JPS5917260A - 半導体ウエハの試験方法 - Google Patents

半導体ウエハの試験方法

Info

Publication number
JPS5917260A
JPS5917260A JP12868182A JP12868182A JPS5917260A JP S5917260 A JPS5917260 A JP S5917260A JP 12868182 A JP12868182 A JP 12868182A JP 12868182 A JP12868182 A JP 12868182A JP S5917260 A JPS5917260 A JP S5917260A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
image
semiconductor wafer
semiconductor
chuck top
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12868182A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6231825B2 (ja
Inventor
Yasumasa Nishimura
西村 安正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP12868182A priority Critical patent/JPS5917260A/ja
Publication of JPS5917260A publication Critical patent/JPS5917260A/ja
Publication of JPS6231825B2 publication Critical patent/JPS6231825B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体ウェハの試験方法に係り、特に半導
体ウェハと電気特性試験用探針(以下プローブと称す)
の接合方法に関するものである。
第1図および第2図は半導体ウェハを試験する従来の半
導体試験装置の概略図であり、図において(1)は固定
ステージ、(2)は固定ステージ(1)上に取り付けら
れた第1ガイドレール、(3)はこの第1ガイドレール
(2)上をX軸方向(第1図において左右方向)に案内
される第1可動ステージ、(4)はこの第1可動ステー
ジ(3)上に取り付けられた第2ガイドレール、(5)
は第2ガイドレール(4)上をY軸方向に案内される第
2可動ステージ、(6)はこの第2可動ステージ(5)
上に設けられ回転角度調整が出来、かつ第2可動ステー
ジ(5)と共にX−Y方向に自在に案内されるチャック
トップ、(7)はこのチャックトップ(6)上に載置固
定され、試験される半導体ウェハ、(7a)は半導体ウ
ェハ(7)上に多数形成された半導体素子、(7b)は
半導体素子(7a)上に複数形成されたyl!極パッド
、(8)は中心部に開口部(8a)を有し前記固定ステ
ージ(1)上の対向位置に設けられたテストヘッド、(
9)はこのテストヘッド(8)の下面に取り付けられ、
テストヘッド(8)の開口部(8a)と同心円の開口部
(9a)を有するアダプターカード、00はこのアダプ
ターカード(9)の開口部1こ回転可能な状肋にセット
されたドーナツ盤状絶縁基板から成るプローブカード、
α℃はこのプローブカード00の絶縁基板上に一端が植
設され他端が中央の開口部(10a)において前記i極
パッド(7b)のパターンに対応した配置となるように
装着された複数のプロ゛−ブ、02は前記プローブカー
ド00の回転角度を調整するだめの角度調整用つまみ、
03は前記プローブODの先端部とf[1mパッド(7
b)を同時に観察するために前記テストヘッド(8)の
開口部の上部に設けられた顕微鏡、0荀は前記チャック
トップ(6)上に載置固定された半導体ウェハ(7)の
載置方向とチャックトップ(6)の移動位置を記憶およ
び制御する制御部である。
この様に構成された半導体試験装置において、電極パッ
ド(7b)とプローブ0])の接合方法は次の様に行な
われる。
まず、チャックトップ(6)上1こ載置された特性試験
を行なうべき1枚目の半導体ウニ/%(7)は、制御部
αくの制御のもとにチャックトップ(6)に固定されあ
らかじめ定められた方向に載置角度の修正が行なわれた
後、11℃置位置から第1セよび第2のカイトレール(
2) (4)を案内されてプローブカード00の真下の
調整位置に移動する。次に顕微鏡03により、プローブ
ODと半導体ウェハ(7)上に形成されたもののいずれ
か1つの半導体素子(7a)の?lt極バンド(7b)
を観察して姿勢に1.Iil整を行なう。この姿勢調整
はヂャ゛ジクトツブ(6)を第1および第2のガイドレ
ール(2) (4)上をX−Y方向に移動させ、プロー
ブαBの各々の先端の真下に電極パッド(7b)が各々
対向する様1こする。次に定められた方向にセットされ
た電極パッド(7b)に対しプローブ01)の角度ずれ
がある場合には、角度調整用つまみ(2)によってプロ
ーブカードQOを回転させ、プローブ0υの角度をWL
極パッド(7b)に合わせる。この時、プローブカード
(10の角度調整によって生じたプローブOBとy!i
mバッド(7b)のx−Y方向のずれは、再度チャック
トップ(6)を調整して電極パッド(7b)をプローブ
0])に対向させる様に位置合ぜを行なう。このチャッ
クトップ(6)のX−Y方向への調整とプローブカード
00の角度yA整は、各[極パッド(7b)と各プロー
ブ0υが一対−lこ対向するまで繰り返す。この様にし
て半導体ウェハ(7)上に多数形成された半導体素子(
7a)の1つに関するYiL極パッド(7b)とプロー
ブ0Dとの姿勢調整、つまり対向位置合せが完了した後
、チャックトップ(6)を上昇させ、プローブQl)と
電極ノ(ンド(7b)とを接合させ、所望の特性試験を
行なうものである。この様にして、半導体ウニノ枢7)
の1つの半導体素子(7a)の特性試験終了後同様にし
てこの半導体ウェハ(7)上の半導体素子(7a)群の
X −Y方向の配列位置を前もって記憶させた制御部0
くの制御のもとに個々の半導体素子(7a)の電極/N
6ツド(7b)とプローブαDとの位置合せは順番に行
なわれ、その都度チャックトップ(6)が上方に動き接
合も自動的に行なわれるものである。
また、前記対向位置合せ完了時のチャックトップ(6)
のx−Y位置を制御部0くに記憶させておくことにより
、同じロフトの2枚目以後の半導体ウニノー(7)に関
しても、チャックトップ(6)上に載置して制御部αく
を作動させるだけで自動的に電極ノfツド(7b)とプ
ローブθDとの対向位置合せと接合が行なわれるもので
ある。
しかるに、この装置にあっては顕微!03を介してプロ
ーブαBとその下に見える電極パッド(7b)を同時に
観察しながら位置合せを行っているものであるので、最
近とみに高集積度化される半導体素子(7a)に関して
は不都合が生じてきた。例えば100個以上の電極パッ
ド(7b)を有する半導体素子(7a)の出現により、
プローブ(ロ)としてはそれに相応する100本以上の
ものが必要となり、前記従来方法による顕微@01を用
いた観察ではこれら多数のプローブθ旧こ視野を防げら
れてその下にある電極パッド(7b)を観察することが
出来ず、従って電極パッド(7b)とプローブαυとの
対向位置合せが出来ない欠点があった。
この発明は上記欠点に鑑み成されたもので、半導体ウェ
ハとプローブを互いにずれたK1.’J整位置に置き、
この半導体ウェハに形成された半導体素子の主面とプロ
ーブの接合面を撮影し、この各々の像を同一画面上に重
ねて表示しながら、半導体素子のgiバッドの像とプロ
ーブの接合面の像を合致させる相対的な姿勢調整をして
、多数の電極バンドを有する半導体素子の電極パッドと
プローブとの位置合せを容易ならしめることを目的とす
るものである。
以下1ここの発明の一実施例を、第8図および第4図に
示す半導体試験装置の概略図に基づいて説明すると、図
においてOleはテストヘッド(8)の側面に取り付け
られ、半導体ウェハ(7)上に形成・された半導体素子
(7a)のW極パッド(7b)を調整位置において撮影
するためのチップ撮影用テレビカメラ、00はプローブ
カードの位置に形成された固定ステージ(1)の開口部
(1a)の下部に取り付けられ、この開口部(la)を
介してプローブθυが半導体素子(7a)の電極パッド
(7b)に接合する部分、つまり先端部分のみを鮮明に
撮影するプローブ撮影用テレビカメラ、α力はこのプロ
ーブ撮影用テレビカメラOQの接眼レンズ、(1枠はこ
の接眼レンズa″I)に描かれたモニタ用クロスライン
であり、第1ガイドレール(2)および第2ガイドレー
ル(4)と平行関係にあり、半導体素子(7B)および
プローブQl)が平行関係に保たれているのを見る指標
となるものである。o9は前記チップ撮影用テレビカメ
ラ0υとプローブ撮影用テレビカメラ00の各々で映さ
れたTI!極パッド(7b)とプローブαBの像を同一
画面上に重ねて表示するモニタテレビである。
次にこの様に構成された半導体試験装置において、半導
体ウェハ(7)の電極パッド(7b)とプローブ01)
との接合は次の様に行なゎiする。
まず、従来例と同じくチャックトップ(6)上に載置さ
れた特性試験を行なうべき1枚目の半導体ウェハ(7)
は、制御部Q41の制御のもとにチャックトップ(6)
に固定され、あらかじめ定められた方向に載置角度の調
整が行なわれた後、裁置位置からプローブカード◇Oの
真下に移動する。次にチャックトップ(6)をチップ撮
影用テレビカメラ(イ)真下の調整位置に移動させ、こ
の位置においてチップ撮影用テレビカメラarhで撮影
された半導体素子(7a)の像と、プローブ撮影用テレ
ビカメラθ0で撮影されたプローブαDの接触部側の像
が重ねて映し出されたモニタテレビa9を観察して相対
的な姿勢調整を行なう。この時、半導体素子(7a)と
プローブ0υはそれぞれに焦点が合わされて撮影される
ので、モニタテレピリ1には鮮明な像が映るものであり
、プローブ01)においては位置合せに必要となる半導
体素子(7a)の電極パッド(7b)との接合面のみが
モニタテレビ(IIIこ映されるので相対的な姿勢H整
には都合の良いものである。この姿勢調整はチャックト
ップ(6)を第1ぷよび第2ガイドレール(zl (4
)上をX−Y方向に移動させ、WL極パッド(7b)の
像がプローブθυの像に重なり合うように位置調整を行
なう。
次に定められ方向1こセットされたt! 1iiiiパ
゛ノド(7b)に関する像に対しプローブ(6)の像の
角度ずれがある場合には、角度調整用つまみO→によつ
Cプローブカード0Qを回転させプローブαDの像の角
度を電極パッド(7b)の像に合わせる。プローブカー
ド00の角度調m1こよって生じたプローブαBの像と
電極パッド(7b)の像のX−Y方向のずれは、再度チ
ャックトップ(6)を調整してW極パッド(7b)味を
プローブ01)の像に重ね合わせる様に位置合せを行な
う。このチャックトップ(6)のX−Y方向への調整と
プローブカード0()の角度調19(let 、各rr
i極バンド(7b)の像と各プローブQl)の像が第4
図に示すように一対一に重なり合うまで繰り返す。この
様1こしてデツプ撮影用テレビカメラθGで撮影された
電極パッド(7b)の像とプローブ撮影用テレビカメラ
0Qで撮影されたプローブ01)の像を一対一に重なり
合せた時の両者の実離隔距離は、チップ撮影用テレビカ
メラθGとプローブ撮影用テレビカメラθGとの離隔距
離と同じである。従ってプローブ01)の像と?l!極
パッド(7b)の像を合致させた時のチャックトップ(
6)の位置を基点とし、プローブ撮影用テレビカメラO
Qの方向へ上記離隔距離分チャックトップ(6)を平行
移動すると、電極パッド(7b)はプローブ0])と一
対一に対向する位置に置かれる。チャックトップ(6)
を上昇させて、プローブ(+1)とmtMtパッド(7
b)とを接合させた後、半導体素子(7a)の特性試験
を行なうものである。これらモニタテレビθ1の映像に
よる相対的な姿勢調整完了時のチャックトップ(6)の
位置、およびチップ撮影用テレビカメラOQとプローブ
撮影用テレビカメラ(10間の距離の記憶とチャックト
ップ(6)の移動制御はすべて制御部(+4)lこよっ
て行なわれる。従って半導体ウェハ(7)上に多数形成
された半導体素子(7a)の1つ1こ関するrrL極パ
ッド(7b)の像とプローブαυの像とを合致させる相
対的な位置合せが完了した後、この半導体ウェハ(7)
上の半導体素子(7a)群のX−Y方向の配列位置と、
上記相対位置と対向位置の距離とを記憶させた制御部α
榎の制御のもとに個々の半導体素子(7a)の電極パッ
ド(7b)とプローブODとの対向位置合せは順番に行
なわれ、その都度チャックトップ(6)が上方に動き接
合も自動的に行なうことができるので、半導体ウェハ(
7)に形成さilだ全ての米導体素子(7a)の試験を
自動的1こ行なえるものである。また、前記相対的な姿
勢調整完了時のチャックトップ0υの位置を記憶した制
御部1.14)の制御のもとに、同じロフトの2枚目以
後の半導体ウェハ(7)に関してもチャックトップ(6
)上に載置して制御部0榎を作動させるだけで自動的に
電極パッド(7b)とプローブ(11)との対向位置合
せと接合が行なわれるものである。
なお、上記実施例において、電極パッド(7b)とプロ
ーブ0υとの相対的な姿勢調整の前にプローブ撮影用テ
レビカメラ00で映されたプローブ0υの像をモニタ用
クロスライン(ハ)の像と角度を合わせることにより、
もともとこのモニタ用クロスライン(■と平行となるよ
うに載置角度の修正が行なわれた半導体ウェハ(7)上
の半導体素子(7a)との平行関係が最初に設定される
こととなり、電極パッド(7b)の像とプローブODの
像の重ね合せはチャックトップ(6)のX−Y方面移動
のみの簡単な操作で済むものである。また上記実施例で
はプローブ0υの接触部側と対向した位1i?に直接プ
ローブ撮影用テレビカメラθQが設けられた半導体試験
装置を用いたが、上記対向位置1ご反射鏡を設け、この
反射鏡に耽ったプローブ0])の像を間接的に撮影する
プローブ撮影用テレビカメラθeが設けられた半導体試
験装置でも同様の効果が得られるものである。
この発明は、以上述べた様に半導体ウェハとプローブを
互いにずれた調整位置に置き、この調整位置1こおいて
半導体ウェハ上に形成された電極パッドとプローブの接
触部側をそれぞれ別々に撮影し、この各々の像を同一画
面上に重ねて表示して、電極パッドとプローブの像を一
致させる相対的な姿勢調整を行なった後に、半導体ウニ
/%とプローブを対向位置に置き、電極パッドとプロー
ブとを接合させる方法をとったので、対向した位置で姿
勢調整を行なうことが不可能となる多数の電極パ果が得
られるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体試験装置の概略図、第2図は第1
図における顕微M、観察図、第8図はこの発明の一実施
例に用いられる半導体試験装置の概略図、第4図は第8
図のテレビモニタ映像図である。 図において(7)は半導体ウニ/%、(7b)はTtL
tfiバンド、0Oはプローブカード、OBはプローブ
、09はチップ撮影用テレビカメラ、00はプローブ撮
影用テレビカメラ、09はモニタテレビである。 なお、各図中同−礼号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 葛野(1− 手続補正書(自発) 昭和57年10月19(」 特許庁長官殿 1、事f’lの表示    持19〔l昭57−1f2
B681号2、発明の名f4、 半導体ウェハの試験方法 3、 補11.を4゛るh 代表者片山仁へ部 4、代理人 6、 補正の対象 図面 6、補正の内容 図面中、第1図において、添付複写図面に未配して示す
如く、符号「18」とあるのを符号「8」と訂正する。 以上 〜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一主面1こ多数の電極を有する半導体ウェハと、上記r
    vL極に対応する複数の探針を有する測定具とを姿勢調
    整の後に対向位置1こ動かして接合する方法において、
    上記半導体ウェハと測定具を対向位置から互いにずれた
    調整位置にすること、上記調整位置において、上記半導
    体ウェハの主面側のイメージと上記各探針の、接触部側
    のイメージとをそれぞれ別々に撮影すること、上記各イ
    メージを共通の画面上に重ねて表示しながら上記半導体
    ウェハと測定具の相対的な姿勢調整することを含む半導
    体ウェハの試験方法。
JP12868182A 1982-07-20 1982-07-20 半導体ウエハの試験方法 Granted JPS5917260A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12868182A JPS5917260A (ja) 1982-07-20 1982-07-20 半導体ウエハの試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12868182A JPS5917260A (ja) 1982-07-20 1982-07-20 半導体ウエハの試験方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5917260A true JPS5917260A (ja) 1984-01-28
JPS6231825B2 JPS6231825B2 (ja) 1987-07-10

Family

ID=14990799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12868182A Granted JPS5917260A (ja) 1982-07-20 1982-07-20 半導体ウエハの試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5917260A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60213040A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Hitachi Ltd ウエ−ハプロ−バ装置
JPS622250U (ja) * 1985-06-20 1987-01-08
JPH01121778A (ja) * 1987-11-04 1989-05-15 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及び液晶パネル用プローブ装置
JPH0388349A (ja) * 1989-08-30 1991-04-12 Nec Yamagata Ltd プロービング装置
US6917698B2 (en) 2000-11-09 2005-07-12 Tokyo Electron Limited Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
JP2007184538A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Nec Electronics Corp プローブ検査装置
JP2008166806A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Suss Microtec Test Systems Gmbh プロービング装置で焦点を合わせて多平面画像を取得する装置と方法
CN113053765A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 常州雷射激光设备有限公司 一种用于半导体二极管芯片的检测设备

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60213040A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Hitachi Ltd ウエ−ハプロ−バ装置
JPS622250U (ja) * 1985-06-20 1987-01-08
JPH01121778A (ja) * 1987-11-04 1989-05-15 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及び液晶パネル用プローブ装置
JPH0388349A (ja) * 1989-08-30 1991-04-12 Nec Yamagata Ltd プロービング装置
JPH0719825B2 (ja) * 1989-08-30 1995-03-06 山形日本電気株式会社 プロービング装置
US6917698B2 (en) 2000-11-09 2005-07-12 Tokyo Electron Limited Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
US7382914B2 (en) 2000-11-09 2008-06-03 Tokyo Electron Limited Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
JP2007184538A (ja) * 2005-12-09 2007-07-19 Nec Electronics Corp プローブ検査装置
JP2008166806A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Suss Microtec Test Systems Gmbh プロービング装置で焦点を合わせて多平面画像を取得する装置と方法
CN113053765A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 常州雷射激光设备有限公司 一种用于半导体二极管芯片的检测设备

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6231825B2 (ja) 1987-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6917698B2 (en) Method for aligning two objects, method for detecting superimposing state of two objects, and apparatus for aligning two objects
US6002426A (en) Inverted alignment station and method for calibrating needles of probe card for probe testing of integrated circuits
US5194948A (en) Article alignment method and apparatus
TWI547162B (zh) 用於使元件與印刷電路板上之印跡對準的照相機系統及方法
US7589544B2 (en) Probe test apparatus
TWI384569B (zh) 視線不清下之探測應用所使用之探針針尖與裝置腳位之對準
JPS5917260A (ja) 半導体ウエハの試験方法
EP2115767B1 (de) Vorrichtung für die montage eines flipchips auf einem substrat
TW201403733A (zh) 用於調整聯結於一晶圓處理機器人之一進給手臂之校直及位置之系統以及用於調整聯結於一晶圓處理機器人之一進給手臂之校直及位置之方法
TW200836280A (en) TCP handling device, and method for positional alignment of connecting terminals in the device
KR102130112B1 (ko) 입체 영상화 센서 장치 및 입체 영상화에 사용되는 영상 센서의 쌍들을 제작하는 방법
US11364573B2 (en) Laser processing apparatus including imager of mark of processed workpiece
CN106486404B (zh) 用于操纵电子部件的操纵装置的调节设备和方法
CN108108021A (zh) 人眼跟踪系统外参数校正治具及校正方法
JP2009099937A5 (ja)
JPH11304721A (ja) 外観検査装置
US5519535A (en) Precision placement apparatus having liquid crystal shuttered dual prism probe
JP2006071450A (ja) ワイヤボンディングにおけるボール圧着厚の測定方法
CN104620121B (zh) 探针设备
JP2001255274A (ja) 工業製品の目視検査支援装置
JP2828503B2 (ja) フリップチップボンダー装置及び該装置の位置合わせ方法
US20040103726A1 (en) Bond test systems with offset shear tool
JPS63239961A (ja) 検査装置
TW200902423A (en) TCP handling device
JPS61199623A (ja) ウエハの位置検出方法およびウエハ