CN109888057A - 晶硅perc太阳电池双面钝化方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法，涉及太阳能电池制造领域，该晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀抛光和氧化工艺，其特征在于，该方法包括：钝化时，于该晶体硅片的双面镀AlOX薄膜，AlOX薄膜对该晶体硅片进行表面钝化，再于该AlOX薄膜上镀SiOX薄膜。其中，该AlOX厚度范围为2‑10nm，SiOX薄膜厚度为2‑5nm，本发明提高了氧化铝钝化效果，钝化效果好、晶体硅太阳电池开路电压高，同时有效提高了太阳能光伏电池片的光电转换效率。

Description

晶硅PERC太阳电池双面钝化方法
技术领域
本发明涉及晶硅太阳能光伏技术领域，尤其涉及PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法。
背景技术
太阳能电池主要是以半导体材料为基础，其工作原理是利用光电材料吸收 光能后发生光电转换反应，给予一定照度的光照即可输出电压，在有回路的情况下产生电流；根据所用材料的不同，太阳能电池可分为：硅太阳能电池、以无机盐如砷化镓III-V化合物、硫化镉、铜铟硒等多元化合物为材料的电池、功能高分子材料制备的太阳能电池以及纳米晶太阳能电池等。
近年来，PERC电池片双面镀氧化铝纳米钝化膜广泛应用于晶硅太阳能光伏行业，其主要目的是对晶体硅片表面进行钝化作用，而且背面氧化铝对晶硅有正向场钝化反应，一方面降低表面复合速率，一方面提高有效少子数量。一般的钝化方法为晶体硅片经过制绒，扩散，刻蚀抛光，氧化后进行电池片背面或者双面氧化铝镀膜再进行正背面氮化硅镀膜处理。但是，由于纳米级氧化铝化学性质比较活跃，且对水分具有吸潮作用，容易导致氧化铝钝化效果不佳，晶体硅太阳电池开路电压降低等弊端，进而导致太阳能光伏电池片的光电转换效率大大降低。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种保护电池片上的氧化铝镀膜的双面钝化方法。
本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是：一种PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法，适用于晶体硅片，该晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀抛光和氧化工艺，其特征在于，该方法包括：钝化时，于该晶体硅片的双面镀AlOX薄膜，AlOX薄膜对该晶体硅片进行表面钝化，再于该AlOX薄膜上镀SiOX薄膜。
特别地，该AlOX薄膜的厚度范围为2-10nm。
特别地，该SiOX薄膜的厚度范围为2-5nm。
相较于现有技术，本发明的PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法，在氧化铝外面镀上纳米级氧化硅，对氧化铝起到很好的保护作用，并且纳米级氧化硅具有量子隧穿效应，从而提高了氧化铝钝化效果，避免了纳米级氧化铝化学性质比较活跃，且对水分具有吸潮作用而带来的钝化效果差、晶体硅太阳电池开路电压低等弊端，有效提高了太阳能光伏电池片的光电转换效率。
附图说明
图1是本发明PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法的产品示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
请参阅图1，为本发明PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法的产品示意图，如图所示，该晶体硅片1经过制绒、扩散、刻蚀抛光和氧化工艺之后，钝化时，于该晶体硅片的双面镀AlOX薄膜2，该AlOX薄膜2对该晶体硅片1进行表面钝化，再于该AlOX薄膜2上镀SiOX薄膜3，于本实施例中，该晶体硅片1包括P型半导体11和N型半导体12，钝化时，于该P型半导体11上依次镀上AlOX薄膜2、SiOX薄膜3以及SiNX薄膜4，同时于该N型半导体12上依次镀上SiOX薄膜3、AlOX薄膜2、以及SiNX薄膜4，其中，该AlOX薄膜2的厚度范围为2-10nm，该SiOX薄膜3的厚度范围为2-5nm，其余步骤与常规晶硅PERC太阳电池流程一样，即可实现PERC晶硅太阳能电池片的双面钝化，提高氧化铝钝化效果和晶体硅太阳电池开路电压，进而提高电池片光电转换效率。
本领域的技术人员应理解，上述描述的本发明的实施例以及附图只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (3)

1.一种PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法，适用于晶体硅片，该晶体硅片经过制绒、扩散、刻蚀抛光和氧化工艺，其特征在于，该方法包括：钝化时，于该晶体硅片的双面镀AlOX薄膜，AlOX薄膜对该晶体硅片进行表面钝化，再于该AlOX薄膜上镀SiOX薄膜。
2.根据权利要求1所述的PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法，其特征在于，该AlOX薄膜的厚度范围为2-10nm。
3.根据权利要求1所述的PERC晶硅太阳能电池片双面钝化方法，其特征在于，该SiOX薄膜的厚度范围为2-5nm。
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