JPS5917900Y2 - 炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器 - Google Patents

炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器

Info

Publication number
JPS5917900Y2
JPS5917900Y2 JP18299381U JP18299381U JPS5917900Y2 JP S5917900 Y2 JPS5917900 Y2 JP S5917900Y2 JP 18299381 U JP18299381 U JP 18299381U JP 18299381 U JP18299381 U JP 18299381U JP S5917900 Y2 JPS5917900 Y2 JP S5917900Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction vessel
silicon carbide
reaction
carbide whisker
graphite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP18299381U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5891440U (ja
Inventor
明 山本
Original Assignee
東海カ−ボン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東海カ−ボン株式会社 filed Critical 東海カ−ボン株式会社
Priority to JP18299381U priority Critical patent/JPS5917900Y2/ja
Publication of JPS5891440U publication Critical patent/JPS5891440U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS5917900Y2 publication Critical patent/JPS5917900Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、籾殻を出発原料として炭化けい素ホイスカ
ーを製造する際に用いられる生成用反応容器に関する。
籾殻を出発原料とする炭化けい素ホイスカーの製法には
、籾殻を直接に黒鉛製の筒状反応容器に充填して生成炉
に移し、非酸化性雰囲気下に約1600℃の温度に加熱
する方法、または、籾殻を一旦灰化物に転化したのち適
宜な炭材と混合して同反応容器に詰め、上記同様に加熱
処理する方法がある。
これら方法において、炭化けい素ホイスカーの生成反応
を円滑かつ迅速に完結するためには、反応容器に充填さ
れた原料物質の全体を均一に加熱することが重要な要件
となる。
ところが、原料物質は熱伝導性の悪い粉粒体により構成
されているため反応容器の外周部と中心部とで温度の不
均一を生じ、中心部分の生成反応が著るしく劣化する事
態を招く。
この反応不均衡現象は、反応容器の容量を大きくすると
それに伴って増大傾向を示すことから、生産性を阻害す
る要因となっている。
この考案は、上記の欠点を解消し、容器形状の大型化に
拘りなく常に原料物質の全体に亙って均一加熱を与える
構造の炭化けい素ボイスカー生成用反応容器を提供する
ものである。
以下、この考案を図示の実施例に基づいて説明する。
図面において、1は黒鉛材で構成された坩堝型の筒状容
器、2はその内部に設置された黒鉛伝熱片である。
黒鉛伝熱片2は、第1図および第2図のように筒状容器
1の内部を縦割の複数区画として形成する構造あるいは
第3図のようにフィン状の構造として設置されるが、各
黒鉛伝熱片の端部は、筒状容器の内壁と一体に結合する
か、内壁と十分接する状態に形成設置する必要がある。
しかし、反応後の生成物取り出しを容易にするためには
、黒鉛伝熱片2を着脱自在に筒状容器1に挿着しく第1
図)または内壁溝を介して嵌着(第2図)する構造とす
ることが望ましい。
使用に当っては、籾殻あるいは籾殻灰化物と炭材の混合
物からなる原料物質を筒状容器1内に充填し上部に黒鉛
蓋を付して密閉したのち、アチソン炉、クリブトール炉
など適宜な加熱炉中に入れ約1600℃の温度に加熱す
る。
この際、原料物質は黒鉛伝熱片2による容器壁からの熱
伝導作用を受けて全体が極めて均等に加熱され、生成反
応は均一迅速に進行する。
したがって、反応不均衡現象に基づく中心部分の反応劣
化は悉く解消する。
この考案に係る炭化けい素ボイスカー或生用反応容器は
上記の構造および機能を有するから、次のような種々の
利点がもたらされる。
(1)原料物質全体に反応の均一迅速化が遠戚される結
果、生成炭化けい素ボイスカーの収率が増大するうえに
アスペクト比およびその均質性などの品質性状が向上す
る。
(2)大容量反応容器の使用が可能となるから、反応の
迅速化と相俟って、生産性が頗る向上する。
(3)構造が簡単であるため、製作、保守、大型化など
か゛容易である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案に係る炭化けい素ホイスカー生成用
反応容器の一実施例を示す斜傾図、第2図および第3図
は同平面図である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 黒鉛製筒状容器1の内部に、内壁と一体にもしくは接す
    る状態に黒鉛伝熱片2を形成設置してなる炭化けい素ホ
    イスカー生戊用反応容器。
JP18299381U 1981-12-10 1981-12-10 炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器 Expired JPS5917900Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18299381U JPS5917900Y2 (ja) 1981-12-10 1981-12-10 炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18299381U JPS5917900Y2 (ja) 1981-12-10 1981-12-10 炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5891440U JPS5891440U (ja) 1983-06-21
JPS5917900Y2 true JPS5917900Y2 (ja) 1984-05-24

Family

ID=29981855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18299381U Expired JPS5917900Y2 (ja) 1981-12-10 1981-12-10 炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5917900Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5891440U (ja) 1983-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4292276A (en) Apparatus for producing silicon carbide
US2431326A (en) Silicon carbide articles and method of making same
CN113089087B (zh) 一种提高碳化硅晶体质量的方法
GB2223507A (en) Tubular ceramic articles,methods and apparatus for their manufacture
CN106367812A (zh) 一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚
CN206570431U (zh) 一种制备碳化硅单晶的装置
JPS5917900Y2 (ja) 炭化けい素ホイスカ−生成用反応容器
JPH0476925B2 (ja)
CN206204480U (zh) 一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚
CN216688415U (zh) 一种改善粉源温场的坩埚结构
CN100390328C (zh) 一种用高温气相法制备晶体的坩埚及其使用方法
CN1037933A (zh) 制备硅单晶的方法和设备
US2990261A (en) Processing of boron compact
JPS6016371B2 (ja) ダイヤモンド合成用反応容器
JPS6322875Y2 (ja)
SE8700026D0 (sv) Forfarande for framstellning av korniga material med slutna gasceller
CN214115776U (zh) 坩埚结构
Hayashi et al. Process and continuous reaction furnace for production of beta-type silicon carbide whiskers
JPS5845197A (ja) 高品位sicホイスカ−の製造方法
JPH0566351B2 (ja)
CN211734528U (zh) 一种具有环形坩埚的半导体硅材料生长炉
CN115893419A (zh) 一种碳化硅的制备方法和制备装置
JPH0356250Y2 (ja)
JP2665779B2 (ja) 単結晶引上げ装置
JPH0238548B2 (ja)