JPS59194576A - 電荷結合装置 - Google Patents

電荷結合装置

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Publication number
JPS59194576A
JPS59194576A JP58069620A JP6962083A JPS59194576A JP S59194576 A JPS59194576 A JP S59194576A JP 58069620 A JP58069620 A JP 58069620A JP 6962083 A JP6962083 A JP 6962083A JP S59194576 A JPS59194576 A JP S59194576A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
gate
charge
ccd
coupled device
Prior art date
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Pending
Application number
JP58069620A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Watanabe
恭志 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP58069620A priority Critical patent/JPS59194576A/ja
Publication of JPS59194576A publication Critical patent/JPS59194576A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N5/00Details of television systems
    • H04N5/14Picture signal circuitry for video frequency region
    • H04N5/21Circuitry for suppressing or minimising disturbance, e.g. moiré or halo

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Picture Signal Circuits (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は電荷結合装置に関し、特に電荷結合装置の入力
部となる電荷注入部に関するものである。
〈従来技術〉 電荷結合素子(CCD)などを用いた固体撮像装置では
、同一チップ上に構成されるンースフォロワ等の増幅回
路から若干のlンfタイプの低周波ノイズが発生し、こ
れが画面上においては横に引くノイズとなって目立ちや
すい。この低周波ノイズの低減に対して、上記増幅回路
の改良等撮像素子側での対策には限界があって対応しき
れず、外部回路上での対策が必要となっている。
外部回路上での対策のうちよく知られている手法として
相関二重サンプリング(CDS)法がある(M、 H,
Wh i te et a!、、 IEEEJ、’of
 5olid−5tate C1rcuits、Vol
、5C−9,p、1−13(1974)、 )。第1図
(a)、 (b)は従来から提案されているnチャネル
CCDICJIするCDS法を説明するだめの回路図及
び電圧レベルの変化図である。ここで電荷は同図(a)
に示すようにリセット回路付ダイオードD。で電圧変換
された後、ソースフォロワを介してアンプA1により増
幅される。
この信号は同図(b)に示すようにリセット終了後信号
電荷が検出されるまでの無信号期間内のt2において、
容量Ccp及びスイッチング素子Sepにより構成され
るクランプ回路によりクランプ電位VCpにクランプさ
れる。即ち無信号レベルはVcpなる直流レベルにクラ
ンプされることになりノイズは除去される。この信号は
更にアンプA2で増幅された後、スイッチング素子SS
H及び容量C5Hで構成されるサンプルホールド回路へ
導かれる1、ここでは第1図(b)に示すように画素信
号期間内のtうにおいて画素信号が抽出される。この信
号は無信号を基準とした信号レベlしであるからCCD
出力信号において含まれるノイズのうち、リセット後の
レベル変動であるリセットノイズや、数画素に及ぶレベ
ル変動即ち低周波のノイズが大幅に抑圧されてお9、ア
ンプA3を介して出力される。
以上のようにCDS法はノイズ低減に対して非常に優れ
た手法ではあるが、大がかりな外部回路を要し、しかも
これら外部回路はCCDが高速で駆動される場合にはき
わめて高速の動作性能を要求される。
〈発明の目的〉 本発明は上記従来から用いられているCD、S法の問題
点に鑑みてなされたもので、CDS法と同等の動作を簡
単な回路で構成することができる電荷結合素子を提供す
るものである。
〈実施例〉 第2図(a)は本発明の一実施例を示す模式図であり、
CCDイメージヤ信号の出力部1とCCD遅延線入力部
2との関係を表わしている。第2図(b)は断面図で示
しだ遅延線入力部2のポテンシヘ/I/を示す。該遅延
線の入力部2はボテンシャル゛じ阿法により動作させる
。即ち人力部、転送部及び出力部を俯Iえる市:荷結合
装置において、半導体基板3に形成された入力拡散層4
にはサンプリンタフl’、3 ツク(φS)が印加され
、該人力拡散層4に隣接するJl、/初のゲー+−(V
+)と次の2番目のゲート(V2)にはリファレンス電
位と信号電位がそれぞれこの)順序ないし逆の順序で印
加されて11シ、送部最初の転送ゲートφ1へ接続され
ている。
この場合信号電荷は■1とv2との電位差に比例するこ
とが艮く知られている。即ちV2ゲート而4イi’17
Av2.単位面積当り酸化膜答邦を[F]Xとすると信
号?程荷Qstは Qs −(V 2− V ) ) Av2Coxとなる
。7この関係よりV1ゲートV2ゲートのうちいずれを
リファレンス電位(従って他方を信号電位)とすること
も可能であるが、以下ではV1ゲートをリファレンス電
位とする場合を説明する。
さて、以」−の関係よりCCDイメージヤ信号を14記
遅延線2に入力する際、もしリファレンス電位が適当な
直流電位ではな(CCDイメージヤの0信号レベlしを
サンプリングした電位とするならば、得られる信号電荷
パケットの大きさは、CCDイメージヤの画素信号とO
信号との差となる。即ち、0信号レベルを基準とした画
素信号を信号電荷とすることとなり、丁度前述のCDS
法により得られる信号と同等の関係となる。従ってリセ
・ノドノイズ、低周波ノイズを除去した信号電荷が得ら
れることとなる。
以上の回路模式図は第2図に示される。CCDイメージ
ヤ信号を極性反転増幅回路Amにより増幅した信号(O
8)は2分され、一方は直接v2ゲートへ印加され、他
方はサンプルホールドパルス(φSH)によりサンプル
ホールドされて後■2ゲートへ印加される。これらのタ
イミングは第3図に示される。即ち前記サンプルホール
ドパルス(φSH)はO8信号中の0信号期間をサンプ
リングした後人の0信号期間までホールドする。これに
より、丁度入力拡散層のサンプリングクロック(φS)
が画素信号をサンプリングする動作期間中■)は一定の
レベ/l/を保持することとなり、正常に比例する電荷
がφ1り−1−へ転送されることになる。
なおccDa延線出力部においてもやはりリーヒノトノ
イヌ、低周波ノイズが若干発生する。しかしながらこの
ノイズ成分は1ンフ’Amのゲイン(gl)及びCCD
遅延線の入出力間ゲイン(g2)を適当に迅ぶことによ
り相対的に小さくすることか可能であり結局CCDCD
遅延力出力信号メージ入出カイn号より高いS/N比を
得ることか可能となる。即ち、S/N比の関恍は次のよ
うになる、5(遅延線出力) ここでαは上記実施例によるノイズ減少率(〈1)。
■N′はCCD遅延線出力部より新たに発生するノイズ
を表わf。これよりgl、g2が十分大きければ八′の
寄与は小さくなり主として上記ノイズ減少率αによりS
/Nは定められる。
〈効 果〉 以上述へた如(CCD遅延線入力部のりファレンヌゲ−
1・にサンプルホールド回路を付加するのみでCDS法
と同等の効果が容易に得られることとなる1、との手法
は単板カラー撮像装置のように色分離のためもともとイ
メージヤ信号をCCDN延線により処理する必要のある
場合には特に有用であり、わずかの回路的付加によりき
わめて大きい効果が得られることになる。
なお、第2図及び第3図ではV1ゲートにリファレンス
電位、V2ゲートに信号電位を印加する場合を示したが
、その逆の場合でもイメージヤ信号の極性を変えるのみ
で本発明は同様に議論される。またCCD遅延線はnチ
ャンネルの場合について述べだが、Pチャネルの場合も
ゲート、入力信号の電位の向きを逆にするのみで同様に
議論可能であることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (J))は従来のノイズ低減法を示す
回路ブロック図及び電圧変化図、第2図(a)、 (b
)は本発明による一実施のノイズ低減法を示す回路模式
図及びポテンシャlし図、第3図は第2図におけるタイ
ミンクを示す図である。 1:CCDイメージヤ信号出力部  2:遅延線入力部
  4:入力拡散部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 l 電荷結合装置の電荷注入部が入力拡散層領域と1獣
    送ゲート領域の間に2つのゲート領域を設けて構成され
    、前記2つのゲート領域のうち一方の第1ゲート領域に
    は固体撮像素子出力信号を印加し、前記入力拡散層には
    前記固体撮像素子出力信号のうち1素信号期間をサンプ
    リングするクロックを印加し、さらに前記2つのゲート
    領域のうち他方の第2ゲート領域には前記固体撮像素子
    出力信号のうち無信号期間をサンプリングした電位を印
    加することにより、出力信号として前記固体撮像素子の
    画素信号から画素間無信号が減算されて低周波ノイズが
    除去された信号を得ることを特徴とする電荷結合装置。 2、特許請求の範囲第1項記載の電荷結合装置において
    、第1ゲート領域は転送ゲート領域に隣接し、第2ゲー
    ト領域は入力拡散層領域に隣接することを特徴とする電
    荷結合装置。 3 特許請求の範囲第1項記載の電荷結合装置において
    、第1ゲート領域は入力拡散層領域に隣接し、第2ゲー
    ト領域は転送ゲート領域に隣接することを特徴とする電
    荷結合装置。
JP58069620A 1983-04-19 1983-04-19 電荷結合装置 Pending JPS59194576A (ja)

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JP58069620A JPS59194576A (ja) 1983-04-19 1983-04-19 電荷結合装置

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JPS59194576A true JPS59194576A (ja) 1984-11-05

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