JPS60161680A - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPS60161680A JPS60161680A JP59015222A JP1522284A JPS60161680A JP S60161680 A JPS60161680 A JP S60161680A JP 59015222 A JP59015222 A JP 59015222A JP 1522284 A JP1522284 A JP 1522284A JP S60161680 A JPS60161680 A JP S60161680A
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- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のオロ用分野〕
本発明は元遡変候カｌ藁の高い太陽電池に関する。
太陽電池素子においてはｓ ８１あるいはＧａＡ３表面
での太１塾１元の反射を防止するために、基鈑の受光部
に金属酸化膜をもうける方法がとられる。
での太１塾１元の反射を防止するために、基鈑の受光部
に金属酸化膜をもうける方法がとられる。
従来、この金属酸化膜として酸化チタンおるいは酸化チ
タンで酸化ケイ素の混合物の良が用いられていたが、こ
れらの膜會用いた場合には反射防止の効果が十分に得ら
れなかった。すなわち、金属酸化膜を形成すると理論的
には４０％以上の電流増加か期待されるのに対し、上記
した金塊酸化膜では３５％程の電流増加しか得られなか
った。
タンで酸化ケイ素の混合物の良が用いられていたが、こ
れらの膜會用いた場合には反射防止の効果が十分に得ら
れなかった。すなわち、金属酸化膜を形成すると理論的
には４０％以上の電流増加か期待されるのに対し、上記
した金塊酸化膜では３５％程の電流増加しか得られなか
った。
本発明の目的は、電流増加が４０％以上となるような金
属酸化膜を形成した太陽電池素子を提供するにある。
属酸化膜を形成した太陽電池素子を提供するにある。
上記目的を達成するために、本発明は金屑酸化膜として
酸化チタンと酸化スズの混合物を趙いたことを特徴とす
る。本発明の材料の金属酸化膜を形成することにより太
陽電池の元起電流？、金属酸化膜のない場合に比べ４０
〜５０％増加させることができることを見い出した。
酸化チタンと酸化スズの混合物を趙いたことを特徴とす
る。本発明の材料の金属酸化膜を形成することにより太
陽電池の元起電流？、金属酸化膜のない場合に比べ４０
〜５０％増加させることができることを見い出した。
本発明の酸化チタンと酸化スズの混合物からなる膜を形
成する方法としては、ビ１スパヴタ法、（ロ）蒸着法、
（ハ）金属錯体の塗布−焼成法、などが埜げられる。こ
のうち、Ｐ′１０方法が最も低コスト、関連に金塊酸化
膜を形成できる方法である。
成する方法としては、ビ１スパヴタ法、（ロ）蒸着法、
（ハ）金属錯体の塗布−焼成法、などが埜げられる。こ
のうち、Ｐ′１０方法が最も低コスト、関連に金塊酸化
膜を形成できる方法である。
酸化チタンと酸化スズの混合比は、酸化スズがＦ、１貴
に対して１０〜８０ｗｔ％のときに最も大きな電流増加
が得られる。
に対して１０〜８０ｗｔ％のときに最も大きな電流増加
が得られる。
次に本発明を実施例により説明する。
実施例１
ＰＮ接合を形成したシリコン基板５（この場合は直径６
インチの単結晶シリコン）の受光面にスパッタリング法
により酸化チタンと酸化スズの混合膜全形成した。、＃
化スズのＮ童％は２５ｗｔ％でめった。、膜の屈折量は
Ｚ１８．膜厚は６３０λであった。次に、第１図に示す
ように電極形成部の上記混合膜をエブチングにより除去
し、その部分にバスバー’Ｉｔ極１、フィンガー′を他
２を蒸着法により形成した。鉄面には全面に電極を蒸着
法で形成した。この太陽電池素子のＩ−Ｖ特性を第２図
の４に示す。筐た、金属酸化膜？形成していない太陽電
池のＩ−Ｖ特性？同じく第２図の５に示す。
インチの単結晶シリコン）の受光面にスパッタリング法
により酸化チタンと酸化スズの混合膜全形成した。、＃
化スズのＮ童％は２５ｗｔ％でめった。、膜の屈折量は
Ｚ１８．膜厚は６３０λであった。次に、第１図に示す
ように電極形成部の上記混合膜をエブチングにより除去
し、その部分にバスバー’Ｉｔ極１、フィンガー′を他
２を蒸着法により形成した。鉄面には全面に電極を蒸着
法で形成した。この太陽電池素子のＩ−Ｖ特性を第２図
の４に示す。筐た、金属酸化膜？形成していない太陽電
池のＩ−Ｖ特性？同じく第２図の５に示す。
本発明の太陽電池素子は、金属酸化膜を形成しない場合
に比べ電流が４６％増加した。
に比べ電流が４６％増加した。
実施例２
ＰＮ接合を形成し７’Ｃ５０１１ｍ角の多結晶シリコン
の受光面にＥＢ蒸着法により酸化チタンと酸化スズの混
合膜を形成した。酸化スズの重量％＆ま３５ｗｔ％であ
った。膜の屈折量は２． ’ ５ ＋膜厚は６４０＾で
めった。次に実施例１と同様にして電極を形成した。こ
の太陽電池の麹箱電流は住７５Ａであった。金属酸化ｒ
ｌｋを形成しない場合（０，５１Ａ）に比べ４７％電流
が増加した。
の受光面にＥＢ蒸着法により酸化チタンと酸化スズの混
合膜を形成した。酸化スズの重量％＆ま３５ｗｔ％であ
った。膜の屈折量は２． ’ ５ ＋膜厚は６４０＾で
めった。次に実施例１と同様にして電極を形成した。こ
の太陽電池の麹箱電流は住７５Ａであった。金属酸化ｒ
ｌｋを形成しない場合（０，５１Ａ）に比べ４７％電流
が増加した。
実施例３
Ｔｉ（ＯＣｓＨｙ）２（ＣＨ５ＣＯＣＨＣＯＣＨｇ）２
（Ａ６’！？、’Ｏｍｍｏ”） ＋ＣａＨ９Ｓｎ（ＯＨ
ＸＣＨｓＣＯＣＨＣＯＣＨｓ）２（１，９６ｇ、 ５ｍ
ｍｏｆｆｉ）とをエチルセロソルブ（１５ｇ）に浴解し
声浴液を調製した。この溶液をＰＮ接合を形成した３イ
ンチ中の単結晶シリコンの受光面に２５００ｒｐｍの回
転数で回転塗布した。次にこれを６００℃で５０分間焼
成することにより酸化チタンと酸化スズの混合族を形成
した。膜の屈折量はＺ０２１課厚は６Ｂ０λであった。
（Ａ６’！？、’Ｏｍｍｏ”） ＋ＣａＨ９Ｓｎ（ＯＨ
ＸＣＨｓＣＯＣＨＣＯＣＨｓ）２（１，９６ｇ、 ５ｍ
ｍｏｆｆｉ）とをエチルセロソルブ（１５ｇ）に浴解し
声浴液を調製した。この溶液をＰＮ接合を形成した３イ
ンチ中の単結晶シリコンの受光面に２５００ｒｐｍの回
転数で回転塗布した。次にこれを６００℃で５０分間焼
成することにより酸化チタンと酸化スズの混合族を形成
した。膜の屈折量はＺ０２１課厚は６Ｂ０λであった。
次に実施？Ｉｌ １とＩＷ１様にして１極全形成した。
この太陽電池の知節電流は１．４４ Ａでめった。金属
酸化膜を形成しない場合（０，９８Ａ）に比べ４７％電
流が増加した。
酸化膜を形成しない場合（０，９８Ａ）に比べ４７％電
流が増加した。
実施例４
Ｔｊ（ＯＣｓＨｙ）２（ＣＨｓＣＯＣＨｃＯＣＨｓ）２
．ＣａＨ９Ｓｎ（ＯＨ）（ＣＨｓＣＯＣＨｃＯＣＨｇ
）２ 、 およびエチルセロソルブを用いてｓ Ｔｉ化
合物と’３ｎ４を合物の混合比の異なる榛々の浴液を＝
央し、これらの浴液を用いて実施例３と向ｌｊｐにして
、ＰＮ接合を形成しｔ３づンチφの単結晶シリコンの受
光面に酸化スズの連量此の異なる棟々の金属酸化膜を形
成した。形成した膜の屈折量は２．０〜２．１、膜厚は
６５５〜６９０λであった。次に実施１＋１１と同様に
して電極全形成した。これらの太陽電池の短Ｉｆ＠電流
を第３図に示す。
．ＣａＨ９Ｓｎ（ＯＨ）（ＣＨｓＣＯＣＨｃＯＣＨｇ
）２ 、 およびエチルセロソルブを用いてｓ Ｔｉ化
合物と’３ｎ４を合物の混合比の異なる榛々の浴液を＝
央し、これらの浴液を用いて実施例３と向ｌｊｐにして
、ＰＮ接合を形成しｔ３づンチφの単結晶シリコンの受
光面に酸化スズの連量此の異なる棟々の金属酸化膜を形
成した。形成した膜の屈折量は２．０〜２．１、膜厚は
６５５〜６９０λであった。次に実施１＋１１と同様に
して電極全形成した。これらの太陽電池の短Ｉｆ＠電流
を第３図に示す。
酸化チタンと酸化スズとの混合族とすることにより電流
が大きくなることが第５図かられかるｆ、また、酸化ス
ズのル量比が１０〜８０ｘｔ％の場合に大きな電流が得
らｆ′Ｌ′ｆｃ０ 〔発明の効果〕 以上述べた如く、本発明の太−電池は従来の太陽電池よ
りも大きな電流が得られ、従って動電が高いという特徴
があり、工業的意義が大きい。
が大きくなることが第５図かられかるｆ、また、酸化ス
ズのル量比が１０〜８０ｘｔ％の場合に大きな電流が得
らｆ′Ｌ′ｆｃ０ 〔発明の効果〕 以上述べた如く、本発明の太−電池は従来の太陽電池よ
りも大きな電流が得られ、従って動電が高いという特徴
があり、工業的意義が大きい。
第１図は受光面電極パターンを示す図、第２図は実施例
１の太陽電池素子のＩ−Ｖ特性倉示す図、第５図は酸化
スズの重量％と知絡亀流の関係全示す図である。 １：パスパー電極、２：フィンガーｔｍ、５ ：Ｐｌｉ
Ｗ？合形成シリコン基＆。 代理人升唐土 高 檎 明 天 集１＠ Ｊ ｌＩｚ柵 高３＠
１の太陽電池素子のＩ−Ｖ特性倉示す図、第５図は酸化
スズの重量％と知絡亀流の関係全示す図である。 １：パスパー電極、２：フィンガーｔｍ、５ ：Ｐｌｉ
Ｗ？合形成シリコン基＆。 代理人升唐土 高 檎 明 天 集１＠ Ｊ ｌＩｚ柵 高３＠
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 太陽電池の堂元面に金属酸化膜を施けた太陽電池
素子において、金塊酸化膜が酸化チタンと酸化スズの混
合した酸化膜であることを特徴とする太陽電池素子。 ２、 酸化スズのＮ蓋％が１０〜８０％でおることを特
徴とする特許ａｉｌｊＸの範曲第１項記載の太陽電池素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015222A JPS60161680A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59015222A JPS60161680A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 太陽電池素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60161680A true JPS60161680A (ja) | 1985-08-23 |
Family
ID=11882835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59015222A Pending JPS60161680A (ja) | 1984-02-01 | 1984-02-01 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60161680A (ja) |
-
1984
- 1984-02-01 JP JP59015222A patent/JPS60161680A/ja active Pending
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