JPH0512871B2 - - Google Patents
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- JPH0512871B2 JPH0512871B2 JP58062162A JP6216283A JPH0512871B2 JP H0512871 B2 JPH0512871 B2 JP H0512871B2 JP 58062162 A JP58062162 A JP 58062162A JP 6216283 A JP6216283 A JP 6216283A JP H0512871 B2 JPH0512871 B2 JP H0512871B2
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- solar cell
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は光電変換効率の高い太陽電池に関す
る。
る。
太陽電池素子においては、SiあるいはGaAs表
面での太陽光の反射を防止するために、基板の受
光面に金属酸化膜をもうける方法がとられる。従
来、この金属酸化膜として酸化チタンあるいは酸
化チタンで酸化ケイ素の混合物の膜が用いられて
いたが、これらの膜を用いた場合には反射防止の
効果が十分に得られなかつた。すなわち、金属酸
化膜を形成すると理論的には40％以上の電流増加
が期待されるのに対し、上記した金属酸化膜では
35％程の電流増加しか得られなかつた。
面での太陽光の反射を防止するために、基板の受
光面に金属酸化膜をもうける方法がとられる。従
来、この金属酸化膜として酸化チタンあるいは酸
化チタンで酸化ケイ素の混合物の膜が用いられて
いたが、これらの膜を用いた場合には反射防止の
効果が十分に得られなかつた。すなわち、金属酸
化膜を形成すると理論的には40％以上の電流増加
が期待されるのに対し、上記した金属酸化膜では
35％程の電流増加しか得られなかつた。
本発明の目的は、電流増加が40％以上となるよ
うな金属酸化膜を形成した太陽電池素子を提供す
るにある。
うな金属酸化膜を形成した太陽電池素子を提供す
るにある。
上記目的を達成するために、本発明は金属酸化
膜として酸化チタンと酸化スズを用い、かつこれ
らの混合比が酸化チタン20〜90重量％と酸化スズ
10〜80重量％であることを特徴とする。本発明の
材料の金属酸化膜を形成することにより太陽電池
の光起電流を、金属酸化膜のない場合に比べ40〜
50％増加させることができることを見い出した。
膜として酸化チタンと酸化スズを用い、かつこれ
らの混合比が酸化チタン20〜90重量％と酸化スズ
10〜80重量％であることを特徴とする。本発明の
材料の金属酸化膜を形成することにより太陽電池
の光起電流を、金属酸化膜のない場合に比べ40〜
50％増加させることができることを見い出した。
本発明の酸化チタと酸化スズの混合物からなる
膜を形成する方法としては、(イ)スパツタ法、(ロ)蒸
着法、(ハ)金属錯体の塗布一焼成法、などが挙げら
れる。このうち、(ハ)の方法が最も低コスト、高速
に金属酸化膜を形成できる方法である。
膜を形成する方法としては、(イ)スパツタ法、(ロ)蒸
着法、(ハ)金属錯体の塗布一焼成法、などが挙げら
れる。このうち、(ハ)の方法が最も低コスト、高速
に金属酸化膜を形成できる方法である。
酸化チタン酸化スズの混合比は、酸化スズが総
重量に対して10〜80wt％のときに最も大きな電
流増加が得られる。
重量に対して10〜80wt％のときに最も大きな電
流増加が得られる。
次に本発明を実施例により説明する。
実施例 １
PN接合を形成したシリコン基板３（この場合
は直径３インチの単結晶シリコン）の受光面にス
パツタリング法により酸化チタンと酸化スズの混
合膜を形成した。酸化スズの重量％は25wt％で
あつた。膜の屈折率は2.18、膜厚は630Åであつ
た。次に、第１図に示すように電極形成部の上記
混合膜をエツチングにより除去し、その部分にバ
スバー電極１、フインガー電極２を蒸着法により
形成した。裏面には全面に電極を蒸着法で形成し
た。この太陽電池素子の−特性を第２図の４
に示す。また、金属酸化膜を形成していない太陽
電池の−特性を同じく第２図の５に示す。本
発明の太陽電池素子は、金属酸化膜を形成しない
場合に比べ電流が46％増加した。
は直径３インチの単結晶シリコン）の受光面にス
パツタリング法により酸化チタンと酸化スズの混
合膜を形成した。酸化スズの重量％は25wt％で
あつた。膜の屈折率は2.18、膜厚は630Åであつ
た。次に、第１図に示すように電極形成部の上記
混合膜をエツチングにより除去し、その部分にバ
スバー電極１、フインガー電極２を蒸着法により
形成した。裏面には全面に電極を蒸着法で形成し
た。この太陽電池素子の−特性を第２図の４
に示す。また、金属酸化膜を形成していない太陽
電池の−特性を同じく第２図の５に示す。本
発明の太陽電池素子は、金属酸化膜を形成しない
場合に比べ電流が46％増加した。
実施例 ２
PN接合を形成した50mm角の多結晶シリコンの
受光面にEB蒸着法により酸化チタンと酸化スズ
の混合膜を形成した。酸化スズの重量％は35wt
％であつた。膜の屈折率は2.15、膜厚は640Åで
あつた。次に実施例１と同様にして電極を形成し
た。この太陽電池の短絡電流は0.75Aであつた。
金属酸化膜を形成しない場合（0.51A）に比べ47
％電流が増加した。
受光面にEB蒸着法により酸化チタンと酸化スズ
の混合膜を形成した。酸化スズの重量％は35wt
％であつた。膜の屈折率は2.15、膜厚は640Åで
あつた。次に実施例１と同様にして電極を形成し
た。この太陽電池の短絡電流は0.75Aであつた。
金属酸化膜を形成しない場合（0.51A）に比べ47
％電流が増加した。
実施例 ３
Ti（OC3H7）2（CH3COCHCOCH3）2（3.64ｇ、10
ｍmol）、C4H9Sn（OH）（CH3COCHCOCH3）2
（1.96ｇ、５ｍmol）とをエチルセロツルブ（15
ｇ）に溶解した溶液を調製した。この溶液をPN
接合を形成した３インチ中の単結晶シリコンの受
光面に2500rpmの回転数で回転塗布した。次にこ
れを600℃で30分間焼成することにより酸化チタ
ンと酸化スズの混合膜を形成した。膜の屈折率は
2.02、膜厚は680Åであつた。次に実施例１と同
様にして電極を形成した。この太陽電池の短絡電
流は1.44Aであつた。金属酸化膜を形成しない場
合（0.98A）に比べて47％電流が増加した。
ｍmol）、C4H9Sn（OH）（CH3COCHCOCH3）2
（1.96ｇ、５ｍmol）とをエチルセロツルブ（15
ｇ）に溶解した溶液を調製した。この溶液をPN
接合を形成した３インチ中の単結晶シリコンの受
光面に2500rpmの回転数で回転塗布した。次にこ
れを600℃で30分間焼成することにより酸化チタ
ンと酸化スズの混合膜を形成した。膜の屈折率は
2.02、膜厚は680Åであつた。次に実施例１と同
様にして電極を形成した。この太陽電池の短絡電
流は1.44Aであつた。金属酸化膜を形成しない場
合（0.98A）に比べて47％電流が増加した。
実施例 ４
Ti（OC3H7）2（CH3COCHCOCH3）2、C4H9Sn
（OH）（CH3COCHCOCH3）2、およびエチルセル
ソルブを用いて、Ti化合物とSn化合物の混合比
の異なる種々の溶液を調製し、これらの溶液を用
いて実施例３と同様にして、PN接合を形成した
３インチφの単結晶シリコンの受光面に酸化スズ
の重量比の異なる種々の金属酸化膜を形成した。
形成した膜の屈折率は2.0〜2.1、膜厚は655〜690
Åであつた。次に実施例１と同様にして電極を形
成した。これら太陽電池の短絡電流を第３図に示
す。酸化チタンと酸化スズとの混合膜とすること
により電流が大きくなることが第３図からわか
る。また、混合物が酸化チタン20〜90重量％と酸
化スズ10〜80重量％とからなる場合に大きな電流
が得られた。
（OH）（CH3COCHCOCH3）2、およびエチルセル
ソルブを用いて、Ti化合物とSn化合物の混合比
の異なる種々の溶液を調製し、これらの溶液を用
いて実施例３と同様にして、PN接合を形成した
３インチφの単結晶シリコンの受光面に酸化スズ
の重量比の異なる種々の金属酸化膜を形成した。
形成した膜の屈折率は2.0〜2.1、膜厚は655〜690
Åであつた。次に実施例１と同様にして電極を形
成した。これら太陽電池の短絡電流を第３図に示
す。酸化チタンと酸化スズとの混合膜とすること
により電流が大きくなることが第３図からわか
る。また、混合物が酸化チタン20〜90重量％と酸
化スズ10〜80重量％とからなる場合に大きな電流
が得られた。
以上述べた如く、本発明の太陽電池は従来の太
陽電池よりも大きな電流が得られ、従つて効率が
高いという特徴があり、工業的意義が大きい。
陽電池よりも大きな電流が得られ、従つて効率が
高いという特徴があり、工業的意義が大きい。
第１図は受光面電極パターンを示す図、第２図
は実施例１の太陽電池素子の−特性を示す
図、第３図は酸化スズの重量％と短絡電流の関係
を示す図である。 １：バスバー電極、２：フインガー電極、３：
PN接合形成シリコン基板。
は実施例１の太陽電池素子の−特性を示す
図、第３図は酸化スズの重量％と短絡電流の関係
を示す図である。 １：バスバー電極、２：フインガー電極、３：
PN接合形成シリコン基板。
Claims (1)
- １ 太陽電池の受光面に金属酸化膜を設けた太陽
電池素子において、金属酸化膜が酸化チタン20〜
90重量％と酸化スズ10〜80重量％とからなる混合
物であることを特徴とする太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062162A JPS59188979A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58062162A JPS59188979A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 太陽電池素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188979A JPS59188979A (ja) | 1984-10-26 |
| JPH0512871B2 true JPH0512871B2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=13192140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58062162A Granted JPS59188979A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188979A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4672973B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2011-04-20 | 昭和電工株式会社 | 酸化チタンを含む金属酸化物構造体及びその製造方法ならびにその用途 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185389A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5583272A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nec Corp | Solar battery unit and method of manufacturing the same |
| JPS583292A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP58062162A patent/JPS59188979A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185389A (ja) * | 1975-01-20 | 1976-07-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS5583272A (en) * | 1978-12-19 | 1980-06-23 | Nec Corp | Solar battery unit and method of manufacturing the same |
| JPS583292A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59188979A (ja) | 1984-10-26 |
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