JPS59172643A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS59172643A JPS59172643A JP4832283A JP4832283A JPS59172643A JP S59172643 A JPS59172643 A JP S59172643A JP 4832283 A JP4832283 A JP 4832283A JP 4832283 A JP4832283 A JP 4832283A JP S59172643 A JPS59172643 A JP S59172643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive type
- adhesion
- type photoresist
- polyester
- unsaturated polyester
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ポジ型フォトレジスト組成物に関するもので
ある。
ある。
従来、ナフトキノンジアジド基やベンゾキノンジアジド
基を有する化合物を含む感光性組成物は３００〜５００
ｍμの光照射により、キノンジアジド基が分解してカル
ボキシル基を生ずることにより、アルカリ不溶の状態か
らアルカリ可溶性になることを利用してポジ型フォトレ
ジストやポジ型２８版用として用いられている。
基を有する化合物を含む感光性組成物は３００〜５００
ｍμの光照射により、キノンジアジド基が分解してカル
ボキシル基を生ずることにより、アルカリ不溶の状態か
らアルカリ可溶性になることを利用してポジ型フォトレ
ジストやポジ型２８版用として用いられている。
ナフトキノンジアジド基やベンゾキノンジアジド基を含
む化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒ
ドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を弱ア
ルカリの存在下に縮合させるととによシ得られる。ここ
で低分子化合物の例としてはハイドロキノン、レゾルシ
ン、フロログルシン１．２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３．４−トリヒドロギシベンゾフエノン、
没食子酸アルキルエステル等があげられ、高分子化合物
の例としてはフエノール−ホルムアルデヒドノボラノク
Ｓｔ Ｉ＋旨、クレゾール−ホルムアルデヒドノポラノ
クｍｌ ｌｌ’ｆ、ポリヒドロキシヌチレン等があげら
れる。
む化合物は、例えばナフトキノンジアジドスルホン酸ク
ロリドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロリドとヒ
ドロキシ基を有する低分子化合物や高分子化合物を弱ア
ルカリの存在下に縮合させるととによシ得られる。ここ
で低分子化合物の例としてはハイドロキノン、レゾルシ
ン、フロログルシン１．２．４−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，３．４−トリヒドロギシベンゾフエノン、
没食子酸アルキルエステル等があげられ、高分子化合物
の例としてはフエノール−ホルムアルデヒドノボラノク
Ｓｔ Ｉ＋旨、クレゾール−ホルムアルデヒドノポラノ
クｍｌ ｌｌ’ｆ、ポリヒドロキシヌチレン等があげら
れる。
これらの感光剤を含む感光性組成物は、この他に通常、
樹脂成分を含んでいる。これは均一で丈夫な塗膜を与え
、フォトレジストやＰＳ版として実用に耐えるだめの必
須成分である。又、アルカリで現イ９！できることも要
件とされる。このような樹脂としてはノボラック樹脂が
好適であり、フェノール−ホルムアルデヒドノボラノク
樹脂やクレゾールーホルムアルデヒドノボラノク樹脂が
広く実用に供されている。この他スチレンー無水マレイ
ン酸コポリマー、ポリヒドロキシスチレン、カルボキシ
ル基を有するアクリル樹脂が用いられる。
樹脂成分を含んでいる。これは均一で丈夫な塗膜を与え
、フォトレジストやＰＳ版として実用に耐えるだめの必
須成分である。又、アルカリで現イ９！できることも要
件とされる。このような樹脂としてはノボラック樹脂が
好適であり、フェノール−ホルムアルデヒドノボラノク
樹脂やクレゾールーホルムアルデヒドノボラノク樹脂が
広く実用に供されている。この他スチレンー無水マレイ
ン酸コポリマー、ポリヒドロキシスチレン、カルボキシ
ル基を有するアクリル樹脂が用いられる。
以上のポジ型フォトレジストは、一般に光硬化仰（ネガ
型）フォトレジストに比べ解像力が著しくすぐれている
。この高解像力を生かしてプリント配線用銅張積層基板
、ＩＣやＬＳＩなどの集積回路製作を行うときの写頁食
刻法のエツチング保護膜（レジスト膜）として利用され
ている。さて集積回路については高集積化によ４ヂ る微細化に′■い今や１１１ｍ巾のパターンが要求され
るに到っている。しかしながらこのような微細なパター
ンになると高解像性とともに基板に対するレジスト膜の
密着性が極めて重要である。すなわち、１μｍ杵度の細
い線やパターンがレジストｊ（かの現像、エノチングエ
稈を他して基板から剥離することなく強く密着している
ことが要求される。従来の）第１・レジスト組成物は、
この密着性がかならずしも満足なものでなく改良が望ま
れていた。
型）フォトレジストに比べ解像力が著しくすぐれている
。この高解像力を生かしてプリント配線用銅張積層基板
、ＩＣやＬＳＩなどの集積回路製作を行うときの写頁食
刻法のエツチング保護膜（レジスト膜）として利用され
ている。さて集積回路については高集積化によ４ヂ る微細化に′■い今や１１１ｍ巾のパターンが要求され
るに到っている。しかしながらこのような微細なパター
ンになると高解像性とともに基板に対するレジスト膜の
密着性が極めて重要である。すなわち、１μｍ杵度の細
い線やパターンがレジストｊ（かの現像、エノチングエ
稈を他して基板から剥離することなく強く密着している
ことが要求される。従来の）第１・レジスト組成物は、
この密着性がかならずしも満足なものでなく改良が望ま
れていた。
本発明者らはこの点に鑑み、密着性の改良された高解像
度ポジ型フォトレジストについて鋭意検討した結果、不
飽和ポリエステルを添加することにより密着性が格段に
改良されることを見い出し、本発明に到った。すなわち
本発明は感光剤としてキノンジアジド化合物を含むポジ
型フォトレジスト組成物に不飽和ポリエステルを添加し
たことを特徴とするポジ仰フォトレジスト組成物に関す
るものである。以下、本発明の実施態様を具体的に説明
する。
度ポジ型フォトレジストについて鋭意検討した結果、不
飽和ポリエステルを添加することにより密着性が格段に
改良されることを見い出し、本発明に到った。すなわち
本発明は感光剤としてキノンジアジド化合物を含むポジ
型フォトレジスト組成物に不飽和ポリエステルを添加し
たことを特徴とするポジ仰フォトレジスト組成物に関す
るものである。以下、本発明の実施態様を具体的に説明
する。
本発明の不飽和ポリエステルを添加して用いるボン型フ
ォトレジスト組成物は、前述したようにキノンジアジド
基を有し３００〜５００ｍμの光照射によシキノンジア
ジド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、
アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶性となる証し放物
をすべて含む。この組成物は一般にキノンジアジド基を
含む感光剤成分とアルカリ可溶性砂・脂成分および溶剤
よシ成っている。
ォトレジスト組成物は、前述したようにキノンジアジド
基を有し３００〜５００ｍμの光照射によシキノンジア
ジド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、
アルカリ不溶の状態からアルカリ可溶性となる証し放物
をすべて含む。この組成物は一般にキノンジアジド基を
含む感光剤成分とアルカリ可溶性砂・脂成分および溶剤
よシ成っている。
まずキノンジアジド基を含む感光剤成分は、ナフトキノ
ンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキノンジアシド
ヌルホン酸りロリドト酸クロリドと縮合反応可能な官能
基を有する低分子化合物又は高分子化合物とを反応させ
ることによって得られる。ここで酸クロリドと縮合反応
可能な官能基としては水酸基、アミン基等があげられる
が、特に水酸基が好ｌ凶である。水酸基を含む（ｇ分子
化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾルシン、
フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン
、２，３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸アルギルエステルがあげられ、水酸基を含む高分子化
合物（！： してはフェノールーホルムアルデヒトノボ
ラノク樹脂、フレジー／Ｌ／ −ｙｈ ／’ムアルデヒ
ドノボラノク樹脂、ポリヒドロキシスチレン等があげら
れる。
ンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキノンジアシド
ヌルホン酸りロリドト酸クロリドと縮合反応可能な官能
基を有する低分子化合物又は高分子化合物とを反応させ
ることによって得られる。ここで酸クロリドと縮合反応
可能な官能基としては水酸基、アミン基等があげられる
が、特に水酸基が好ｌ凶である。水酸基を含む（ｇ分子
化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾルシン、
フロログルシン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン
、２，３．４−）ジヒドロキシベンゾフェノン、没食子
酸アルギルエステルがあげられ、水酸基を含む高分子化
合物（！： してはフェノールーホルムアルデヒトノボ
ラノク樹脂、フレジー／Ｌ／ −ｙｈ ／’ムアルデヒ
ドノボラノク樹脂、ポリヒドロキシスチレン等があげら
れる。
次にアルカリ可溶性樹脂成分であるが、ノボフック樹脂
、スチレン−無水マレイン酸コポリマー、ポリヒドロキ
シスチレン、カルボキシル基を有するアクリル樹脂等が
あげられるが、なかでもノボラック樹脂が好適である。
、スチレン−無水マレイン酸コポリマー、ポリヒドロキ
シスチレン、カルボキシル基を有するアクリル樹脂等が
あげられるが、なかでもノボラック樹脂が好適である。
ノボフック樹脂の例としてはフエノールホルムアルデヒ
ドーノボラノク樹脂、クレゾールーホルムアルデヒドノ
ボラノク樹脂があげラレる。
ドーノボラノク樹脂、クレゾールーホルムアルデヒドノ
ボラノク樹脂があげラレる。
この感光剤成分とアルカリ可溶性′ｊｇｉ脂成分の比ば
１：１〜１：６の勧１囲で用いるのが好ましい。
１：１〜１：６の勧１囲で用いるのが好ましい。
これらの感光剤成分とアルカリ可溶性樹脂成分を溶剤に
とかしてレジスト液を調製する。ここで用いる溶剤は、
適当々乾燥速度で溶剤が蒸発した後均−で平滑な塗膜を
与えるものがよい。
とかしてレジスト液を調製する。ここで用いる溶剤は、
適当々乾燥速度で溶剤が蒸発した後均−で平滑な塗膜を
与えるものがよい。
そのようなものとしてはエチルセロソルブアセテート、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブ、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、
キシレン等があげられる。
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブ、酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン、
キシレン等があげられる。
以上のポジ型フォトレジスト組成物は、さらに付加的な
添加物として、少量の付加的な樹脂、可塑剤、顔料など
が添加されていてもよい。
添加物として、少量の付加的な樹脂、可塑剤、顔料など
が添加されていてもよい。
次に本発明の目的である督着性改良のだめの主要成分、
不飽和ポリエステルについて具体的に説ＱＪＩする。
不飽和ポリエステルについて具体的に説ＱＪＩする。
本発明に用いられる不飽和ポリエステルとは不飽和ジカ
ルボン酸とグリコールから重縮合反応により得られる通
常は液状のものである。
ルボン酸とグリコールから重縮合反応により得られる通
常は液状のものである。
ジカルボン酸成分としては不飽和ジカルボン酸以外に飽
和ジカルボン酸を含んでいてもよい。
和ジカルボン酸を含んでいてもよい。
（ガラス繊維強化プラスチック、積層材、電気部品用注
型樹脂として用いられる不飽和ポリエステル樹脂＋ａ
、この不飽和ポリエステルにスチレンのよう々ヒニル化
合物を混ぜ、過酸化物触媒などを用いて重合反応による
架橋を起こさせ、硬化させたものである。） 不飽和ジカルボン酸の具体例としては無水マレイン酸、
マレイン酸、フタ）Ｖ酸、イクコン酸、３．６−ニンド
メチレンーハーテトラヒドロ無水フタル酸、ハキザクロ
／ｌ／−３，６−ニンドメチレンーへ４−テトラヒドロ
無水フタル酸（ＨＥＴ酸）などがあげられる。
型樹脂として用いられる不飽和ポリエステル樹脂＋ａ
、この不飽和ポリエステルにスチレンのよう々ヒニル化
合物を混ぜ、過酸化物触媒などを用いて重合反応による
架橋を起こさせ、硬化させたものである。） 不飽和ジカルボン酸の具体例としては無水マレイン酸、
マレイン酸、フタ）Ｖ酸、イクコン酸、３．６−ニンド
メチレンーハーテトラヒドロ無水フタル酸、ハキザクロ
／ｌ／−３，６−ニンドメチレンーへ４−テトラヒドロ
無水フタル酸（ＨＥＴ酸）などがあげられる。
丑だ飽和ジカルボン酸の具体例としては無水フタル酸、
イソフタル酸、テレフタｌし酸、コハク酸、アジピン酸
、アセライン酸などがあげられる。
イソフタル酸、テレフタｌし酸、コハク酸、アジピン酸
、アセライン酸などがあげられる。
ノ不飽和ジカルボン酸の飽和ジカルボン酸に対する比は
モル単位で１以上が好ましい。４−またグリコールの具
体例としては、エチレンダリコール、ジエチレングリコ
ール、トリエチレンクリコール、ブロピレンク） ：Ｉ
−ｚｖ、Ｌ８−ブチレングリコールなどがあげられる。
モル単位で１以上が好ましい。４−またグリコールの具
体例としては、エチレンダリコール、ジエチレングリコ
ール、トリエチレンクリコール、ブロピレンク） ：Ｉ
−ｚｖ、Ｌ８−ブチレングリコールなどがあげられる。
これらの組み合わせのうち本発明に用いうる不飽和ポリ
エステルとして特に好ましい組み合わせは無水マレイン
酸とトリエチレングリコールの組み合わせ、あるいは無
水マレイン酸とイソフタル酸及びトリエチレングリコー
ルの組み合わせである。
エステルとして特に好ましい組み合わせは無水マレイン
酸とトリエチレングリコールの組み合わせ、あるいは無
水マレイン酸とイソフタル酸及びトリエチレングリコー
ルの組み合わせである。
また、不飽和ポリエステルの酸価は１０以上４０以下、
好ましくは１５以上３０以下が釈１−に密着性改良の点
で顕著な効呆がある。（ここで酸価とは樹脂１ｇを中和
するのに必要な苛性カリのミリグラム数である。） 本発明に用いうる不飽和ポリエステルは公知の方法で合
成することができる。
好ましくは１５以上３０以下が釈１−に密着性改良の点
で顕著な効呆がある。（ここで酸価とは樹脂１ｇを中和
するのに必要な苛性カリのミリグラム数である。） 本発明に用いうる不飽和ポリエステルは公知の方法で合
成することができる。
すなわち、不飽和ジカルボン酸と（必要な場合には）飽
和ジカルボン酸及びグリコール成分を混合し、不活性ガ
ス雰囲気下で５０〜３００°Ｃ好寸しくは２００〜２５
０°Ｃで５〜２０時間、好寸しくけ１０〜１５時間反応
させることにより合成できる。
和ジカルボン酸及びグリコール成分を混合し、不活性ガ
ス雰囲気下で５０〜３００°Ｃ好寸しくは２００〜２５
０°Ｃで５〜２０時間、好寸しくけ１０〜１５時間反応
させることにより合成できる。
ゲル防止剤が必要なときは、反応系に０゜０１〜５重量
％加えてもよい。
％加えてもよい。
このようにしてできだ不飽和ポリエステルのボン型フメ
トレジスト組成物に対する添加量は、フォトレジストの
感光特性を大きく変化させない範囲で用いるのが好まし
い。この添加量は用いる不飽和ポリエステルの種類、分
子量によって変ってくるが、おおむね感光剤成分とアル
カリ可溶樹脂成分およびイ」加的々添加物がある場合に
はその成分の合計に対し１〜３０′Ｓ量％の節回で用い
ると良好な結果が得られる。
トレジスト組成物に対する添加量は、フォトレジストの
感光特性を大きく変化させない範囲で用いるのが好まし
い。この添加量は用いる不飽和ポリエステルの種類、分
子量によって変ってくるが、おおむね感光剤成分とアル
カリ可溶樹脂成分およびイ」加的々添加物がある場合に
はその成分の合計に対し１〜３０′Ｓ量％の節回で用い
ると良好な結果が得られる。
以上説明した本発明のホトレジヌト組成物はその高解像
度でかつ基板に対して密着性が非常に良好であることを
生かし、１μｍ程度のパターンを有する大規模集積回路
に用いることができる。その他シャドーマスク加工、Ｃ
ＣＤ用カラーフィルター加工、プリント配線加工、ＰＳ
平版をはじめとして各種用途に用いることができる。
度でかつ基板に対して密着性が非常に良好であることを
生かし、１μｍ程度のパターンを有する大規模集積回路
に用いることができる。その他シャドーマスク加工、Ｃ
ＣＤ用カラーフィルター加工、プリント配線加工、ＰＳ
平版をはじめとして各種用途に用いることができる。
以下に本発明を実施例によシ具体的に説明するが、もち
ろん本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。
ろん本発明はこれらの実施例に限定されるものではない
。
参考例１ 不飽和ポリエステルの製造例 （１）２００
πｔのセパラグルフラスコニ、無水マレイン酸８９．２
ｇ、イソフタル酸８８．２ｇ、）ジエチレングリコール
９４．６ｇ１ハイトロキノンモノメチル工−テ／Ｉ／４
５ｍｇを入れ、窒素置換を行ないつつ反応温度２００°
Ｃ以上で８時間反応させて不飽和ポリエステ／Ｖ １５
２．７ ｇを得た。
πｔのセパラグルフラスコニ、無水マレイン酸８９．２
ｇ、イソフタル酸８８．２ｇ、）ジエチレングリコール
９４．６ｇ１ハイトロキノンモノメチル工−テ／Ｉ／４
５ｍｇを入れ、窒素置換を行ないつつ反応温度２００°
Ｃ以上で８時間反応させて不飽和ポリエステ／Ｖ １５
２．７ ｇを得た。
ＪＩＳ法に６９０１に従って酸価を測定したところ２２
．０であった。
．０であった。
参考例２ 不飽和ポリエステルの製造例 （２）無水マ
レイン酸１４．７ ｇ、ｌ’リエチレングリコ−／Ｉ／
２３７欠１イドロキノンモノメチルエーテ／ｌ／ １５
ｍｇを実施例１と同様に反応させ酸価１６５の不飽和
ポリエステルを得た。
レイン酸１４．７ ｇ、ｌ’リエチレングリコ−／Ｉ／
２３７欠１イドロキノンモノメチルエーテ／ｌ／ １５
ｍｇを実施例１と同様に反応させ酸価１６５の不飽和
ポリエステルを得た。
実施例
■ 参考例１で得た不飽和ポリエステル ２ｇ上
記組成物を０．２μｍのフィルターで口過し、レシヌト
液を調製した。これを常法によっテ洗浄し、たシリコン
ウェハーに回転塗布機を用いて４０００ ｒｐｍで塗布
した。得られた膜１学は１．２０／１ｍであった。これ
を８０℃のクリーンオープンに入れ、３０分間乾燥した
。
記組成物を０．２μｍのフィルターで口過し、レシヌト
液を調製した。これを常法によっテ洗浄し、たシリコン
ウェハーに回転塗布機を用いて４０００ ｒｐｍで塗布
した。得られた膜１学は１．２０／１ｍであった。これ
を８０℃のクリーンオープンに入れ、３０分間乾燥した
。
ついで３５０Ｗの超高圧水銀灯を光源とするコンタクト
マスクアライナ−を用い、最小線巾１，０μｍを有する
マスクを通して５秒間露光した。これを０．２５Ｎ水酸
化カリウム水溶液に浸漬し、１分間現像した。現像後、
顕微鏡によシバターン観察したところ、１．０μｍのパ
ターンが剥離すること々く形成されており、良好な密着
性を示した。一方比較のため不飽和ポリエステルを添加
しない組成物を用いて同様にパターン形成したが、４μ
ｍ以下の線の一部剥離がみられた。
マスクアライナ−を用い、最小線巾１，０μｍを有する
マスクを通して５秒間露光した。これを０．２５Ｎ水酸
化カリウム水溶液に浸漬し、１分間現像した。現像後、
顕微鏡によシバターン観察したところ、１．０μｍのパ
ターンが剥離すること々く形成されており、良好な密着
性を示した。一方比較のため不飽和ポリエステルを添加
しない組成物を用いて同様にパターン形成したが、４μ
ｍ以下の線の一部剥離がみられた。
実施例２
■ 参考例２で得た不飽和ポリエステル ３ｇ上
記組成物を０２μＩｎのフィルターで口過し、実施例１
と同様の方法で塗布、露光、現像を行ったところ、１゜
Ｑ Ｉｔ ｍのパターンが剥離することなくウェハー上
に形成され密着性良好であった。
記組成物を０２μＩｎのフィルターで口過し、実施例１
と同様の方法で塗布、露光、現像を行ったところ、１゜
Ｑ Ｉｔ ｍのパターンが剥離することなくウェハー上
に形成され密着性良好であった。
Claims (1)
- 感光剤としてキノンジアジド化合物を含むポジ型フォト
レジスト組成物に不飽和ポリエステルを添加したことを
特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4832283A JPS59172643A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4832283A JPS59172643A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172643A true JPS59172643A (ja) | 1984-09-29 |
Family
ID=12800170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4832283A Pending JPS59172643A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172643A (ja) |
-
1983
- 1983-03-22 JP JP4832283A patent/JPS59172643A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4529682A (en) | Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins | |
| US4587196A (en) | Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide | |
| JPS5817112A (ja) | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 | |
| KR910004846B1 (ko) | 양각형(positive type) 감광성 내식막 조성물 | |
| JPH02867A (ja) | レジスト | |
| US5234791A (en) | Radiation-curable composition and radiation-sensitive recording material prepared therefrom for use with high-energy radiation | |
| US5104768A (en) | Positive photoresist composition containing radiation sensitive quinonediazide compound and completely esterified polyamic acid polymer | |
| JPH0623841B2 (ja) | フオトレジスト組成物 | |
| JPH0436755A (ja) | レジスト組成物 | |
| JPH0582935B2 (ja) | ||
| US5302490A (en) | Radiation sensitive compositions comprising blends of an aliphatic novolak resin and an aromatic novolak resin | |
| JP2942484B2 (ja) | 高コントラスト高熱安定性ポジ形ホトレジスト | |
| JP3176795B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JPH0211612A (ja) | 高分子量結合剤、その製造法、感光性混合物および感光性複写材料 | |
| TWI271420B (en) | Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same | |
| US10976659B2 (en) | Photoresists comprising novolak resin blends | |
| JP2007206562A (ja) | ポジ型フォトレジスト及び構造体の製造方法 | |
| JPH0627657A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| TW412564B (en) | Methods for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin, a positive photoresist composition and semiconductor device | |
| JPS59162542A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPS59172643A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JPH0496067A (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP2554760B2 (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| EP0852341B1 (en) | Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition | |
| JPS62255937A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 |