CN202120925U - 一种晶体硅太阳电池 - Google Patents
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Abstract
一种晶体硅太阳电池，由减反射膜、N型硅、PN结、P型硅依次复合而成。本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳电池的减反射膜，主要作用是减少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氢，可以很好的钝化硅中的表面悬挂键，从而提高了载流子迁移率；密集均匀的绒面可增加光的吸收面积，提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳能电池的光电转换效率；应用银铝浆料制作电极和背电场，优化图形设计，不仅确保了电极良好的导电性、可焊性以及背电场的平整性，更具有优异的印刷性能、附着力高、弯曲度低和转换效率高的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种晶体硅太阳电池。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能电池作为绿色能源，越来越受到人们的关注。太阳能电池制造过程中，一般将导电浆料丝网印刷在电池片的正负表面上形成电极，利用电极将电池片的电能导出。目前，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，且传统工艺的太阳能电池成本高、转换效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种节省浆料、转换效率高的晶体硅太阳电池。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶体硅太阳电池，由减反射膜、N型硅、PN结、P型硅依次复合而成。
上述技术方案所述减反射膜的表面上设置有网版图形印刷形成的上电极。
上述技术方案所述上电极包括2根纵向对称的主栅和54根横向等距分布的副栅。
上述技术方案所述P型硅的下表面上设置有网版图形印刷形成的下电极。
上述技术方案所述下电极包括背电场和3组成对的背电极。
本实用新型的有益效果：
(1)本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳电池的减反射膜，主要作用是减少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氢，可以很好的钝化硅中的表面悬挂键，从而提高了载流子迁移率；密集均匀的绒面可增加光的吸收面积，提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳能电池的光电转换效率。
(2)本实用新型应用银铝浆料制作电极和背电场，优化图形设计，不仅确保了电极良好的导电性、可焊性以及背电场的平整性，更具有优异的印刷性能、附着力高、弯曲度低和转换效率高的优点。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1是本实用新型的层状结构示意图。
图2是本实用新型的上电极的结构示意图。
图3是本实用新型的下电极的结构示意图。
图中1.上电极，11.主栅，12.副栅，2.减反射膜，3.N型硅，4.PN结，5.P型硅，6.下电极，61.背电极，62.背电场。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型进行进一步描述。
如图1-3所示的一种晶体硅太阳电池，由减反射膜2、N型硅3、PN结4、P型硅5依次复合而成，减反射膜2的表面上设置有网版图形印刷形成的上电极1，上电极1包括2根纵向对称的主栅11和54根横向等距分布的副栅12，P型硅5的下表面上设置有网版图形印刷形成的下电极6，下电极6包括背电场62和3组成对的背电极61。
应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
Claims (5)
1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于：由减反射膜(2)、N型硅(3)、PN结(4)、P型硅(5)依次复合而成。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于：所述减反射膜(2)的表面上设置有网版图形印刷形成的上电极(1)。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳电池，其特征在于：所述上电极(1)包括2根纵向对称的主栅(11)和54根横向等距分布的副栅(12)。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于：所述P型硅(5)的下表面上设置有网版图形印刷形成的下电极(6)。
5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池，其特征在于：所述下电极(6)包括背电场(62)和3组成对的背电极(61)。
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| CN 201120232467 CN202120925U (zh) | 2011-07-04 | 2011-07-04 | 一种晶体硅太阳电池 |
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| CN202120925U true CN202120925U (zh) | 2012-01-18 |
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| CN (1) | CN202120925U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109560145A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-04-02 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种太阳电池铝背场结构 |
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2011
- 2011-07-04 CN CN 201120232467 patent/CN202120925U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN109560145A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-04-02 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种太阳电池铝背场结构 |
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