JPS59188979A - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPS59188979A JPS59188979A JP58062162A JP6216283A JPS59188979A JP S59188979 A JPS59188979 A JP S59188979A JP 58062162 A JP58062162 A JP 58062162A JP 6216283 A JP6216283 A JP 6216283A JP S59188979 A JPS59188979 A JP S59188979A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は元電変換効憲の高い太陽電池に関する。
太陽電池素子においては、ＳｉあるいはＧａＡｓ表面で
の太陽光の反射を防止するために、基板の受光面に金属
酸化膜をもうける方法がとられる。
の太陽光の反射を防止するために、基板の受光面に金属
酸化膜をもうける方法がとられる。
従来、この金属酸化膜として酸化チタンらるいは酸化チ
タンで酸化ケイ素の混合物の膜が用いられていたが、こ
れらの膜を用いた場合には反射防止の効果が十分に得ら
れなかつ念。すなわち、金属酸化膜を形成すると理論的
には４０％以上の電流増加が期待されるのに対し、上記
した金属酸化膜セは３５％程の電流増ガロしか得らｆｌ
なかった。
タンで酸化ケイ素の混合物の膜が用いられていたが、こ
れらの膜を用いた場合には反射防止の効果が十分に得ら
れなかつ念。すなわち、金属酸化膜を形成すると理論的
には４０％以上の電流増加が期待されるのに対し、上記
した金属酸化膜セは３５％程の電流増ガロしか得らｆｌ
なかった。
本発明の目的は、電流増加が４０％以上となるような金
属酸化膜を形成した太陽電池素子を提供するにある。
属酸化膜を形成した太陽電池素子を提供するにある。
上記目的を達成するために、本発明は金属酸化膜として
酸化チタンと酸化スズの混合物を用いたことを特徴とす
る。本発明の材料の金属酸化膜を形成することにより太
陽電池の光起電流を、金属酸化膜のない場合に比べ４０
〜５０Ｘ増加させることができることを見い出した。
酸化チタンと酸化スズの混合物を用いたことを特徴とす
る。本発明の材料の金属酸化膜を形成することにより太
陽電池の光起電流を、金属酸化膜のない場合に比べ４０
〜５０Ｘ増加させることができることを見い出した。
本発明の酸化チタンと酸化スズの混合物からなる膜を形
成する方法としては、イ）スパッタ法、（ロ）蒸着法、
（ハ）金属錯体の塗布−焼成法、などが挙けられる。こ
のうち、ビ１の方法が最も低コスト、高速に金属酸化膜
を形成できる方法である。
成する方法としては、イ）スパッタ法、（ロ）蒸着法、
（ハ）金属錯体の塗布−焼成法、などが挙けられる。こ
のうち、ビ１の方法が最も低コスト、高速に金属酸化膜
を形成できる方法である。
酸化チタンと酸化スズの混合比は、酸化スズが総重量に
対して１０〜８０ｗｔ％のときに最も大きな電流増加が
得られる。
対して１０〜８０ｗｔ％のときに最も大きな電流増加が
得られる。
〔発明の実施例〕−
次に本発明を実施例により説明する。
実施例１
ＰＮ接合を形成したシリコン基板３（この場合は直径３
インチの単結晶シリコン）の受光面にスパッタリング法
により酸化チタンと酸化スズの混合膜を形成した。酸化
スズの重量％は２５’ｗ ｔ％であった。膜の屈折率は
２．１Ｂ、膜厚は６３０Ａでをった。次に、第１図に示
すように電極形成部の上記混合膜をエツチングにより除
去し、その部分にバスバー電極１、フィンガー電極２を
蒸着法により形成した。裏面には全面に電極を蒸着法で
形成した。この太陽電池素子のＩ−Ｖ特性を第２図の４
に示す。また、金属酸化膜を形成していない太陽電池の
Ｉ−Ｖ％□性を同じく第２図の５に示す。
インチの単結晶シリコン）の受光面にスパッタリング法
により酸化チタンと酸化スズの混合膜を形成した。酸化
スズの重量％は２５’ｗ ｔ％であった。膜の屈折率は
２．１Ｂ、膜厚は６３０Ａでをった。次に、第１図に示
すように電極形成部の上記混合膜をエツチングにより除
去し、その部分にバスバー電極１、フィンガー電極２を
蒸着法により形成した。裏面には全面に電極を蒸着法で
形成した。この太陽電池素子のＩ−Ｖ特性を第２図の４
に示す。また、金属酸化膜を形成していない太陽電池の
Ｉ−Ｖ％□性を同じく第２図の５に示す。
本発明の太陽電池素子は、金属酸化膜を形成しない場合
に比べ電流が４６％増力口した。
に比べ電流が４６％増力口した。
実施例２
ＰＮ接合を形成した５０藺角の多結晶シリコンの受光面
にＦＢ蒸着法により酸化チタンと酸化スズの混合膜を形
成し友。酸化スズの重量％は３５ｗｔ％であった。膜の
屈折率は２．１５ 、膜厚は６４０入であった。次に実
施例１と同様にして電極を形成しｆｃｏ この太陽電池
の短絡電流は［１７５Ａであった。金總酸化膜を形成し
ない場合（０，５１Ａ）に比べ４７％電流が増加した。
にＦＢ蒸着法により酸化チタンと酸化スズの混合膜を形
成し友。酸化スズの重量％は３５ｗｔ％であった。膜の
屈折率は２．１５ 、膜厚は６４０入であった。次に実
施例１と同様にして電極を形成しｆｃｏ この太陽電池
の短絡電流は［１７５Ａであった。金總酸化膜を形成し
ない場合（０，５１Ａ）に比べ４７％電流が増加した。
実施例６
Ｔｉ（ＯＣｇＨ７）２（ＣＨ３ＣＯＣＨＣＯＣＨ３）２
（１６４，ｐ＋１０ｍｍＱ”） ＋Ｃ４Ｈ９５ｎ（ＯＨ
ＸＣＨｓＣＯＣＨＣＯＣＨ３）２（１，９６，９＋ ５
ｍｍｏｊｌりと全エチルセロツルブ（１５１に溶解した
溶液を調製した。この醪液全ＰＮ接合を形成した３イン
チ中の単結晶シリコンの受光面に２５０Ｏｒｐｍの回転
数で回転塗布した。次にこれを６００℃で３０分間焼成
することにより酸化チタンと酸化スズの混合膜を形成し
た。膜の屈折率は２．０２．膜厚は６８０λであった。
（１６４，ｐ＋１０ｍｍＱ”） ＋Ｃ４Ｈ９５ｎ（ＯＨ
ＸＣＨｓＣＯＣＨＣＯＣＨ３）２（１，９６，９＋ ５
ｍｍｏｊｌりと全エチルセロツルブ（１５１に溶解した
溶液を調製した。この醪液全ＰＮ接合を形成した３イン
チ中の単結晶シリコンの受光面に２５０Ｏｒｐｍの回転
数で回転塗布した。次にこれを６００℃で３０分間焼成
することにより酸化チタンと酸化スズの混合膜を形成し
た。膜の屈折率は２．０２．膜厚は６８０λであった。
次に実施例１と同様にして電極を形成した。この太陽電
池の短絡電流は１．４４ Ａ−ｃあった。金属酸化膜を
形成しない場合（０，９８Ａ）に比べ４７％電流が増加
しｆｃ６ 実施例４ ＴＪＬ（ｏｃｓＨ７）２（ｃｕ３ｃｏｃＨｃｏｃｕｇ）
２．Ｃ４Ｈ９５ｎ（ＤＨ）（ＣＨ５ＣＯＣＨＣＯＣＨ３
）ｚ 、 およびエチルセロソルブを用いてｓ Ｔ
ｉ化合物とＳｎ化合物の混合比の異なる種々の溶液を調
製し、これらの溶液を用いて実施例３と同様にして、Ｐ
Ｎ接合を形成した３インチφの単結晶シリコンの受光面
に酸化スズの１量比の異なる種々の金属酸化膜を形成し
た。形成した膜の屈折率は２．０〜２．１、膜厚は６５
５〜６９０入であった。次に実施例１と同様にして電極
を形成した。これらの太陽電池の短絡電流を第３図に示
す。
池の短絡電流は１．４４ Ａ−ｃあった。金属酸化膜を
形成しない場合（０，９８Ａ）に比べ４７％電流が増加
しｆｃ６ 実施例４ ＴＪＬ（ｏｃｓＨ７）２（ｃｕ３ｃｏｃＨｃｏｃｕｇ）
２．Ｃ４Ｈ９５ｎ（ＤＨ）（ＣＨ５ＣＯＣＨＣＯＣＨ３
）ｚ 、 およびエチルセロソルブを用いてｓ Ｔ
ｉ化合物とＳｎ化合物の混合比の異なる種々の溶液を調
製し、これらの溶液を用いて実施例３と同様にして、Ｐ
Ｎ接合を形成した３インチφの単結晶シリコンの受光面
に酸化スズの１量比の異なる種々の金属酸化膜を形成し
た。形成した膜の屈折率は２．０〜２．１、膜厚は６５
５〜６９０入であった。次に実施例１と同様にして電極
を形成した。これらの太陽電池の短絡電流を第３図に示
す。
酸化チタンと酸化スズとの混合膜とすることにより電流
が大きくなることが第３図かられかる。また、酸化スズ
の１量比が１０〜８０ｘｔ％の場合に大きな電流が得ら
れた。
が大きくなることが第３図かられかる。また、酸化スズ
の１量比が１０〜８０ｘｔ％の場合に大きな電流が得ら
れた。
以上述べた如く、本発明の太陽電池は従来の太陽電池よ
りも大きな電流が得られ、従って動車が高いという特徴
がわり、工業的意義が大きい。
りも大きな電流が得られ、従って動車が高いという特徴
がわり、工業的意義が大きい。
第１図は受光面電極パターンを示す図、第２図は実施例
１の太陽電池素子のニーＶ特性を示す図、第３図は酸化
スズの重量２と短絡電流の関係を示す図である。 １：バスパー電極、２：フィンガー電極、３：ＰＮ接合
形成シリコン基板。 オ ノ 図 ３ 第２図 牙 ３ 圀 −」匡仄−（ｖＶＬ％） 丙シ化手フン令酸イしスズ。 第１頁の続き ０発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 松熊邦浩 日立市幸町三丁目１番１号株式 ％式％ 立原町電子工業株式会社内 ０発 明 者 鈴木悟 日立市弁天町三丁目１０番２号日 立原町電子工業株式会社内
１の太陽電池素子のニーＶ特性を示す図、第３図は酸化
スズの重量２と短絡電流の関係を示す図である。 １：バスパー電極、２：フィンガー電極、３：ＰＮ接合
形成シリコン基板。 オ ノ 図 ３ 第２図 牙 ３ 圀 −」匡仄−（ｖＶＬ％） 丙シ化手フン令酸イしスズ。 第１頁の続き ０発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 松熊邦浩 日立市幸町三丁目１番１号株式 ％式％ 立原町電子工業株式会社内 ０発 明 者 鈴木悟 日立市弁天町三丁目１０番２号日 立原町電子工業株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、太陽電池の受光面に金属酸化膜を施けた太陽電池素
子において、金属酸化膜が酸化チタンと酸化スズの混合
した酸化膜であることを特徴とする太陽電池素子。 Ｚ 酸化スズのＮ量％が１０〜８０％であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062162A JPS59188979A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062162A JPS59188979A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188979A true JPS59188979A (ja) | 1984-10-26 |
| JPH0512871B2 JPH0512871B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=13192140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58062162A Granted JPS59188979A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188979A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005104760A (ja) * | 2002-09-30 | 2005-04-21 | Showa Denko Kk | 酸化チタンを含む金属酸化物構造体及びその製造方法ならびにその用途 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185389A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5583272A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nec Corp | Solar battery unit and method of manufacturing the same |
| JPS583292A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP58062162A patent/JPS59188979A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185389A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5583272A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nec Corp | Solar battery unit and method of manufacturing the same |
| JPS583292A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005104760A (ja) * | 2002-09-30 | 2005-04-21 | Showa Denko Kk | 酸化チタンを含む金属酸化物構造体及びその製造方法ならびにその用途 |
| JP4672973B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2011-04-20 | 昭和電工株式会社 | 酸化チタンを含む金属酸化物構造体及びその製造方法ならびにその用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0512871B2 (ja) | 1993-02-19 |
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