JPS59168635A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59168635A JPS59168635A JP4268583A JP4268583A JPS59168635A JP S59168635 A JPS59168635 A JP S59168635A JP 4268583 A JP4268583 A JP 4268583A JP 4268583 A JP4268583 A JP 4268583A JP S59168635 A JPS59168635 A JP S59168635A
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- JP
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- wiring
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- bell jar
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体素体の段差部上を辿る配線が真空蒸着に
より形成された半導体装置に関する。
より形成された半導体装置に関する。
この補の配線は、従来市販の真空蒸着装置を用い、１０
’Ｔｏｒｒ程にの高真空の真空情内で抵抗加熱方式あ
るいは電子ビーム方式により配線材料蒸発源を加熱蒸着
し、ウェハに被着後、配線パターンによるフォトエツチ
ングを行なって形成しでいた。しかし、この方法で＜；
Ｉ ＩＲｎ以上もある段差部でのステップカバレージ
性に問題があり一段差部での被着膜厚の減少１段差部で
の空洞発生という現象が発生していた。この問題を回避
するには充分な工程管理が必要であり、特にＡ９度は〜
１０ ’ Ｔｏｒｒ以下に完全におさえ込む必要があり
、このことは、通常の真空蒸着装置の場合、処理バッチ
数の低下につながるなどの問題があった。
’Ｔｏｒｒ程にの高真空の真空情内で抵抗加熱方式あ
るいは電子ビーム方式により配線材料蒸発源を加熱蒸着
し、ウェハに被着後、配線パターンによるフォトエツチ
ングを行なって形成しでいた。しかし、この方法で＜；
Ｉ ＩＲｎ以上もある段差部でのステップカバレージ
性に問題があり一段差部での被着膜厚の減少１段差部で
の空洞発生という現象が発生していた。この問題を回避
するには充分な工程管理が必要であり、特にＡ９度は〜
１０ ’ Ｔｏｒｒ以下に完全におさえ込む必要があり
、このことは、通常の真空蒸着装置の場合、処理バッチ
数の低下につながるなどの問題があった。
本発明は、上述の欠点を除去し、半導体素体の表面に存
在する段差部を通って欠陥のない配線を蒸着により容易
に形成できる半導体装置を提供することを目的とする。
在する段差部を通って欠陥のない配線を蒸着により容易
に形成できる半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、少なくとも半導体素体の表面ｉこ存在する段
差部上を通る配線か１〜１０ｘｌＯ−３Ｔｏ ｒ ｒの
不活性ガスふん囲気中で蒸着された金属よりなることｆ
こよって上述の目的を達成する。
差部上を通る配線か１〜１０ｘｌＯ−３Ｔｏ ｒ ｒの
不活性ガスふん囲気中で蒸着された金属よりなることｆ
こよって上述の目的を達成する。
以下段差部に設けた配線の電子顕倣鋭写真を旨めた図を
引用して本発明の実施例について説明する。第１図は１
μｍの段差を有するシリコン板表面に従来の抵抗加熱方
式によりＡＪを真空蒸着し、第２図は従来の電子ビーム
方式（こよりＡＩ！をＡ空蒸着しそれぞれフォトエツチ
ング（こより形成した配線の電子顕微鏡写真である。い
ずれの場合も段差部でのＡＪの族厚減およびエツチング
時のえぐれが発生しでいる。第３図は本発明の一実施例
に用いた装置を示し、真空ベルジャｌには真空計２、拡
散ポンプ３、回転ポンプ４からなる真空排気系、流ｊｔ
’ｔ ｉｔ ５を介してのヘリウムガスボンベ６か接続
されている。この装置を用いベルジャ１内にヘリウムガ
スを１ｇ人し、それぞれ５ｍＴｏｒｒ、１０ｍ’ｌＬ’
ｏ ｒ ｒ 、 ５０ ｍＴｏｒｒの低兵空下で抵抗加
熱方式によりシリコン板表面の１μｍ１１の段差を有す
る部分にＡＩ！ヲ蒸着しフォトエツチングで配線を形成
したものの電子顕微鏡写真を第４図ないし第６図に示す
。これらについてはＡＪの粒径が従来のものにくらべて
若干大きくなっているものの段差部における配線の断面
の縮小は見られず、健全な配線が形成される。しかし第
６図に示す５０ｍＴｏｒｒの真空中での蒸着の場合は、
Ａｌが真空槽の内壁に多く付着し、蒸着Ａｌ膜の膜厚か
薄くなるため実用的でない。マたＩ ｍ ’ｉ’ｏ ｒ
ｒより１％ １＜ ”−Ｍで（／、１７ｇ Ｊは’ｄ
ｉｌｌ Ｉｉ叩が困’、：ｉＡであり、また１゛４乍な
配線形成の効果も十分′Ｃない。なお上記の実施例では
不ｌ占性ガスとしでＨｅを用いたが、Ａｒ 、 Ｉぐｒ
、 Ｘｅなどを轡４人しでも同様のタカ果をＴ停るこ
とができる。
引用して本発明の実施例について説明する。第１図は１
μｍの段差を有するシリコン板表面に従来の抵抗加熱方
式によりＡＪを真空蒸着し、第２図は従来の電子ビーム
方式（こよりＡＩ！をＡ空蒸着しそれぞれフォトエツチ
ング（こより形成した配線の電子顕微鏡写真である。い
ずれの場合も段差部でのＡＪの族厚減およびエツチング
時のえぐれが発生しでいる。第３図は本発明の一実施例
に用いた装置を示し、真空ベルジャｌには真空計２、拡
散ポンプ３、回転ポンプ４からなる真空排気系、流ｊｔ
’ｔ ｉｔ ５を介してのヘリウムガスボンベ６か接続
されている。この装置を用いベルジャ１内にヘリウムガ
スを１ｇ人し、それぞれ５ｍＴｏｒｒ、１０ｍ’ｌＬ’
ｏ ｒ ｒ 、 ５０ ｍＴｏｒｒの低兵空下で抵抗加
熱方式によりシリコン板表面の１μｍ１１の段差を有す
る部分にＡＩ！ヲ蒸着しフォトエツチングで配線を形成
したものの電子顕微鏡写真を第４図ないし第６図に示す
。これらについてはＡＪの粒径が従来のものにくらべて
若干大きくなっているものの段差部における配線の断面
の縮小は見られず、健全な配線が形成される。しかし第
６図に示す５０ｍＴｏｒｒの真空中での蒸着の場合は、
Ａｌが真空槽の内壁に多く付着し、蒸着Ａｌ膜の膜厚か
薄くなるため実用的でない。マたＩ ｍ ’ｉ’ｏ ｒ
ｒより１％ １＜ ”−Ｍで（／、１７ｇ Ｊは’ｄ
ｉｌｌ Ｉｉ叩が困’、：ｉＡであり、また１゛４乍な
配線形成の効果も十分′Ｃない。なお上記の実施例では
不ｌ占性ガスとしでＨｅを用いたが、Ａｒ 、 Ｉぐｒ
、 Ｘｅなどを轡４人しでも同様のタカ果をＴ停るこ
とができる。
本発明は上述のように半導体装置の半導体素体の表面ｌ
こ急峻な段差Ｉｆｉｌζこ設けられる配線を比軟的低臭
仝の不活性ガスふん曲気中での金屑ｇ着により形成する
もので、これにより製造歩留りおよび信頼性の商い配線
の形成が可能となると同時に、比較的低真空で操作され
るため装置の間素化、処理時間の′ｆ！ｊ稲か図られ、
得られる効果は極めで大きい。
こ急峻な段差Ｉｆｉｌζこ設けられる配線を比軟的低臭
仝の不活性ガスふん曲気中での金屑ｇ着により形成する
もので、これにより製造歩留りおよび信頼性の商い配線
の形成が可能となると同時に、比較的低真空で操作され
るため装置の間素化、処理時間の′ｆ！ｊ稲か図られ、
得られる効果は極めで大きい。
第１図は抵抗加熱方式による従来の高Ａ望蒸着ζこよる
Ａ／蒸着膜より形成した配線の′４Ｌ子顧倣鋭写真、第
２図は電子ビーム方式による場合の同様な電子顕微鏡写
真、第３図は本発明の実施例のための蒸着装置の配置図
、第４図は本発明の一実施例である５ ＋ｎ ’Ｊ、’
ｏ ｒ ｒ ０）Ｈｅふん囲′ノｔでの抵抗加熱方式に
よろＡ／蒸着＋１／、１より形ルｚした配、Ｙ星の（ｌ
ｉ子顕イ改帷写泊−１第５図（１回じ＜ １０ ｍ Ｔ
ｏｒｒ ０）３１４合の１１１様なｔ！ｉ子顕微説写−
Ｃ（、’（”＋ ６図は同じ＜ ５０ ｍ ＴｏｒｒＯ
）」ノシ合の同様なｒ【を子顕微鏡写４′（である。 １ ： ｐ：空ベルジャ、５ ： 流−１ｉｉ計、６
：Ｈｅガスホンベ０ 才 １ 閃 １′２ 閃 呻３ 閃 す４（２） 才、ｆ （３）
Ａ／蒸着膜より形成した配線の′４Ｌ子顧倣鋭写真、第
２図は電子ビーム方式による場合の同様な電子顕微鏡写
真、第３図は本発明の実施例のための蒸着装置の配置図
、第４図は本発明の一実施例である５ ＋ｎ ’Ｊ、’
ｏ ｒ ｒ ０）Ｈｅふん囲′ノｔでの抵抗加熱方式に
よろＡ／蒸着＋１／、１より形ルｚした配、Ｙ星の（ｌ
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ｏｒｒ ０）３１４合の１１１様なｔ！ｉ子顕微説写−
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：Ｈｅガスホンベ０ 才 １ 閃 １′２ 閃 呻３ 閃 す４（２） 才、ｆ （３）
Claims (1)
- 】）少なくとも＃！＝導体表面に存在する段差部上を通
る配線かＩ 〜ｌ ＯＸ １Ｏ−３Ｔｏｒｒの不活性ガ
スふん囲気中で蒸着された金属よりなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4268583A JPS59168635A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4268583A JPS59168635A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59168635A true JPS59168635A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12642884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4268583A Pending JPS59168635A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59168635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551117A2 (en) * | 1992-01-08 | 1993-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Large scale integrated circuit device and thin film forming method and apparatus for the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958754A (ja) * | 1972-06-21 | 1974-06-07 | ||
| JPS5844713A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-15 | Fujitsu Ltd | 蒸着方法 |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP4268583A patent/JPS59168635A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958754A (ja) * | 1972-06-21 | 1974-06-07 | ||
| JPS5844713A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-15 | Fujitsu Ltd | 蒸着方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0551117A2 (en) * | 1992-01-08 | 1993-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Large scale integrated circuit device and thin film forming method and apparatus for the same |
| EP0551117A3 (ja) * | 1992-01-08 | 1995-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | |
| US5561326A (en) * | 1992-01-08 | 1996-10-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Large scale integrated circuit device |
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