JPS59175172A - フオトカプラ装置 - Google Patents
フオトカプラ装置Info
- Publication number
- JPS59175172A JPS59175172A JP58049295A JP4929583A JPS59175172A JP S59175172 A JPS59175172 A JP S59175172A JP 58049295 A JP58049295 A JP 58049295A JP 4929583 A JP4929583 A JP 4929583A JP S59175172 A JPS59175172 A JP S59175172A
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- JP
- Japan
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- light
- emitting element
- transparent resin
- light emitting
- bonded
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトカプラ装置に関するものである。
従来のフォトカプラ装置は、第１図に示すように発光ダ
イオードなどの発光素子１とフォトダイオードなどの受
光素子２とを対向するようにリードフレーム３上に配置
させて結線されていた。４はボンディングワイヤ、５は
透明樹脂である。このようなフォトカプラ装置は光の伝
達率を最大限にするために互いに対向するように発光素
子と受光素子の２つの素子を配置して、電気的に結合さ
れ、光学的には結合されている光電変換素子であるが、
ハイブリッドＩＣのような印刷基板に、上述の装置を直
接作シ込むことは極めて難しく、構造が複雑で高価にな
る。そのため第２図に示すように発光素子と受光素子と
を対向させて一体にモールド外装したフォトカブフロを
印刷基板７上に配置し、はんだ付けして使用されていた
が、大形になる、生産性が悪いなどの問題があった。
イオードなどの発光素子１とフォトダイオードなどの受
光素子２とを対向するようにリードフレーム３上に配置
させて結線されていた。４はボンディングワイヤ、５は
透明樹脂である。このようなフォトカプラ装置は光の伝
達率を最大限にするために互いに対向するように発光素
子と受光素子の２つの素子を配置して、電気的に結合さ
れ、光学的には結合されている光電変換素子であるが、
ハイブリッドＩＣのような印刷基板に、上述の装置を直
接作シ込むことは極めて難しく、構造が複雑で高価にな
る。そのため第２図に示すように発光素子と受光素子と
を対向させて一体にモールド外装したフォトカブフロを
印刷基板７上に配置し、はんだ付けして使用されていた
が、大形になる、生産性が悪いなどの問題があった。
本発明は上述の問題を解消し、高密度実装が容易で、生
産性の高いフォトカプラ装置を提供するものである。
産性の高いフォトカプラ装置を提供するものである。
すなわち、印刷回路基板の同一平面上に発光素子と受光
素子とをポンディングし、その２つの素子を透明樹脂で
一体に被覆し、その透明樹脂の外表面を光反射性の材料
で被覆し、画素子を光結合することを特徴とするフォト
カプラ装置である。
素子とをポンディングし、その２つの素子を透明樹脂で
一体に被覆し、その透明樹脂の外表面を光反射性の材料
で被覆し、画素子を光結合することを特徴とするフォト
カプラ装置である。
以下、本発明を第３図に示す実施例により説明する。
第３図はハイブリッドＩＣに用いたフォトカプラ装置の
要部断面図で、アルミナなどの絶縁基板８上に銀、パラ
ジウムなどの導電材料を印刷、焼成して配線電極層９を
形成した印刷回路基板１０の電極層９上の所定の位置に
、発光ダイオードなどの発光素子１１およびフォトトラ
ンジスタｆｘ ト（７） 受光素子１２を樹脂、共晶合
金などを介してダイボンディングし、金、アルミニウム
などの導電ワイヤ】３を用いて上記素子の電極と配線電
極層９とをワイヤーボンディングする。次いでこのよう
に印刷回路基板１０の同一平面上にボンディングした発
光素子】】と受光素子１２に透明の樹脂１４を点滴させ
る。
要部断面図で、アルミナなどの絶縁基板８上に銀、パラ
ジウムなどの導電材料を印刷、焼成して配線電極層９を
形成した印刷回路基板１０の電極層９上の所定の位置に
、発光ダイオードなどの発光素子１１およびフォトトラ
ンジスタｆｘ ト（７） 受光素子１２を樹脂、共晶合
金などを介してダイボンディングし、金、アルミニウム
などの導電ワイヤ】３を用いて上記素子の電極と配線電
極層９とをワイヤーボンディングする。次いでこのよう
に印刷回路基板１０の同一平面上にボンディングした発
光素子】】と受光素子１２に透明の樹脂１４を点滴させ
る。
この状態では発光素子１１の光が外部に逃げるので上述
の透明樹脂１４の表面に白色の樹脂、銀粉入り樹脂など
光反射性の材料１５を塗布したり、その材料の成形体を
被せるなどして発光素子１１の光を閉じ込める。
の透明樹脂１４の表面に白色の樹脂、銀粉入り樹脂など
光反射性の材料１５を塗布したり、その材料の成形体を
被せるなどして発光素子１１の光を閉じ込める。
本発明のフォトカプラ装置は以上のようにして構成され
るので１発光素子１と受光素子２の間が同一平面上で極
めて接近して配置されるので、高密度に生産でき、しか
も樹脂の塗布、被覆作業が自動化し易く能率的に生産で
きる。特に他の電子回路素子と一緒に印刷回路基板上に
組込む装置、例えばハイブリッドＩＣにおいてはＩＣチ
ップやトランジスタチップの素子と同時に同じ製法で、
ボンディングおよび樹脂被覆でき、フォトカフラの専有
面積を大幅に縮少することができる。
るので１発光素子１と受光素子２の間が同一平面上で極
めて接近して配置されるので、高密度に生産でき、しか
も樹脂の塗布、被覆作業が自動化し易く能率的に生産で
きる。特に他の電子回路素子と一緒に印刷回路基板上に
組込む装置、例えばハイブリッドＩＣにおいてはＩＣチ
ップやトランジスタチップの素子と同時に同じ製法で、
ボンディングおよび樹脂被覆でき、フォトカフラの専有
面積を大幅に縮少することができる。
叙上のように本発明のフォトカプラ装置は、小形、高密
度実装および生産性の面において極めて有利となり、工
業的ならびに実用的価値の大なるものである。
度実装および生産性の面において極めて有利となり、工
業的ならびに実用的価値の大なるものである。
第１図および第２図は従来のフォトカプラ装置の要部の
断面図、第３図は本発明のフォトカプラ装置の要部の断
面図である。 １．１１：発光素子 ２．１２：受光素子 ７．９：印刷回路基板 １４：透明樹脂 １５：光反射性の材料
断面図、第３図は本発明のフォトカプラ装置の要部の断
面図である。 １．１１：発光素子 ２．１２：受光素子 ７．９：印刷回路基板 １４：透明樹脂 １５：光反射性の材料
Claims (1)
- 印刷回路基板の同一平面上に発光素子と受光素子とをボ
ンディングし、その画素子を透明樹脂で一体に被覆し、
その透明樹脂の外表面を光反射性の材料で複核し、画素
子を光結合することを特徴とするフォトカプラ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58049295A JPS59175172A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | フオトカプラ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58049295A JPS59175172A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | フオトカプラ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175172A true JPS59175172A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12826924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58049295A Pending JPS59175172A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | フオトカプラ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175172A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5964181A (en) * | 1995-11-16 | 1999-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Temperature indicating device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5119460A (ja) * | 1974-06-29 | 1976-02-16 | Licentia Gmbh | Oputoerekutoronitsukukapurasoshi |
| JPS5159284A (ja) * | 1974-11-20 | 1976-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hikariketsugosochi |
| JPS5269533A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Nec Corp | Double keying prevention circuit |
| JPS5412689A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Omron Tateisi Electronics Co | Photo coupler |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP58049295A patent/JPS59175172A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5119460A (ja) * | 1974-06-29 | 1976-02-16 | Licentia Gmbh | Oputoerekutoronitsukukapurasoshi |
| JPS5159284A (ja) * | 1974-11-20 | 1976-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hikariketsugosochi |
| JPS5269533A (en) * | 1975-12-08 | 1977-06-09 | Nec Corp | Double keying prevention circuit |
| JPS5412689A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Omron Tateisi Electronics Co | Photo coupler |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5964181A (en) * | 1995-11-16 | 1999-10-12 | 3M Innovative Properties Company | Temperature indicating device |
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