CN202695468U - 一种晶体硅太阳能电池组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅;所述正极层上具有背电极和背电场;所述主栅上均布有若干方形或菱形的小孔。本实用新型的主栅上均布有若干方形的小孔;可以减少银浆的使用,降低了制作成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种晶体硅太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池组件,也叫太阳能电池板,是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中最重要的部分。太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。太阳能电池作为绿色能源,越来越受到人们的关注。传统的太阳能电池组件的主栅采用银印制栅线,成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种制作简便的低成本的晶体硅太阳能电池组件。
实现本实用新型目的的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层、N型硅层、P型硅层和正极层;所述负极层的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅以及与主栅垂直且等间距分布的副栅;所述正极层上具有背电极和背电场;所述主栅上均布有若干方形或菱形的小孔。
上述技术方案所述负极层和正极层均为银层。
上述技术方案所述负极层和N型硅层之间还设有氮化硅减反射膜层。
上述技术方案所述氮化硅减反射膜层和N型硅层之间还设有第一二氧化硅钝化膜层。
上述技术方案所述P型硅层和正极层之间还设有第二二氧化硅钝化膜层。
采用上述技术方案后,本实用新型具有以下积极的效果:
(1)本实用新型的主栅上均布有若干方形的小孔;可以减少银浆的使用,降低了制作成本。
(2)本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳能组件的减反射膜层, 主要作用是减少光的反射,而且氮化硅膜含有大量的氢,可以很好的钝化硅中的表面悬挂键,从而提高了载流子迁移率;同时,在氮化硅膜与N型硅之间沉积二氧化硅膜,可以更有效的减少入射光在太阳能电池表面的反射损失,提高太阳能组件吸收阳光的量,并能让太阳能组件吸收来自各个角度的全部阳光光谱,从而使太阳能电站的经济效益大为改善。
(3)本实用新型的正极层和P型硅层之间设有第二二氧化硅钝化膜层;二氧化硅具有吸杂、钝化的作用,可以提高反射效率。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的负极层的结构示意图;
图中1.负极层,11.主栅,111.小孔,12.副栅,2.N型硅层,3.P型硅层,4.正极层,41.背电极,42.背电场,5.氮化硅减反射膜层,6.第一二氧化硅钝化膜层,7.第二二氧化硅钝化膜层。
具体实施方式
(实施例1)
见图1和图2,本实用新型具有依次层叠的负极层1、N型硅层2、P型硅层3和正极层4;负极层1为银层,负极层1的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅11以及与主栅11垂直且等间距分布的副栅12;主栅11上均布有若干方形的小孔111;负极层1和N型硅层2之间还设有氮化硅减反射膜层5;氮化硅减反射膜层5和N型硅层2之间设有第一二氧化硅钝化膜层6;正极层4为银层,正极层4上具有背电极41和背电场42;P型硅层3和正极层4之间还设有第二二氧化硅钝化膜层7。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种晶体硅太阳能电池组件,具有依次层叠的负极层(1)、N型硅层(2)、P型硅层(3)和正极层(4);所述负极层(1)的表面上设有通过网版图形印刷形成的主栅(11)以及与主栅(11)垂直且等间距分布的副栅(12);所述正极层(4)上具有背电极(41)和背电场(42);其特征在于:所述主栅(11)上均布有若干方形或菱形的小孔(111)。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述负极层(1)和正极层(4)均为银层。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述负极层(1)和N型硅层(2)之间还设有氮化硅减反射膜层(5)。
4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述氮化硅减反射膜层(5)和N型硅层(2)之间还设有第一二氧化硅钝化膜层(6)。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池组件,其特征在于:所述P型硅层(3)和正极层(4)之间还设有第二二氧化硅钝化膜层(7)。
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Publications (1)
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CN201220413195.9U Expired - Lifetime CN202695468U (zh) | 2012-08-20 | 2012-08-20 | 一种晶体硅太阳能电池组件 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN202695468U (zh) |
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2012
- 2012-08-20 CN CN201220413195.9U patent/CN202695468U/zh not_active Expired - Lifetime
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130123 |
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