JPS5919481A - 固体撮像板 - Google Patents
固体撮像板Info
- Publication number
- JPS5919481A JPS5919481A JP57128926A JP12892682A JPS5919481A JP S5919481 A JPS5919481 A JP S5919481A JP 57128926 A JP57128926 A JP 57128926A JP 12892682 A JP12892682 A JP 12892682A JP S5919481 A JPS5919481 A JP S5919481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type layer
- region
- solid
- excessive
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像板に係り、特に固体撮像板特有のオー
バーフロー現象を改善する固体撮像板に関するものであ
る。
バーフロー現象を改善する固体撮像板に関するものであ
る。
・第１図は、従来のＮＰＮ三層接合型の固体撮像板の説
明図であり、１は余剰キャリヤー吸収領域となるＮ型層
、２は受光領域となるＮ型層、３はＰ型層、４は酸化膜
層、５はＡｔ膜等よりなる遮光膜、６は伝送用ゲート、
７は伝送用ドレイン、８は伝送用ドレイン電極である。
明図であり、１は余剰キャリヤー吸収領域となるＮ型層
、２は受光領域となるＮ型層、３はＰ型層、４は酸化膜
層、５はＡｔ膜等よりなる遮光膜、６は伝送用ゲート、
７は伝送用ドレイン、８は伝送用ドレイン電極である。
上記構成の素子において、強力な入射光がＮ型層２、Ｐ
型層３に入射すると、受光蓄積機能を有するＮ型層２と
Ｐ型層３との接合部が満杯になり、初め逆バイアスにあ
った状態が順方向バイアスに逆転し、Ｎ型層２とＰ型層
３の接合面からＰ型層３に向って少数キャリヤーの注入
が始まるといったオーバーフロー現象が生じる。この為
、隣接ドレイン７、又は隣接する他の受光部のＮ型層２
′に、その注入キャリヤーが流れ込むこととなり、隣接
部分では不必要な信号が表われることになり、例えば明
るい像の周辺が白くぼやけるといったオーバーフロー現
象による像のボケが生じる。
型層３に入射すると、受光蓄積機能を有するＮ型層２と
Ｐ型層３との接合部が満杯になり、初め逆バイアスにあ
った状態が順方向バイアスに逆転し、Ｎ型層２とＰ型層
３の接合面からＰ型層３に向って少数キャリヤーの注入
が始まるといったオーバーフロー現象が生じる。この為
、隣接ドレイン７、又は隣接する他の受光部のＮ型層２
′に、その注入キャリヤーが流れ込むこととなり、隣接
部分では不必要な信号が表われることになり、例えば明
るい像の周辺が白くぼやけるといったオーバーフロー現
象による像のボケが生じる。
例えばＮＰＮ型固体撮像板の受光領域であるＮ型層と余
剰キャリヤー吸収領域であるＮ型層との間のＰ型層中に
、Ｐ−型層を設けることにより、オーバーフロー現象ヲ
防止し、オーバーフロー現象による像のボケを大巾に改
善する。
剰キャリヤー吸収領域であるＮ型層との間のＰ型層中に
、Ｐ−型層を設けることにより、オーバーフロー現象ヲ
防止し、オーバーフロー現象による像のボケを大巾に改
善する。
第２図は、本発明に係る固体撮像板の断面説明図である
。
。
同図中、１１は余剰キャリヤー吸収領域となるＮ型層、
１２は受光領域となるＮ型層、１３はＰ型層、１４は酸
化膜層、１５は遮光膜、１６は伝送用ゲート、１７は伝
送用ドレイン、１８は伝送用ドレイン電極であり、これ
らの部分の構成は第１図に示す従来のＮ ’Ｐ Ｎ三相
接合型の固体撮像素子のものと略同様なものである。
１２は受光領域となるＮ型層、１３はＰ型層、１４は酸
化膜層、１５は遮光膜、１６は伝送用ゲート、１７は伝
送用ドレイン、１８は伝送用ドレイン電極であり、これ
らの部分の構成は第１図に示す従来のＮ ’Ｐ Ｎ三相
接合型の固体撮像素子のものと略同様なものである。
１９は、上記Ｐ型層１３中に構成されたＰ−型層領域で
あり、本発明の特長を示すものである。
あり、本発明の特長を示すものである。
上記のように構成されていると、すなわち受光部である
Ｎ型層１２とＰ型層１３との接合の一部にポテンシャル
の溝となるよりなＰ−型層が設けられていると、強い光
が入射しても、Ｎ型層１２とＰ型層１３の接合面から過
剰キャリヤーがＰ型層の領域に流入する前に、Ｐ−型層
のポテンシャルの溝を介して余剰キャリヤー吸収領域で
あるＮ型層１１に流れ（３） 出るものとなり、隣接のドレイン１７領域や隣接の受光
領域１２’への流れ込みを防ぐことができ、オーバーフ
ロー現象に」：るブルーミング現象を大巾に改善できる
ものとなる。
Ｎ型層１２とＰ型層１３との接合の一部にポテンシャル
の溝となるよりなＰ−型層が設けられていると、強い光
が入射しても、Ｎ型層１２とＰ型層１３の接合面から過
剰キャリヤーがＰ型層の領域に流入する前に、Ｐ−型層
のポテンシャルの溝を介して余剰キャリヤー吸収領域で
あるＮ型層１１に流れ（３） 出るものとなり、隣接のドレイン１７領域や隣接の受光
領域１２’への流れ込みを防ぐことができ、オーバーフ
ロー現象に」：るブルーミング現象を大巾に改善できる
ものとなる。
これは、第２図で示す素子のバイアスがかかつていない
状態におけるＡ−Ａ線部のエネルギーバンド構造は第３
図ａに示されるものであり、又、Ｂ−Ｂ線部のエネルギ
ーバンド構造は第３図すに示されるものであり、逆バイ
アスがかかった際のＡ−Ａ線部のエネルギーバンド構造
は第３図Ｃに示されるものであって、そしてこのような
状態で強い光が入射してきても、入射光によって励起さ
れた過剰なエレクトロンｅはＰ−型層で構成されるポテ
ンシャルの溝を通ってＮ型層１１に流れ出ることを意味
するのである。伺、このような現象をモデル図で示した
のが第４図ａ、＋）であり、第４図ａは入射光がガい場
合のものであり、同図すは強い入射光によって過剰キャ
リヤーがＰ−型層であるポテンシャルの溝を通ってＮ型
層１１に流れ出している説明図であり、この場合のエネ
ルギーバンド（４） 構造は第３図ｄに示されるものである。
状態におけるＡ−Ａ線部のエネルギーバンド構造は第３
図ａに示されるものであり、又、Ｂ−Ｂ線部のエネルギ
ーバンド構造は第３図すに示されるものであり、逆バイ
アスがかかった際のＡ−Ａ線部のエネルギーバンド構造
は第３図Ｃに示されるものであって、そしてこのような
状態で強い光が入射してきても、入射光によって励起さ
れた過剰なエレクトロンｅはＰ−型層で構成されるポテ
ンシャルの溝を通ってＮ型層１１に流れ出ることを意味
するのである。伺、このような現象をモデル図で示した
のが第４図ａ、＋）であり、第４図ａは入射光がガい場
合のものであり、同図すは強い入射光によって過剰キャ
リヤーがＰ−型層であるポテンシャルの溝を通ってＮ型
層１１に流れ出している説明図であり、この場合のエネ
ルギーバンド（４） 構造は第３図ｄに示されるものである。
尚、上記実施例においてはＭＯ８型固体撮像板の場合で
説明したが、受光部分がＮＰＮの三層構造のＣＯＤ撮像
板においても同様に適用できるものである。
説明したが、受光部分がＮＰＮの三層構造のＣＯＤ撮像
板においても同様に適用できるものである。
受光領域と余剰キャリヤー吸収領域との間に、強い光が
入射したことによって発生する過剰キャリヤーがポテン
シャルの溝を通って余剰キャリヤー吸収領域に流れ込む
ように構成しておくことにより、オーバーフロー現象を
犬１Ｊに改善できるものとなり、従って強力な入射光が
入ってきても像の周辺が白くボケルといったハレイジョ
ン等も起きることがない固体カメラを可能なものとする
等の特長を有する。
入射したことによって発生する過剰キャリヤーがポテン
シャルの溝を通って余剰キャリヤー吸収領域に流れ込む
ように構成しておくことにより、オーバーフロー現象を
犬１Ｊに改善できるものとなり、従って強力な入射光が
入ってきても像の周辺が白くボケルといったハレイジョ
ン等も起きることがない固体カメラを可能なものとする
等の特長を有する。
第１図は従来の固体撮像板の説明図、第２図は本発明に
係る固体撮像板の説明図、第３図ａ＋ｂ＋ｃ、ｄはエネ
ルギーバンド構造の説明図、第４図ａ。 ｂはモデル説明図である。 １１・１２・・・Ｎ型層、１３− Ｐ型層、１９・・・
Ｐ−型層領域。 特許出願人 日本ビクター株式会社 （ｌノ Ａ ７ （ρ〕 β さ１ □ ｆ杓
係る固体撮像板の説明図、第３図ａ＋ｂ＋ｃ、ｄはエネ
ルギーバンド構造の説明図、第４図ａ。 ｂはモデル説明図である。 １１・１２・・・Ｎ型層、１３− Ｐ型層、１９・・・
Ｐ−型層領域。 特許出願人 日本ビクター株式会社 （ｌノ Ａ ７ （ρ〕 β さ１ □ ｆ杓
Claims (1)
- 固体撮像板の受光領域と余剰キャリヤー吸収領域との間
の領域にポテンシャルの溝となる領域を形成し、光が受
光領域に入射して生じた過剰キャリヤーが前記ポテンシ
ャルの溝を介して余剰キャリヤー吸収領域に流れ出るよ
うにしたことを特徴とする固体撮像板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128926A JPS5919481A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 固体撮像板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128926A JPS5919481A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 固体撮像板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919481A true JPS5919481A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14996800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128926A Pending JPS5919481A (ja) | 1982-07-26 | 1982-07-26 | 固体撮像板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919481A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846167A (ja) * | 1995-04-22 | 1996-02-16 | Sony Corp | 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法 |
| JP2007118864A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Toyota Motor Corp | 車両後部構造 |
-
1982
- 1982-07-26 JP JP57128926A patent/JPS5919481A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0846167A (ja) * | 1995-04-22 | 1996-02-16 | Sony Corp | 縦形オーバーフローイメージセンサーの製造方法 |
| JP2007118864A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Toyota Motor Corp | 車両後部構造 |
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