CN215911434U - 一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 - Google Patents
一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN215911434U CN215911434U CN202122042725.5U CN202122042725U CN215911434U CN 215911434 U CN215911434 U CN 215911434U CN 202122042725 U CN202122042725 U CN 202122042725U CN 215911434 U CN215911434 U CN 215911434U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- monocrystalline silicon
- silicon piece
- photoelectric conversion
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，包括硅片主体，所述硅片主体的上表面设置有主栅线和副栅线，所述主栅线和副栅线的顶部设置有耐腐层，所述耐腐层的顶部设置有耐磨层，所述硅片主体包括N型单晶硅片和P型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的顶部设置有单晶硅绒面层。本实用新型通过聚光层、增透层、镓晶体硅层和单晶硅绒面层的作用，使得本单晶硅片具备光电转换效率高的优点，解决了现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片技术领域，具体为一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片。
背景技术
单晶硅片就是硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上，用于制造半导体器件、太阳能电池等，但现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率，为此，我们提出一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，具备光电转换效率高的优点，解决了现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，包括硅片主体，所述硅片主体的上表面设置有主栅线和副栅线，所述主栅线和副栅线的顶部设置有耐腐层，所述耐腐层的顶部设置有耐磨层，所述硅片主体包括N型单晶硅片和P型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有镓晶体硅层，所述镓晶体硅层的顶部设置有单晶硅绒面层，所述单晶硅绒面层的顶部设置有增透层，所述增透层的顶部设置有聚光层。
优选的，所述副栅线的数量不少于十五个，且主栅线和副栅线之间相互垂直。
优选的，所述耐磨层为聚碳酸酯涂层，所述耐磨层为聚丙烯涂层。
优选的，所述N型单晶硅片的左右两侧均固定安装有上电极，所述P型单晶硅片的左右两侧均固定安装有下电极。
优选的，所述增透层为二氧化硅薄膜层，且增透层的厚度为二十微米到四十微米。
优选的，所述聚光层的顶部设置有内凹形结构，且数量为多个。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
1.本实用新型通过聚光层的作用，增加了聚光效果，同时在增透层的配合下，增加单晶硅片的光吸收性能，而通过镓晶体硅层和单晶硅绒面层的作用，可以减少光衰，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率，通过以上结构配合的作用，使得本单晶硅片具备光电转换效率高的优点，解决了现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率的问题。
2.本实用新型通过耐腐层和耐磨层的作用，能够提高本单晶硅片的耐腐和耐磨性能，进而延长了其使用年限，更利于市场的推广。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型局部剖视结构示意图；
图3为本实用新型硅片主体剖视结构示意图。
图中：1、硅片主体；2、副栅线；3、主栅线；4、耐腐层；5、耐磨层；6、N型单晶硅片；7、金属导电层；8、P型单晶硅片；9、镓晶体硅层；10、单晶硅绒面层；11、增透层；12、聚光层；13、下电极；14、上电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本实用新型的硅片主体1、副栅线2、主栅线3、耐腐层4、耐磨层5、N型单晶硅片6、金属导电层7、P型单晶硅片8、镓晶体硅层9、单晶硅绒面层10、增透层11、聚光层12、下电极13和上电极14部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
请参阅图1-3，一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，包括硅片主体1，硅片主体1的上表面设置有主栅线3和副栅线2，副栅线2的数量不少于十五个，且主栅线3和副栅线2之间相互垂直，主栅线3和副栅线2的顶部设置有耐腐层4，耐腐层4的顶部设置有耐磨层5，耐磨层5为聚碳酸酯涂层，耐磨层5为聚丙烯涂层，通过耐腐层4和耐磨层5的作用，能够提高本单晶硅片的耐腐和耐磨性能，进而延长了其使用年限，更利于市场的推广，硅片主体1包括N型单晶硅片6和P型单晶硅片8，N型单晶硅片6的左右两侧均固定安装有上电极14，P型单晶硅片8的左右两侧均固定安装有下电极13，N型单晶硅片6的底部固定连接有金属导电层7，P型单晶硅片8的顶部设置有镓晶体硅层9，镓晶体硅层9的顶部设置有单晶硅绒面层10，通过镓晶体硅层9和单晶硅绒面层10的作用，可以减少光衰，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率，单晶硅绒面层10的顶部设置有增透层11，增透层11为二氧化硅薄膜层，且增透层11的厚度为二十微米到四十微米，增透层11的顶部设置有聚光层12，聚光层12的顶部设置有内凹形结构，且数量为多个，通过聚光层12的作用，增加了聚光效果，同时在增透层11的配合下，增加单晶硅片的光吸收性能。
使用时，通过聚光层12的作用，增加了聚光效果，同时在增透层11的配合下，增加单晶硅片的光吸收性能，而通过镓晶体硅层9和单晶硅绒面层10的作用，可以减少光衰，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率，通过以上结构配合的作用，使得本单晶硅片具备光电转换效率高的优点，解决了现有的单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，进而降低了其光电转换效率的问题，通过耐腐层4和耐磨层5的作用，能够提高本单晶硅片的耐腐和耐磨性能，进而延长了其使用年限，更利于市场的推广。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，包括硅片主体（1），其特征在于：所述硅片主体（1）的上表面设置有主栅线（3）和副栅线（2），所述主栅线（3）和副栅线（2）的顶部设置有耐腐层（4），所述耐腐层（4）的顶部设置有耐磨层（5），所述硅片主体（1）包括N型单晶硅片（6）和P型单晶硅片（8），所述N型单晶硅片（6）的底部固定连接有金属导电层（7），所述P型单晶硅片（8）的顶部设置有镓晶体硅层（9），所述镓晶体硅层（9）的顶部设置有单晶硅绒面层（10），所述单晶硅绒面层（10）的顶部设置有增透层（11），所述增透层（11）的顶部设置有聚光层（12）。
2.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，其特征在于：所述副栅线（2）的数量不少于十五个，且主栅线（3）和副栅线（2）之间相互垂直。
3.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，其特征在于：所述耐磨层（5）为聚碳酸酯涂层，所述耐磨层（5）为聚丙烯涂层。
4.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，其特征在于：所述N型单晶硅片（6）的左右两侧均固定安装有上电极（14），所述P型单晶硅片（8）的左右两侧均固定安装有下电极（13）。
5.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，其特征在于：所述增透层（11）为二氧化硅薄膜层，且增透层（11）的厚度为二十微米到四十微米。
6.根据权利要求1所述的一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片，其特征在于：所述聚光层（12）的顶部设置有内凹形结构，且数量为多个。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122042725.5U CN215911434U (zh) | 2021-08-27 | 2021-08-27 | 一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202122042725.5U CN215911434U (zh) | 2021-08-27 | 2021-08-27 | 一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN215911434U true CN215911434U (zh) | 2022-02-25 |
Family
ID=80293073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202122042725.5U Active CN215911434U (zh) | 2021-08-27 | 2021-08-27 | 一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN215911434U (zh) |
-
2021
- 2021-08-27 CN CN202122042725.5U patent/CN215911434U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN207320169U (zh) | 一种渐变带隙的钙钛矿电池 | |
| CN206271715U (zh) | 一种晶体硅异质结太阳电池 | |
| CN211182223U (zh) | 一种太阳能电池背面结构及太阳能电池 | |
| CN107068798B (zh) | 背接触异质结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN211295118U (zh) | 一种双面钝化晶体硅太阳能电池 | |
| CN104752526A (zh) | 一种高pid抗性多晶电池的钝化减反射膜及其制备工艺 | |
| CN106449845B (zh) | 一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池 | |
| CN106252430B (zh) | 一种晶体硅异质结太阳电池 | |
| CN204857736U (zh) | 太阳能电池减反膜结构 | |
| CN215911434U (zh) | 一种精密电子工程用提高光电转换效率的单晶硅片 | |
| CN209981254U (zh) | 一种晶体硅双面太阳电池结构 | |
| CN204315603U (zh) | 一种背面抛光晶硅太阳能电池 | |
| CN103151398A (zh) | 异质结电池及其制作方法 | |
| CN202977429U (zh) | 一种太阳能电池及减反射膜 | |
| JP2023155871A (ja) | 太陽電池、光起電力モジュールおよび太陽電池の製造方法 | |
| CN106952977B (zh) | 一种太阳能电池封装结构 | |
| CN103035771B (zh) | N型mwt太阳能电池结构及其制造工艺 | |
| CN109888057A (zh) | 晶硅perc太阳电池双面钝化方法 | |
| CN206271724U (zh) | 一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池 | |
| CN210403743U (zh) | 一种三层介电钝化膜perc太阳电池 | |
| CN114678437A (zh) | 光伏组件 | |
| TWI643352B (zh) | 光電電池 | |
| CN107146819B (zh) | 新型薄膜太阳电池 | |
| CN204596799U (zh) | 一种高pid抗性多晶电池的钝化减反射膜 | |
| CN205564771U (zh) | 一种转换效率高的多晶硅片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220426 Address after: 116000 No. 1, floor 8, unit 3, No. 12, Xinhong Beiyuan, Ganjingzi District, Dalian City, Liaoning Province Patentee after: Dalian youyike Electronic Technology Co.,Ltd. Address before: 325003 room 1815, 18 / F, Lugang building, 130 meters west of the intersection of Haihai road and Zhubai Road, Lucheng District, Wenzhou City, Zhejiang Province Patentee before: Weng Xuejin |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| DD01 | Delivery of document by public notice |
Addressee: Weng Xuejin Document name: Notice of amendment and correction |
|
| DD01 | Delivery of document by public notice |