CN202736929U - 工作性能好的单晶硅太阳能电池 - Google Patents

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曹永杰
何干坤
曹永祥
王绍林
张良春
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Abstract

本实用新型公开了一种单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极。本实用新型提供的单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低，效率高。

Description

工作性能好的单晶硅太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种单晶硅太阳能电池。
背景技术
太阳能电池推广应用的主要障碍是发电成本与火力发电成本相比较成本过高。聚光电池则是通过薄片，聚光等手段，可以大大降低发电成本。同时，工作性能不好，效率不高。
实用新型内容
为了克服现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种结构合理，工作性能良好的单晶硅太阳能电池。
为了实现上述目的，本实用新型所采取的技术方案：为解决上述技术问题，本实用新型采样的技术方案为：
一种单晶硅太阳能电池，包括P型硅片，在P型硅片的正面设有作为负极的NP结，在NP结的正面设有氧化硅减反射膜，正极金属电极穿过氧化硅减反射膜与NP结形成欧姆接触；在P型硅片的反面设置P+层，在P+层的反面设置铝背场，在铝背场中设有背电极；
正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的l0%～11%。
所述细栅线宽度为0.09mm～0.Imm，细栅线的中心内距为Imm～1.1mm。
所述P型硅片为165单晶硅片。
有益效果：本实用新型提供的单晶硅太阳能电池，结构合理，工作性能良好，且制造成本低，效率高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
图l所示为165单晶硅太阳能电池，包括P型硅片l，在P型硅片l的正面设有作为负极的NP结2，在NP结2的正面设有氧化硅减反射膜3，正极金属电极4穿过氧化硅减反射膜3与NP结2形成欧姆接触；在P型硅片l的反面设置P+层5，在P+层5的反面设置铝背场6，在铝背场6中设有背电极7；正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%；所述细栅线宽度为0.09mm～0.095mm，细栅线的中心内距为1.1mm。

Claims (3)

1.一种工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池包括P型硅片(1)，在P型硅片(1)的正面设有作为负极的NP结(2)，在NP结(2)的正面设有氧化硅减反射膜(3)，正极金属电极(4)穿过氧化硅减反射膜(3)与NP结(2)形成欧姆接触；在P型硅片(1)的反面设置P+层(5)，在P+层(5)的反面设置铝背场(6)，在铝背场(6)中设有背电极(7)。
2.根据权利要求l所述的工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于：正面栅线包括主栅线和细栅线，正面栅线的阴影面积占正面总面积的15%～16%，其中细栅线的阴影面积占正面总面积的10%～11%，细栅线宽度为0.09mm～0.095mm，细栅线的中心内距为1mm～1.1mm。
3.根据权利要求2所述的工作性能好的单晶硅太阳能电池，其特征在于：所述P型硅片(1)为165单晶硅片。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871790A (zh) * 2016-08-31 2018-04-03 材料概念有限公司 太阳能电池及其制造方法

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