、 Siのうち
少なくとも1種を含有させ、水酸化物として沈澱させる
ことからなる。特許請求の範囲第イ【)項記載のセラミ
ック原料粉末の製造方法。 (3)第1の工程におい°C1可溶性炭酸塩水溶液を加
え、少なくともBa、 t3r、 Ca、 MiFを炭
酸塩とし゛C沈澱させる際、酸、アルカリを加えること
も許される特許請求の範囲第(【)項記載のセラミック
原料粉末の製造方法。 (4)第6の工程における仮焼温度は700C〜100
0Cである特許請求の範囲第+1)項記載のセラミック
原料粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58071017A JPS59195575A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58071017A JPS59195575A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59195575A true JPS59195575A (ja) | 1984-11-06 |
JPH0210090B2 JPH0210090B2 (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=13448321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58071017A Granted JPS59195575A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | セラミツク原料粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59195575A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61232217A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 誘電体磁器製造用の低温焼結性原料粉末の製造方法 |
US5032559A (en) * | 1989-05-05 | 1991-07-16 | Gte Products Corporation | Method of preparing barium, titanium, zirconium oxide ferroelectric ceramic compositions |
US5401702A (en) * | 1993-10-04 | 1995-03-28 | Korea Institute Of Science And Technology | Microwave dielectric ceramic composition |
WO2001010781A1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Korea Institute Of Science And Technology | METHOD FOR MANUFACTURING BaTiO3 BASED POWDERS |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58071017A patent/JPS59195575A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61232217A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 誘電体磁器製造用の低温焼結性原料粉末の製造方法 |
US5032559A (en) * | 1989-05-05 | 1991-07-16 | Gte Products Corporation | Method of preparing barium, titanium, zirconium oxide ferroelectric ceramic compositions |
US5401702A (en) * | 1993-10-04 | 1995-03-28 | Korea Institute Of Science And Technology | Microwave dielectric ceramic composition |
WO2001010781A1 (en) * | 1999-08-05 | 2001-02-15 | Korea Institute Of Science And Technology | METHOD FOR MANUFACTURING BaTiO3 BASED POWDERS |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0210090B2 (ja) | 1990-03-06 |
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