JPS6016371B2 - ダイヤモンド合成用反応容器 - Google Patents
ダイヤモンド合成用反応容器Info
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- JPS6016371B2 JPS6016371B2 JP51129042A JP12904276A JPS6016371B2 JP S6016371 B2 JPS6016371 B2 JP S6016371B2 JP 51129042 A JP51129042 A JP 51129042A JP 12904276 A JP12904276 A JP 12904276A JP S6016371 B2 JPS6016371 B2 JP S6016371B2
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は黒鉛の如き非ダイヤモンド炭素買物質及び溶媒
金属から成る反応物質を高温高圧下に供してダイヤモン
ドの合成反応を行なう際の、反応室内の配置の改良に関
するものである。
金属から成る反応物質を高温高圧下に供してダイヤモン
ドの合成反応を行なう際の、反応室内の配置の改良に関
するものである。
従来用いられている反応室内の配置としては、ィ 円柱
状の溶媒金属のブロックを反応室の中央部に配置し、そ
の上方及び下方を円柱状の黒鉛フロックで充たす方法:
ロ ィとは逆に、反応室中央に円柱状の黒鉛のブロック
を配置し、残りの空間に円柱状の溶媒金属のブロックを
充たす方法:ハ 反応室の上下端に円盤状の黒鉛ブロッ
クを配覆し、反応室中央部の空間には黒鉛粉末と溶媒金
属粒との混合物を充たす方法:ニ 反応室の中心部に溶
媒金属の丸榛を通し、丸棒と反応室内壁との間に円筒状
の黒鉛を配置する方法:「等があるが、大きなダイヤモ
ンド収量を得るために反応室内への充填量が多く、且つ
溶媒金属と黒鉛との接触面積を大きくとるのに好ましい
構成としては、ホ 反応室内に黒鉛板と溶媒金属とを交
互に層状に配置する方法、が挙げられる。
状の溶媒金属のブロックを反応室の中央部に配置し、そ
の上方及び下方を円柱状の黒鉛フロックで充たす方法:
ロ ィとは逆に、反応室中央に円柱状の黒鉛のブロック
を配置し、残りの空間に円柱状の溶媒金属のブロックを
充たす方法:ハ 反応室の上下端に円盤状の黒鉛ブロッ
クを配覆し、反応室中央部の空間には黒鉛粉末と溶媒金
属粒との混合物を充たす方法:ニ 反応室の中心部に溶
媒金属の丸榛を通し、丸棒と反応室内壁との間に円筒状
の黒鉛を配置する方法:「等があるが、大きなダイヤモ
ンド収量を得るために反応室内への充填量が多く、且つ
溶媒金属と黒鉛との接触面積を大きくとるのに好ましい
構成としては、ホ 反応室内に黒鉛板と溶媒金属とを交
互に層状に配置する方法、が挙げられる。
これらの反応室を加熱する方法としては、○ー 反応室
の上下両端に配置された電極板を経由して反応室に直接
電流を導き中の反応物室を抵抗加熱する直接加熱法と、
t2ー 反応室の外用に絶縁物を介して配置された加熱
体に電流を導き反応室内の反応物質を周囲から加熱する
間接加熱方法とが挙げられる。
の上下両端に配置された電極板を経由して反応室に直接
電流を導き中の反応物室を抵抗加熱する直接加熱法と、
t2ー 反応室の外用に絶縁物を介して配置された加熱
体に電流を導き反応室内の反応物質を周囲から加熱する
間接加熱方法とが挙げられる。
直接加熱法は
・ 加熱電流に対して発熱効率が良い、
・ 反応室の容量を大きくとることができるので一回の
反応当りの生成量を大きくすることができる。
反応当りの生成量を大きくすることができる。
等の利点を有するもの)反面、反応室の断面に均一に電
流が流れにくく、反応室内の電流密度分布が一様でない
こと:反応室中心部の温度が外周部に比べて高くなる傾
向があり、反応室内に大きな温度勾配を生じること:さ
らに原料の黒鉛のダイヤモンドへの転換に伴なつて反応
室内の電気抵抗が変化し、これによって反応室に温度差
を生じる等の理由から、反応室内全域に一定した加熱条
件を維持し難い欠点がある。一方間接加熱法においては
、反応室内の温度分布の不均一及び反応の進行とは無関
係に一定温度を維持できる利点はあるものの、反面、反
応室の周囲に絶縁物を介してヒーターを配置し、また反
応室上方及び下方の電極板と反応室との間に絶縁物を配
置する構成をとるので、反応室の容積が容積が小さくな
る欠点を有する。
流が流れにくく、反応室内の電流密度分布が一様でない
こと:反応室中心部の温度が外周部に比べて高くなる傾
向があり、反応室内に大きな温度勾配を生じること:さ
らに原料の黒鉛のダイヤモンドへの転換に伴なつて反応
室内の電気抵抗が変化し、これによって反応室に温度差
を生じる等の理由から、反応室内全域に一定した加熱条
件を維持し難い欠点がある。一方間接加熱法においては
、反応室内の温度分布の不均一及び反応の進行とは無関
係に一定温度を維持できる利点はあるものの、反面、反
応室の周囲に絶縁物を介してヒーターを配置し、また反
応室上方及び下方の電極板と反応室との間に絶縁物を配
置する構成をとるので、反応室の容積が容積が小さくな
る欠点を有する。
本発明は上記の直接及び間接加熱法の利点のみを併せ持
つダイヤモンド合成反応における反応室の構成を提供す
るものであって、その要旨とするところは、反応室を限
定しかつ耐火物より成る管状体、該管状体の内壁に接し
て置かれた管状金属ヒーター、該ヒーターの両端に各1
個置かれかつ該ヒーターと本質的に同一の断面を有する
電流阻止層、該ヒーターと電流阻止層とで形成された空
間に該ヒーターと密接して充填された黒鉛と溶媒金属と
を含有する反応物質、上記ヒーターの両端部に接し、該
電流阻止層によって反応物質から絶縁された金属製電極
板、及び該電極板の上記反応室と反対側の面に接して置
かれた通電体により構成される、ダイヤモンド合成用反
応容器に存する。
つダイヤモンド合成反応における反応室の構成を提供す
るものであって、その要旨とするところは、反応室を限
定しかつ耐火物より成る管状体、該管状体の内壁に接し
て置かれた管状金属ヒーター、該ヒーターの両端に各1
個置かれかつ該ヒーターと本質的に同一の断面を有する
電流阻止層、該ヒーターと電流阻止層とで形成された空
間に該ヒーターと密接して充填された黒鉛と溶媒金属と
を含有する反応物質、上記ヒーターの両端部に接し、該
電流阻止層によって反応物質から絶縁された金属製電極
板、及び該電極板の上記反応室と反対側の面に接して置
かれた通電体により構成される、ダイヤモンド合成用反
応容器に存する。
次に本発明の構成の例を図面によって説明する。
第1図は、本発明の基本的な一形態を示す断面図である
。図において反応室1を限定する蝋石の如き耐火物より
成る管状体2の内壁に接して管状金属ヒーター3が配置
されている。反応室1には管状金属ヒーター3の内壁に
接して黒鉛4と溶媒金属5が交互に層状に配置される。
管状金属ヒーター3は上下両端に於いて電極板6、に接
し、この電極板6とこれに接続された通電体7を経由し
て、パンチ(図示せず)から反応室加熱用の電流が導か
れる。反応室1の両端にはマグネシア、アルミナ、シリ
カ等の酸化物乃至窒化棚素の如き窒化物にて形成される
電流阻止層8が置かれ、反応室内客物が電極板6と直接
接触するのを防いでいる。また通電体7の内側は硬く焼
成した蝋石等にて形成され、パンチを反応室の高温から
保護するための熱遮蔽板9が充填される。以上の如く反
応室を構成することによって反応室内の電気抵抗値は周
囲の管状金属ヒーター3に比べて著しく高くなり、加熱
電流の大部分を優先的にこのヒーター3に通し、反応室
を周囲から加熱するものである。
。図において反応室1を限定する蝋石の如き耐火物より
成る管状体2の内壁に接して管状金属ヒーター3が配置
されている。反応室1には管状金属ヒーター3の内壁に
接して黒鉛4と溶媒金属5が交互に層状に配置される。
管状金属ヒーター3は上下両端に於いて電極板6、に接
し、この電極板6とこれに接続された通電体7を経由し
て、パンチ(図示せず)から反応室加熱用の電流が導か
れる。反応室1の両端にはマグネシア、アルミナ、シリ
カ等の酸化物乃至窒化棚素の如き窒化物にて形成される
電流阻止層8が置かれ、反応室内客物が電極板6と直接
接触するのを防いでいる。また通電体7の内側は硬く焼
成した蝋石等にて形成され、パンチを反応室の高温から
保護するための熱遮蔽板9が充填される。以上の如く反
応室を構成することによって反応室内の電気抵抗値は周
囲の管状金属ヒーター3に比べて著しく高くなり、加熱
電流の大部分を優先的にこのヒーター3に通し、反応室
を周囲から加熱するものである。
このような効果をより確実にしたものが第2図に示す構
成である。即ちこの構成において反応室1内には管状金
属ヒータ−3と等しい断断をもつ、電流阻止層8が少く
ともーケ所配置されることによって反応室内を流れる電
流を更に小さくし、加熱電流を専ら反応室の内壁に沿っ
て流して反応室内客物を周囲からのみ加熱するようにし
たものである。第3図は第1図又は第2図に示す構成に
おいて10山以上の粒径を有するダイヤモンド結晶10
を種子として黒鉛層と溶媒金属層との接触部及び/又は
黒鉛層の中に埋め込んだ場合の構成を示す断面図である
。
成である。即ちこの構成において反応室1内には管状金
属ヒータ−3と等しい断断をもつ、電流阻止層8が少く
ともーケ所配置されることによって反応室内を流れる電
流を更に小さくし、加熱電流を専ら反応室の内壁に沿っ
て流して反応室内客物を周囲からのみ加熱するようにし
たものである。第3図は第1図又は第2図に示す構成に
おいて10山以上の粒径を有するダイヤモンド結晶10
を種子として黒鉛層と溶媒金属層との接触部及び/又は
黒鉛層の中に埋め込んだ場合の構成を示す断面図である
。
この場合、種子を用いない場合に比して低い圧力で種子
上へダイヤモンドの成長が生じる。この現象は種子ダイ
ヤモンド10上への成長に要するエネルギーが、新たな
ダイヤモンドの核形成に要するエネルギーよりも小さい
ことによると説明されている。この時の反応温度は比較
的低いので全体としての成長速度は大きくないが、結晶
面の良く発達した良質の結晶が得られる利点がある。ま
た種子の数を増すことによって時間当りの収量を向上さ
せることが可能である。更にこの構成にて通常のダイヤ
モンド合成反応に必要な圧力温度条件下に供する時は、
種子を用いない場合に比べて短い時間でレジンボンド用
砥石に適した複雑な形状のダイヤモンドが得られるので
反応時間の短縮が可能となった。第3図の構成において
種子として用いるダイヤモンド結晶の粒径が10り以下
の場合には効果がない。
上へダイヤモンドの成長が生じる。この現象は種子ダイ
ヤモンド10上への成長に要するエネルギーが、新たな
ダイヤモンドの核形成に要するエネルギーよりも小さい
ことによると説明されている。この時の反応温度は比較
的低いので全体としての成長速度は大きくないが、結晶
面の良く発達した良質の結晶が得られる利点がある。ま
た種子の数を増すことによって時間当りの収量を向上さ
せることが可能である。更にこの構成にて通常のダイヤ
モンド合成反応に必要な圧力温度条件下に供する時は、
種子を用いない場合に比べて短い時間でレジンボンド用
砥石に適した複雑な形状のダイヤモンドが得られるので
反応時間の短縮が可能となった。第3図の構成において
種子として用いるダイヤモンド結晶の粒径が10り以下
の場合には効果がない。
これは黒鉛からダイヤモンドへの転換反応が始まる温度
に迄反応室を加熱する過程で生じる黒鉛と金属との相互
拡散の際にこれより小さいダイヤモンドは消失すること
に困るものと思われる。上記の欠点を克服し、反応室昇
温の際の種子ダイヤモンドの溶解を防いだものが第4図
に示す構成である。この構成においては種子ダイヤモン
ド結晶及び黒鉛は銅の如き炭素を熔融しない銅族の金属
にて形成される隔壁11により溶媒金属から隔てられて
いるので、隔壁金属が融ける温度に至る迄ダイヤモンド
と溶媒金属との相互拡散が阻止されることにより、種子
の溶解が防止され、粒径10一以下の微小なダイヤモン
ドでも種子として有効に利用できる。次に本発明の効果
を実施例によって示す。
に迄反応室を加熱する過程で生じる黒鉛と金属との相互
拡散の際にこれより小さいダイヤモンドは消失すること
に困るものと思われる。上記の欠点を克服し、反応室昇
温の際の種子ダイヤモンドの溶解を防いだものが第4図
に示す構成である。この構成においては種子ダイヤモン
ド結晶及び黒鉛は銅の如き炭素を熔融しない銅族の金属
にて形成される隔壁11により溶媒金属から隔てられて
いるので、隔壁金属が融ける温度に至る迄ダイヤモンド
と溶媒金属との相互拡散が阻止されることにより、種子
の溶解が防止され、粒径10一以下の微小なダイヤモン
ドでも種子として有効に利用できる。次に本発明の効果
を実施例によって示す。
実施例 1
第1図に示した構成の反応容器を用いてダイヤモンドの
合成を行なった。
合成を行なった。
外径5仇奴、内径3仇吻、高さ40側の管状体を用い、
管状体の内壁に接して内厚0.5冊のコバルト管を配置
した。この内部に厚さ5肌の黒鉛板と厚さ2肋のコバル
ト板とを交互に充填し、管状体の両端には直径29肋、
厚さ3.5肌の焼結マグネシア板を電流阻止層として配
置した。こうして得られた反応容器を外径165肌、内
径50側、外周の高さ12物廠の、堅く焼結されたアル
ミナ製の中空円筒体に鉄込み、全体を内径165肋の圧
穿台と一対の戦頭円錐形パンチから成る高圧装置に装着
し、プレス荷重を加えて反応室内に約54Kbの高圧を
発生し2900Aの電流を通じることにより約1400
00に加熱し、20分間維持した。この間電流値は一定
であった。この反応の縞果的15夕のダイヤモンド結晶
を得た。実施例 2 第2図の構成の反応容器を用いた。
管状体の内壁に接して内厚0.5冊のコバルト管を配置
した。この内部に厚さ5肌の黒鉛板と厚さ2肋のコバル
ト板とを交互に充填し、管状体の両端には直径29肋、
厚さ3.5肌の焼結マグネシア板を電流阻止層として配
置した。こうして得られた反応容器を外径165肌、内
径50側、外周の高さ12物廠の、堅く焼結されたアル
ミナ製の中空円筒体に鉄込み、全体を内径165肋の圧
穿台と一対の戦頭円錐形パンチから成る高圧装置に装着
し、プレス荷重を加えて反応室内に約54Kbの高圧を
発生し2900Aの電流を通じることにより約1400
00に加熱し、20分間維持した。この間電流値は一定
であった。この反応の縞果的15夕のダイヤモンド結晶
を得た。実施例 2 第2図の構成の反応容器を用いた。
反応室内の配置以外は第1図の場合と同じである。コバ
ルト管の内部には厚さ2肌のコバルト板を厚さ4肌の2
枚の黒鉛で挟んで形成したもの3組を充填し、厚さ2.
5肌、直径29舷の4枚のマグネシア板を電流阻止層と
し、2枚でこれらの間を仕切り、更に両端に1枚ずつ配
置した。実施例1と同一のプレス荷重を用い2700A
の電流を約20分間通じて行なった結果、約18夕のダ
イヤモンド結晶を得た。実施例 3実施例2の構成とほ
)、同様の構成を用いたが、厚さ4柵の黒鉛板と厚さ2
肋のコバルト板との境界面に粒径10〜20仏のダイヤ
モンド結晶を種子として配置した。
ルト管の内部には厚さ2肌のコバルト板を厚さ4肌の2
枚の黒鉛で挟んで形成したもの3組を充填し、厚さ2.
5肌、直径29舷の4枚のマグネシア板を電流阻止層と
し、2枚でこれらの間を仕切り、更に両端に1枚ずつ配
置した。実施例1と同一のプレス荷重を用い2700A
の電流を約20分間通じて行なった結果、約18夕のダ
イヤモンド結晶を得た。実施例 3実施例2の構成とほ
)、同様の構成を用いたが、厚さ4柵の黒鉛板と厚さ2
肋のコバルト板との境界面に粒径10〜20仏のダイヤ
モンド結晶を種子として配置した。
これにプレス荷重を加え2.70血の電流を10分間通
じることにより約23夕のレジンボンド用砥石に通した
ダイヤモンド結晶を得た。実施例 4実施例1とほ)、
同様の構成を用いたが、黒鉛板とコバルト板との間に厚
さ50仏の銅板を置き、且つ黒鉛板の表面に直径40仏
のダイヤモンド種子を配置した。
じることにより約23夕のレジンボンド用砥石に通した
ダイヤモンド結晶を得た。実施例 4実施例1とほ)、
同様の構成を用いたが、黒鉛板とコバルト板との間に厚
さ50仏の銅板を置き、且つ黒鉛板の表面に直径40仏
のダイヤモンド種子を配置した。
反応室内に約52Kbの高圧を発生させ、2750Aの
電流を通じることにより約135000の温度に3び分
間維持して反応を行なった。この結果0.2〜0.5柳
の粒径をもち、結晶面のよく発達した黄色のダイヤモン
ドを約12タ得た。比較のため従来方法にてダイヤモン
ド合成反応を行なった例を示す。
電流を通じることにより約135000の温度に3び分
間維持して反応を行なった。この結果0.2〜0.5柳
の粒径をもち、結晶面のよく発達した黄色のダイヤモン
ドを約12タ得た。比較のため従来方法にてダイヤモン
ド合成反応を行なった例を示す。
比較例
上記実施例1と類似の構成にて操作を行なった。
この例においてはコバルト管及び反応室両端の電流阻止
層は用いずその分だけ大さめのコバルト板と黒鉛板を用
いた。反応室に約54Kbの高圧を発生させたが、反応
室を約1400o0に保つためには約3700Aの電流
を要し、しかも電流値は途中かなり変動した。この結果
得られたダイヤモント結晶も僅か5タ程度にすぎなかっ
た。以上説明した如く本発明によるダイヤモンド合成方
法及びこれに用いられる装置は従来の方法及び装置に対
して次の如き利点を有する。
層は用いずその分だけ大さめのコバルト板と黒鉛板を用
いた。反応室に約54Kbの高圧を発生させたが、反応
室を約1400o0に保つためには約3700Aの電流
を要し、しかも電流値は途中かなり変動した。この結果
得られたダイヤモント結晶も僅か5タ程度にすぎなかっ
た。以上説明した如く本発明によるダイヤモンド合成方
法及びこれに用いられる装置は従来の方法及び装置に対
して次の如き利点を有する。
1 直接加熱法と同様の大きな容積の反応室を用いるこ
とができる。
とができる。
2 反応室内の温度分布は間接加熱法と同様の均一性が
得られる。
得られる。
3 反応を通じて加熱電流に対する発熱量が一定になる
ので温度の制御が容易である。
ので温度の制御が容易である。
4 反応室内の少くとも両端に各1個マグネシア、アル
ミナ、シリカ、窒化棚素の如き酸化物乃至窒化物より成
る電流阻止を設けることにより、加熱電流を常に反応室
壁面の管状金属ヒーターに通じ安定した加熱を行なうこ
とができる。
ミナ、シリカ、窒化棚素の如き酸化物乃至窒化物より成
る電流阻止を設けることにより、加熱電流を常に反応室
壁面の管状金属ヒーターに通じ安定した加熱を行なうこ
とができる。
5 黒鉛と溶媒金属との薮触部及び/又は黒鉛部に予め
10仏以上の粒径をもつダイヤモンド結晶を種子として
配置した場合には種子上への結晶成長が新たな核の形成
に比し低温低圧で行なわれること、及び反応室内の温度
が均一であることにより、種子を用いない場合に比べて
より低温低圧で結晶面のよく発達したダイヤモンド結晶
を反応室内全域に生成させることが可能となつた。
10仏以上の粒径をもつダイヤモンド結晶を種子として
配置した場合には種子上への結晶成長が新たな核の形成
に比し低温低圧で行なわれること、及び反応室内の温度
が均一であることにより、種子を用いない場合に比べて
より低温低圧で結晶面のよく発達したダイヤモンド結晶
を反応室内全域に生成させることが可能となつた。
6 また上述の如く種子ダイヤモンド結晶を用いこれを
通常のダイヤモンド合成に用いられる圧力温度条件下に
供して反応を行なう場合反応時間を短縮することができ
る。
通常のダイヤモンド合成に用いられる圧力温度条件下に
供して反応を行なう場合反応時間を短縮することができ
る。
7 更に溶媒金属と黒鉛との間に炭素を溶解しない金属
より成る隔壁を設けることにより、上記の種子結晶が反
応室の昇温時に拡散によって溶媒金属に溶けるのを阻止
するので、種子を有効に利用することができる。
より成る隔壁を設けることにより、上記の種子結晶が反
応室の昇温時に拡散によって溶媒金属に溶けるのを阻止
するので、種子を有効に利用することができる。
第1図は本発明の基本的な一構成、第2図はその一改良
形を示す断面図である。 第3図は第2図の構成にて種子ダイヤモンド結晶を用い
た場合の構成、第4図はその改良形を示す。図において
、1・・・・・・反応室、2・・・・・・耐火物製管状
体、3・・・・・・管状金属ヒーター、4・・・・・・
黒鉛、5・・…・溶媒金属、6・・・・・・電極板、7
・・・・・・通電体、8・・…・電流阻止層、9…・・
・熱遮蔽板、10・・・・・・種子ダイヤモンド結晶、
11・・・・・・隔壁。第1図 藷Z図 第3図 第4図
形を示す断面図である。 第3図は第2図の構成にて種子ダイヤモンド結晶を用い
た場合の構成、第4図はその改良形を示す。図において
、1・・・・・・反応室、2・・・・・・耐火物製管状
体、3・・・・・・管状金属ヒーター、4・・・・・・
黒鉛、5・・…・溶媒金属、6・・・・・・電極板、7
・・・・・・通電体、8・・…・電流阻止層、9…・・
・熱遮蔽板、10・・・・・・種子ダイヤモンド結晶、
11・・・・・・隔壁。第1図 藷Z図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 反応室を限定しかつ耐火物より成る管状体、該管状
体の内壁に接して置かれた管状金属ヒーター、該ヒータ
ーの両端に各1個置かれかつ該ヒーターと本質的に同一
の断面を有する電流阻止層、該ヒーターと電流阻止層と
で形成された空間に該ヒーターと密接して充填された黒
鉛と溶媒金属とを含有する反応物質、上記ヒーターの両
端部に接し、該電流阻止層によつて反応物質から絶縁さ
れた金属製電極板、及び該電極板の上記反応室と反対側
の面に接して置かれた通電体により構成される、ダイヤ
モンド合成用反応容器。 2 上記ヒーター内の電流阻止層の中間に、ヒーターの
内壁と本質的に同一断面を有する電流阻止層を少くとも
1層配置した、特許請求の範囲第1項記載のダイヤモン
ド合成用反応容器。 3 上記電流阻止層がマグネシア、アルミナ、シリカ、
窒化硼素の如き酸化物乃至窒化物等、高温で電気絶縁性
を有する物質にて形成されている、特許請求の範囲第1
項又は第2項に記載のダイヤモンド合成用反応容器。 4 上記反応物質が黒鉛と溶媒金属との混合粉末である
、特許請求の範囲第1項に記載のダイヤモンド合成用反
応容器。 5 上記反応物質が、交互に積み重ねられた黒鉛と溶媒
金属との層より成る、特許請求の範囲第1項に記載のダ
イヤモンド合成用反応容器。 6 上記黒鉛及び溶媒金属が共に板状である、特許請求
の範囲第1項記載のダイヤモンド合成用反応容器。 7 上記黒鉛及び溶媒金属のいづれか一方が板状であり
、他方が粉末状乃至粒状である特許請求の範囲第1項記
載のダイヤモンド合成用反応容器。 8 上記黒鉛の層と溶媒金属の層との接触部及び/又は
黒鉛層の中に、種子としてダイヤモンド結晶を含有せし
めた、特許請求の範囲第4項乃至第7項のいずれか1項
に記載のダイヤモンド合成用反応容器。 9 上記黒鉛の層と溶媒金属の層との間に銅族の金属か
ら成る隔壁を配置した、特許請求の範囲第4項乃至第7
項のいずれか1項に記載のダイヤモンド合成用反応容器
。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51129042A JPS6016371B2 (ja) | 1976-10-27 | 1976-10-27 | ダイヤモンド合成用反応容器 |
DE2747882A DE2747882C3 (de) | 1976-10-27 | 1977-10-26 | Vorrichtung zur Herstellung synthetischer Diamanten |
US05/845,960 US4147255A (en) | 1976-10-27 | 1977-10-27 | Process for synthesizing diamonds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51129042A JPS6016371B2 (ja) | 1976-10-27 | 1976-10-27 | ダイヤモンド合成用反応容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5354194A JPS5354194A (en) | 1978-05-17 |
JPS6016371B2 true JPS6016371B2 (ja) | 1985-04-25 |
Family
ID=14999648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51129042A Expired JPS6016371B2 (ja) | 1976-10-27 | 1976-10-27 | ダイヤモンド合成用反応容器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4147255A (ja) |
JP (1) | JPS6016371B2 (ja) |
DE (1) | DE2747882C3 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59169994A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-26 | Showa Denko Kk | ダイヤモンド結晶の成長法 |
US4547257A (en) * | 1984-09-25 | 1985-10-15 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Method for growing diamond crystals |
IE60351B1 (en) * | 1987-04-24 | 1994-06-29 | De Beers Ind Diamond | Synthesis of ultra-hard abrasive particles |
JPH01224570A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-07 | Oowada Carbon Kogyo Kk | 高温高圧プレス機のプレスシリンダー |
DE4215845A1 (de) * | 1992-05-14 | 1993-11-18 | Behrends Holger | Verfahren zur Herstellung von Diamant |
ES2258919B2 (es) * | 2005-02-21 | 2007-04-01 | Instituto De Monocristales, S.L. | Capsula y elementos para la produccion de sintesis del diamante. |
US9476258B2 (en) | 2013-06-25 | 2016-10-25 | Diamond Innovations, Inc. | PDC cutter with chemical addition for enhanced abrasion resistance |
CN115041099B (zh) * | 2022-07-19 | 2023-11-17 | 彭伟华 | 一种金刚石合成块和金刚石的制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4832518A (ja) * | 1971-08-30 | 1973-04-28 | ||
JPS4881781A (ja) * | 1972-02-04 | 1973-11-01 | ||
JPS522873A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Nippon Kobunshi Kagaku Kk | Process for production of porous plates |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL246888A (ja) * | 1958-12-29 | |||
US3297407A (en) * | 1962-12-10 | 1967-01-10 | Gen Electric | Method of growing diamond on a diamond seed crystal |
US3317035A (en) * | 1963-09-03 | 1967-05-02 | Gen Electric | Graphite-catalyst charge assembly for the preparation of diamond |
US4042673A (en) * | 1973-11-02 | 1977-08-16 | General Electric Company | Novel diamond products and the manufacture thereof |
-
1976
- 1976-10-27 JP JP51129042A patent/JPS6016371B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-10-26 DE DE2747882A patent/DE2747882C3/de not_active Expired
- 1977-10-27 US US05/845,960 patent/US4147255A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS4832518A (ja) * | 1971-08-30 | 1973-04-28 | ||
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JPS522873A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-10 | Nippon Kobunshi Kagaku Kk | Process for production of porous plates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2747882B2 (de) | 1980-06-19 |
JPS5354194A (en) | 1978-05-17 |
DE2747882C3 (de) | 1981-02-19 |
US4147255A (en) | 1979-04-03 |
DE2747882A1 (de) | 1978-05-03 |
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