JPS59193029A - 洗浄方法およびその装置 - Google Patents
洗浄方法およびその装置Info
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- JPS59193029A JPS59193029A JP58065454A JP6545483A JPS59193029A JP S59193029 A JPS59193029 A JP S59193029A JP 58065454 A JP58065454 A JP 58065454A JP 6545483 A JP6545483 A JP 6545483A JP S59193029 A JPS59193029 A JP S59193029A
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- Japan
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- cleaning
- brush
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- wafer
- cleaned
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/30—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
- B08B1/32—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members
- B08B1/34—Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members rotating about an axis parallel to the surface
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- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は洗浄技術、たとえば半導体装置製造における半
導体薄板(ウェハ)の洗浄に利用して有効な技術に関す
るものである。
導体薄板(ウェハ)の洗浄に利用して有効な技術に関す
るものである。
周知のように、半導体装置の製造においてホトエツチン
グ技術が多用されている。たとえば、半導体薄板(ウェ
ハ)の表面に部分的に不純物を拡散させたり、あるいは
配線パターンを形成する際にはホトエツチング技術が使
用されている。
グ技術が多用されている。たとえば、半導体薄板(ウェ
ハ)の表面に部分的に不純物を拡散させたり、あるいは
配線パターンを形成する際にはホトエツチング技術が使
用されている。
ところが、このようなホトエソチング工程でウェハ表面
に突起物があったりゴミが付着していたり、汚れていた
りするとホトレジストの接着性が悪くなったり(昭和5
3年5月25日発行の7オトエソチングと微細加工の6
1頁)、配線層形成時に配線間に短絡を生じたり、ある
いは断線を生じる。また、コンタクト方式のマスクアラ
イナで感光する場合には、突起物やゴミが大きい場合に
はマスクが破損する。
に突起物があったりゴミが付着していたり、汚れていた
りするとホトレジストの接着性が悪くなったり(昭和5
3年5月25日発行の7オトエソチングと微細加工の6
1頁)、配線層形成時に配線間に短絡を生じたり、ある
いは断線を生じる。また、コンタクト方式のマスクアラ
イナで感光する場合には、突起物やゴミが大きい場合に
はマスクが破損する。
そこで、従来から、ホトレジスト塗布前にはウェハの表
面を洗浄して(前記文献同頁)、ウェハな清浄化してホ
トレジスト塗布を行なっている。
面を洗浄して(前記文献同頁)、ウェハな清浄化してホ
トレジスト塗布を行なっている。
本出願人はこのウェハの洗浄技術として、回転させたウ
ェハ表面に洗浄液を吹き付けるとともに、回転するブラ
シでウェハ表面をこすり、ウエノ・表面の異物や他工程
で生じた突起物を除去する技術を開発している。
ェハ表面に洗浄液を吹き付けるとともに、回転するブラ
シでウェハ表面をこすり、ウエノ・表面の異物や他工程
で生じた突起物を除去する技術を開発している。
しかし、この技術ではウェハに対するブラシの接触圧は
ねじ調整によって固定式であることから。
ねじ調整によって固定式であることから。
ブラシが摩耗したり、変形した場合、ブラシの接触圧(
加圧力)が低下し洗浄効果が低下するという問題が生ず
ることが本発明者によってあきらかとされた。
加圧力)が低下し洗浄効果が低下するという問題が生ず
ることが本発明者によってあきらかとされた。
本発明の目的は被洗浄物を効果的に洗浄できる技術を提
供することにある。
供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明はブラシ洗浄中に被処理物に加わるブ
ラシの接触圧を自動的に計測し、かつ接触圧が設定圧と
なるようにブラシを自動的に制御することにより、摩耗
、変形等によってブラシの状態が変化しても常に接触圧
を一定とすることができることから効果的な洗浄が達成
できるものである。
ラシの接触圧を自動的に計測し、かつ接触圧が設定圧と
なるようにブラシを自動的に制御することにより、摩耗
、変形等によってブラシの状態が変化しても常に接触圧
を一定とすることができることから効果的な洗浄が達成
できるものである。
図面は本発明の一実施例による洗浄装置の要部を示す概
略図である。
略図である。
洗浄装置は被処理物であるウェハ(半導体薄板)1を支
持するステージ2を有している。このステージ2はモー
タ3の回転軸4の先端に取り付けられている。回転軸4
はパイプ状となっていてステージ2の中心に穿たれた真
空吸着孔5と連通している。また、回転軸4はモータ3
を貫通し、他端には真空ポンプ6に連結されるバイブ7
にコネクター8を介して接続されている。したがって、
真空ポンプ6の作動によりウェハ1はステージ2に真空
吸着保持される。
持するステージ2を有している。このステージ2はモー
タ3の回転軸4の先端に取り付けられている。回転軸4
はパイプ状となっていてステージ2の中心に穿たれた真
空吸着孔5と連通している。また、回転軸4はモータ3
を貫通し、他端には真空ポンプ6に連結されるバイブ7
にコネクター8を介して接続されている。したがって、
真空ポンプ6の作動によりウェハ1はステージ2に真空
吸着保持される。
一方、ステージ2の側方には垂設されたねじ棒9、この
ねじ棒9を正逆回転させるモータ10゜前記ねじ棒9に
螺合されるホルダ11.このホルダ11に中心部を回転
ピン12によって揺動可能に取り付けられた略水平方向
に延在するレバー13とによって駆動部14を構成して
いる。この駆動部14はモータ10の正転によってホル
ダ11が上昇し、モータ10の逆転によってホルダ11
が降下する。また、前記レバー13のステージ2上に臨
む一端にはモータ15によって回転するブラシ16が取
り付けられている。また、レバー13の他端には検出子
17が下方に向かうように固定されている。この検出子
17はその下方に配設された圧電素子18と対となって
接触圧検出部19を構成している。また、回転ピン12
とブラシ16との距離と、回転ピン12と検出子17と
の距離は同一長さとなっている。したがって、モータ1
0を所望量逆転させて駆動部14を降下させ、ブラシ1
6をステージ2上に真空吸着保持されたウェハ1の洗浄
面に接触させると、レバー13は中間部分を回転ピン1
2で回動自在に支持されているだけであることから、レ
バー13は検出子17が圧電素子IENC接触する迄右
回動して検出子17が圧電素子18に接触した時点で停
止する。なお、検出子17が圧電素子18に接触する高
さとステージ2上のウェハ1の上面高さはあらかじめ略
同じ高さとなるようにしておく。また、ブラシ16およ
び検出子17は回転ピン12かも等距離はあることから
、ブラシ16および検出子17がそれぞれウェハ1およ
び圧電素子18に接触してバランスがとれた状態では、
ブラシ16のウエノ・1に対する接触圧はそのまま検出
子17の圧電素子18への接触圧として現われる。そこ
で、この圧電素子18の検出情報によってブラシ16の
接融圧を求める。具体的には、検出情報は制御部20に
送り込まれる。
ねじ棒9を正逆回転させるモータ10゜前記ねじ棒9に
螺合されるホルダ11.このホルダ11に中心部を回転
ピン12によって揺動可能に取り付けられた略水平方向
に延在するレバー13とによって駆動部14を構成して
いる。この駆動部14はモータ10の正転によってホル
ダ11が上昇し、モータ10の逆転によってホルダ11
が降下する。また、前記レバー13のステージ2上に臨
む一端にはモータ15によって回転するブラシ16が取
り付けられている。また、レバー13の他端には検出子
17が下方に向かうように固定されている。この検出子
17はその下方に配設された圧電素子18と対となって
接触圧検出部19を構成している。また、回転ピン12
とブラシ16との距離と、回転ピン12と検出子17と
の距離は同一長さとなっている。したがって、モータ1
0を所望量逆転させて駆動部14を降下させ、ブラシ1
6をステージ2上に真空吸着保持されたウェハ1の洗浄
面に接触させると、レバー13は中間部分を回転ピン1
2で回動自在に支持されているだけであることから、レ
バー13は検出子17が圧電素子IENC接触する迄右
回動して検出子17が圧電素子18に接触した時点で停
止する。なお、検出子17が圧電素子18に接触する高
さとステージ2上のウェハ1の上面高さはあらかじめ略
同じ高さとなるようにしておく。また、ブラシ16およ
び検出子17は回転ピン12かも等距離はあることから
、ブラシ16および検出子17がそれぞれウェハ1およ
び圧電素子18に接触してバランスがとれた状態では、
ブラシ16のウエノ・1に対する接触圧はそのまま検出
子17の圧電素子18への接触圧として現われる。そこ
で、この圧電素子18の検出情報によってブラシ16の
接融圧を求める。具体的には、検出情報は制御部20に
送り込まれる。
他方、この制御部20はこの洗浄装置の各機構部分を制
御するとともに、演算系をも有していて。
御するとともに、演算系をも有していて。
制御部20の図示しないパネル部分の摘みによってブラ
シ16の接触圧を接定できるようになっている。したが
って、前記のように、圧電素子18の検出情報が制御部
20に送られてくると、演算系が動作して、接触圧が設
定圧となるように駆動部14のモータ10を制御する。
シ16の接触圧を接定できるようになっている。したが
って、前記のように、圧電素子18の検出情報が制御部
20に送られてくると、演算系が動作して、接触圧が設
定圧となるように駆動部14のモータ10を制御する。
この接触圧検出は常時性なわれ、常に接触圧が設定圧を
維持するようになる。
維持するようになる。
さらに、ステージ2上のウニ・・1には洗浄液供給機構
21によって洗浄液22が供給される。洗浄液供給機構
21は液槽23内の洗浄液22をポンプ24によって導
管25内を流れさせて、導管25の先端に連結されたノ
ズル26から洗浄液22をウエノ・1に吹き付は壬供給
するようになっている。また、洗浄液22はフィルター
27によって濾過されて洗浄となってウエノ・1に吹き
付けられる。また、ステージ2の周囲および下方は排水
管28を有するカバー29で被われ、洗浄時に飛散する
洗浄液22が装置周囲に飛散しないようになっている。
21によって洗浄液22が供給される。洗浄液供給機構
21は液槽23内の洗浄液22をポンプ24によって導
管25内を流れさせて、導管25の先端に連結されたノ
ズル26から洗浄液22をウエノ・1に吹き付は壬供給
するようになっている。また、洗浄液22はフィルター
27によって濾過されて洗浄となってウエノ・1に吹き
付けられる。また、ステージ2の周囲および下方は排水
管28を有するカバー29で被われ、洗浄時に飛散する
洗浄液22が装置周囲に飛散しないようになっている。
カバー29内の洗浄液22は排水管28かも所定部に排
水される。
水される。
このような洗浄装置は、ウエノ・1をステージ2に真空
吸着させて保持させた後、モータ3によってウェハ1を
回転させ、洗浄液22をウエノ・1に供給しながらブラ
シ16を回転させてウエノ・1の洗浄を行なう。
吸着させて保持させた後、モータ3によってウェハ1を
回転させ、洗浄液22をウエノ・1に供給しながらブラ
シ16を回転させてウエノ・1の洗浄を行なう。
一方、ブラシ16は駆動部14によって下降し。
ウェハ1に接触して洗浄作業を行なうが、このときのウ
ェハ1に対する接触圧(加圧力)は前述のように圧電素
子18によって計測されて、その情報は制御部20に送
られる。制御部20ではあらかじめ設定した設定圧に接
触圧がなるように駆動部14を制御する。この結果、所
定時間のブラッシング洗浄によってウエノ・1の洗浄面
の汚れ、突子等は除去される。そこで、駆動部14を動
作させてブラシ16をウエノ・1から離し、洗浄液22
の供給を停止させる。また、ステージ2は一定時間高速
回転に切り替えられてウエノ・1の乾燥(スピン乾燥)
を行ない停止し、真空吸着保持が解除されて1回の洗浄
が終了する。
ェハ1に対する接触圧(加圧力)は前述のように圧電素
子18によって計測されて、その情報は制御部20に送
られる。制御部20ではあらかじめ設定した設定圧に接
触圧がなるように駆動部14を制御する。この結果、所
定時間のブラッシング洗浄によってウエノ・1の洗浄面
の汚れ、突子等は除去される。そこで、駆動部14を動
作させてブラシ16をウエノ・1から離し、洗浄液22
の供給を停止させる。また、ステージ2は一定時間高速
回転に切り替えられてウエノ・1の乾燥(スピン乾燥)
を行ない停止し、真空吸着保持が解除されて1回の洗浄
が終了する。
(1)本発明の洗浄装置はウニ/・に対するブラシの接
触圧を検出しかつ常に接触圧が設定圧となるように制御
されながらブラシ洗浄が行なえることから、ブラシの変
形、摩耗等によってブラシ形状が変化しても、常に過不
足のない洗浄、換言すればウェハに付着している異物お
よび他工程で形成された不所望の突子な確実に除去しか
つ、ウエノ・の素地面、たとえばA2等の被膜面を傷付
けないで高精度で洗浄ができる。
触圧を検出しかつ常に接触圧が設定圧となるように制御
されながらブラシ洗浄が行なえることから、ブラシの変
形、摩耗等によってブラシ形状が変化しても、常に過不
足のない洗浄、換言すればウェハに付着している異物お
よび他工程で形成された不所望の突子な確実に除去しか
つ、ウエノ・の素地面、たとえばA2等の被膜面を傷付
けないで高精度で洗浄ができる。
(2)本発明の洗浄装置はウェハを常に接定圧で洗浄す
ることから、適切な洗浄が行なわれるため、短時間で洗
浄が終了する。
ることから、適切な洗浄が行なわれるため、短時間で洗
浄が終了する。
(3)本発明の洗浄装置は被処理物であるウニ・・に対
する洗浄時の接触圧を自由に設定でき、かつその設定圧
を維持しながら洗浄が行なえる。乙の結果、ウェハの洗
浄面を損傷させることはない。すなわち、ウェハ表面に
A−eのような比較的軟質な物質からなる被膜が存在す
るときは設定圧を低くし、硬質な物質のみの場合は設定
圧を高くすることによって、短時間に被処理物を傷める
ことなく洗浄でき、効果的な洗浄が達成できる。
する洗浄時の接触圧を自由に設定でき、かつその設定圧
を維持しながら洗浄が行なえる。乙の結果、ウェハの洗
浄面を損傷させることはない。すなわち、ウェハ表面に
A−eのような比較的軟質な物質からなる被膜が存在す
るときは設定圧を低くし、硬質な物質のみの場合は設定
圧を高くすることによって、短時間に被処理物を傷める
ことなく洗浄でき、効果的な洗浄が達成できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例妊もとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではな(、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、ブラシの回転駆動はレバーの一端部に設ける
ことなく、レバーの中間部にモータ等を配し、この回転
力をベルト、チェーン等の動力伝達機構を介してブラシ
に伝達するようにしても前記と同様の効果が得られる。
ことなく、レバーの中間部にモータ等を配し、この回転
力をベルト、チェーン等の動力伝達機構を介してブラシ
に伝達するようにしても前記と同様の効果が得られる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハ洗浄技術に適
用した場合について説明したが。
をその背景となった利用分野であるウェハ洗浄技術に適
用した場合について説明したが。
それに限定されるものではなく、たとえば、感光用マス
クプレートの表面洗浄をはじめ、他の工業分野のあらゆ
る物品の洗浄にも適用可能である。
クプレートの表面洗浄をはじめ、他の工業分野のあらゆ
る物品の洗浄にも適用可能である。
図面は本発明の一実施例による洗浄装置の概要を示す概
略図である。 1・・・被処理物(ウェハ)、2・・ステージ、3モー
タ、4 ・回転軸、5 真空吸着孔、6 ・真空ポンプ
、7 パイプ、8 ・コネクター、9・・ねじ棒、10
・モータ、11・・ホルダ、12 回転ピン、13・・
・レバー、14・・駆動部、15・・・モータ、16・
・ブラシ、17・・・検出子、18・・・圧電素子。 19・・・接触圧検出部、20・・制御部、21・・洗
浄液供給機構、22・・洗浄液、23・液槽、24ポン
プ、25・・導管、26 ノズル、27・・・フィルタ
ー、28 ・排水管、29・・カバー。
略図である。 1・・・被処理物(ウェハ)、2・・ステージ、3モー
タ、4 ・回転軸、5 真空吸着孔、6 ・真空ポンプ
、7 パイプ、8 ・コネクター、9・・ねじ棒、10
・モータ、11・・ホルダ、12 回転ピン、13・・
・レバー、14・・駆動部、15・・・モータ、16・
・ブラシ、17・・・検出子、18・・・圧電素子。 19・・・接触圧検出部、20・・制御部、21・・洗
浄液供給機構、22・・洗浄液、23・液槽、24ポン
プ、25・・導管、26 ノズル、27・・・フィルタ
ー、28 ・排水管、29・・カバー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被洗浄物をブラシで相対的にこすり被洗浄物を洗浄
する方法であって、前記ブラシの被洗浄物への接触圧を
検出しながら常に接触圧が設定圧となるようにブラシを
制御しながら洗浄を行なうことを特徴とする洗浄方法。 2、洗浄時被洗浄物に洗浄液を供給しながら洗浄を行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の洗浄方
法。 3、被洗浄物を保持するステージと、被洗浄物に洗浄液
を供給する洗浄液供給機構と、被洗浄物の洗浄面をこす
るブラシと、前記ブラシを被洗浄物の洗浄面に接近離反
させる駆動部と、前記被洗浄物に接触するブラシの接触
圧を検出する接触圧検出部と、この接触圧検出部の情報
に基いて設定圧となるように前記駆動部を制御する制御
部と、を有することを特徴とする洗浄装置。 4、前記ブラシは駆動部に中央で揺動可能に取り付けら
れたレバーの一端に回動自在に固定され、かつレバーの
他端には圧電素子に対面する検出子が固定され、さらに
、レバーの揺動中心からのブラシ取付位置および検出子
取付位置迄の距離は同じ寸法となっていることを特徴と
する特許請求の範囲第3項記載の洗浄装置。 5、前記ブラシは回動しかつステージも回転することを
特徴とする特許請求の範囲第3項記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58065454A JPS59193029A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 洗浄方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58065454A JPS59193029A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 洗浄方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59193029A true JPS59193029A (ja) | 1984-11-01 |
Family
ID=13287600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58065454A Pending JPS59193029A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 洗浄方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59193029A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4935981A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Cleaning apparatus having a contact buffer apparatus |
US5465447A (en) * | 1993-11-30 | 1995-11-14 | M. Setek Co., Ltd. | Apparatus for scrubbing substrate |
US5485644A (en) * | 1993-03-18 | 1996-01-23 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
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