JPS59189542A - 空間光変調管の製造方法 - Google Patents
空間光変調管の製造方法Info
- Publication number
- JPS59189542A JPS59189542A JP6276383A JP6276383A JPS59189542A JP S59189542 A JPS59189542 A JP S59189542A JP 6276383 A JP6276383 A JP 6276383A JP 6276383 A JP6276383 A JP 6276383A JP S59189542 A JPS59189542 A JP S59189542A
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- Japan
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- crystal
- spatial light
- light modulation
- modulation tube
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- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野の説明）
本発明は、真空容器中に形成した光電面と電気光学結晶
を配置し、光電面に形成された光像に対応して放出され
る光電子を前記結晶表面に蓄積し、前記結晶に前記蓄積
電荷に対応する屈折率の変化を生ぜしめ、その屈折率変
化をレーザで読み出す空間光変調管に関する。
を配置し、光電面に形成された光像に対応して放出され
る光電子を前記結晶表面に蓄積し、前記結晶に前記蓄積
電荷に対応する屈折率の変化を生ぜしめ、その屈折率変
化をレーザで読み出す空間光変調管に関する。
（従来技術の説明）
まず空間光変調管の基本的な動作と、製造方法を簡単に
説明して、問題に言及する。
説明して、問題に言及する。
第１図は空間光変調管を示ず概略図である。空間光変調
管のガラス容器３の内面の光電面４にインコヒーレント
光で照明された入カバターン１からの像がレンズ２を介
して入射させられる。光電面４は入射像に対応した光電
子を放出する。その光電子は集束レンズ系５を介してマ
イクロチャンネルプレート６に入射させられ、数千倍に
増倍される。前記増倍された電子は、１．１Ｎｂｃｌ＋
などの電気光学結晶８の表面に蓄積され、結晶８の屈折
率を電荷像に対応して変化させる。レーザ光源１０から
のレーザ光をハーフミラ−９を介して結晶８に照射する
と、レーザ光の像１１ （コヒーシン１−像）か得られ
る。このレーザ光の像１１ばコヒーレント並列光演算を
行うことができる。
管のガラス容器３の内面の光電面４にインコヒーレント
光で照明された入カバターン１からの像がレンズ２を介
して入射させられる。光電面４は入射像に対応した光電
子を放出する。その光電子は集束レンズ系５を介してマ
イクロチャンネルプレート６に入射させられ、数千倍に
増倍される。前記増倍された電子は、１．１Ｎｂｃｌ＋
などの電気光学結晶８の表面に蓄積され、結晶８の屈折
率を電荷像に対応して変化させる。レーザ光源１０から
のレーザ光をハーフミラ−９を介して結晶８に照射する
と、レーザ光の像１１ （コヒーシン１−像）か得られ
る。このレーザ光の像１１ばコヒーレント並列光演算を
行うことができる。
なお図中７は２次電子捕築電極である。
前述のような空間光変調管を作る時は通常ガラス容器３
中に電極５，６．７．８等を糾み込んだ後に光電面４を
作成する。このとき、容器を１０−７１・−ル程度の高
真空にすると共に３５０℃位の高温に加熱して、容器中
の不要なガスを追い出す必要がある。
中に電極５，６．７．８等を糾み込んだ後に光電面４を
作成する。このとき、容器を１０−７１・−ル程度の高
真空にすると共に３５０℃位の高温に加熱して、容器中
の不要なガスを追い出す必要がある。
前記ガス抜きの工程は不可欠であるが、この工程により
前記結晶８の特性が損なわれる膚がある。
前記結晶８の特性が損なわれる膚がある。
前記工程を経た結晶８の表面抵抗を測定したところ、抵
抗が低下し、電荷蓄積面の蓄積特性か劣化させられてい
ることを見い出した。これは、結晶８の表面が高真空・
高温下に置かれるので、■、１Ｎｂ０３結晶８の表面が
らｏ２またばＬ１２０が抜げ、結晶欠陥が律したためで
あろうと考えられる。
抗が低下し、電荷蓄積面の蓄積特性か劣化させられてい
ることを見い出した。これは、結晶８の表面が高真空・
高温下に置かれるので、■、１Ｎｂ０３結晶８の表面が
らｏ２またばＬ１２０が抜げ、結晶欠陥が律したためで
あろうと考えられる。
（発明の詳細な説明）
本発明の目的は前述した問題を解決し、より良い像蓄積
特性が得られる空間光変調管を提供することにある。
特性が得られる空間光変調管を提供することにある。
（発明の構成２作用の説明）
前記目的を達成するために、本発明による空間光変調管
は、直空容器中に形成された光電面と、この光電面から
放出された光電子を蓄積し、光学的変化を生ずる酸化物
の電気光学結晶から成る空間光変調管において、前記電
気光学結晶の電荷蓄積面を高真空、高温で安定な誘電性
物質で被覆して＋１４成されている。
は、直空容器中に形成された光電面と、この光電面から
放出された光電子を蓄積し、光学的変化を生ずる酸化物
の電気光学結晶から成る空間光変調管において、前記電
気光学結晶の電荷蓄積面を高真空、高温で安定な誘電性
物質で被覆して＋１４成されている。
前記構成によれば、前記目的は完全ムこ達成できる。
（実施例の説明）
本発明による空間光変調管の実施例装置の基本的構成お
よび動作は、先に第１図に関連して説明したところと異
ならない。
よび動作は、先に第１図に関連して説明したところと異
ならない。
本発明では前記光学結晶８の表面を保護するために結晶
８の表面に高真空、高温で安定な誘電体層を形成した。
８の表面に高真空、高温で安定な誘電体層を形成した。
第２図は光学結晶８の実施例を示す拡大断面図である。
図において８ａ５は、ＬｉＮｂＯ３光学結晶８の読め出
し側に形成された透明導電層であって、８ｂが以下述べ
る工程で形成される誘電体層である。
し側に形成された透明導電層であって、８ｂが以下述べ
る工程で形成される誘電体層である。
前記誘電体ＪＷ８ｂのコーティングはＡ’ｒ＋０２（１
０％）雰囲気中で高周波スパッタ法により４つの光学結
晶８の前面にＳ ｉ０２ 、ＣｅＯ２。
０％）雰囲気中で高周波スパッタ法により４つの光学結
晶８の前面にＳ ｉ０２ 、ＣｅＯ２。
ＺｒＯ２，Ａｌ１０３をそれぞれ２０００人程度定形成
した。そしてそれぞれの性能を比較するためにこのそれ
ぞれの表面および全く蒸着を行わない従来の結晶の表面
に１０ｍｍ程度の間隔をおいて電極を形成し、ｌ ０−
７１−−ルの高真空中で加熱して前記電極間の抵抗の変
化を測定した。その結果を第１表に示す。
した。そしてそれぞれの性能を比較するためにこのそれ
ぞれの表面および全く蒸着を行わない従来の結晶の表面
に１０ｍｍ程度の間隔をおいて電極を形成し、ｌ ０−
７１−−ルの高真空中で加熱して前記電極間の抵抗の変
化を測定した。その結果を第１表に示す。
第１表（単位Ω）
ｎ
この比較実験から明らかなように、ＬｉＮｂＯ３のまま
用いる従来の光学結晶よりもＳｉＣ２゜Ｃｅ ０２ 、
Ｚ ｒ ０２ 、 Ａ Ｉ２０３をコーティング
した結晶の方が表面抵抗の劣化が少ない。
用いる従来の光学結晶よりもＳｉＣ２゜Ｃｅ ０２ 、
Ｚ ｒ ０２ 、 Ａ Ｉ２０３をコーティング
した結晶の方が表面抵抗の劣化が少ない。
以上の実験の結果を利用して、実施例では、ＬｉＮｂＯ
３単結晶板片面にＡｒ＋０２ （１０％）の雰囲気中で
高周波スパック法で、ＳｉＯ２膜を２０００人の厚さに
形成して、８ｂ層を形成した。続いて、結晶のもう１つ
の面には、Ｉ ｎ（１−ｘ）Ｓ ｎ ｘ ０３をＡｒ雰
囲気中で同様に蒸着して、透明電極８ａを形成した。こ
の結晶８を用いて第１図のような空間光変調管を作成し
て実際に動作させた。
３単結晶板片面にＡｒ＋０２ （１０％）の雰囲気中で
高周波スパック法で、ＳｉＯ２膜を２０００人の厚さに
形成して、８ｂ層を形成した。続いて、結晶のもう１つ
の面には、Ｉ ｎ（１−ｘ）Ｓ ｎ ｘ ０３をＡｒ雰
囲気中で同様に蒸着して、透明電極８ａを形成した。こ
の結晶８を用いて第１図のような空間光変調管を作成し
て実際に動作させた。
その結果電荷像を数１０時間以上蓄積することができた
。
。
なお、本発明は第１図に示す光電面を用いない場合、例
えばマイクロチャンネルプレートが紫外光に感度を持つ
ことを利用して、マイクロチャンネルプレートと電気光
学結晶だけの、空間光変調管にも適用できる。この形式
の空間光変調管でもマイクロチャンネルプレートのガス
抜き時に結晶８ば高真空・高温下に置かれるからである
。
えばマイクロチャンネルプレートが紫外光に感度を持つ
ことを利用して、マイクロチャンネルプレートと電気光
学結晶だけの、空間光変調管にも適用できる。この形式
の空間光変調管でもマイクロチャンネルプレートのガス
抜き時に結晶８ば高真空・高温下に置かれるからである
。
その意味でマイクロチャンネルプレートは、本発明にお
いて、光電面の一種であると理解されるべきである。
いて、光電面の一種であると理解されるべきである。
また、低屈折率物質（Ｓｉ０２）と高屈折率物質（Ｃ’
ｅ ０２ ）を交互にλ／（４−１１）（λば読み出し
レーザ光の波長、ｎは物質の屈折率）の厚さに１０層程
度コーティングすることにより、読み出し光を反射する
ミラーとして働かせることも可能である。
ｅ ０２ ）を交互にλ／（４−１１）（λば読み出し
レーザ光の波長、ｎは物質の屈折率）の厚さに１０層程
度コーティングすることにより、読み出し光を反射する
ミラーとして働かせることも可能である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明による空間光変調管では、電
気光学結晶の表面に前述の誘電体層を形成し表面抵抗の
劣化を防止するように構成されている。
気光学結晶の表面に前述の誘電体層を形成し表面抵抗の
劣化を防止するように構成されている。
したがって従来の空間光変調管に比較して、より長時間
の電荷像の蓄積ができる。したがって、本発明による空
間光変調管には、結晶表面での画像演算（加減、論理演
算）が可能となり、新しい分野でのより広い応用が期待
できる。
の電荷像の蓄積ができる。したがって、本発明による空
間光変調管には、結晶表面での画像演算（加減、論理演
算）が可能となり、新しい分野でのより広い応用が期待
できる。
第１図は空間光変調管の基本的構成を示す略図である。
第２図は本発明による空間光変調管で使用する電気光学
結晶の部分拡大断面図である。 １・・・入カバターン ２・・・レンズ３・・・ガ
ラス容器 ４・・・光電面５・・・集束（電子）
レンズ系 ６・・・マイクロチャンネルプレート ７・・・２次電子捕集電極 ８・・・電気光学結晶 ８ａ・・・透明電極 ８ｂ・・・誘電体層１１・
・・レーザ光の１象 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽
結晶の部分拡大断面図である。 １・・・入カバターン ２・・・レンズ３・・・ガ
ラス容器 ４・・・光電面５・・・集束（電子）
レンズ系 ６・・・マイクロチャンネルプレート ７・・・２次電子捕集電極 ８・・・電気光学結晶 ８ａ・・・透明電極 ８ｂ・・・誘電体層１１・
・・レーザ光の１象 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽
Claims (6)
- （１）真空容器中に形成された光電面と、光電面から放
出された光電子を蓄積し、光学的変化を生ずる酸化物の
電気光学結晶から成る空間光変調管において、前記電気
光学結晶電荷Ｎ積面を高真空。 高温で安定な誘電体物質で被覆したことを特徴とする空
間光変調管。 - （２）前記電気光学結晶はＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３である
特許請求の範囲第１項記載の空間光変調管。 - （３）前記物質はＳ ｉ Ｏ２である特許請求の範囲第
１項または第２項記載の空間光変調管。 - （４）前記物質はＣｅＯ２である特許請求の範囲第１項
または第２項記載の空間光変調管。 - （５）前記物質はＺｒＯ２である特許請求の範囲第１項
または第２項記載の空間光変調管。 - （６）前記物質はＡｌ、０３である特許請求の範囲第１
項記載または第２項記載の空間光変調管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6276383A JPS59189542A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 空間光変調管の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6276383A JPS59189542A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 空間光変調管の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59189542A true JPS59189542A (ja) | 1984-10-27 |
| JPH0452444B2 JPH0452444B2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=13209748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6276383A Granted JPS59189542A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 空間光変調管の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59189542A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243045A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 書込み装置をもつ空間光変調管 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140746A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Corp | Optical element for surface destruction-proof |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP6276383A patent/JPS59189542A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51140746A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Corp | Optical element for surface destruction-proof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243045A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 書込み装置をもつ空間光変調管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452444B2 (ja) | 1992-08-21 |
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