CN205564771U - 一种转换效率高的多晶硅片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种转换效率高的多晶硅片，所述本体包括P型多晶硅片和N型多晶硅片，所述P型多晶硅片和N型多晶硅片之间设有导通区，所述P型多晶硅片一侧设有上电极，所述P型多晶硅片的下侧设有P型发射极，所述P型多晶硅片的上侧设有减反射层，所述减反射层的上侧设有吸光层，所述N型多晶硅片下侧设有下电极，所述N型多晶硅片的下侧设有N型多晶硅膜，所述本体外表面设有本体保护膜。本实用新型增大了光的照射面积，而减反射层减少了光的反射，从而提升了光能的利用率，且防止了多晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命，在使得太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池的光电转换效率，大大提升了转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术领域，具体为一种转换效率高的多晶硅片。
背景技术
随着能源危机的日益凸显，开发利用新能源成为当今能源领域研究的主要课题，由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点，研究太阳能发电成为开发利用新能源的主要方向。晶体硅太阳能电池，即由晶体硅片制备的太阳能电池是当今太阳能电池行业的主流产品，目前太阳能电池的市场中，晶体硅太阳能电池占据90%以上的份额，而在晶体硅太阳能电池中，多晶硅占据主导地位，目前，单晶硅太阳能电池转换效率已从3年前的14%提高到17%，多晶硅太阳能电池转换效率也从3年前的10%提高到15%，超高效率的太阳能电池转换效率已超过50%，世界光伏组件产量上世纪末最后10年的平均增长率为20%，且现在的多晶硅片的转换效率低，因此，就此类问题，提出了一种转换效率高的多晶硅片。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种转换效率高的多晶硅片，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种转换效率高的多晶硅片，包括本体，所述本体包括P型多晶硅片和N型多晶硅片，所述P型多晶硅片和N型多晶硅片之间设有导通区，所述P型多晶硅片一侧设有上电极，所述P型多晶硅片的下侧设有P型发射极，所述P型多晶硅片的上侧设有减反射层，所述减反射层的上侧设有吸光层，所述N型多晶硅片下侧设有下电极，所述N型多晶硅片的下侧设有N型多晶硅膜，所述本体外表面设有本体保护膜。
优选的，所述本体保护膜为绝缘保护膜。
优选的，所述本体呈八边形状。
优选的，所述P型多晶硅片的上表面呈锯齿状。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该转换效率高的多晶硅片通过P型多晶硅片的上部呈锯齿状，增大了光的照射面积，而减反射层减少了光的反射，从而提升了光能的利用率，且防止了多晶硅片被腐蚀，增加了使用寿命，在使得太阳能电池具有较低功率衰减的同时保证了太阳能电池的光电转换效率，大大提升了转换效率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型剖视结构示意图。
图中：1本体、2 P型多晶硅片、21 P型发射极、22减反射层、23吸光层、3 N型多晶硅片、31 N型多晶硅膜、4导通区、5下电极、6上电极、7本体保护膜。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种转换效率高的多晶硅片，包括本体1，所述本体1包括P型多晶硅片2和N型多晶硅片3，所述P型多晶硅片2和N型多晶硅片3之间设有导通区4，所述P型多晶硅片2一侧设有上电极6，所述P型多晶硅片2的下侧设有P型发射极21，所述P型多晶硅片2的上侧设有减反射层22，所述减反射层22的上侧设有吸光层23，所述N型多晶硅片3下侧设有下电极5，所述N型多晶硅片3的下侧设有N型多晶硅膜31，所述本体1外表面设有本体保护膜7，所述本体保护膜7为绝缘保护膜，所述本体1呈八边形状，所述P型多晶硅片2的上表面呈锯齿状。
工作原理：工作时，通过上电极5与下电极6实现多个本体1之间的连接，在安装实施后，太阳光照射P型多晶硅片2，通过P型多晶硅片2的上表面呈锯齿状，增大光的照射面积，使得吸光层23吸光，减反射层22减少光照的反射率，电流由P型多晶硅片2的P型发射极21将电子通过导通区4传输到N型多晶硅片3上。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种转换效率高的多晶硅片，包括本体（1），所述本体（1）包括P型多晶硅片（2）和N型多晶硅片（3），其特征在于：所述P型多晶硅片（2）和N型多晶硅片（3）之间设有导通区（4），所述P型多晶硅片（2）一侧设有上电极（6），所述P型多晶硅片（2）的下侧设有P型发射极（21），所述P型多晶硅片（2）的上侧设有减反射层（22），所述减反射层（22）的上侧设有吸光层（23），所述N型多晶硅片（3）下侧设有下电极（5），所述N型多晶硅片（3）的下侧设有N型多晶硅膜（31），所述本体（1）外表面设有本体保护膜（7）。
2.根据权利要求1所述的一种转换效率高的多晶硅片，其特征在于：所述本体保护膜（7）为绝缘保护膜。
3.根据权利要求1所述的一种转换效率高的多晶硅片，其特征在于：所述本体（1）呈八边形状。
4.根据权利要求1所述的一种转换效率高的多晶硅片，其特征在于：所述P型多晶硅片（2）的上表面呈锯齿状。
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2016
- 2016-04-27 CN CN201620370618.1U patent/CN205564771U/zh not_active Expired - Fee Related
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