JPS59191213A - 化合物複合超電導体の製造方法 - Google Patents
化合物複合超電導体の製造方法Info
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- JPS59191213A JPS59191213A JP58066801A JP6680183A JPS59191213A JP S59191213 A JPS59191213 A JP S59191213A JP 58066801 A JP58066801 A JP 58066801A JP 6680183 A JP6680183 A JP 6680183A JP S59191213 A JPS59191213 A JP S59191213A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化合物複合超電導体の製造方法に係り、詳しく
は拡散反応によってニオブ3スズ(Nb。
は拡散反応によってニオブ3スズ(Nb。
8n)超電導化合物を杉成する化合物複合超電導体の製
造方法の改良に関する。
造方法の改良に関する。
従来よりNb5Bn系複合超電導体の製造方法としてス
ス−銅合金と、ニオビウムもしくはニオビウム系合金な
どニオビウム系金属とを接触させた状態で断面縮少加工
した後、加熱処理を施してNbg 8nを生成させて複
合超電導体を製造するものが知られている。しかしなが
ら、この方法ではスズ−銅合金として銅濃度20a 1
%以下のスズ−銅合金をニオビウム管に挿入し細線化加
工を行なった場合には、スズ−銅合金とニオビウムとの
機械的性質上の差異が大きいためニオビウム管の径が不
均一化し易く、肉厚の薄い部分で破断するため細線化に
限度がある。一方鋼濃度が20〜93at%の場合には
、延性が劣るため細線化ができず、また銅濃度93at
%以上では延性もあり冷間加工が可能となるが、加工硬
化が大きいため中間熱処理を繰返し施す必要がある。
ス−銅合金と、ニオビウムもしくはニオビウム系合金な
どニオビウム系金属とを接触させた状態で断面縮少加工
した後、加熱処理を施してNbg 8nを生成させて複
合超電導体を製造するものが知られている。しかしなが
ら、この方法ではスズ−銅合金として銅濃度20a 1
%以下のスズ−銅合金をニオビウム管に挿入し細線化加
工を行なった場合には、スズ−銅合金とニオビウムとの
機械的性質上の差異が大きいためニオビウム管の径が不
均一化し易く、肉厚の薄い部分で破断するため細線化に
限度がある。一方鋼濃度が20〜93at%の場合には
、延性が劣るため細線化ができず、また銅濃度93at
%以上では延性もあり冷間加工が可能となるが、加工硬
化が大きいため中間熱処理を繰返し施す必要がある。
さらにスズ濃度25at%以上のスズ−鋼合金において
は、断面縮少加工後のNb、B11生成熱処理過程にお
いて、上記スズ−銅が液状となるためニオビウムと反応
して生成するNb、8nの厚さが不均一となったり、そ
の断面において島状にスズ−鋼合金中に存在したりして
長さ方向に不連続となりNb、Snの臨界電流密度が低
下するという欠点がある。
は、断面縮少加工後のNb、B11生成熱処理過程にお
いて、上記スズ−銅が液状となるためニオビウムと反応
して生成するNb、8nの厚さが不均一となったり、そ
の断面において島状にスズ−鋼合金中に存在したりして
長さ方向に不連続となりNb、Snの臨界電流密度が低
下するという欠点がある。
一方このような欠点を取り除き、複合超電導体の細線化
を施す方法として、次のような方法がある。すなわち、
スズを芯とし、銅系金属層およびニオビウム系金属層を
順次同心的に配置させ、且つニオビウム系金属層の外周
面に銅もしくはアルミニウムを接触させてなる複合体に
断面縮少加工を施す方法である。しかしながら多フイラ
メント構造とした複合超電導体に細線化加工を施した場
合、この方法ではフィラメントの損傷が多く、ニオビウ
ム管の破断や割れが生じる難点がある。
を施す方法として、次のような方法がある。すなわち、
スズを芯とし、銅系金属層およびニオビウム系金属層を
順次同心的に配置させ、且つニオビウム系金属層の外周
面に銅もしくはアルミニウムを接触させてなる複合体に
断面縮少加工を施す方法である。しかしながら多フイラ
メント構造とした複合超電導体に細線化加工を施した場
合、この方法ではフィラメントの損傷が多く、ニオビウ
ム管の破断や割れが生じる難点がある。
本発明は上記の欠点を解消することを目的としてなされ
たもので、スズを主成分とするガリウム濃度0.3wt
%以上のスズ−ガリウム合金を芯とし、銅系金属層およ
びニオビウム系金属層を順次同心的に配置させ、且つニ
オビウム系金属層の外周面に鋼もしくはアルミニウムを
接触させてなる複合体に断面縮少加工を施し、250
’C〜350℃の温度で熱処理を施した後、さらに55
0°C〜755℃の温度で熱処理を施す化合物複合超電
導体の製造方法に関する。この熱処理工程の処理温度は
まづ250℃〜350℃の温度でスズ−ガリウム合金と
銅系金属層の合金化を図ることを目的としているが、こ
の範囲に温度を限定した理由は、350℃を越えるとス
ズ−ガリウム合金が銅系金属層と反応する前に線材の両
端末から溶出し、Nb、Sn生成に寄与するスズが減少
して超電導特性を低下させるためであり、また250℃
未満では合金化に長時間かかり、特にスズ−ガリウム合
金が完全に固体状態である温度では、はとんど反応が進
まず、合金化の目的をはだすことができないためである
。この熱処理は約24時間行なわれる。次に550℃〜
755℃の温度で熱処理を施しNb5Snを生成させる
が、この範囲に温度を限定したのは、755℃を越える
と超電導特性が低下し、一方550℃未満ではNb38
nが生成されにくく、かつ超電導特性が低下するためで
あり、この熱処理は約100時間行なわれる。なおこれ
らの熱処理において、好ましい範囲は、それぞれ290
℃〜310℃および600℃〜750℃である。
たもので、スズを主成分とするガリウム濃度0.3wt
%以上のスズ−ガリウム合金を芯とし、銅系金属層およ
びニオビウム系金属層を順次同心的に配置させ、且つニ
オビウム系金属層の外周面に鋼もしくはアルミニウムを
接触させてなる複合体に断面縮少加工を施し、250
’C〜350℃の温度で熱処理を施した後、さらに55
0°C〜755℃の温度で熱処理を施す化合物複合超電
導体の製造方法に関する。この熱処理工程の処理温度は
まづ250℃〜350℃の温度でスズ−ガリウム合金と
銅系金属層の合金化を図ることを目的としているが、こ
の範囲に温度を限定した理由は、350℃を越えるとス
ズ−ガリウム合金が銅系金属層と反応する前に線材の両
端末から溶出し、Nb、Sn生成に寄与するスズが減少
して超電導特性を低下させるためであり、また250℃
未満では合金化に長時間かかり、特にスズ−ガリウム合
金が完全に固体状態である温度では、はとんど反応が進
まず、合金化の目的をはだすことができないためである
。この熱処理は約24時間行なわれる。次に550℃〜
755℃の温度で熱処理を施しNb5Snを生成させる
が、この範囲に温度を限定したのは、755℃を越える
と超電導特性が低下し、一方550℃未満ではNb38
nが生成されにくく、かつ超電導特性が低下するためで
あり、この熱処理は約100時間行なわれる。なおこれ
らの熱処理において、好ましい範囲は、それぞれ290
℃〜310℃および600℃〜750℃である。
さらにスズ−ガリウム合金中のガリウム濃度を0.3w
t%以上としたのは、0.3wt%未満ではり[張強さ
および伸びの値が低く細線化が困難となるためである。
t%以上としたのは、0.3wt%未満ではり[張強さ
および伸びの値が低く細線化が困難となるためである。
また伸線中の温度は結晶粒の粗大化を防ぐために100
℃以下に保つことが望ましい。
℃以下に保つことが望ましい。
本発明は、たとえば第1図に示すようにグオビウム管1
の内部に銅管2を嵌め込み、この銅管2の中にスズ−ガ
リウム合金3を充填した線体4の所定率@(数十乃至数
百本程度)を銅マトリックス5の中に埋め込んで複合体
となし、次いで押し出しあるいは引き抜き加工によって
所定寸法に断面縮少加工および細線化加工した後、熱処
理を施して第2図に示すようにNb38n化合物層6を
ニオビウム管1の内壁から生成させ、超電導体を製造す
る。尚、3′はスズ−ガリウム合金であり、第2図にお
いて第1図と同一部分は同符号で示した。本案のような
構造からなる複合超電導体では、0、3 w t%以上
のガリウムをスズに含有させることによって芯となる素
材の伸びおよび、引張強さが向上し、線材の断線やフィ
ラメントの破断およびニオビウム管の割れを防止し、複
合超電導体の細線化を図ることができる。次に記載する
実験例および実施例の中で従来の方法と比較して本発明
によるスズ−ガリウム合金の効果を示す。
の内部に銅管2を嵌め込み、この銅管2の中にスズ−ガ
リウム合金3を充填した線体4の所定率@(数十乃至数
百本程度)を銅マトリックス5の中に埋め込んで複合体
となし、次いで押し出しあるいは引き抜き加工によって
所定寸法に断面縮少加工および細線化加工した後、熱処
理を施して第2図に示すようにNb38n化合物層6を
ニオビウム管1の内壁から生成させ、超電導体を製造す
る。尚、3′はスズ−ガリウム合金であり、第2図にお
いて第1図と同一部分は同符号で示した。本案のような
構造からなる複合超電導体では、0、3 w t%以上
のガリウムをスズに含有させることによって芯となる素
材の伸びおよび、引張強さが向上し、線材の断線やフィ
ラメントの破断およびニオビウム管の割れを防止し、複
合超電導体の細線化を図ることができる。次に記載する
実験例および実施例の中で従来の方法と比較して本発明
によるスズ−ガリウム合金の効果を示す。
実施例
99.99%スズに0.22wt%、0.31wt%、
0、37 w t%、0.43wt%、0.63wt%
濃度となるようにガリウムを添加し、黒鉛ルツボで溶解
後、30能・φの黒鉛鋳型に鋳造した。その後150°
CX 3 h rの歪とり焼鈍を施し、2關φまでスウ
エージング加工して、引張試験用の試料に供した。同様
の方法によって99.99%スズの2瓢φ線材を作成し
、これを引張試験用の試料に供した。引張試験の結果を
第3図に示す。
0、37 w t%、0.43wt%、0.63wt%
濃度となるようにガリウムを添加し、黒鉛ルツボで溶解
後、30能・φの黒鉛鋳型に鋳造した。その後150°
CX 3 h rの歪とり焼鈍を施し、2關φまでスウ
エージング加工して、引張試験用の試料に供した。同様
の方法によって99.99%スズの2瓢φ線材を作成し
、これを引張試験用の試料に供した。引張試験の結果を
第3図に示す。
この結果から、スズ−0,22wt%ガリウム合金は純
スズに比較して伸び、引張強さは低いが、0.31%以
上のガリウムを含むスズ−ガリウム合金は伸びおよび引
張強さの少なくとも一方が増大し、特に引張強さはガリ
ウムの添加量の増加とともに増大することが明らかであ
る。
スズに比較して伸び、引張強さは低いが、0.31%以
上のガリウムを含むスズ−ガリウム合金は伸びおよび引
張強さの少なくとも一方が増大し、特に引張強さはガリ
ウムの添加量の増加とともに増大することが明らかであ
る。
実施例
外径81Isφ、内径5銘φのニオビウム管中に銅被覆
したスズ−Q、 31 w t%ガリウム合金を充填し
、さらにこのニオビウム管の外周に外径10.3■φ、
内径8.11111φの鋼管を被覆した後、断面六角形
に加工した線材(平行部間距離2.13m5)の258
本を、外径45ssφ、内径41Wφの鋼管中に収容し
た複合体と、この複合体のスズ−ガリウム合金の代わり
に99.99%スズを充填して形での22種類の試料に
ついて、フィラメントの破断およびニオビウム管の割れ
状況について調査した。結果を表に示す。
したスズ−Q、 31 w t%ガリウム合金を充填し
、さらにこのニオビウム管の外周に外径10.3■φ、
内径8.11111φの鋼管を被覆した後、断面六角形
に加工した線材(平行部間距離2.13m5)の258
本を、外径45ssφ、内径41Wφの鋼管中に収容し
た複合体と、この複合体のスズ−ガリウム合金の代わり
に99.99%スズを充填して形での22種類の試料に
ついて、フィラメントの破断およびニオビウム管の割れ
状況について調査した。結果を表に示す。
この結果かられかるように、99.99%スズを使用し
た従来の方法では、線径0.5 fiで2本のフィラメ
ントが破断し、0.395118以下からフィラメント
の破断が増加している。しかしながら本発明に係るスズ
−ガリウム合金を用いた方法では、lJ径0.395m
5までフィラメントは破断せず、しかも線径0.351
11m以下においてもフィラメントの破断本数は少く、
またニオビウム管の割れも生ぜず健全な極細線化が可能
である。
た従来の方法では、線径0.5 fiで2本のフィラメ
ントが破断し、0.395118以下からフィラメント
の破断が増加している。しかしながら本発明に係るスズ
−ガリウム合金を用いた方法では、lJ径0.395m
5までフィラメントは破断せず、しかも線径0.351
11m以下においてもフィラメントの破断本数は少く、
またニオビウム管の割れも生ぜず健全な極細線化が可能
である。
尚本発明に係る方法によって1.4簡φまで加工した後
、300℃で24時間、次いで700℃で100時間の
熱処理を施した線材の臨界電流値は7T(41K)で9
00Aであった。
、300℃で24時間、次いで700℃で100時間の
熱処理を施した線材の臨界電流値は7T(41K)で9
00Aであった。
以上述べたように、本発明の化合物複合超電導体の製造
方法によれば、フィラメントの断線を生じないで細線化
が可能であり、かつ多くの中間焼鈍も加工工程において
必要でなくなり、特に多フィラメントのNb3 Sn超
電導線の製造に適している。
方法によれば、フィラメントの断線を生じないで細線化
が可能であり、かつ多くの中間焼鈍も加工工程において
必要でなくなり、特に多フィラメントのNb3 Sn超
電導線の製造に適している。
第1図は本発明に係る、熱処理前の複合超電導体の一実
施例断面図、第2図はその熱処理後の断面図、第3図は
スズ−ガリウム合金の引張強さおよび伸びにおよぼすガ
リウム濃度の影響を示すグラフである。 i ’ −−−−−−−−−−ニオビウム管2 −−−
−−−−−一 銅管 3 −−−−−−−−− スズ−ガリウム合金5−−−
−−−−−− 銅マトリックス5−−−一−−−−−N
b3S n化合物層第1図 T 第2図 7 第3図 ガリウA遭攻 (wt Z )−一一す第1頁の続き 0発 明 者 柴田雄次 川崎市川崎区小田栄2丁目1 1号昭和電線電纜株式会社V
施例断面図、第2図はその熱処理後の断面図、第3図は
スズ−ガリウム合金の引張強さおよび伸びにおよぼすガ
リウム濃度の影響を示すグラフである。 i ’ −−−−−−−−−−ニオビウム管2 −−−
−−−−−一 銅管 3 −−−−−−−−− スズ−ガリウム合金5−−−
−−−−−− 銅マトリックス5−−−一−−−−−N
b3S n化合物層第1図 T 第2図 7 第3図 ガリウA遭攻 (wt Z )−一一す第1頁の続き 0発 明 者 柴田雄次 川崎市川崎区小田栄2丁目1 1号昭和電線電纜株式会社V
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、スズを主成分とするガリウム濃度0.3wt%以上
のスズ−ガリウム合金を芯とし、銅系金属層およびニオ
ビウム系金属層を順次同心的に配置させ、且つ前記ニオ
ビウム系金属層の外周面に銅もしくはアルミニウムを接
触させてなる複合体に断面縮少加工を施し、250℃〜
350℃の温度で熱処理を施した後、さらに550℃〜
755℃の温度で熱処理を施すことを特徴とする化合物
複合超電導体の製造方法。 2、複合体は多フイラメント構造を有する特許請求の範
囲第1項記載の化合物複合超電導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58066801A JPS59191213A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 化合物複合超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58066801A JPS59191213A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 化合物複合超電導体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59191213A true JPS59191213A (ja) | 1984-10-30 |
Family
ID=13326335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58066801A Pending JPS59191213A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 化合物複合超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59191213A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187250A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-05-02 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
US4752654A (en) * | 1985-10-30 | 1988-06-21 | Hitachi, Ltd. | Intermetallic compound-based, composite superconductor |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58066801A patent/JPS59191213A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6187250A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-05-02 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH0546624B2 (ja) * | 1984-09-12 | 1993-07-14 | Seiko Epson Corp | |
US4752654A (en) * | 1985-10-30 | 1988-06-21 | Hitachi, Ltd. | Intermetallic compound-based, composite superconductor |
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