CN202940242U - 晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构 - Google Patents

晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构 Download PDF

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Abstract

本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。包括硅体，所述的硅体的上部设有电池细栅线层，所述的硅体的两侧面和折角处分别为正面电极，所述的硅体下部设有铝背场，所述的铝背场中设有背电极，所述的铝背场与正面电极间设有刻槽。晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构提升产品性能，扩大应用范围，提升能源利用率。

Description

晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构
技术领域
本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。
背景技术
现有技术中的太阳能电池正面主栅线起到收集表面电流、方便组件串焊的作用。消除正面主栅线所带来的遮光和强复合问题有两种方法，一种是将PN结制作在电池片背面的背结电池，如20世纪70年代出现的IBC（interdigitated back contact）太阳电池和2003年美国Sun Power公司利用点接触研发的PCC(point-contact cell)太阳电池。另外一种是将发射极主栅线转移到背面的前结电池，如MWT（Metallisation wrap through）太阳电池和EWT（Emitter wrapthrough）太阳电池。以上电池在电性能方面均优于传统一代太阳能电池，但需要很大的投入成本，而且工艺不能与传统电池生产线兼容。
中国专利201020550878.X ，公开一种无主栅线的硅电池片,硅电池片表面仅印刷用来收集电流的副栅线,副栅线为银副栅线,副栅线宽度为0.1mm,数量为50根,横向均匀印刷在硅电池片表面。此结构使电池正面的有效发电面积减少。
发明内容
     本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足，结构紧凑，有效防止正负电极短路，对电池组的应用更加方便，有效增加发光面积的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，包括硅体，所述的硅体的上部设有电池细栅线层，所述的硅体的两侧面和折角处分别为正面电极，所述的硅体下部设有铝背场，所述的铝背场中设有背电极，所述的铝背场与正面电极间设有刻槽。
  在正面电极和背电极之间进行激光刻槽，防止正负电极短路。有光照进行时，细栅线收集电池表面的电流，流向侧边的正面电极，组件封装时候只要在电池片背面进行串焊，即可将电池组的电流导出进行应用。
  每片电池片（以125-165单晶为例）的有效发光面积将增加2.7%，配合选择性发射极扩散，实际效率将在原有基础上提升约2%以上，大规模工业生产效率预期将达到20%转换率。每片电池片所产生的经济效益将比传统电池片高出2%。
    作为优选，所述的硅体与电池细栅线层间设有浅磷扩散层，所述的硅体与正面电极间设有重磷扩散层。
  作为优选，所述的刻槽延伸至硅体，所述的铝背场上设有一对相对称分布的背电极。
  作为优选，所述的电池细栅线层上覆有薄膜层。
    因此，本实用新型提供的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，提升产品性能，扩大应用范围，提升能源利用率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
  实施例：如图1所示，一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，包括硅体1，所述的硅体1的上部设有电池细栅线层2，所述的硅体1的两侧面和折角处分别为正面电极3，所述的硅体1下部设有铝背场4，所述的铝背场4中设有背电极5，所述的铝背场4与正面电极3间设有刻槽6。所述的硅体1与电池细栅线层2间设有浅磷扩散层7，所述的硅体1与正面电极3间设有重磷扩散层8。所述的刻槽6延伸至硅体1，所述的铝背场4上设有一对相对称分布的背电极5。所述的电池细栅线层2上覆有薄膜层9。

Claims (4)

1. 一种晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于：包括硅体（1），所述的硅体（1）的上部设有电池细栅线层（2），所述的硅体（1）的两侧面和折角处分别为正面电极（3），所述的硅体（1）下部设有铝背场（4），所述的铝背场（4）中设有背电极（5），所述的铝背场（4）与正面电极（3）间设有刻槽（6）。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于：所述的硅体（1）与电池细栅线层（2）间设有浅磷扩散层（7），所述的硅体（1）与正面电极（3）间设有重磷扩散层（8）。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于：所述的刻槽（6）延伸至硅体（1），所述的铝背场（4）上设有一对相对称分布的背电极（5）。
4.根据权利要求1或2或3所述的晶体硅太阳能电池背接触、选择性扩散结构，其特征在于：所述的电池细栅线层（2）上覆有薄膜层（9）。
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