JPS59182527A - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

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Publication number
JPS59182527A
JPS59182527A JP5513483A JP5513483A JPS59182527A JP S59182527 A JPS59182527 A JP S59182527A JP 5513483 A JP5513483 A JP 5513483A JP 5513483 A JP5513483 A JP 5513483A JP S59182527 A JPS59182527 A JP S59182527A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ceiling wall
processing container
vessel
inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5513483A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Miyamoto
浩一 宮本
Susumu Nanko
進 南光
Hisashi Kajiwara
梶原 久之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Hitachi Ome Electronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd, Hitachi Ome Electronic Co Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP5513483A priority Critical patent/JPS59182527A/ja
Publication of JPS59182527A publication Critical patent/JPS59182527A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、塗布技術に関し、特に、半導体ウェハ(以下
、ウェハという。)にレジスト液を塗布するのに効果が
ある塗布技術に関するものである。
[背景技術] 半導体装置の製造過程において、ウェハ上にホトレジス
トを塗布する場合、ウェハを処理容器の中に設けた回転
可能なスピンヘッド上に載置し、ウェハを回転させなが
らレジスト液をウェハの表面上に供給してレジスト塗布
処理を行っている(特公昭53−37189号公報)。
その烏合、ウェハ上に供給されたレジスト液はスピンヘ
ッドの回転に伴ってウェハ表面から遠心力で周囲に飛散
されるが、その飛散したレジスト液が容器壁に衝突して
ウェハ表面にはね返ると、レジスト塗布不良を生じ、歩
留りを低下させることになる。
そこで、本発明者はレジスト液のはね返りを防止したレ
ジスト塗布装置を開発した。
すなわち、第1回に示すように、内部にスピンヘッド2
が設けられた処理容器1の天井壁に複数の流入口3を設
けるとともに、処理容器1の底壁に排出口4を設け、処
理容器1内にレジスト液はね返り防止用の気体5を流通
させるというものである。
しかし、かかる技術においては、第1図に示すように、
渦を巻く乱流部分6が発生するため、レジスト液のはね
返りによる再付着が発生するという問題点が生ずること
が本発明者によって明らかとされた。
[発明の目的] 本発明の目的は、前記問題点を解決し、ウェハへのはね
返り液の再付着を防止し、歩留りを向上させることがで
きる塗布技術を提供するにある。
[発明の概要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、処理容器の天井壁の中央に気体流入口を設け
るとともに、天井壁の上方に上板を近接して設けること
にあり、気体を中央から集中的に容器内に流し、もって
容器内における気体の乱流の発注を防止するものである
[実施例コ 以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
第2図は本発明による塗布装置の一実施例を示す縦断面
図である。
本実施例において、レジスト塗布処理を行うための処理
容器11は円形断面の上カップ12および上カップと組
み合わされる下カップ13からなり、両カップ12.1
3は上下に分離可能になっている。上カップ12の天井
壁14の中央部には、後で説明するように、ウェハ表面
上へのレジスト液のはね返りを防止する気体としての空
気を流入させる流入口15が円形に穿設されており、こ
の流入口重5の口径はウェハの口径の約%程度が好まし
く、ウェハから流入口15までの高さはウェハの半径程
度が好ましい。上カップ12の天井壁14の上方には、
上板16が複数の支柱17により支持されて天井壁I4
と平行に近接して設けられており、この上板16は天井
壁14の外形とほぼ等しい円形に形成されている。この
上板16の中心にはレジスト液18を供給するためのレ
ジスト液供給ノズルI9が貫通して設けられている。
前記下カップ13の底壁20の外側部分には、前記空気
を流出させる排出口21が適数穿設されており、この流
出口21は気液分離用の分岐トラップ(不図示)を介し
て送風機等の吸引手段に連通されている。
処理容器11の中には、下カップ13の中心に貫通され
た回転軸22上に取り付けられた回転可能なスピンヘッ
ド23が設けられ、このヘッド23は上面に塗布対象物
としてのウェハ24を載置して吸着保持できるように構
成されている。
また、ウェハ24およびスピンヘッド23の周囲におい
ては、ウェハ表面へのレジスト液のはね返りを防止する
ためのはね返り防止部材25とスカート部材26とが上
下カップ12.13の間に挾み込まれて設けられている
。はね返り防止部材25は断面がほぼ楔形状をなすリン
グ状に形成されており、はね返り防止部材25の尖端内
径はウェハ25の外径よりも若干大きく、尖端の高さ位
置はウェハ25の若干上方に位置する。スカート部材2
6はほぼ切頭中空円錐形状に形成され、その円錐壁はは
ね返り防止部材25の下面の傾斜とほぼ等しく傾斜して
いる。スカート部材26の円錐壁には前記排出口21に
それぞれ連通する排出管27が突設されている。
次に作用を説明する。
上刃・7プ11と下カップ13とを分離された状態にお
いて、レジスト液が塗布されるウェハ24はスピンヘッ
ド23上に載置されて保持される。
この保持状態で、ウェハ24は回転軸22の回転により
スピンヘッド23とともに回転され、その回転中にレジ
スト液18がノズル19から供給され、ウェハ24上に
塗布される。
この間、流出口21を負圧吸引されることにより、処理
容器12の外部の空気が上板16と天井壁14との間の
通路を通って天井壁14の流入口15から処理容器12
内に流入し、ウェハ24の外縁とはね返り防止部材25
との間をすり抜けて排出管27および排出口21から流
出して行く。
この空気の流れは中央から集中的に流入され、ウェハ2
4の外周下方に引かれて行くため、すその広がったほぼ
円錐形状の整った流れになり、処理容器12の内部には
渦を巻いた乱流は全く発生しない。流入口15の内径、
高さが大きすぎたり、小さすぎた場合、乱流が発生する
ので通切な寸法を選定するとよい。
ウェハ24上に供給された余分なレジスト波型8はその
遠心力で周囲に飛散するが、はね返り防止部材25によ
りウェハ24の表面上へのはね返りを防止されるのみな
らず、前記空気の流れによりレジスト液のウェハ24の
表面上へのはね返りを極めて確実に防止することができ
る。その際、処理容器12の内部には乱流は全く発生し
ないので、空気の流れによるはね返り防止作用は極めて
安定して行われる。
また、レジスト液滴下後、モータ立ち上がり時の高加速
回転中にレジスト液がたつ巻状に舞い上がることがある
が、流入口15の真上に近接して上板16が設けられて
いるので、舞い上がったレジスト液は上板16に邪魔さ
れ、処理容器11の外部に逃散することを防止される。
塗布されなかったレジスト液およびはね返り防止用の空
気は、処理容器11の内部から排出口21を経て分岐ト
ラップ(不図示)の中に吸入され、気液分離される。
[効果] 処理容器内のはね返り防止用気体の流れが乱流を起こさ
ない整流状態になるため、液のウェハ表面へのはね返り
を極めて確実に防止することができる。
また、上板が舞い上がった液の障壁板の役目を果たすた
め、舞い上がったレジスト液が処理容器の外部に逃散す
ることを防止できる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
[利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウェハの表面
への塗布装置に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、たとえば、ガラスマスクや
写真乾板等にレジスト液を塗布する技術等に適用できる
【図面の簡単な説明】
第1図は提案された塗布装置の一例を示す縦断面図、 第2図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。 11・・・処理容器、12・・・上カップ、13・・・
下カップ、14・・・天井壁、15・・・流入口、16
・・・上板、17・・・支柱、18・・・レジスト液、
19・・・レジスト液供給ノズル、20・・・底壁、2
1・・・排出口、22・・・回転軸、23・・・スピン
ヘッド、24・・・半導体ウェハ、25・・・はね返り
防止部材、26・・・スカート部材、27・・・排出管

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、処理容器内に回転可能に設けたスピンヘッド上に塗
    布対象物を載置し、液を対象物上方から供給し、液のは
    ね返り防止用の気体を処理容器内に流入させるようにし
    た塗布装置において、前記処理容器の天井壁の中央に機
    体流入口を設けるとともに、この天井壁の上方に流入口
    よりも口径の大きい上板を近接して設け、処理容器の底
    壁に排出口を設けたことを特徴とする塗布装置。 2、流入口の口径および対象物から流入口までの高さが
    、対象物の約A程度であることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の塗布装置。
JP5513483A 1983-04-01 1983-04-01 塗布装置 Pending JPS59182527A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5513483A JPS59182527A (ja) 1983-04-01 1983-04-01 塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5513483A JPS59182527A (ja) 1983-04-01 1983-04-01 塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59182527A true JPS59182527A (ja) 1984-10-17

Family

ID=12990306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5513483A Pending JPS59182527A (ja) 1983-04-01 1983-04-01 塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59182527A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171819A (ja) * 1982-04-01 1983-10-08 Toshiba Corp 半導体処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58171819A (ja) * 1982-04-01 1983-10-08 Toshiba Corp 半導体処理装置

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